【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端部と画像表示領域の端部とに挟まれた領域に電源線およびシール材を設けた場合でも、電源線の配線抵抗を大きく増大させることなく、シール材を確実に光硬化させることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた信号線１１および電源線１６のうち、配線幅寸法が広い電源線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、電源線１６のシール材８０との交差部分１７ｃ、１８ｃには、透光用の開口部１７ａ、１８ａが設けられている。開口部１７ａ、１８ａは、電源線１６の延在方向に延在するスリット状であり、開口部１７ａ、１８ａの長さ寸法は、シール材８０の幅寸法より小である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法、ならびに、上記の回路基板を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】回路基板は、素子と、接続端子と、これらを電気的に接続するコンタクト構造とを備えている。ここで、コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。 （もっと読む）

【課題】アクティブ動作中に外部電源による電位の制御を必要としない静電気保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線２２と、複数のソース配線２１と、高電位側ＥＳＤリング３１及び低電位側ＥＳＤリング３２と、ゲート配線２２及びソース配線２１の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極がゲート配線２２及びソース配線２１のうちの一の配線に接続されたＥＳＤダイオード４２と、アノード電極が当該一の配線に接続されカソード電極が高電位側ＥＳＤリング３１に接続されたＥＳＤダイオード４１と、２本以上のゲート配線２２の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極が対応するゲート配線２２に接続された低電位固定ダイオード４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的な信頼性や歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、走査線駆動回路と、データ線駆動回路と、データ線駆動回路に電源を供給する第１ＶＤＤ電源配線１１１と、走査線駆動回路に電源を供給する第２ＶＤＤ電源配線１１２と、第１ＶＤＤ電源配線１１１と第２ＶＤＤ電源配線１１２とを電気的に共通化する共通配線と、を有し、共通配線は、導電体１２１，１２２と配線１０３ａとコンタクトホールＣＮＴ１３１〜ＣＮＴ１３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】低い電気抵抗を維持しながら、広い波長範囲で十分な透明性を得ることができる金属電極、半導体発光素子及び光学素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る金属電極は、部材の主面上に設けられ、金属細線と、前記金属細線により形成される複数の開口部と、を有する金属層である。金属細線は、前記主面に対して平行な第１方向に沿う複数の第１直線部と、前記主面に対して平行で前記第１方向と交差する前記第１方向とは異なる方向に沿う複数の直線部と、を有する。前記複数の第１直線部の前記第１方向に沿う長さの最大値及び前記複数の第２直線部の前記第１方向とは異なる方向に沿う長さの最大値は、可視光の波長以下である。前記主面の法線方向にみた前記金属層の面積に対する前記法線方向にみた前記金属細線の面積の比は、２０パーセントを超え８０パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の画素ＴＦＴとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】画質の均質性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子１０２の形成された基板（第１の基板）１０１に向かい合ってプリ
ント配線板（第２の基板）１０７が設けられる。プリント配線板１０７上のＰＷＢ側配線
（第２の配線群）１１０は異方導電性フィルム１０５a、１０５bにより素子側配線（第１
の配線群）１０３、１０４と電気的に接続される。このとき、ＰＷＢ側配線１１０として
低抵抗な銅箔を用いるため、素子側配線１０３、１０４の電圧降下や信号遅延を低減する
ことができ、画質の均質性の向上及び駆動回路部の動作速度の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】赤、緑、青色のサブ画素のうち、緑色サブ画素の薄膜トランジスタのサイズが赤色及び青色のサブ画素の薄膜トランジスタのサイズより大きい構造を有する有機発光表示装置である。これにより、相対的に発光効率の高い緑色サブ画素のスイングレンジが広く確保できる。これを採用する場合、さらに正確な階調表現が可能であり、信頼性の高い製品が具現できる。また、これにより、有機発光表示装置の輝度のばらつきを軽減できるので、画質不良製品も発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子が有する透明導電膜における平均膜抵抗の低抵抗化が可能な電気器具を提供する。
【解決手段】電極１０５と、透明導電膜１０８と、電極１０５と透明導電膜１０８とに挟まれたＥＬ層１０７とを有するＥＬ素子を複数有し、ＥＬ素子が有する電極１０５の縁および隣り合う電極１０５の隙間と重なるように、ＥＬ素子が有する透明導電膜１０８に接して遮光性の金属膜１０９を設ける。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）