【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なＥＬ表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】画素１０４に設けられたＥＬ素子１０９の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用ＴＦＴ１０８の特性バラツキによる影響を防ぐ。また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 （もっと読む）

【課題】データ信号を伝送する信号線の寄生容量を低減する。
【解決手段】発光装置１００は、複数の発光素子Ｐを含む有効領域Ａと、各発光素子Ｐに供給されるデータ信号を伝送する複数の信号バス配線３０と、信号バス配線３０から分岐して各発光素子Ｐにデータ信号を供給するための信号供給線３０１と、各発光素子Ｐに電源電圧を供給するための電源配線２０とを有する。信号バス配線３０は有効領域Ａの一辺と同じ方向に配設される。電源配線２０は主電源配線２０Ａと副電源配線２０Ｂとを有し、主電源配線２０Ａは信号供給線３０１を挟んで有効領域Ａの反対側に配設される。これにより、信号供給線３０１と主電源配線２０Ａとは交差しない。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を形成するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップと、島状絶縁膜１８の周囲に露出した第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７をアルカリ溶液に浸すステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来では、ＬＤＤ構造を備えたＴＦＴやＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを形成しようとすると、その製造工程が複雑なものとなり工程数が増加してしまう問題があった。
【解決手段】第２のドーピング工程によって低濃度不純物領域２４、２５を形成した後、第４のエッチング工程を行うことによって、第３の電極１８ｃに重なる低濃度不純物領域の幅と、第３の電極に重ならない低濃度不純物領域の幅とを自由に調節できる。こうして、第３の電極１８ｃと重なっている領域は、電界集中の緩和が達成されてホットキャリアによる防止ができるとともに、第３の電極１８ｃと重なっていない領域は、オフ電流値を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 指先等の接触位置の検出感度を向上させ、動作正確性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された表示画素ＰＸを含む表示部ＤＹＰと、表示画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びる走査線ＧＬおよびセンサ用電極ＣｓＬと、画素電極ＰＥが配列する列に沿って延びる信号線ＳＬと、アレイ基板１０と、複数の画素電極ＰＥと対向するように配置された対向電極ＣＥを備えた対向基板２０と、センサ用電極ＣｓＬおよび信号線ＳＬを駆動する駆動回路ＸＤ、ＹＤと、駆動回路ＸＤ、ＹＤへセンサ用信号を出力するとともに、センサ用電極ＣｓＬおよび信号線ＳＬからの信号を受信してセンサデータを出力するセンサ用回路３０と、を備え、表示部ＤＹＰの周囲の領域において、信号線ＳＬが延びる方向に並ぶ複数のセンサ用電極が電気的に接続されている表示装置。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の昇圧回路の高効率化を図ることが可能な半導体チップと、それを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】この携帯電話機では、昇圧回路８のトランジスタ１２の前段にバッファ１４を設け、バッファ１４の入力ノードの寄生容量値をトランジスタ１２のゲートの寄生容量値よりも小さく設定し、トランジスタ１２およびバッファ１４を１つの半導体チップ２１に搭載する。したがって、トランジスタ１２のゲートにおけるＰＷＭ信号φＰのレベル変化の鈍りを抑制することができ、昇圧回路の高効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示領域の配線とＩＣドライバの端子を接続する引き出し線において、ＩＣドライバの中央部の端子を接続する引き出し線とＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における長さが異なることによる引き出し線抵抗に差が生ずることを防止する。
【解決手段】映像信号線とＩＣドライバの端子を接続するドレイン層引出し線５０を途中で分断し、分断した部分を画素ＩＴＯと同時に形成される橋絡ＩＴＯ５０によって橋絡する。ＩＣドライバの中央部分の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さをＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さより大きくすることによって、引き出し線の配線抵抗の差を小さくする。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】超低消費電力を実現しながら、画素回路内の素子数を削減し、さらに画素回路内のトランジスタのスレッショルド電圧の変化にも対応することが可能な画素回路を提供する。
【解決手段】電気光学素子と、第１制御信号線上の第１制御信号により制御される第１スイッチ素子と、第２制御信号線上の第２制御信号により制御される第２スイッチ素子と、第２スイッチ素子の制御端子に一方の電極端子が接続され、第２スイッチ素子の一方の電極端子に他方の電極端子が接続される第４スイッチ素子と、電気光学素子に保持された画像データに対応する電圧レベルのサンプリング結果を保持する第１容量素子及び第２容量素子と、を備え、電気光学素子に保持された画像データに対応する電圧レベルが、第１スイッチ素子を介して第１容量素子にサンプリングされ、第２スイッチ素子を介して第２容量素子にサンプリングされることを特徴とする、画素回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】高速回転される筐体の内部にその外部から、駆動電力と信号を途切れることなく連続的に安定して供給する。
【解決手段】電力供給部４１は、ブラシ４２およびスリップリング４３を介して円筒部３２に電力を供給する。送信部４５は、円筒部３２の受信部４７に対して導波管４６を介して映像信号を送信する。スリップリング４３は、電力供給部４１からブラシ４２を介して供給される電力を受電し、受電した電力を中空モータ４４に供給する。円筒部３２に固定されている中空モータ４４は、モータ制御部６３からの制御に従い、導波管４６を回転軸として円筒部３２を高速回転させる。本発明は、全周囲立体映像表示装置に内蔵されるディスプレイに適用できる。 （もっと読む）

【課題】ドライブトランジスタの移動度の影響をキャンセル可能な画素回路を提供する。
【解決手段】少なくとも、サンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、画素容量と、発光素子とを含み、サンプリングトランジスタにあっては、ゲートは走査線に接続されており、ソース及びドレインの一方は信号線に接続されており、ソース及びドレインの他方はドライブトランジスタのゲートに接続されており、ドライブトランジスタにあってはソース及びドレインの一方は発光素子の一端に接続されており、画素容量はドライブトランジスタのゲートとソース及びドレインの一方との間に接続されている画素回路であって、信号線から信号電位がドライブトランジスタのゲートに供給されている間に、ソース及びドレインの他方が電源に接続されたドライブトランジスタを介して流れる電流によってドライブトランジスタのソース及びドレインの一方の電位を信号電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】ドライブトランジスタの移動度の影響をキャンセル可能な画素回路を提供する。
【解決手段】少なくとも、サンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、画素容量と、発光素子とを含み、サンプリングトランジスタにあっては、ゲートは走査線に接続されており、ソース及びドレインの一方は信号線に接続されており、ソース及びドレインの他方はドライブトランジスタのゲートに接続されており、ドライブトランジスタにあってはソース及びドレインの一方は発光素子の一端に接続されており、画素容量はドライブトランジスタのゲートとソース及びドレインの一方との間に接続されている画素回路であって、信号線から信号電位がドライブトランジスタのゲートに供給されている間に、ソース及びドレインの他方が電源に接続されたドライブトランジスタを介して流れる電流によってドライブトランジスタのソース及びドレインの一方の電位を信号電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを提供する。また、電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを、生産性高く作製する。また、経年変化の少ない表示装置を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜との間に、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域を有する半導体積層体を有し、微結晶半導体領域は、ゲート絶縁膜側の窒素濃度が少なく、非晶質半導体に接する領域の窒素濃度が高く、且つ非晶質半導体との界面が凹凸状である。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサの出力が変化し、撮像品質が低下することを防ぐ画素構成とすることを課題の一つとする。
【解決手段】ＦＤの電位の変化を抑えるため、ＦＤと信号線との寄生容量が小さくなる、或いは、寄生容量がなくなるように、ＦＤと撮像用信号線（ＰＲ配線や、ＴＸ配線や、ＳＥ配線）との間、またはＦＤと表示用信号線との間にシールド配線を配置する画素レイアウト構成とする。シールド配線としては、撮像用電源線、表示用電源線、ＧＮＤ配線、またはコモン電位配線などの電位が固定された共通配線を用いる。 （もっと読む）