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Fターム[5C094AA21]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 電気的特性向上 (2,053)

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【課題】シリコン半導体層および/または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、AlとSiの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および/または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるAl合金膜であって、Al合金膜は、30原子%以上のMoを含有するAl−Mo合金、またはMoと、Mn、Nd、Ni、Mg、およびFeよりなるX群から選択される少なくとも1種とを含有するAl−Mo−X合金の単層から構成されている。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型の有機発光ディスプレイにおいて、有機発光素子を交流で駆動する回路を提供する。
【解決手段】データ信号に応じてコンデンサを充電するスイッチング用TFTと、コンデンサからの電圧に応じて有機発光素子105の発光を制御する電流制御用TFT102とを備えた画素100の回路にさらに、整流特性を有する素子109を設ける。交流電源106から整流特性を有する素子109に順方向に電圧をかけることで、容易に有機発光素子に逆バイアスを加えることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が1.5μm以上100μm以下、好ましくは3μm以上10μm以下の範囲において、−25℃以上150℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が1μmあたりのオフ電流の値を1×10−12A以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 (もっと読む)


【課題】性能が高くばらつきの少ない有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを有する有機トランジスタアレイおよび表示装置を提供する。
【解決手段】ドレイン電極4の電極表面の一部に、周囲の電極表面よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部17を形成し、高表面エネルギー部17を含むソース電極3及びドレイン電極4のチャネル部に、インクジェット法により有機半導体材料と溶媒を含むインク18を塗布して有機半導体層1を形成する。 (もっと読む)


【課題】十分な容量値を有する蓄積容量を備えることで表示ムラの発生を確実に抑制し得るとともに、消費エネルギーの少ない電気泳動表示装置用基板を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置用基板30は、第1、第2TFT72,73が、第1導電膜からなるゲート電極74,75と、第1絶縁膜からなるゲート絶縁膜83と、半導体層76と、第2導電膜からなるソース電極77及びドレイン電極79と、を備え、第1蓄積容量71Aが、遮光性金属膜からなる第1蓄積容量電極80Aと、第2保護膜85Bと、画素電極35と、から構成され、第1蓄積容量電極80Aの少なくとも一部が、第1、第2TFT72,73およびデータ線68、走査線等の配線の少なくとも一部と重なっている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電を防止するための金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過して酸素を導入(添加)し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】選択トランジスタや初期化トランジスタに寄生する容量を低減する。
【解決手段】基板10の面上には駆動トランジスタTdrと選択トランジスタTslと初期化トランジスタTintとが配置される。駆動トランジスタTdrは、電源線15から発光素子Eに供給される電流量を制御する。駆動トランジスタTdrのゲート電極の電位は、オン状態となった選択トランジスタTslを介して供給されるデータ信号に応じて設定される。駆動トランジスタTdrはオン状態の初期化トランジスタTintを介してダイオード接続される。基板10に垂直な方向からみて、電源線15は、駆動トランジスタTdrと重なり合い、選択トランジスタTslおよび初期化トランジスタTintには重なり合わない。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、画素毎に設けられた画素電極(9a)
と、基板と画素電極との間に、画素電極に対応して設けられたトランジスタ(30)と、
画素電極とトランジスタとの間に設けられており、第1電極(71)、第1電極の下層側
に下側容量絶縁膜(75)を介して対向配置された第2電極(72)、及び第1電極の上
層側に上側容量絶縁膜(76)を介して対向配置された第3電極(73)からなる保持容
量(70)とを備える。下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有し
ており、下側容量絶縁膜及び第2電極と、上側容量絶縁膜及び第3電極とは、第1電極か
ら見て対称性を有するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】外部からの情報の読み取りを高精度に行うことに寄与し得る表示装置用のカラーフィルタ基板を提供する。
【解決手段】基板50は、光センサ81を有する背面側基板70に対向して配置される。基板は、基材51と、光センサに対面するようになる位置に形成された光フィルタ部61と、を有する。波長が380nm〜630nmである光についての光フィルタ部の最大透過率が1%以下である。波長が630nm〜750nmである光についての光フィルタ部の最大透過率が3%以下である。波長が830nmである光についての光フィルタ部の透過率が85%以上である。 (もっと読む)


【課題】例えば電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減する。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、転写元基板(10)に形成した薄膜素子(310)を転写先基板(70)に転写することにより電気光学装置用基板を製造する製造方法であって、転写元基板上に設けられた剥離層(11)上に絶縁膜(5)を介して薄膜素子を形成する工程と、転写元基板上における薄膜素子よりも上層側に電極パッド(500)を形成する工程と、転写元基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、転写元基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極(710)を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタのゲート電極に付く寄生容量、特に、駆動トランジスタのゲート−ソース間の容量値を低減することでブートストラップゲインを向上し、画面のユニフォーミティを損なうことなく、良質な表示画像を得るようにする。
【解決手段】サンドイッチゲート構造を採る駆動トランジスタ22を有する画素構造において、有機EL素子をバックゲート電極226の少なくとも一部とアノード電極205が対向するように形成する。すると、バックゲート電極226とアノード電極205との対向部位間に寄生容量Cgaが形成される。この寄生容量Cgaは、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間に介在する容量成分となり、ゲート−ソース間の寄生容量の容量値を減らす方向に作用する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 (もっと読む)


【課題】指やタッチペンなどの指示器が接触した情報表示領域の位置に位置に画像を表示する際の応答性を高めることができる情報表示装置を提供する。
【解決手段】タッチ入力処理では、ロジックコントローラ150は、少なくとも位置検出部180によって検出された検出位置に対応する画素の集合において、画素を構成する複数のカラーフィルタのうち所定のカラーフィルタに対応する表面電極40aと裏面電極40b(この場合の選択電極)に対して、原色毎に異なるタイミングで白色表示媒体90W及び黒色表示媒体90Bを駆動可能な書き込み電圧(HV)を印加する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、走査回路の動作の安定性と静電気対策の両方を兼ね備えた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、1つのグループの画素10をそれぞれ選択するための複数の走査線38と、走査信号が入力される少なくとも1つの走査線38を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線42と、パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み複数の走査線38に接続され表示領域12の外側に配置された走査回路40と、交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュ46と、を有する。導電メッシュ46は、画素10領域を避けて、薄膜トランジスタ及び走査線38の上方に配置されている。導電メッシュ46を構成するそれぞれの導電線は、走査線38の上方では、走査線38と平行にならないように立体交差する。 (もっと読む)


【課題】一対の基板間に電解液を注入、封止した後、銀薄膜と電解液との長期間の接触を回避して銀薄膜の特性劣化を回避し、これによって、表示ムラや駆動安定性の低下を回避する。
【解決手段】観察側のコモン基板上に透明電極としてのITO膜を形成する(S2、S21)。続いて、ITO膜上にAg薄膜を形成する(S2、S22)。その後、観察側の基板と非観察側の基板との間に電解液を注入して封止する(S4)。そして、電解液を封止した後、6時間以内に、一対の電極間に電圧を印加して、Ag薄膜を溶解させる一方、非観察側の基板上にAgを析出させる(S6)。 (もっと読む)


【課題】受光部を有する表示装置において、素子数を増加させずに受光性能を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネル10は、各々が発光素子としての有機EL素子12を含む複数の画素11R,11G,11B(発光部111)と、各々が、受光素子としての受光用トランジスタTr21および保持容量素子C1を含む複数の受光部112とを有している。受光用トランジスタTr21は、ゲート電極811およびソース電極815Sが重複しないように形成されている。ゲート電極Vg22の減少が回避され、特に専用の素子を設けることなく、受光用トランジスタTr21の寄生容量増加に起因して有効に光検出を行えない期間(無効期間)の発生が、減少もしくは回避される。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第1の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第1の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第2の薄膜トランジスタを
有し、第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも1種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積(deposited)によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して1つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記1つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも1つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


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