電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）
と、基板と画素電極との間に、画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、
画素電極とトランジスタとの間に設けられており、第１電極（７１）、第１電極の下層側
に下側容量絶縁膜（７５）を介して対向配置された第２電極（７２）、及び第１電極の上
層側に上側容量絶縁膜（７６）を介して対向配置された第３電極（７３）からなる保持容
量（７０）とを備える。下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有し
ており、下側容量絶縁膜及び第２電極と、上側容量絶縁膜及び第３電極とは、第１電極か
ら見て対称性を有するように形成されている。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）
と、基板と画素電極との間に、画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、
画素電極とトランジスタとの間に設けられており、第１電極（７１）、第１電極の下層側
に下側容量絶縁膜（７５）を介して対向配置された第２電極（７２）、及び第１電極の上
層側に上側容量絶縁膜（７６）を介して対向配置された第３電極（７３）からなる保持容
量（７０）とを備える。下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有し
ており、下側容量絶縁膜及び第２電極と、上側容量絶縁膜及び第３電極とは、第１電極か
ら見て対称性を有するように形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液
晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動
を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transist
or）を備えており、アクティブマトリクス駆動を行うものがある。ＴＦＴ等のスイッチン
グ素子や各種配線は、基板上に積層構造として形成される。
【０００３】
上述したような電気光学装置では、積層構造に保持容量を形成することで、表示画像に
おけるコントラストの向上やフリッカーの低減が図られている。例えば特許文献１では、
複数の保持容量を並列に接続することで、容量増大を実現するという技術が提案されてい
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８４７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように複数の保持容量を形成する場合には、それぞれの保持容
量の構成（具体的には、材質や積層構造）の違いに起因して、保持容量に供給される固定
電位の経時変化が大きくなってしまうことが、本願発明者の研究により判明している。固
定電位の経時変化は、例えば表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って
、上述した技術には、表示画像の品質を低下させてしまうおそれがあるという技術的問題
点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像を表示する
ことが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に設けられた画
素電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極に対応して設けられたトラン
ジスタと、前記画素電極と前記トランジスタとの間に設けられており、第１電極、前記第
１電極の下層側に下側容量絶縁膜を介して対向配置された第２電極、及び前記第１電極の
上層側に上側容量絶縁膜を介して対向配置された第３電極からなる保持容量とを備え、前
記下側容量絶縁膜及び前記上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有しており、前記下側
容量絶縁膜及び前記第２電極と、前記上側容量絶縁膜及び前記第３電極とは、前記第１電
極から見て対称性を有するように形成されている。
【０００８】
本発明の電気光学装置は、例えば、画素電極及び該画素電極に電気的に接続された画素
スイッチング用ＴＦＴ等であるトランジスタが設けられた素子基板と、画素電極に対向す
る対向電極が設けられた対向基板との間に、液晶等の電気光学物質を挟持してなる。当該
電気光学装置の動作時には、画像信号が画素電極へ選択的に供給されることで、複数の画
素電極が配列された画素領域（或いは画像表示領域）における画像表示が行われる。尚、
画像信号は、例えばデータ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスタがオンオ
フされることによって、所定のタイミングでデータ線から画素電極に供給される。
【０００９】
本発明では、画素電極とトランジスタとの間に保持容量が設けられている。保持容量は
、第１電極、第２電極及び第３電極の３つの電極間に容量絶縁膜を挟持してなる。具体的
には、第１電極と第１電極の下層側の第２電極との間には、下側容量絶縁膜が設けられて
いる。また、第１電極と第１電極の上層側の第３電極との間には、上側容量絶縁膜が設け
られている。即ち、保持容量は、下層側から第２電極、下側容量絶縁膜、第１電極、上側
容量絶縁膜、第３電極が順に積層されることで構成されている。
【００１０】
下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有するように設けられてい
る。即ち、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、異なる層が積層されることでそれぞれ
構成されている。より具体的には、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、ＳｉＯ２やＳ
ｉＮ等の層を含んで構成されている。
【００１１】
ここで本発明では特に、上述した保持容量は、第１電極から見て他の部材が対称性を有
するように形成されている。即ち、下側容量絶縁膜及び第２電極と、上側容量絶縁膜及び
第３電極とが、第１電極から見て対称性を有するように形成されている。具体的には、下
側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜における複数の層は、第１電極から見て同じ材質の層が
同じ順番で並ぶように形成されている。より具体的には、下側容量絶縁膜が、下層側から
ＳｉＯ２、ＳｉＮの順で積層されている場合、上側容量絶縁膜は、下層側から、ＳｉＮ、
ＳｉＯ２の順で積層される。更に、第２電極及び第３電極は同じ材料によって構成されて
いる。
【００１２】
尚、本発明に係る「対称性」とは、上述したように、各部材を構成する材質に関するも
のであり、各部材の形状や大きさに関しては対称性を有していなくともよい。即ち、第２
電極及び第３電極の形状や大きさ、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜の膜厚等は互いに
異なっていても構わない。
【００１３】
本発明者の研究によれば、対称性を有するように保持容量を構成することで、保持容量
に供給される固定電位の経時変化を小さくできることが判明している。この固定電位の経
時変化は、表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って、本発明の保持容
量によれば、このような表示上の不具合を防止することが可能である。
【００１４】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、対称性を有するように保持容量
を構成することで、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１電極には、所定の定電位が供給されてお
り、前記第２電極及び前記第３電極は、それぞれ前記画素電極及び前記トランジスタに電
気的に接続されている。
【００１６】
この態様によれば、第１電極は、例えば容量線とコンタクトホールによって電気的に接
続され、対向電極に供給される共通電位が所定の定電位として供給される。一方、第２電
極及び第３電極は、例えば画素電極やトランジスタと画素電極の電気的接続を中継する中
継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第２電極及び第３電極
は、画素電極と同電位とされる。
【００１７】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間にそれぞ
れ保持容量を形成でき、それらの保持容量が並列に接続された構成となる。従って、比較
的少ない面積で高密度な保持容量を形成することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１電極は、前記画素電極及び前記トラン
ジスタに電気的に接続されており、前記第２電極及び前記第３電極には、それぞれ所定の
定電位が供給されている。
【００１９】
この態様によれば、第１電極は、例えば画素電極やトランジスタと画素電極の電気的接
続を中継する中継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第１電
極は、画素電極と同電位とされる。一方、第２電極及び第３電極は、例えば容量線とコン
タクトホールによって電気的に接続され、対向電極に供給される共通電位が所定の定電位
として供給される。
【００２０】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間にそれぞ
れ保持容量を形成でき、それらの保持容量が並列に接続された構成となる。従って、比較
的少ない面積で高密度な保持容量を形成することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し
、その各種態様も含む）を備える。
【００２２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、
高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワー
ドプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワ
ークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現で
きる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現
することも可能である。
【００２３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされ
る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図７】第２実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００２６】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図８を参照して説明する。尚、以下の
実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００２７】
＜第１実施形態＞
先ず、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して
説明する。ここに図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であ
り、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２８】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラ
ス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラ
ス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５
０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域
１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されて
いる。
【００３０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２
に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａ
の周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このよ
うな額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設け
られてもよい。
【００３２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０
ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設
けられている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には
、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これら
により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる
。
【００３４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の
詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状
に形成されている。
【００３５】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示
領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表
面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成され
ている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に
形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮
光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバック
ライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に
形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要
素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３７】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと
対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカ
ラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しな
いカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、
対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３８】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリ
ングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリ
チャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の
当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照し
て説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａ
に電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをス
イッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気
的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グ
ループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４１】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電
気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・
・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ
３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期
間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物
質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは
、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリ
ーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じ
て入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコ
ントラストをもつ光が出射される。
【００４３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄
積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容
量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の具体的な構成については、後に詳述す
る。
【００４４】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して
説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図であ
る。また図５は、第１実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図
である。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該
各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
図４において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されて
いる。
【００４６】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤ
Ｄ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び
画素電極側ソースドレイン領域１ｅを有している。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有し
ている。
【００４７】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネ
ル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線
側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形
成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソース
ドレイン領域１ｅ間に形成されている。
【００４８】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領
域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法
等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソース
ドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な
不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作
時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０
の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００４９】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ
、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよい
し、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領
域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００５０】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層
１ａのチャネル領域１ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３ｂ及び半導体
層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。また、ゲート電極３ｂと同層には
、第１中継層９１が形成されている。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査
線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高
融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサ
イド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板
１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光
学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り
光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機
能する。
【００５２】
下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ
基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における
荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機
能を有する。
【００５３】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、
蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、本発明の「保持容量」の一例であり、
第１電極７１及び第２電極７２が下側容量絶縁膜７５を介して対向配置されると共に、第
１電極７１及び第３電極７３が上側容量絶縁膜７６を介して対向配置されることにより形
成されている。
【００５４】
第１電極７１は、容量線３００及び容量中継層２００を介して定電位源と電気的に接続
され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。第１電極７１は、例えばＡｌ（
アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されてお
り、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、第１電極７
１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一
つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等
から構成されていてもよい。この場合には、第１電極７１の内臓遮光膜としての機能を高
めることができる。
【００５５】
第２電極７２は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに
電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、第２電極７２は、コン
タクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共
に、コンタクトホール８４を介して第１中継層９１に電気的に接続されている。第１中継
層９１は、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。第
２中継層９２は、コンタクトホール８６を介して第３中継層９３に電気的に接続されてい
る。第３中継層９３は、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続され
ている。即ち、第２電極７２は、第１中継層９１、第２中継層９２及び第３中継層９３と
共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する
。
【００５６】
第３電極７３は、コンタクトホール８８を介して、第２中継層９２と電気的に接続され
ている。これにより、第３電極７３は、第２電極７２と同じ電位（言い換えれば、画素電
極９ａと同電位）とされている。
【００５７】
下側容量絶縁膜７５及び上側容量絶縁膜７６の各々は、例えばＨＴＯ（High Temperatu
re Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、
或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された多層構造を有している。
【００５８】
ここで特に、本実施形態に係る蓄積容量７０は、並列に接続された２つの容量が対称性
を有するように構成されている。以下では、蓄積容量７０のより具体的な構成について、
説明する。
【００５９】
図５において、下側容量絶縁膜７５は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第１
層７５ａと、ＳｉＯ２からなる第２層７５ｂを有している。一方で、上側容量絶縁膜７６
は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第３層７６ａと、ＳｉＯ２からなる第４層
７６ｂを有している。更に、第２電極７２及び第３電極７３は、互いに同一の材料を含ん
で形成されている。
【００６０】
上述した構成によれば、第１電極７１及び第２電極７２間で形成される容量と、第１電
極７１及び第３電極７３間で形成される容量とは、第１電極７１から見て対称性を有する
ものとなる。即ち、第１電極７１から見て下層側には、ＳｉＮからなる第１層７５ａ、Ｓ
ｉＯ２からなる第２層７５ｂ、第２電極７２が順に配置される。他方で、第１電極７１か
ら見て上層側には、ＳｉＮからなる第３層７６ａ、ＳｉＯ２からなる第４層７６ｂ、第３
電極７３が順に配置される。よって、第１電極の下層側及び上層側で夫々形成される容量
は、その材質が対称性を有するように構成される。
【００６１】
本発明者の研究によれば、並列に接続された蓄積容量７０が対称性を有することで、供
給される固定電位（即ち、ＬＣＣＯＭ）の経時変化を小さくできることが判明している。
この固定電位の経時変化は、表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って
、本実施形態に係る蓄積容量７０によれば、このような表示上の不具合を防止することが
可能である。
【００６２】
尚、蓄積容量７０を形成する各部材は、材質について対称性を有していれば、形状や大
きさについては対称性を有していなくともよい。よって、形状や大きさの異なる部材で蓄
積容量７０が構成されている場合でも、上述した効果は十分に発揮される。
【００６３】
図４に戻り、ＴＦＴアレイ基板１０上の遮光膜２００よりも第２層間絶縁膜４２を介し
て上層側には、データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層９２が設けられている。
【００６４】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁
膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続さ
れている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、
Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ
層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００６５】
容量中継層２００及び第２中継層９２は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ
と同層に形成されている。データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層９２は、例え
ば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、第２層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて
形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間
させた状態で形成される。このように、データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層
９２を同一工程で形成すれば、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００６６】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には
、容量線３００及び第３中継層９３が設けられている。
【００６７】
容量線３００は、例えばアルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述したよう
に、第１電極７１に対して固定電位を供給する。一方で、容量線３００と同層に形成され
た第３中継層９３は、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電
極９ａとの電気的導通を中継している。
【００６８】
画素電極９ａは、容量線３００よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されて
いる。画素電極９ａは、第３中継層９３，第２中継層９２，第１中継層、及び第２電極７
２を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている
。画素電極９ａと第３中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、第４層
間絶縁層４４を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成す
る導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラ
ビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６９】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、画像表示領域１０ａ（図１参照）には
、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７０】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、ＴＦＴ３０と画素電極９ａとの
間に設けられた蓄積容量７０が、対称性を有するように構成されている。従って、表示上
の不具合を防止することができ、結果的に高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図６及び図７を参照して説明する。
ここに図６は、第２実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。また図
７は、第２実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。尚
、図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部
材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７２】
以下に説明する第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、一部の積層構造が異な
り、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態
と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略す
る。
【００７３】
図６において、第２実施形態に係る電気光学装置では、第１電極７１が、ＴＦＴ３０及
び画素電極９ａ間に電気的に接続されている。具体的には、第１電極７１は、コンタクト
ホール８３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続さ
れると共に、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。
【００７４】
他方、第２電極７２及び第３電極７３は、容量線３００と電気的に接続されている。具
体的には、第２電極はコンタクトホール２０１、第３電極７３はコンタクトホール２０２
を介して、容量中継層２００にそれぞれ電気的に接続されている。
【００７５】
以上のように、第２実施形態に係る電気光学装置では、蓄積容量７０を構成する各電極
の電気的関係が、第１実施形態に係る電気光学装置とは逆になっている。このような場合
でも、第１電極７１の上層側及び下層側の各々において、並列に接続された２つの容量を
実現できる。
【００７６】
図７において、下側容量絶縁膜７５は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第１
層７５ａと、ＳｉＯ２からなる第２層７５ｂを有している。一方で、上側容量絶縁膜７６
は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第３層７６ａと、ＳｉＯ２からなる第４層
７６ｂを有している。更に、第２電極７２及び第３電極７３は、互いに同一の材料を含ん
で形成されている。
【００７７】
上述した構成によれば、第１電極７１及び第２電極７２間で形成される容量と、第１電
極７１及び第３電極７３間で形成される容量とは、第１電極７１から見て対称性を有する
ものとなる。よって、第１実施形態と同様に、第１電極の下層側及び上層側で夫々形成さ
れる容量は、その材質が対称性を有するように構成される。
【００７８】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、ＴＦＴ３０と画素電
極９ａとの間に設けられた蓄積容量７０が、対称性を有するように構成されている。従っ
て、表示上の不具合を防止することができ、結果的に高品質な画像を表示することが可能
となる。
【００７９】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について
説明する。ここに図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この
液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００８０】
図８に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光
源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から
射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２
枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応す
るライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される
。
【００８１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等
であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるも
のである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズ
ム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、
Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成さ
れる結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることと
なる。
【００８２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着
目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂに
よる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを
設ける必要はない。
【００８４】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータ
や、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコ
ーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、
ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８５】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯ
Ｓ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、
有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等に
も適用可能である。
【００８６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体
から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような
変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範
囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８７】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、
１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…
第１電極、７２…第２電極、７３…第３電極、７５…下側容量絶縁膜、７５ａ…第１層、
７５ｂ…第２層、７６…上側容量絶縁膜、７６ａ…第３層、７６ｂ…第４層、３００…容
量線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液
晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動
を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transist
or）を備えており、アクティブマトリクス駆動を行うものがある。ＴＦＴ等のスイッチン
グ素子や各種配線は、基板上に積層構造として形成される。
【０００３】
上述したような電気光学装置では、積層構造に保持容量を形成することで、表示画像に
おけるコントラストの向上やフリッカーの低減が図られている。例えば特許文献１では、
複数の保持容量を並列に接続することで、容量増大を実現するという技術が提案されてい
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８４７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように複数の保持容量を形成する場合には、それぞれの保持容
量の構成（具体的には、材質や積層構造）の違いに起因して、保持容量に供給される固定
電位の経時変化が大きくなってしまうことが、本願発明者の研究により判明している。固
定電位の経時変化は、例えば表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って
、上述した技術には、表示画像の品質を低下させてしまうおそれがあるという技術的問題
点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像を表示する
ことが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に設けられた画
素電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極に対応して設けられたトラン
ジスタと、前記画素電極と前記トランジスタとの間に設けられており、第１電極、前記第
１電極の下層側に下側容量絶縁膜を介して対向配置された第２電極、及び前記第１電極の
上層側に上側容量絶縁膜を介して対向配置された第３電極からなる保持容量とを備え、前
記下側容量絶縁膜及び前記上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有しており、前記下側
容量絶縁膜及び前記第２電極と、前記上側容量絶縁膜及び前記第３電極とは、前記第１電
極から見て対称性を有するように形成されている。
【０００８】
本発明の電気光学装置は、例えば、画素電極及び該画素電極に電気的に接続された画素
スイッチング用ＴＦＴ等であるトランジスタが設けられた素子基板と、画素電極に対向す
る対向電極が設けられた対向基板との間に、液晶等の電気光学物質を挟持してなる。当該
電気光学装置の動作時には、画像信号が画素電極へ選択的に供給されることで、複数の画
素電極が配列された画素領域（或いは画像表示領域）における画像表示が行われる。尚、
画像信号は、例えばデータ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスタがオンオ
フされることによって、所定のタイミングでデータ線から画素電極に供給される。
【０００９】
本発明では、画素電極とトランジスタとの間に保持容量が設けられている。保持容量は
、第１電極、第２電極及び第３電極の３つの電極間に容量絶縁膜を挟持してなる。具体的
には、第１電極と第１電極の下層側の第２電極との間には、下側容量絶縁膜が設けられて
いる。また、第１電極と第１電極の上層側の第３電極との間には、上側容量絶縁膜が設け
られている。即ち、保持容量は、下層側から第２電極、下側容量絶縁膜、第１電極、上側
容量絶縁膜、第３電極が順に積層されることで構成されている。
【００１０】
下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有するように設けられてい
る。即ち、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、異なる層が積層されることでそれぞれ
構成されている。より具体的には、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、ＳｉＯ２やＳ
ｉＮ等の層を含んで構成されている。
【００１１】
ここで本発明では特に、上述した保持容量は、第１電極から見て他の部材が対称性を有
するように形成されている。即ち、下側容量絶縁膜及び第２電極と、上側容量絶縁膜及び
第３電極とが、第１電極から見て対称性を有するように形成されている。具体的には、下
側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜における複数の層は、第１電極から見て同じ材質の層が
同じ順番で並ぶように形成されている。より具体的には、下側容量絶縁膜が、下層側から
ＳｉＯ２、ＳｉＮの順で積層されている場合、上側容量絶縁膜は、下層側から、ＳｉＮ、
ＳｉＯ２の順で積層される。更に、第２電極及び第３電極は同じ材料によって構成されて
いる。
【００１２】
尚、本発明に係る「対称性」とは、上述したように、各部材を構成する材質に関するも
のであり、各部材の形状や大きさに関しては対称性を有していなくともよい。即ち、第２
電極及び第３電極の形状や大きさ、下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜の膜厚等は互いに
異なっていても構わない。
【００１３】
本発明者の研究によれば、対称性を有するように保持容量を構成することで、保持容量
に供給される固定電位の経時変化を小さくできることが判明している。この固定電位の経
時変化は、表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って、本発明の保持容
量によれば、このような表示上の不具合を防止することが可能である。
【００１４】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、対称性を有するように保持容量
を構成することで、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１電極には、所定の定電位が供給されてお
り、前記第２電極及び前記第３電極は、それぞれ前記画素電極及び前記トランジスタに電
気的に接続されている。
【００１６】
この態様によれば、第１電極は、例えば容量線とコンタクトホールによって電気的に接
続され、対向電極に供給される共通電位が所定の定電位として供給される。一方、第２電
極及び第３電極は、例えば画素電極やトランジスタと画素電極の電気的接続を中継する中
継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第２電極及び第３電極
は、画素電極と同電位とされる。
【００１７】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間にそれぞ
れ保持容量を形成でき、それらの保持容量が並列に接続された構成となる。従って、比較
的少ない面積で高密度な保持容量を形成することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１電極は、前記画素電極及び前記トラン
ジスタに電気的に接続されており、前記第２電極及び前記第３電極には、それぞれ所定の
定電位が供給されている。
【００１９】
この態様によれば、第１電極は、例えば画素電極やトランジスタと画素電極の電気的接
続を中継する中継層と、コンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、第１電
極は、画素電極と同電位とされる。一方、第２電極及び第３電極は、例えば容量線とコン
タクトホールによって電気的に接続され、対向電極に供給される共通電位が所定の定電位
として供給される。
【００２０】
上述した構成によれば、第１電極及び第２電極間と、第１電極及び第３電極間にそれぞ
れ保持容量を形成でき、それらの保持容量が並列に接続された構成となる。従って、比較
的少ない面積で高密度な保持容量を形成することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し
、その各種態様も含む）を備える。
【００２２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、
高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワー
ドプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワ
ークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現で
きる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現
することも可能である。
【００２３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされ
る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図７】第２実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００２６】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図８を参照して説明する。尚、以下の
実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００２７】
＜第１実施形態＞
先ず、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して
説明する。ここに図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であ
り、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２８】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラ
ス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラ
ス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５
０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域
１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されて
いる。
【００３０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２
に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａ
の周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このよ
うな額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設け
られてもよい。
【００３２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０
ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設
けられている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には
、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これら
により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる
。
【００３４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の
詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状
に形成されている。
【００３５】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示
領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表
面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成され
ている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に
形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮
光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバック
ライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に
形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要
素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３７】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと
対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカ
ラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しな
いカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、
対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３８】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリ
ングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリ
チャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の
当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照し
て説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａ
に電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをス
イッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気
的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グ
ループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４１】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電
気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・
・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ
３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期
間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物
質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは
、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリ
ーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じ
て入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコ
ントラストをもつ光が出射される。
【００４３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄
積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容
量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の具体的な構成については、後に詳述す
る。
【００４４】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して
説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図であ
る。また図５は、第１実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図
である。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該
各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
図４において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されて
いる。
【００４６】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤ
Ｄ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び
画素電極側ソースドレイン領域１ｅを有している。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有し
ている。
【００４７】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネ
ル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線
側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形
成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソース
ドレイン領域１ｅ間に形成されている。
【００４８】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領
域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法
等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソース
ドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な
不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作
時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０
の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００４９】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ
、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよい
し、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領
域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００５０】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層
１ａのチャネル領域１ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３ｂ及び半導体
層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。また、ゲート電極３ｂと同層には
、第１中継層９１が形成されている。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査
線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高
融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサ
イド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板
１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光
学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り
光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機
能する。
【００５２】
下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ
基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における
荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機
能を有する。
【００５３】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、
蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、本発明の「保持容量」の一例であり、
第１電極７１及び第２電極７２が下側容量絶縁膜７５を介して対向配置されると共に、第
１電極７１及び第３電極７３が上側容量絶縁膜７６を介して対向配置されることにより形
成されている。
【００５４】
第１電極７１は、容量線３００及び容量中継層２００を介して定電位源と電気的に接続
され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。第１電極７１は、例えばＡｌ（
アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されてお
り、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、第１電極７
１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一
つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等
から構成されていてもよい。この場合には、第１電極７１の内臓遮光膜としての機能を高
めることができる。
【００５５】
第２電極７２は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに
電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、第２電極７２は、コン
タクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共
に、コンタクトホール８４を介して第１中継層９１に電気的に接続されている。第１中継
層９１は、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。第
２中継層９２は、コンタクトホール８６を介して第３中継層９３に電気的に接続されてい
る。第３中継層９３は、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続され
ている。即ち、第２電極７２は、第１中継層９１、第２中継層９２及び第３中継層９３と
共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する
。
【００５６】
第３電極７３は、コンタクトホール８８を介して、第２中継層９２と電気的に接続され
ている。これにより、第３電極７３は、第２電極７２と同じ電位（言い換えれば、画素電
極９ａと同電位）とされている。
【００５７】
下側容量絶縁膜７５及び上側容量絶縁膜７６の各々は、例えばＨＴＯ（High Temperatu
re Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、
或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された多層構造を有している。
【００５８】
ここで特に、本実施形態に係る蓄積容量７０は、並列に接続された２つの容量が対称性
を有するように構成されている。以下では、蓄積容量７０のより具体的な構成について、
説明する。
【００５９】
図５において、下側容量絶縁膜７５は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第１
層７５ａと、ＳｉＯ２からなる第２層７５ｂを有している。一方で、上側容量絶縁膜７６
は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第３層７６ａと、ＳｉＯ２からなる第４層
７６ｂを有している。更に、第２電極７２及び第３電極７３は、互いに同一の材料を含ん
で形成されている。
【００６０】
上述した構成によれば、第１電極７１及び第２電極７２間で形成される容量と、第１電
極７１及び第３電極７３間で形成される容量とは、第１電極７１から見て対称性を有する
ものとなる。即ち、第１電極７１から見て下層側には、ＳｉＮからなる第１層７５ａ、Ｓ
ｉＯ２からなる第２層７５ｂ、第２電極７２が順に配置される。他方で、第１電極７１か
ら見て上層側には、ＳｉＮからなる第３層７６ａ、ＳｉＯ２からなる第４層７６ｂ、第３
電極７３が順に配置される。よって、第１電極の下層側及び上層側で夫々形成される容量
は、その材質が対称性を有するように構成される。
【００６１】
本発明者の研究によれば、並列に接続された蓄積容量７０が対称性を有することで、供
給される固定電位（即ち、ＬＣＣＯＭ）の経時変化を小さくできることが判明している。
この固定電位の経時変化は、表示画像におけるちらつきや焼き付きの原因となる。従って
、本実施形態に係る蓄積容量７０によれば、このような表示上の不具合を防止することが
可能である。
【００６２】
尚、蓄積容量７０を形成する各部材は、材質について対称性を有していれば、形状や大
きさについては対称性を有していなくともよい。よって、形状や大きさの異なる部材で蓄
積容量７０が構成されている場合でも、上述した効果は十分に発揮される。
【００６３】
図４に戻り、ＴＦＴアレイ基板１０上の遮光膜２００よりも第２層間絶縁膜４２を介し
て上層側には、データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層９２が設けられている。
【００６４】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁
膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続さ
れている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、
Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ
層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００６５】
容量中継層２００及び第２中継層９２は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ
と同層に形成されている。データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層９２は、例え
ば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、第２層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて
形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間
させた状態で形成される。このように、データ線６ａ、容量中継層２００及び第２中継層
９２を同一工程で形成すれば、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００６６】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には
、容量線３００及び第３中継層９３が設けられている。
【００６７】
容量線３００は、例えばアルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述したよう
に、第１電極７１に対して固定電位を供給する。一方で、容量線３００と同層に形成され
た第３中継層９３は、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電
極９ａとの電気的導通を中継している。
【００６８】
画素電極９ａは、容量線３００よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されて
いる。画素電極９ａは、第３中継層９３，第２中継層９２，第１中継層、及び第２電極７
２を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている
。画素電極９ａと第３中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、第４層
間絶縁層４４を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成す
る導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラ
ビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６９】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、画像表示領域１０ａ（図１参照）には
、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７０】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、ＴＦＴ３０と画素電極９ａとの
間に設けられた蓄積容量７０が、対称性を有するように構成されている。従って、表示上
の不具合を防止することができ、結果的に高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図６及び図７を参照して説明する。
ここに図６は、第２実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。また図
７は、第２実施形態に係る電気光学装置の保持容量の具体的構成を示す概念図である。尚
、図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部
材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７２】
以下に説明する第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、一部の積層構造が異な
り、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態
と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略す
る。
【００７３】
図６において、第２実施形態に係る電気光学装置では、第１電極７１が、ＴＦＴ３０及
び画素電極９ａ間に電気的に接続されている。具体的には、第１電極７１は、コンタクト
ホール８３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続さ
れると共に、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。
【００７４】
他方、第２電極７２及び第３電極７３は、容量線３００と電気的に接続されている。具
体的には、第２電極はコンタクトホール２０１、第３電極７３はコンタクトホール２０２
を介して、容量中継層２００にそれぞれ電気的に接続されている。
【００７５】
以上のように、第２実施形態に係る電気光学装置では、蓄積容量７０を構成する各電極
の電気的関係が、第１実施形態に係る電気光学装置とは逆になっている。このような場合
でも、第１電極７１の上層側及び下層側の各々において、並列に接続された２つの容量を
実現できる。
【００７６】
図７において、下側容量絶縁膜７５は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第１
層７５ａと、ＳｉＯ２からなる第２層７５ｂを有している。一方で、上側容量絶縁膜７６
は、第１電極７１側から順に、ＳｉＮからなる第３層７６ａと、ＳｉＯ２からなる第４層
７６ｂを有している。更に、第２電極７２及び第３電極７３は、互いに同一の材料を含ん
で形成されている。
【００７７】
上述した構成によれば、第１電極７１及び第２電極７２間で形成される容量と、第１電
極７１及び第３電極７３間で形成される容量とは、第１電極７１から見て対称性を有する
ものとなる。よって、第１実施形態と同様に、第１電極の下層側及び上層側で夫々形成さ
れる容量は、その材質が対称性を有するように構成される。
【００７８】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、ＴＦＴ３０と画素電
極９ａとの間に設けられた蓄積容量７０が、対称性を有するように構成されている。従っ
て、表示上の不具合を防止することができ、結果的に高品質な画像を表示することが可能
となる。
【００７９】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について
説明する。ここに図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この
液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００８０】
図８に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光
源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から
射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２
枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応す
るライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される
。
【００８１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等
であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるも
のである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズ
ム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、
Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成さ
れる結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることと
なる。
【００８２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着
目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂに
よる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを
設ける必要はない。
【００８４】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータ
や、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコ
ーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、
ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８５】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯ
Ｓ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、
有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等に
も適用可能である。
【００８６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体
から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような
変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範
囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８７】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、
１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…
第１電極、７２…第２電極、７３…第３電極、７５…下側容量絶縁膜、７５ａ…第１層、
７５ｂ…第２層、７６…上側容量絶縁膜、７６ａ…第３層、７６ｂ…第４層、３００…容
量線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素毎に設けられた画素電極と、
前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極に対応して設けられたトランジスタと
、
前記画素電極と前記トランジスタとの間に設けられており、第１電極、前記第１電極の
下層側に下側容量絶縁膜を介して対向配置された第２電極、及び前記第１電極の上層側に
上側容量絶縁膜を介して対向配置された第３電極からなる保持容量と
を備え、
前記下側容量絶縁膜及び前記上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有しており、
前記下側容量絶縁膜及び前記第２電極と、前記上側容量絶縁膜及び前記第３電極とは、
前記第１電極から見て対称性を有するように形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１電極には、所定の定電位が供給されており、
前記第２電極及び前記第３電極は、それぞれ前記画素電極及び前記トランジスタに電気
的に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記画素電極及び前記トランジスタに電気的に接続されており、
前記第２電極及び前記第３電極には、それぞれ所定の定電位が供給されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
電子機器。
【請求項１】
基板上に、画素毎に設けられた画素電極と、
前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極に対応して設けられたトランジスタと
、
前記画素電極と前記トランジスタとの間に設けられており、第１電極、前記第１電極の
下層側に下側容量絶縁膜を介して対向配置された第２電極、及び前記第１電極の上層側に
上側容量絶縁膜を介して対向配置された第３電極からなる保持容量と
を備え、
前記下側容量絶縁膜及び前記上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有しており、
前記下側容量絶縁膜及び前記第２電極と、前記上側容量絶縁膜及び前記第３電極とは、
前記第１電極から見て対称性を有するように形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１電極には、所定の定電位が供給されており、
前記第２電極及び前記第３電極は、それぞれ前記画素電極及び前記トランジスタに電気
的に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記画素電極及び前記トランジスタに電気的に接続されており、
前記第２電極及び前記第３電極には、それぞれ所定の定電位が供給されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２２１０７１（Ｐ２０１１−２２１０７１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８６７６４（Ｐ２０１０−８６７６４）
【出願日】平成２２年４月５日（２０１０．４．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月５日（２０１０．４．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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