【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板の製造方法は、基板にゲートライン及びそのゲートラインと接続するゲート電極を形成し、前記ゲート電極にゲート絶縁層と半導体層とを形成し、前記半導体層にオーム接触層を形成することにより、基板にトランジスタ部を形成する工程と、前記工程で作製された基板に、ゲートラインとゲート電極と電気的に絶縁し、オーム接触層を介して前記半導体層の両側にオーム接触する透明画素電極層とソース・ドレイン電極金属層と順次堆積する工程と、作製された基板に、グレートーンマスクでマスキング及びエッチングを行うことにより、透明画素電極及びソース・ドレイン電極が同時に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置のコストおよび性能曲線を改善するための新規なサブ画素配置が開示される。
【解決手段】液晶ディスプレイであって、第１の方向に偶数のサブ画素を有するサブ画素繰り返し集団から実質的に構成されるパネルと、パネルに画像データおよび極性信号を送るドライバと、を備えており、ドライバは、実質的に一貫する輝度エラーを有する複数のサブ画素に修正信号を送信することを特徴とする液晶ディスプレイが開示される。また、極性信号は、ドット反転方式であることを特徴とする液晶ディスプレイが開示される。 （もっと読む）

【課題】複数の表示ユニットより構成される大型映像表示装置において、表示ユニットにおける明るさや温度ムラを補正する機構を備えた大型映像表示装置を得る。
【解決手段】映像表示装置１に正対してカメラ２を設置し、カメラで映像表示装置及びその周辺を撮影して、その撮影画像をコントローラ３に取り込み、コントローラで画像処理して映像表示装置及びその周辺の輝度画像を求めることにより、映像表示装置の点灯強度を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供すること。
【解決手段】透明基板に細い凹部を形成し、凹部を金属で充填して透明基板と略同一面の細くて深い金属電極を形成し、金属電極を画素の駆動電圧を供給する電源の配線とするとともに、画素電極を金属電極の内側に広く形成することで、高開口率と低抵抗とを共に実現することができ、高画質で信頼性の高い電気化学表示パネルを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１は次のようにして製造する。まず、基板１０上に、ゲート電極層１１、ゲート絶縁膜１２および半導体層１３を順に形成した後、領域１０Ａ，１０Ｂに渡りソース・ドレイン電極層１５を形成する。ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。画素間絶縁膜１７の形成後、領域１０Ａにおいて、ソース・ドレイン電極層１５のうち上部金属層１５ｂを選択的に除去することにより、電極層１５ａの表面を露出させる。この露出した電極層１５ａ上に有機層１８およびカソード電極１９を形成することで、領域１０Ａに、ソース・ドレイン電極層１５（電極層１５ａ）をアノード電極として用いた有機発光素子１ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する
半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレ
イン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形
成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導
体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層
によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良
好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】コストを抑制すると共に、画像品質を高精細にする。
【解決手段】表示画素１０は、それぞれ異なる色に着色され光を透過するフィルム１２と、フィルム１２を支持するフィルム支持部１３と、フィルム支持部１３を摺動可能に支持するケース部１１と、表示面１０ａ側にフィルム格納部１５を形成すると共にフィルム１２をケース部１１からフィルム格納部１５へ誘導するガイド部１４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 有機保護膜と無機保護膜との積層からなる封止構造の表示装置の製造方法において、有機保護膜をウェットプロセスで形成する場合、プロセス誤差によって、表示装置の額縁幅を十分に低減することができない。
【解決手段】 表示装置の表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外周と交差する方向に、複数の溝が設けられた領域と、前記溝が設けられた領域の外周に溝の設けられていない領域とを設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造のキャパシタを備える平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域の基板上に半導体で形成された活性層と、第２領域の基板上に半導体で形成された下部電極と、活性層及び下部電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、活性層上の第１絶縁層上に第１導電層及び第２導電層で形成されたゲート電極と、下部電極上の第１絶縁層上に第１導電層で形成された上部電極と、ゲート電極及び上部電極を含む上部に形成され、活性層及び上部電極が露出するようにパターニングされた第２絶縁層と、露出した活性層に接続されるソース電極及びドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ吸収保護層を有する電子光学ディスプレイのシーリング材を硬化すること。
【解決手段】バックプレーン（１０２）と、電子光学材料の層（１１２）と、紫外放射線を吸収することができ、電子光学材料の層（１１２）の、前記バックプレーン（１０２）とは反対側に配置される保護層（１２８）とを備える電子光学ディスプレイ（１００）がエッジシール（１３０）とともに提供される。保護層（１２８）は電子光学材料の層（１１２）の範囲を超えて伸びており、したがって保護層（１２８）と前記バックプレーン（１０２）の間には周囲の隙間が残る。エッジシール（１３０）を形成するために、保護層（１２８）により伝わる放射線により硬化する未硬化のエッジシーリング材が隙間に配置され、保護層（１２８）から伝わる放射線により硬化する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、過大電圧により破壊された場合にも回路構成に不具合を生じることがない保護回路を得るとともに、この保護回路によって、静電気等に起因するサージ電圧から内部回路を確実に保護することができ、信頼性に優れた電気光学装置用基板、電気光学装置、電気泳動表示装置、電子機器を得ることができる。また、簡便に製造可能で歩留まりの高い電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の保護回路は、第１の電極及び第２の電極と、第１の電極及び第２の電極に当接するイオン性材料とを備え、第１の電極と第２の電極との間に所定の電位差が発生したときに、イオン性材料を介して第１の電極と第２の電極との間に電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光透過部において回折現象が生じることを抑制することができ、低コストで製造することができ、撮像装置に十分な光量の光を集光させることができ、しかも、画像表示部に正対する使用者の画像を容易に取得し得る撮像装置付き画像表示装置を提供する。
【解決手段】撮像装置付き画像表示装置は、発光素子を含む画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを複数配置して成る画像表示部、画像表示部に設けられた複数の光透過部３０、画像表示部の背面側に配置された撮像装置、並びに、複数の光透過部を通過した光を撮像装置に集光する集光手段を有し、一の光透過部３０Ａに隣接する少なくとも２つの光透過部３０Ｂ，３０Ｃのそれぞれは、該一の光透過部３０Ａの大きさと異なる。 （もっと読む）

【課題】有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】副画素毎にアノード電極の厚みを異ならせて形成し、単純な有機物積層構造によって下部反射電極の損傷を防止し、不良減少を介した品質向上及び材料費の低減を図ることができる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光のバラツキを抑え表示品質の高い画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された画素電極と、前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記画素電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置Ｘ１は、複数の画素領域Ｐ_Ｓと、該画素領域Ｐ_Ｓを区画する区画パターン１３、１４とを有する表示領域Ｅ_Ｉを備え、第１主面１０ａを有する第１基体１０と、第１主面１０ａ上に設けられる複数の第１検出電極１１１と、第１主面１０ａ上に設けられる複数の第２検出電極１２１と、第１主面１０ａ上に設けられ、隣り合う第１検出電極１１１を接続する複数の第１接続電極１１２と、第１接続電極１１２上に区画パターン１３、１４を介して設けられ、隣り合う第２検出電極１２１を接続する複数の第２接続電極１２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用基板において、基板上に形成される各種絶縁膜に要求される各種仕様に対して個別に対応しつつ、省資源及び低コストの要請への対応を図る。
【解決手段】半導体装置用基板は、基板（１０）上に、半導体層（３０ａ）、半導体層に少なくとも部分的に重なるように島状に形成された第１絶縁膜（３０ｃ）、及び第１絶縁膜を介して半導体層に対向配置されたゲート電極（３０ｂ）を含んでなるトランジスター（３０）と、第１絶縁膜と同一層に配置され、材料及び膜厚の少なくとも一方が第１絶縁膜と互いに異なるように島状に形成された第２絶縁膜（３１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えばアクティブマトリクス基板等の半導体装置用基板の製造方法において、省資源及び低コストの要請に対応しつつ基板におけるたわみを抑制すると共に、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、基板（１０）上に、チャネル領域を有するように半導体層（３０ａ）を形成する工程と、基板上に、半導体層に電気的に接続されるように第１の導電膜（８）を形成する工程と、第１の導電膜より上層側に、基板上におけるコンタクトホール（４０）が形成されるべき一の領域を除く他の領域に絶縁材料を塗布することにより、層間絶縁膜（３３）及びコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜より上層側に、コンタクトホールを埋めるように且つチャネル領域に基板上で平面的に見て少なくとも部分的に重なるように第２の導電膜（９）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】１つの基板を用いて、個別点灯の評価と全面点灯の評価とを評価することが可能であり、しかも、１画素毎の特性がばらついた場合においても、測定精度が低下する虞がなく、さらに、テスト基板を作製するための工数及び製造コストを低減することが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置の工程評価用基板を提供する。
【解決手段】本発明の工程評価用基板３１は、基板３２上に、個別点灯領域３３、及び個別点灯領域３３の両側に近接して全面点灯領域３４、３５が設けられ、個別点灯領域３３はＦＰＣ４３の端子４４及びＦＰＣ４６の端子４７に並列接続され、全面点灯領域３４、３５は、陽極端子５２及び陰極端子５４に並列接続されている。 （もっと読む）