説明

Fターム[5C094AA44]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 低価格化 (1,016)

Fターム[5C094AA44]に分類される特許

201 - 220 / 1,016


【課題】簡略な回路で駆動可能な有機発光トランジスタアレイおよびその駆動方法を提供する
【解決手段】有機発光トランジスタアレイ10は有機発光トランジスタをマトリックス状に複数備えている。有機発光トランジスタのゲート電極はワードラインW1に接続され、ゲート電極に対向する位置に配置されたボディ電極はワードラインW2に接続されている。また、ドレイン電極はビットラインB1に接続され、ソース電極はプレートラインP1に接続されている。ドレイン電極およびソース電極に接触するように有機半導体膜は配置され、ドレイン電極およびソース電極とゲート電極との間には、ゲート強誘電体膜が配置されている。ゲート電極に第一電圧を印加すると、ゲート強誘電体膜に分極が生じる。その後、ドレイン電極とボディ電極とゲート電極とに第一電圧と反対の極性の電圧を印加すると、ゲート強誘電体膜に分極が生じる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第1の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第2の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第1の薄膜トランジスタは、第1のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物導電層及び第2の酸化物導電層と、前記第1の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第1の酸化物導電層及び前記第2の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第1のソース電極層と、第1のドレイン電極層と、を有し、前記第2の薄膜トランジスタは、第2のゲート電極層と、第2の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】モニタの配置変更を容易にするものでありながら、連結アームにモニタの負荷が作用することを回避し、連結アームの破損や、補強によるコストアップを防止する。
【解決手段】複数のモニタ10、20と、各モニタ10、20をそれぞれ独立的に支持する複数の台座30、40と、少なくとも一の台座40に設けられる移動用のローラ44と、複数の台座30、40同士を連結する屈曲自在な連結アーム50とを備える。 (もっと読む)


【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 (もっと読む)


【課題】安価で、表示部と入力部とを配置するために余計な部品を必要としない入力機能一体型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明導電膜による液晶表示用の電極である液晶表示用電極がそれぞれ形成されている一対の透明基板に液晶が挟持される液晶表示パネルを備え、前記一対の透明基板のいずれか一方の液晶表示用電極が形成されている面に、液晶表示用電極と同じ透明導電膜による投影型静電容量センサ用の電極である投影型静電容量センサ用電極が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガラスフィルムの表面品位が良好であるにもかかわらず、ガラスフィルムを順次引き出す際に、剥離による帯電が生じ難いガラスロールを創案することにより、可撓性デバイスの表示特性や生産性等を高めること。
【解決手段】本発明のガラスロールは、フィルム厚200μm以下のガラスフィルムをロール状に巻き取ったガラスロールであって、ガラスフィルムの誘電率が7以下であり、且つ平均表面粗さRaが10Å以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第1の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第2の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】従来の表示装置では、画面の切り替えをキーボードやタッチペン等の操作により行う必要があり、通常行われているページをめくるという操作とは、かけ離れた操作の習得が要求されるという課題がある。
【解決手段】表裏判定センサー401Aは、第1電極101、複数の第2電極としての第2A電極202Aおよび第2B電極202Bと、錘203、可撓部204と、を備える。このような構造を持つことで、別のセンサーを組み込むことなく表裏を検出することが可能となる。そして、第2A電極202A、第2B電極202Bと、を額縁部2を介して表示部1に対して電気的に見て直列に接続することで、液晶装置100の表示/非表示を、電力を消費することなく制御でき、従来のページをめくるという操作により表示/非表示を切り替えることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】効率的にタッチパネル電極付カラーフィルタ基板を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】まず、ガラス基板2の一方面に、第1透明電極31、第1絶縁膜41、第2透明電極32及び金属電極3を形成する。次に、最上層の第2透明電極32及び金属電極33の表面全体を覆うように、第2透明絶縁膜42を形成する。次に、ガラス基板2の他方面にカラーフィルタ層5を形成する。このとき、第2透明絶縁膜42は金属電極33の保護膜として機能する。最後に、金属電極33を覆う第2透明絶縁膜42の少なくとも一部を選択的に除去する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素と駆動回路が設けられ、駆動回路の第1の薄膜トランジスタ及び画素の第2の薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層と、を有し、第2の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、及び酸化物絶縁層は透光性を有し、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗である。 (もっと読む)


【課題】高速応答・高コントラストな表示特性を得ようとすると保持容量のサイズが大きく高精細化できない。
【解決手段】書込みトランジスターと駆動トランジスターを分離し、画素電極への印加電圧を走査線、容量線のいずれかから直接供給することによって、画素電極に電荷が安定して供給されるようにする。 (もっと読む)


【課題】高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板1上に形成される表示デバイス用の反射電極2であって、前記反射電極は、0.05〜2原子%のNi及び/又はCo、並びに0.1〜2原子%のNdを含有する第1のAl−(Ni/Co)−Nd合金層2aとAlとO(酸素)を含有する第2のAl酸化物層2bと、を有している。上記Al酸化物層は透明画素電極3と直接接続しており、前記Al酸化物層中のO原子数とAl原子数との比である[O]/[Al]が、0.30以下であり、前記Al酸化物層の最も薄い部分の厚みが、10nm以下である。上記反射電極は、前記Al酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、前記透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 (もっと読む)


【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタのLDD領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第1のLDD領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第2のLDD領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 (もっと読む)


【課題】回路負荷が軽減されたタッチセンサー機能付き表示装置を提供する。
【解決手段】タッチセンサー機能付き表示装置のタッチセンサーは、複数のゲート線のうちから選択された複数のタッチ位置検出用ゲート線に対して電圧を印加する第1電圧印加部と、複数のデータ線のうちから選択された複数のタッチ位置検出用データ線に対して電圧を印加する第2電圧印加部と、電圧が印加されたタッチ位置検出用ゲート線に対応するタッチ位置検出用データ線に電圧を印加させ、複数の画素領域から選択されたタッチ位置検出用画素領域が充電される際の電位上昇率を検知する電位上昇率検知部と、電位上昇率に基づいて、タッチ位置を検出するタッチ位置検出部と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】画素TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素TFTをチャネルエッチ型の逆スタガ型TFTで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からTFT等を保護することができる。 (もっと読む)


【課題】高分解能でカラーでの撮像が可能な安価なタッチパネルを提供することを課題とする。
【解決手段】対向する第1基板及び第2基板を有するパネルと、第1基板側から異なる波長領域の光をパネルに順にまたは並行して供給する複数の光源とを有し、第1基板と第2基板の間には、液晶素子、フォトダイオード及び薄膜トランジスタを各々有する複数の画素が設けられており、フォトダイオードが有する島状の半導体膜と、薄膜トランジスタが有する島状の半導体膜とは、第2基板上の一の半導体膜をエッチングすることで形成されているタッチパネル。 (もっと読む)


【課題】十分な実用強度を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置100によれば、支持板30上に、表示パネル18が重ねられた積層構造を表面および裏面から2枚の樹脂フィルム25a,25bで覆ってラミネートしているため、表示装置100は、支持板30を芯材として一体化されている。そして、支持板30の辺30eには、ラミネート構造体25の外形からはみ出した結合部30a,30bが設けられ、当該結合部に綴じ込み用の穴h1,h2が形成されている。つまり、芯材である支持板30に穴h1,h2が形成されているため、引っ張り力や、曲げ力に対する十分な強度を有している。 (もっと読む)


【課題】膜欠陥の数が十分に少なく、従って、信頼性が十分に高く、また、製造が簡便で効率的なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子が形成された、水との接触角が20°以下である表面部分を少なくとも一部に有する基板に、該スイッチング素子の有機保護膜を形成する工程(有機保護膜形成工程)を有する、アクティブマトリックス基板の製造方法。基板上にスイッチング素子を形成する工程(スイッチング素子形成工程)及び、これに引き続く少なくとも1回の、該スイッチング素子が形成された基板表面の少なくとも一部の水との接触角を20°以下に調整する工程(接触角調整工程)と該基板表面上への有機保護膜形成工程との組合せ工程を有する、アクティブマトリックス基板の製造方法。 (もっと読む)


201 - 220 / 1,016