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Fターム[5C094BA03]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 表示素子 (16,797) | 画素回路を有する表示素子 (4,890) | 画素毎にアクティブ素子を有するもの (4,834) | 画素毎に3端子型素子(FET、TFT) (4,665)

Fターム[5C094BA03]に分類される特許

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【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置(TFT,バックプレーン等)は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態(溶液の状態)で半導体層上に塗布(または印刷)されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 (もっと読む)


【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016における開口部1016bを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016cの側の側面部1016eは、側面部1016dを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁1016における開口部1016cを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016bの側の側面部1016fは、側面部1016gを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部1016bと開口部1016cとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、X軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 (もっと読む)


【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるV−T特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 (もっと読む)


【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板100の上に設けられたトランジスタ121と、発光素子109とを具備する画素部120を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層122を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの
ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう

【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影
響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ
のゲート・ソース間電圧を高くする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】タッチセンサの感度の劣化を防止することができるようにする。
【解決手段】タッチセンサ機能を有するタッチセンサ付液晶パネルと、タッチセンサ付液晶パネルの上側面に配置される上偏光板と、タッチセンサ付液晶パネルの下側面に配置される下偏光板とからなる構成において、視野角補償機能を有する位相差板が、タッチセンサ付液晶パネルと下偏光板との間に配置されることで、タッチセンサの感度の劣化が防止される。本技術は、例えば、タッチセンサ付きの表示装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】赤色発光層を構成するEL材料の発光輝度が青色発光層を構成するEL材料及び緑色発光層を構成するEL材料の発光輝度よりも低いEL表示装置において、色バランスの良いEL表示装置を提供する。
【解決手段】TFTと、TFTに電気的に接続された画素電極と、画素電極を陰極または陽極とするEL素子と、EL素子を封入する絶縁層と、EL素子にビデオ信号を印加する手段と、ビデオ信号をガンマ補正する手段と、を同一基板上に有し、EL素子は、青色発光層を有する第1の画素と、緑色発光層を有する第2の画素と、赤色発光層を有する第3の画素と、を有し、赤色発光層を構成するEL材料の発光輝度は、青色発光層を構成するEL材料及び緑色発光層を構成するEL材料の発光輝度よりも低く、ガンマ補正によって、赤色の信号を増幅させ、青色または緑色の信号を減衰させるEL表示装置である。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第1の透明導電膜6は、当該第1の透明導電膜6のコーナー部近傍では第2の導電膜5の端面を覆っておらず、コーナー部近傍以外において第2の導電膜5の端面を覆う部分を有している。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100においては、並列に電気的に接続された第1保持容量70aと第2保持容量70bとによって保持容量70が形成され、かつ、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは積層された構造になっている。また、素子基板10の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量と、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量が形成されているとともに、検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、デルタ構造のディスプレイに画像をレンダリングする方法に関する。
【解決手段】前記ディスプレイは、交差配置された複数の第1のサブピクセル群と第2のサブピクセル群とを備え、各第1のサブピクセル群は、第1色を有する第1のサブピクセルを備え、各第2のサブピクセル群は、第2色を有する第2のサブピクセル及び第3色を有する第3のサブピクセルを備えている。前記方法は、カラー画像を入力し;カラー画像を分析して、そのカラー画像のパターンを推定し;カラーテンプレートを決定し、当該カラーテンプレートは複数のサブピクセルを備え、一つのカラーテンプレートは少なくとも一つのパターンに対応し;強度分布図を生成し、強度分布図には、ディスプレイの第1のサブピクセル、第2のサブピクセル及び第3のサブピクセルの強度が含まれ、その強度はカラーテンプレートに基づいて生成され;強度分布図に基づいて、電気信号をディスプレイに出力する、ステップを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】画素電極の駆動素子として酸化物TFTを用いた表示装置の信頼性を向上させつつ、製造コストの低減を図ることを可能にした表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極および薄膜トランジタを有する複数の画素と、薄膜トランジタを駆動する信号線および走査線と、共通電極と、複数の画素と共通電極との間に配置される表示層とを備える表示部4を、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の間隙に設けた後、レーザ吸収能を有する封着用ガラス材料の焼成層からなる枠状の封着材料層10にレーザ光11を照射することによって、表示部4を封止する封着層9を形成する。 (もっと読む)


【課題】隣接する配線間の寄生容量を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、行方向に延在する複数の第1配線と、列方向に延在する複数の第2配線と、各第1配線と各第2配線との交差点に対応して1つずつ配置された複数の画素とを備えている。複数の第1配線のうち2つの配線、または複数の第2配線のうち2つの配線は、ともに、互いに隣接する2つの画素に挟まれた共通の領域に配置されている。さらに、これら2つの配線の厚さ方向のレイアウトが、少なくとも一部において互いに異なっている。 (もっと読む)


【課題】限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定することで、消費電力を増やすことなく、画質の向上を図る。
【解決手段】第1,第2,第3電極24A,24B,24Cによって第1,第2容量24−1,24−2を形成し、これら第1,第2容量24−1,24−2を電気的に並列に接続することによって保持容量24を形成する。そして、第1電極24Aと第3電極24Cとの間において、絶縁平坦化膜203を除去して第2容量24−2の容量値を大きくし、保持容量24の容量値Csを大きくすることで、限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定する。 (もっと読む)


【課題】シールからの水分浸入を減少させることを目的とする。
【解決手段】一対のマザー基板10,12の間に、複数の空間14をシール16によって区画する。一対のマザー基板10,12を切断することで複数のセル26を切り出す。シール16は、隣同士の空間14の間の領域を埋めるように配置される。シール16には、隣同士の空間14の間の領域に、シール16よりも硬くて透湿性が低い材料からなる低透湿層20が積層される。一対のマザー基板10,12の少なくとも一方には、隣同士の空間14の間の領域に、シール16の長さに沿って延びて間隔をあけて配置された一対の凸条部22が、シール16及び低透湿層20に重なる位置に形成される。一対のマザー基板10,12を切断する工程では、一対のマザー基板10,12とともに、一対の凸条部22の間で、シール16及び低透湿層20を切断する。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


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