【課題】隣接する画素間のリーク電流を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、表示領域に複数の画素を備えている。各画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動する画素回路とを有している。有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に設けられた有機層とを有している。アノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ＯＬＥＤ１３０における特性がばらつきに起因する表示ムラを抑える。
【解決手段】画素回路１１０は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１と、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１４３と、供給された電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ１３０と、トランジスター１２１とＯＬＥＤ１３０との間に電気的に介挿されたトランジスター１２６と、走査線１２に供給された走査信号に応じて、データ線１４に供給されたデータ信号に応じた電位をトランジスター１２１のゲートノードｇに供給するトランジスター１２２とを含む。ＯＬＥＤ１３０を発光させるとき、トランジスター１２６のゲートを、走査信号の論理レベルにおけるＨレベルとＬレベルとの中間電位とする。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく、且つ、材料の利用効率が向上した駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル領域を形成すると共に、ソース・ドレイン電極に接して設けられた有機半導体層と、ソース・ドレイン電極まで貫通する貫通孔を有すると共に、有機半導体層およびソース・ドレイン電極上に設けられた少なくとも１層からなる絶縁層と、チャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、貫通孔を介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると共に、ゲート電極と同一材料、且つ、同一膜厚で絶縁層上に設けられた画素用電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が３０ｎｍ以下であり、沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】反射表示において明るさが低下せず、表示品質が優れた画像表示装置及びそれを使用した携帯端末を提供する。
【解決手段】第１視点用の画像を表示する画素５１及び第２視点用の画像を表示する画素５２を含む表示素子１３が複数配列され、前記画素５１，５２は光を透過する透過表示領域５１１，５２１と、外光を反射する反射表示領域５１２、５２２を有し、前記画素５１，５２から出射した光を相互に異なる方向に振り分ける光学手段３を備えた表示装置において、前記表示単位内の反射表示領域は画像振分方向と垂直な軸に対して非対称に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】額縁領域を大きさを抑えつつ、製造時に発生する静電気による静電破壊を防ぐダミー画素を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む画素を複数有し、画像を表示するための領域である表示領域（２６０）と、表示領域の外側に形成され、ダミー画素を複数有するダミー画素領域（２７０）と、を備え、ダミー画素（３１０）は、薄膜トランジスタのゲート信号線と平行なダミーゲート信号線（３１１）と、ダミーゲート線と絶縁層を介して交差する半導体層（３１３）と、を有し、半導体層には、一の導体層（３１２）のみが接続される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】実質的な開口率をより一層向上できるＭＶＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にＴＦＴ２１４と該ＴＦＴ２１４に電気的に接続された画素電極２１５とを有している。ＴＦＴ２１４は、ゲートバスライン２１１及びデータバスライン２１２に接続されている。１つの画素は４つの領域に分割されており、画素電極２１５には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部２１５ｂが設けられている。また、微細電極部２１５ｂの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａが画素電極９ａに導通状態となるので、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第２誘電体層８７（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第２保持容量８０ｂが画素電極９ａに導通状態となるので、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。 （もっと読む）

【課題】データ線の配線構造に起因する寄生容量によって生ずるスジ状の系列的な表示ムラが改善された電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、画像信号が供給される画像信号線１１１と、データ線６ａと、データ線６ａと画像信号線１１１との間に電気的に接続され、画像信号をデータ線６ａに供給する第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１と、を備え、Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極とデータ線６ａとが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量が異なる少なくとも２種のＳ−ＴＦＴ７１を備えた。これにより、ゲート電極とデータ線６ａとの間に寄生容量が生じ、オーバーラップ量を異ならせることで、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整することができ、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。 （もっと読む）