液晶パネル、液晶プロジェクタ装置
【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、液晶パネルと該液晶パネルを備えて構成される液晶プロジェクタ装置とに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２０１０−８５８８２号公報
【背景技術】
【０００３】
画像信号に基づく画像表示を行うための装置として、スクリーン等の対象物に画像を投射表示する液晶プロジェクタ装置が広く普及している。
【０００４】
図１３は、液晶プロジェクタ装置が備える液晶表示パネル１００の概略構成を表す回路図である。
この図に示すように、液晶表示パネル１００には、垂直方向に沿って配線される複数の信号線（データ線）Ｌｄと、水平方向に沿って配線される複数の走査線（ゲート線）Ｌｇとが形成され、これら信号線Ｌｄと走査線Ｌｇとの各交点ごとに、画素Ｇが形成されている。
なお、この図では説明の簡単のため、信号線Ｌｄ、走査線Ｌｇについてはそれぞれ２本のみ（図中、信号線Ｌｄ-1,Ｌｄ-2、及び走査線Ｌｇ-1,Ｌｇ-2）を示し、画素Ｇとしてはそれらの各交点に形成される画素Ｇ-11,Ｇ-12,Ｇ-21,Ｇ-22の４つのみを示している。走査線Ｌｇ-1と信号線Ｌｄ-1との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-11であり、走査線Ｌｇ-1と信号線Ｌｄ-2との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-12、走査線Ｌｇ-2と信号線Ｌｄ-1との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-21、走査線Ｌｇ-2と信号線Ｌｄ-2との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-22である。
【０００５】
各画素Ｇは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などによる画素トランジスタＴｒと、液晶セルＬＣと、保持容量Ｃとを有して構成される。
画素トランジスタＴｒは、ゲート電極（制御端子）が走査線Ｌｇと接続され、ソース電極（入力端子）が信号線Ｌｄと接続される。
液晶セルＬＣは、その画素電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極（出力端子）と接続され、対向電極がＶｃｏｍ線に接続されている。
また、保持容量Ｃは、一方の電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極と、他方の電極がＶｃｏｍ線に対して接続される。
【０００６】
このような液晶表示パネル１００においては、或る走査線Ｌｇに信号を供給することでその走査線Ｌｇが共通に配線された画素Ｇ、すなわち或る水平ライン上の画素Ｇを選択でき、該選択状態にて信号線Ｌｄを介した電圧供給を行うことで、該水平ライン上の各々の画素Ｇに対応する画素値の書き込みができる。
このような走査線Ｌｇによる水平ラインの選択・信号線Ｌｄを介した書き込みを水平ライン順次に行うことで、所要の画像表示を行うことができる。
【０００７】
図１４は、液晶プロジェクタ装置の光学系の概略構成図である。
先ず、図中の光線Ｌｉは、光源（図示は省略）からの入射光線を表しており、該光線Ｌｉは、液晶表示パネル１００の手前側（光源側）に配された偏光板１０１に入射する。
偏光板１０１においては、光線Ｌｉのうち所定の直線偏光成分が選択的に透過し、液晶表示パネル１００に入射する。
【０００８】
液晶表示パネル１００（画素Ｇ）を介した光線Ｌｉは、偏光板１０２に入射する。
該偏光板１０２は、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉのうち所定の直線偏光成分を選択的に透過する。
該偏光板１０２を透過した光線Ｌｉは例えばプリズム１０３を介して投射光学系へと導かれる。
【０００９】
図１５は、液晶表示パネル１００と偏光板１０１,１０２とを用いて実現される偏光制御（白表示／黒表示の制御）についての説明図である。
図１５Ａは液晶変調時（白表示時）、図１５Ｂは液晶無変調時（黒表示時）の様子を示している。
【００１０】
先ず、前述のように液晶表示パネル１００の手前側に配置された偏光板１０１は、光源側より入射する光線Ｌｉの所定の直線偏光成分を選択的に透過する。
図１５Ａに示す液晶変調時には、液晶表示パネル１００（画素Ｇ）において、このように偏光板１０１を透過した光線Ｌｉについての偏光方向の変調が行われる。具体的に、この場合に液晶表示パネル１００を透過した光線Ｌｉは、その偏光方向が偏光板１０１を透過した光線Ｌｉの偏光方向とは直交する方向に変調される。
偏光板１０２は、このような液晶表示パネル１００による変調後の偏光状態による光線Ｌｉを選択的に透過するように構成されており、この結果、図１５Ａに示す液晶変調時には投射光学系に光線Ｌｉが導かれ、白表示（点灯状態）が実現される。
【００１１】
一方、図１５Ｂに示す液晶無変調時には、偏光板１０１を透過した光線Ｌｉについて液晶表示パネル１００（画素Ｇ）での偏光方向の変調は行われないため、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉは偏光板１０２を透過せず、投射光学系には導かれないものとなる。これにより、黒表示（非点灯状態）が実現される。
【００１２】
ここで、近年、液晶プロジェクタ装置では高輝度化及び装置サイズの小型化が進み、光学系内における光密度が急速に高まりつつある。
従前では、光学系内に配置された上記の偏光板（１０１,１０２）については、例えば有機材料を用いた偏光板を用いるものとし、光吸収による偏光制御（点灯／非点灯についての制御）を実現していた。
しかしながら、上記のように光学系内の光密度が高まると、有機材料を用いた偏光板ではその耐光性の面で問題が生じ、性能劣化による画質低下を招く虞があった。
そこで近年では、偏光板１０１,１０２として例えばワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板を用いるものとし、耐光性を高めている。
【００１３】
このような無機材料による偏光板１０１,１０２を用いた場合は、偏光制御は吸収ではなく反射を用いた制御となる。すなわち、図１５Ｂに示したような黒表示時において、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉは偏光板１０２にて吸収されず液晶表示パネル１００側に反射されることで、非点灯状態が実現されるものである。
【００１４】
ところで、液晶表示パネル１００には、実際にスクリーン等に投射されるべき画像（有効画像）を表示するための有効画素領域と、その周囲に配されたダミー画素領域とが設けられる。
図１６Ａは、液晶表示パネル１００に形成される有効画素領域１００ａとダミー画素領域１００ｂとの関係を平面図により示している。
【００１５】
ここで、ダミー画素領域１００ｂは画像表示に寄与しない領域である。
従って、該ダミー画素領域１００ｂの透過光が有効画素領域１００ａの透過光に影響して画質の低下を招来することを防止するため、ダミー画素領域１００ｂに対しては、図１６Ｂの断面図に示すように、遮光層１０４を設けるということが行われる。
このような遮光層１０４を設けることで、ダミー画素の透過光が液晶表示パネル１００の後段に導かれて有効画素領域１００ａの透過光に混入してしまうことの防止が図られ、画質低下の防止が図られる。
【００１６】
以上の前提を踏まえた上で、従来の液晶表示パネル１００が備えるダミー画素領域１００ｂ内の画素（ダミー画素Ｇ-d’とする）の構造について図１７を参照して説明する。
図１７に示すように、従来の液晶表示パネル１００におけるダミー画素Ｇ-d’には、対向基板３０、透明電極３１、液晶層３２、透明電極３３、第１遮光層３４、信号線Ｌｄ、コンタクト部Ｃｔ、第１半導体層３５、及び走査線Ｌｇが形成されている。
対向基板３０が形成される側の面を偏光板１０１からの光線Ｌｉの入射面、走査線Ｌｇが形成される側の面を光線Ｌｉの出射面とすると、これらは入射面側から出射面側にかけて上記の順で配置されている。
【００１７】
これらのうち、第１遮光層３４は、図１６Ｂに示した遮光層１０４に相当するもので、ダミー画素Ｇ-d’の遮光のために設けられたものである。
また、第１半導体層３５は、前述の画素トランジスタＴｒが形成された半導体層となる。
コンタクト部Ｃｔは、信号線Ｌｄと第１半導体層３５に形成された画素トランジスタＴｒとを電気的に接続するための部位となる。
【００１８】
またこの場合、走査線Ｌｇは、無機材料で構成された偏光板１０２からの反射光Ｌｓが画素トランジスタＴｒ（第１半導体層３５）に直接照射されてしまうことを防止するための第２遮光層としても兼用されている。具体的に、この場合の走査線Ｌｇは反射光Ｌｓを反射し、画素トランジスタＴｒが反射光Ｌｓに直接晒されることを防止している。
なお、第２遮光層は走査線とは別途に形成することも勿論可能である。
【００１９】
ここで、画素トランジスタＴｒが反射光Ｌｓに晒されることを防止するのは、画素トランジスタＴｒが光照射により経時的に劣化して画質低下を招いてしまうことの防止を図るためである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上記のように従来のダミー画素Ｇ-d’においては、第２遮光層（図１７の構成では走査線Ｌｄ）を設けることで、画素トランジスタＴｒに偏光板１０２からの反射光Ｌｓが直接照射されてしまうことを防止するものとしている。
【００２１】
しかしながら、このような第２遮光層を設けたのみでは、前述の光学系内における光密度の高まりも影響して、画質の低下が生じてしまうことが確認された。
【００２２】
ここで、偏光板１０２からの反射光Ｌｓに伴う画質の低下の防止を図るためには、第２遮光層を、図１７に示した構成のように画素トランジスタＴｒ（第１半導体層３５）が形成される領域に対応した一部のみに形成するのではなく、ダミー画素Ｇ-d’の全面に形成するという対策を採ることが考えられる。
しかしながらその場合は、新たに遮光層を形成するプロセスが増えて液晶表示パネル１００の生産性の低下を招くと共に、コストアップの要因となる。
また同時に、ダミー画素Ｇ-d’の全面に遮光層を設けてしまうと、迷光の発生量が増大して、かえって画質の低下を招いてしまう虞もある。
【００２３】
本技術は上記の問題点に鑑み為されたものであり、その課題は、上記のようなプロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招くことなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質の低下を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記課題の解決のため、本技術では液晶表示パネルとして以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術の液晶表示パネルは、有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されている。
そして、上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれているものである。
【００２５】
また、本技術では液晶プロジェクタ装置として以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術の液晶プロジェクタ装置は、光源と、上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルとを備えるものであって、上記液晶表示パネルが、上記本技術の液晶表示パネルとされたものである。
【００２６】
ここで、後述もするように、ダミー画素内のトランジスタの光照射に伴う性能劣化に起因した画質の低下の問題は、該トランジスタの性能劣化に伴いドレイン電極側からソース電極側へのリーク電流が発生し、該リーク電流により信号線電位が変動し有効画素領域内の画素についての信号電位−透過率特性（いわゆるＶ−Ｔ特性）が変化してしまうことに起因するものと考えられる。
そこで本技術では、ダミー画素において、上記のように信号線とトランジスタとの電気的な接続を断つものとした。
これにより、ダミー画素において生じたトランジスタの性能劣化に起因して生じるとされる、有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、結果、画質低下の防止を図ることができる。
また、上記のようにトランジスタと信号線との電気的接続を断つにあたっては、例えばそれらを接続するためのコンタクト部の形成を省略するなどプロセスの増加を伴わない手法を採ることが容易であり、同時に、別途の層を新たに形成するなどといった必要性もない。
すなわち、本技術によれば、プロセスの増加やコストアップなどの問題を伴わずに画質低下の防止を図ることができる。
【発明の効果】
【００２７】
上記のように本技術によれば、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態の液晶プロジェクタ装置の内部構成についての説明図である。
【図２】実施の形態の液晶表示パネルの構成についての説明図である。
【図３】従来のダミー画素の概略構成図である。
【図４】画素トランジスタへの光照射に起因して画質が低下する原理について考察するための図である。
【図５】第１の実施の形態のダミー画素の構成についての説明図である。
【図６】従来のダミー画素の断面構造図である。
【図７】第１の実施の形態のダミー画素の断面構造図である。
【図８】ダミー画素内の画素トランジスタへの光照射時間に対する有効画素領域内の画素の輝度変動率の変化特性についての実験結果を示した図である。
【図９】経過時間（Aging Time）に対する表示画像の色度Δｙの変化特性についての実験結果を示した図である。
【図１０】第２の実施の形態のダミー画素の構成についての説明図である。
【図１１】第２の実施の形態のダミー画素の断面構造図である。
【図１２】液晶表示パネルにおける画素形成領域の平面図である。
【図１３】液晶プロジェクタ装置が備える液晶表示パネルの概略構成を表す回路図である。
【図１４】液晶プロジェクタ装置の光学系の概略構成図である。
【図１５】液晶表示パネルと偏光板とを用いて実現される偏光制御（白表示／黒表示の制御）についての説明図である。
【図１６】ダミー画素領域及びダミー画素に形成される遮光層についての説明図である。
【図１７】従来の液晶表示パネルが備えるダミー画素の構造についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本技術に係る実施の形態について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．液晶プロジェクタ装置の構成＞
＜２．液晶表示パネルの構成＞
＜３．第１の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
＜４．第２の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
＜５．変形例＞
【００３０】
＜１．液晶プロジェクタ装置の構成＞
図１は、本技術に係る実施の形態としての液晶プロジェクタ装置５０の内部構成についての説明図である。
なお、この図１では液晶プロジェクタ装置５０が備える主に光学系の構成のみを示し、他の部分の構成については図示を省略している。
本実施の形態の液晶プロジェクタ装置５０は、透過型の液晶表示パネル１として、赤色、緑色、青色の各色に対応する液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bの３枚用いてカラー画像表示を行ういわゆる３板方式の投射型液晶表示装置とされる。
【００３１】
図示するように、液晶プロジェクタ装置５０には、光源部２、ＵＶ／ＩＲカットフィルタ（紫外線／赤外線カットフィルタ）３、一対の第１及び第２レンズアレイ（フライアイレンズ）４，６、及びミラー５が設けられている。
【００３２】
光源部２は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光、青色光および緑色光を含んだ白色光を発するようになっている。この光源部２は、白色光を発する発光体（図示せず）と、発光体から発せられた光を反射する凹面鏡とを含んで構成されている。上記発光体には、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプ等が使用される。上記凹面鏡は、例えば回転楕円面鏡や回転放物面鏡等の回転対称な面形状とされる。
【００３３】
ＵＶ／ＩＲカットフィルタ３は、光源部２より発せられた光について紫外線、赤外線をカットする。これにより、後段の各種光学部品の加熱・劣化の防止が図られる。
またミラー５は、第１，第２レンズアレイ４，６の間に設けられ、光路（光軸）を第２レンズアレイ６側に略９０度曲げるようにされる。
【００３４】
第１，第２レンズアレイ４，６には、それぞれ複数のマイクロレンズが２次元的に配列されている。これら第１，第２レンズアレイ４，６は、光の照度分布を均一化させるためのものであり、入射した光を複数の小光束に分割する機能を有している。従って、光源部２から発せられた白色光は、第１，第２レンズアレイ４，６を透過することにより、複数の小光束に分割される。
【００３５】
第２レンズアレイ６の出射面側には、ＰＳ合成素子７、コンデンサレンズ８、ダイクロイックミラー９が同順で配置される。
【００３６】
ＰＳ合成素子７には、第２レンズアレイ６における隣り合うマイクロレンズ間に対応する位置に、複数の１／２波長板が設けられている。ＰＳ合成素子７は、第２レンズアレイ６より入射した光を第１偏光光（例えばＰ偏光成分）と第２偏光光（例えばＳ偏光成分）とに分離し、一方の偏光光（例えばＰ偏光成分）を、その偏光方向を保ったままＰＳ合成素子７から出射し、他方の偏光光（例えばＳ偏光成分）を上記１／２波長板の作用により他の偏光成分（例えばＰ偏光成分）に変換して出射する。これにより、分離された２つの偏光光の偏光方向が特定の方向（例えばＰ偏光）に揃えられる。
【００３７】
ＰＳ合成素子７を出射した光は、コンデンサレンズ８を介した後、ダイクロイックミラー９に入射する。ダイクロイックミラー９は、入射した光を、赤色光Ｒとその他の色光とに分離する。
【００３８】
図示するようにダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒの光路に沿っては、ミラー１１、フィールドレンズ１２-R、偏光板１３-R、液晶表示パネル１-R、偏光板１４-Rが同順に配置されている。
【００３９】
ミラー１１は、ダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒを液晶表示パネル１-Rに向けて反射する。ミラー１１によって反射された赤色光Ｒはフィールドレンズ１２-R→偏光板１３-Rを介して液晶表示パネル１-Rに入射する。液晶表示パネル１-Rに入射した赤色光Ｒは、該液晶表示パネル１-Rにおいて、画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Rを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４０】
ここで、本実施の形態の場合、偏光板１３、１４としては、光学系内の光密度の高まりに対する耐光性を確保すべく、ワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板が用いられる。
【００４１】
ダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒ以外の他の色光は、ダイクロイックミラー１０に入射する。ダイクロイックミラー１０は、入射した光を、緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する。
【００４２】
ダイクロイックミラー１０によって分離された緑色光Ｇの光路に沿っては、フィールドレンズ１２-G、偏光板１３-G、液晶表示パネル１-G、偏光板１４-Gが同順に配置されている。
緑色光Ｇは、フィールドレンズ１２-G→偏光板１３-Gを介して液晶表示パネル１-Gに入射する。液晶表示パネル1-Gに入射した緑色光Ｇは、該液晶表示素子１-Gにおいて画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Gを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４３】
また、ダイクロイックミラー１０により分離された青色光Ｂの光路に沿っては、図のようにリレーレンズ１５、ミラー１６、リレーレンズ１７、ミラー１８、フィールドレンズ１２-B、偏光板１３-B、液晶表示パネル１-B、偏光板１４-Bが同順に配置される。
ミラー１６は、リレーレンズ１５を介して入射した青色光Ｂをミラー１８に向けて反射する。ミラー１８は、上記ミラー１６にて反射されリレーレンズ１７を介して入射した青色光Ｂを液晶表示パネル１-Bに向けて反射する。
ミラー１８にて反射された青色光Ｂは、フィールドレンズ１２-B→偏光板１３-Bを介して液晶表示パネル１-Bに入射し、該液晶表示素子１-Bにおいて画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Bを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４４】
クロスプリズム１９は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂの光路が交わる位置に設けられ、これら３つの色光を合成する。
クロスプリズム１９から出射された合成光は、投射光学系２０に導かれる。投射光学系２０は、例えば液晶プロジェクタ装置５０の外部に設けられたスクリーン等の対象物に向けて、上記合成光を投射する。これにより、液晶表示パネル１の変調に応じた画像が上記スクリーン等の対象物に投影（表示）される。
【００４５】
なお、図示は省略したが、液晶プロジェクタ装置５０には、液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bを入力画像信号に応じて駆動するための信号処理回路等が備えられるものとなる。
【００４６】
＜２．液晶表示パネルの構成＞
図２は、図１に示した液晶プロジェクタ装置５０が備える液晶表示パネル１の構成についての説明図である。
図示するように液晶表示パネル１には、画素形成領域１Ｅとしての、複数の画素Ｇが形成された領域と、水平転送回路１Ｈ、及び垂直転送回路１Ｖ-1、１Ｖ-2が形成されている。
図示は省略したが、画素形成領域１Ｅにおいては、行方向（紙面横方向）に配列される複数の画素Ｇごとにそれぞれ走査線（ゲート線）Ｌｇが共通に配線され、また列方向（紙面縦方向）に配列される複数の画素Ｇごとにそれぞれ信号線（データ線）Ｌｄが共通に配線されている。すなわち、行方向における画素Ｇの配列数（つまり水平方向画素数）をｎh、列方向における画素Ｇの配列数（垂直方向画素数）をｎvとすると、走査線Ｌｇはｎh本、信号線Ｌｄはｎv本形成されるものである。
走査線Ｌｇと信号線Ｌｄのそれぞれの交点部に画素Ｇが配置されている。各画素Ｇは、それぞれ画素トランジスタＴｒ、液晶セルＣＬ、保持容量Ｃを有する（先の図１３を参照）。
【００４７】
水平転送回路１Ｈは走査線Ｌｇを駆動するための回路部である。また、垂直転送回路１Ｖ-1、１Ｖ-2は信号線Ｌｄを駆動するための回路部である。
【００４８】
液晶表示パネル１において、画素形成領域１Ｅは、有効画素領域１Ｅ-eと、その周囲に配されたダミー画素領域１Ｅ-dとを有する。
有効画素領域１Ｅ-eは、画像表示領域であり、この有効画素領域１Ｅ-eに形成される各画素を介した光がスクリーン等の対象物に表示されるべきものとなる。
一方、ダミー画素領域１Ｅ-dは画像表示に寄与しない領域となる。
以下、ダミー画素領域１Ｅ-dに形成される画素Ｇについては、ダミー画素Ｇ-dと表記する。
【００４９】
ここで、液晶表示パネル１において有効画素領域１Ｅ-eの周囲にダミー画素領域１Ｅ-dを配置する意義について説明しておく。
図２に示した通り、液晶表示パネル１においては、画素形成領域１Ｅと共に水平転送回路１Ｈ及び垂直転送回路１Ｖとしての周辺回路部とが形成されることになるが、これら画素形成領域１Ｅと周辺回路部とでは膜構成（層構造）が異なることから、ウエハー表面におけるそれらの境界部分において、起伏の差が生じることとなる。ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）等の技術を適用することも考えられるが、このような起伏の差を完全に防止することは非常に困難である。
ウエハー表面の起伏が不連続となった部分では、画素の配向膜の厚みや、セルのギャップ制御のためのスペーサ厚も不均一となり、液晶の配向状態に悪影響を及ぼす。つまりその結果、画質の低下を招来してしまう。
【００５０】
仮に、有効画素領域１Ｅ-eの周囲にダミー画素領域１Ｅ-dを配置しないとした場合には、有効画素領域１Ｅ-eの外縁部において上記のような起伏差が生じるものとなり、表示画像の画質低下が生じてしまう。
このような表示画像（つまり有効画素領域１Ｅ-eを介して投射される画像）についての画質低下を防止すべく、有効画素領域１Ｅ-eの周囲に対し、画像表示に寄与しないダミー画素領域１Ｅ-dを設けているものである。すなわち、上記のような起伏差が生じる画素領域をダミー画素領域１Ｅ-dに割り当てることで、有効画素領域１Ｅ-eの平坦性を確保し、それによって表示画像の画質低下の防止を図るというものである。
【００５１】
ここで、先の図１６に示したように、ダミー画素領域１Ｅ-eには、該ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光が有効画素領域１Ｅ-eの透過光に影響を与えて画質低下を招来することを防止すべく、遮光層（図１６では遮光層１０４）が設けられる。
また、ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光に起因した画質低下の防止にあたっては、ダミー画素Ｇ-dの透過率が最小となるように変調をかけるということも行われており、上記の遮光層の形成と併せて行われる場合もある。
【００５２】
＜３．第１の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
ここで、前述もしたように従来においては、液晶表示パネル１の前後に配される偏光板（１３，１４）として、ワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板を設けたこと、すなわち吸収ではなく反射による偏光制御が行われることに対応して、ダミー画素Ｇ-d’に対し、偏光板１４から液晶表示パネル１側への反射光が直接的に画素トランジスタＴｒに照射されてしまうことを防止するための第２遮光層を形成するようにされている。
【００５３】
しかしながら、このような第２遮光層を設けたのみでは、前述の光学系内における光密度の高まりも影響して、画質の低下が生じてしまうことが確認された。
【００５４】
ここで、確認のため、図３に従来のダミー画素Ｇ-d’の概略構成図を示す。
先の図１７で説明した通り、従来のダミー画素Ｇ-d’には、対向基板３０、透明電極３１、液晶層３２、透明電極３３、第１遮光層３４、信号線Ｌｄ、コンタクト部Ｃｔ、第１半導体層３５、及び走査線Ｌｇが同順で形成されている。
対向基板３０が形成される側の面を偏光板１３からの光線Ｌｉの入射面、走査線Ｌｇが形成される側の面を光線Ｌｉの出射面とすると、これらは入射面側から出射面側にかけて上記の順で配置されている。
【００５５】
第１遮光層３４は、ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光が有効画素領域１Ｅ-eの透過光に影響を与えて画質低下を招くことを防止するために設けられたものであり、図のように画素全体を覆うように形成されている（図１６における遮光層１０４に相当）。
【００５６】
また、第１半導体層３５は、画素トランジスタＴｒが形成された半導体層である。
またコンタクト部Ｃｔは、信号線Ｌｄと第１半導体層３５に形成された画素トランジスタＴｒとを電気的に接続するための部位となる。
【００５７】
ここで、第２遮光層（この場合は走査線Ｌｇが兼用）は、該第２遮光層による反射光が迷光となって画質の低下を招来してしまうことの防止を図るべく、ダミー画素Ｇ-d’の全面にわたって形成するのではなく、画素トランジスタＴｒが形成された第１半導体層３５の形成部に対応した一部のみに形成するものとしている。
【００５８】
このことによると、液晶表示パネル１の出射側に配された偏光板１４からの反射光Ｌｓは、図のように第１遮光層３４の裏側に対して入射してしまい、該第１遮光層３４にて反射されて第１半導体層３５（画素トランジスタＴｒ）に照射されてしまうことになる。
また、このような第１遮光層３４での反射が生じることで、反射光Ｌｓは、第１遮光層３４→第２遮光層（Ｌｇ）を介しても第１半導体層３５に照射されてしまうことになる。
【００５９】
このような反射光Ｌｓの照射の影響により、画素トランジスタＴｒの性能劣化が生じてしまう。
そして、画素トランジスタＴｒの性能劣化に起因して、有効画素領域１Ｅ-eの表示画像についての画質低下が生じることが確認されている。
【００６０】
図４を参照して、画素トランジスタＴｒへの光照射に起因して画質が低下する原理について考察する。
図４においては、従来のダミー画素Ｇ-d’の回路図が示されている。
図のようにダミー画素Ｇ-d’は、走査線Ｌｇと信号線Ｌｄとの交点部において、画素トランジスタＴｒ、液晶セルＬＣ、及び保持容量Ｃを有して構成される。
画素トランジスタＴｒは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とされる。この画素トランジスタＴｒのゲート電極（制御端子）は、走査線Ｌｇと接続され、ソース電極（入力端子）は、信号線Ｌｄと接続される。
【００６１】
液晶セルＬＣは、その画素電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極（出力端子）と接続され、対向電極がＶｃｏｍ線（コモン電位供給線）に接続されている。
また、保持容量Ｃは、一方の電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極と、他方の電極がＶｃｏｍ線と接続される。
【００６２】
ここで、このようなダミー画素Ｇ-d’において、画素トランジスタＴｒが比較的強い光に晒されると、該画素トランジスタＴｒの性能が劣化し、図中の破線矢印Ｙで示すようなリーク電流（画素トランジスタＴｒのドレイン電極からソース電極側に流れる）が発生してしまうと考えられる。
このリーク電流が、先の図３に示したコンタクト部Ｃｔを介して、信号線Ｌｄに流入する。この結果、信号線Ｌｄの電位に影響を与えてしまうと考えられる。
【００６３】
言うまでもなく、信号線Ｌｄには、有効画素領域１Ｅ-eにおける画素Ｇに書き込まれるべき信号（電位）が供給される。従って、上記のようにダミー画素Ｇ-d’で生じたリーク電流によって信号線Ｌｄの電位が変化してしまうと、有効画素領域１Ｅ-eにおける画素Ｇについての信号電位−透過率特性（いわゆるＶ−Ｔ特性）が変化してしまい、これが画質の劣化に繋がるものと推測される。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、ダミー画素Ｇ-dにおける画素トランジスタＴｒに光照射に起因した性能劣化が生じても、その影響が信号線Ｌｄを介して有効画素領域１Ｅ-eの表示画像に与えられないようにすべく、ダミー画素Ｇ-dにおいて、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つという構成を提案する。
具体的に、第１の実施の形態は、図３に示したコンタクト部Ｃｔを省略することで、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つものである。
【００６５】
図５は、第１の実施の形態の液晶表示パネル１に形成されるダミー画素Ｇ-dの構成についての説明図である。
図５Ａはダミー画素Ｇ-dの概略構成を斜視図により示し、図５Ｂはダミー画素Ｇ-dの回路図である。
なお、以降の説明において、既に説明済みとなった部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００６６】
図５Ａと先の図３との対比から明らかなように、本実施の形態のダミー画素Ｇ-dは、従来のダミー画素Ｇ-d’との比較で、信号線Ｌｄと第１半導体層３５（画素トランジスタＴｒ）とを電気的に接続するためのコンタクト部Ｃｔが省略された点が異なる。
これは、回路図によれば、図５Ｂ中の丸破線で囲ったように、画素トランジスタＴｒのソース電極と信号線Ｌｄとの間を繋ぐ配線上において、信号線Ｌｄとの接続部が切断されたものと表すことができる。
【００６７】
ここで、従来のダミー画素Ｇ-d’と本実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構造を、より詳細に対比してみる。
先ず、図６に従来のダミー画素Ｇ-d’のより詳細な断面構造図を示す。
この図６に示す通り、従来のダミー画素Ｇ-d’では、石英基板３６上に第２遮光層と兼用の走査線Ｌｇが形成され、さらにその上層に絶縁膜３７が成膜される。
絶縁膜３７の成膜後、第１半導体層３５が形成され、その後、酸化膜３８が成膜された上で、第２半導体層４０ａ,４０ｂが形成される。
ここで、第２半導体層４０ａは走査線Ｌｇと電気的に接続し、ゲート電極として利用する。こうして画素トランジスタＴｒが形成される。
【００６８】
第２半導体層４０ａ,４０ｂの形成後、絶縁膜３９を成膜し、その後、信号線Ｌｄとしての配線層を形成する。
図のように従来のダミー画素Ｇ-d’においては、この信号線Ｌｄとしての配線層が、コンタクト部Ｃｔを介して第１半導体層３５と電気的に接続されている。
【００６９】
信号線Ｌｄとしての配線層を形成後、平坦化を兼ねた絶縁膜４１を成膜する。そして、該絶縁膜４１の成膜後、第１遮光層３４を形成する。
【００７０】
第１遮光層３４の上層に絶縁膜４２を成膜し、その後、透明電極３３、配向膜４３を形成する。
【００７１】
さらに、対向基板３０と透明電極３１と配向膜４４とが同順で積層された積層体と上記配向膜４３との間に、液晶を封止して、液晶層３２を形成する。このとき、液晶の封止は、上記積層体における配向膜４４と配向膜４３とが対向する向きとなるようにして行う。
これにより、ダミー画素Ｇ-d’が形成される。
【００７２】
図７は、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dのより詳細な断面構造図である。
図６に示す従来のダミー画素Ｇ-d’との差異は、コンタクト部Ｃｔが省略された点である。
なお、ダミー画素Ｇ-dにおけるコンタクト部Ｃｔの省略は、該コンタクト部Ｃｔの形成工程で用いるマスクのパターンを変更するなどの手法により実現することができる。
【００７３】
上記のように本実施の形態のダミー画素Ｇ-dでは、コンタクト部Ｃｔを省略して画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続が断たれることで、ダミー画素Ｇ-dにて生じた光照射に伴う画素トランジスタＴｒの性能劣化に起因して生じるとされる、有効画素領域１Ｅ-eにおけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、結果、画質低下の防止を図ることができる。
【００７４】
そして、本実施の形態によれば、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つにあたっては、コンタクト部Ｃｔの形成を省略すれば足るものであり、特段、プロセスの増加を伴うものではなく、また同時に別途の層（遮光層）を新たに形成するなどといった必要性もない。
すなわち、本実施の形態によれば、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【００７５】
図８及び図９に、本実施の形態により画質低下の防止効果が得られる点を実証するための実験結果を示す。
図８は、ダミー画素内の画素トランジスタＴｒへの光照射時間に対する有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率の変化特性についての実験結果を示している。
なお、■プロットが従来例（従来のダミー画素Ｇ-d’を用いた場合）、▲プロットが本例（本実施の形態のダミー画素Ｇ-dを用いた場合）の結果を表す。
この図に示されるように、従来例では、光照射時間の経過と共に有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率が徐々に上昇していく傾向となる。この点からも理解されるように、従来例では、ダミー画素Ｇ-d’内の画素トランジスタＴｒへの光照射に応じて経時的に画質が低下していく傾向となる。
【００７６】
これに対し本例の場合は、光照射時間に対して有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率は殆ど変化しないことが確認できる。この点より、本例によれば、ダミー画素Ｇ-d内の画素トランジスタＴｒへの光照射に起因した画質低下を効果的に抑制できることが分かる。
【００７７】
図９は、経過時間（Aging Time）に対する表示画像の色度Δｙの変化特性についての実験結果を示している。この図においても■プロットが従来例、▲プロットが本例の結果を表す。
図９を参照すると、従来例としての液晶プロジェクタ装置の場合は時間経過と共に表示画像の色度Δｙが大きく変化していくことが分かる。
なお、色度Δｙの変化態様は、液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bのそれぞれに対する入射光量のバランス（どのパネルでの劣化が表示画像の変化に大きく影響するかの度合い）に応じたものとなる。
【００７８】
これに対し、本例の液晶プロジェクタ装置５０の場合は、時間経過に伴う色度Δｙの変動幅は、±０．０２の範囲内に収まっている。すなわち、人間の視覚的に色変動が認知されない範囲内に収まっている。このことからも、本実施の形態によれば、画質の低下が効果的に抑制されていることが分かる。
【００７９】
＜４．第２の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
第１の実施の形態では、ダミー画素Ｇ-dにおけるコンタクト部Ｃｔの形成を省略することで画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つものとしたが、第２の実施の形態は、画素トランジスタＴｒが形成される第１半導体層３５の一部を切断することで、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの間の電気的接続を断つようにするものである。
【００８０】
図１０は、第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構成についての説明図であり、図１０Ａがその概略構成を表す斜視図、図１０Ｂは回路図である。
図１０Ａと先の図５Ａとを対比して分かるように、この場合のダミー画素Ｇ-dは、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dとの比較で、コンタクト部Ｃｔが設けられた代わりに、図中「Ｃ」と示すように、第１半導体層３５がコンタクト部Ｃｔとの接続部を含む部分（第１半導体層３５ａとする）とそれ以外の部分（第１半導体層３５ｂとする）とに分断された点が異なる。
【００８１】
これは、回路図によると、図１０Ｂ内の丸破線で囲ったように、画素トランジスタＴｒのソース電極と信号線Ｌｄとを繋ぐ配線上において、信号線Ｌｄとの接続部と上記ソース電極との間が切断されたものと表すことができる。
【００８２】
図１１は、第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dのより詳細な断面構造図である。
この図１１と先の図７とを対比して分かるように、この場合のダミー画素Ｇ-dは、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dとの比較で、コンタクト部Ｃｔが設けられた代わりに、第１半導体層３５がコンタクト部Ｃｔとの接続部を含む第１半導体層３５ａとそれ以外の部分としての第１半導体層３５ｂとに分断されたものである（図中「Ｃ」）。
換言すれば、図６に示した従来のダミー画素Ｇ-d’との比較では、第１半導体層３５が第１半導体層３５ａと第１半導体層３５ｂとに分断された点のみが異なるものである。
【００８３】
上記のような第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構成によっても、ダミー画素Ｇ-dにおける画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの間の電気的接続を断つことができ、第１の実施の形態と同様の画質低下防止効果が得られる。
また、第２の実施の形態では第１半導体層３５を分断するのみでよいことから、第１の実施の形態の場合と同様、プロセスの増加や別途の層を形成することによるコストアップも防止することができる。すなわち、第２の実施の形態によっても、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【００８４】
＜５．変形例＞
以上、本技術に係る各実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した具体例に限定されるべきものではない。
例えばこれまでの説明では、ダミー画素領域１Ｅ-d内に形成される全ダミー画素Ｇ-dについて信号線Ｌｄとの電気的接続を断つことを前提としたが、有効画素領域１Ｅ-eの表示画像の画質低下防止を図るという効果を奏する上では、全ダミー画素Ｇ-dについて信号線Ｌｄとの電気的接続を断つ必要性はない。
【００８５】
図１２は、液晶表示パネル１における画素形成領域１Ｅの平面図を示しているが、この図を参照すると、ダミー画素Ｇ-dのうち、その画素トランジスタＴｒの劣化の影響が信号線Ｌｄを介して有効画素領域１Ｅ-e内の画素Ｇに及ぼされるのは、図中の斜線部Ａで示した部分の画素Ｇ-dであることが分かる。すなわち、信号線Ｌｄとの電気的接続を断つべきであるのは、少なくとも、ダミー画素Ｇ-dのうち有効画素領域１Ｅ-d内の画素Ｇと同じ画素列に配されるダミー画素Ｇ-d（換言すれば、有効画素領域１Ｅ-e内の画素Ｇと共通の信号線Ｌｄが配線されるダミー画素Ｇ-d）とさればよいものである。
【００８６】
また、これまでの説明では、本技術が３板方式の投射型液晶表示装置に適用される場合を例示したが、本技術は、液晶表示パネルを用いたプロジェクタ装置に広く好適に適用できるものである。
【００８７】
また、画素の断面構造についても、先の図７や図１１に示したものに限定されるべきものではなく、実際の実施形態に応じて適宜変更が可能なものである。
【００８８】
また、本技術は以下に示す構成を採ることも可能である。
（１）
有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶表示パネル。
（２）
上記信号線と上記トランジスタとの間を接続するコンタクト部が省略されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）に記載の液晶表示パネル。
（３）
上記トランジスタを形成する半導体層の一部が分断されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）又は（２）に記載の液晶表示パネル。
（４）
全ての上記ダミー画素においてトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）〜（３）に記載の液晶表示パネル。
（５）
上記トランジスタと液晶層との間に第１の遮光層が形成されている上記（１）〜（４）に記載の液晶表示パネル。
（６）
上記トランジスタが形成される位置よりもパネル出射側となる位置に対して第２の遮光層が形成されている
上記（１）〜（５）に記載の液晶表示パネル。
（７）
光源と、
上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルと、
上記液晶表示パネルを介した光を投射する投射光学系と
を備え、
上記液晶表示パネルは、
有効画素の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶プロジェクタ装置。
（８）
上記液晶表示パネルの入射側と出射側とに無機材料による偏光板が配置されている上記（７）に記載の液晶プロジェクタ装置。
【符号の説明】
【００８９】
１-R,１-G,１-B 液晶表示パネル、２ 光源部、３ ＵＶ／ＩＲカットフィルタ、４ 第１レンズアレイ、５,１１,１６,１８ ミラー、６ 第２レンズアレイ、７ ＰＳ合成素子、８ コンデンサレンズ、９,１０ ダイクロイックミラー、１２-R,１２-G,１２-B フィールドレンズ、１３-R,１３-G,１３-B,１４-R,１４-G,１４-B 偏光板、１５,１７ リレーレンズ、１９ クロスプリズム、２０ 投射光学系、１Ｅ 画素形成領域、１Ｅ-e 有効画素領域、１Ｅ-d ダミー画素領域、１Ｈ 水平転送回路、１Ｖ-1,１Ｖ-2 垂直転送回路、３０ 対向基板、３１,３３ 透明電極、３２ 液晶層、３４ 第１遮光層、３５ 第１半導体層（画素トランジスタ）、Ｇ-d ダミー画素、Ｌｇ 走査線（第２遮光層）、Ｌｄ 信号線、Ｔｒ 画素トランジスタ、ＣＬ 液晶セル、Ｃ 保持容量、３６ 石英基板、３７,３９,４１,４２ 絶縁膜、３８ 酸化膜、４０ａ,４０ｂ 第２半導体層、４３,４４ 配向膜、Ｃｔ コンタクト部
【技術分野】
【０００１】
本技術は、液晶パネルと該液晶パネルを備えて構成される液晶プロジェクタ装置とに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２０１０−８５８８２号公報
【背景技術】
【０００３】
画像信号に基づく画像表示を行うための装置として、スクリーン等の対象物に画像を投射表示する液晶プロジェクタ装置が広く普及している。
【０００４】
図１３は、液晶プロジェクタ装置が備える液晶表示パネル１００の概略構成を表す回路図である。
この図に示すように、液晶表示パネル１００には、垂直方向に沿って配線される複数の信号線（データ線）Ｌｄと、水平方向に沿って配線される複数の走査線（ゲート線）Ｌｇとが形成され、これら信号線Ｌｄと走査線Ｌｇとの各交点ごとに、画素Ｇが形成されている。
なお、この図では説明の簡単のため、信号線Ｌｄ、走査線Ｌｇについてはそれぞれ２本のみ（図中、信号線Ｌｄ-1,Ｌｄ-2、及び走査線Ｌｇ-1,Ｌｇ-2）を示し、画素Ｇとしてはそれらの各交点に形成される画素Ｇ-11,Ｇ-12,Ｇ-21,Ｇ-22の４つのみを示している。走査線Ｌｇ-1と信号線Ｌｄ-1との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-11であり、走査線Ｌｇ-1と信号線Ｌｄ-2との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-12、走査線Ｌｇ-2と信号線Ｌｄ-1との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-21、走査線Ｌｇ-2と信号線Ｌｄ-2との交点に形成される画素Ｇが画素Ｇ-22である。
【０００５】
各画素Ｇは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などによる画素トランジスタＴｒと、液晶セルＬＣと、保持容量Ｃとを有して構成される。
画素トランジスタＴｒは、ゲート電極（制御端子）が走査線Ｌｇと接続され、ソース電極（入力端子）が信号線Ｌｄと接続される。
液晶セルＬＣは、その画素電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極（出力端子）と接続され、対向電極がＶｃｏｍ線に接続されている。
また、保持容量Ｃは、一方の電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極と、他方の電極がＶｃｏｍ線に対して接続される。
【０００６】
このような液晶表示パネル１００においては、或る走査線Ｌｇに信号を供給することでその走査線Ｌｇが共通に配線された画素Ｇ、すなわち或る水平ライン上の画素Ｇを選択でき、該選択状態にて信号線Ｌｄを介した電圧供給を行うことで、該水平ライン上の各々の画素Ｇに対応する画素値の書き込みができる。
このような走査線Ｌｇによる水平ラインの選択・信号線Ｌｄを介した書き込みを水平ライン順次に行うことで、所要の画像表示を行うことができる。
【０００７】
図１４は、液晶プロジェクタ装置の光学系の概略構成図である。
先ず、図中の光線Ｌｉは、光源（図示は省略）からの入射光線を表しており、該光線Ｌｉは、液晶表示パネル１００の手前側（光源側）に配された偏光板１０１に入射する。
偏光板１０１においては、光線Ｌｉのうち所定の直線偏光成分が選択的に透過し、液晶表示パネル１００に入射する。
【０００８】
液晶表示パネル１００（画素Ｇ）を介した光線Ｌｉは、偏光板１０２に入射する。
該偏光板１０２は、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉのうち所定の直線偏光成分を選択的に透過する。
該偏光板１０２を透過した光線Ｌｉは例えばプリズム１０３を介して投射光学系へと導かれる。
【０００９】
図１５は、液晶表示パネル１００と偏光板１０１,１０２とを用いて実現される偏光制御（白表示／黒表示の制御）についての説明図である。
図１５Ａは液晶変調時（白表示時）、図１５Ｂは液晶無変調時（黒表示時）の様子を示している。
【００１０】
先ず、前述のように液晶表示パネル１００の手前側に配置された偏光板１０１は、光源側より入射する光線Ｌｉの所定の直線偏光成分を選択的に透過する。
図１５Ａに示す液晶変調時には、液晶表示パネル１００（画素Ｇ）において、このように偏光板１０１を透過した光線Ｌｉについての偏光方向の変調が行われる。具体的に、この場合に液晶表示パネル１００を透過した光線Ｌｉは、その偏光方向が偏光板１０１を透過した光線Ｌｉの偏光方向とは直交する方向に変調される。
偏光板１０２は、このような液晶表示パネル１００による変調後の偏光状態による光線Ｌｉを選択的に透過するように構成されており、この結果、図１５Ａに示す液晶変調時には投射光学系に光線Ｌｉが導かれ、白表示（点灯状態）が実現される。
【００１１】
一方、図１５Ｂに示す液晶無変調時には、偏光板１０１を透過した光線Ｌｉについて液晶表示パネル１００（画素Ｇ）での偏光方向の変調は行われないため、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉは偏光板１０２を透過せず、投射光学系には導かれないものとなる。これにより、黒表示（非点灯状態）が実現される。
【００１２】
ここで、近年、液晶プロジェクタ装置では高輝度化及び装置サイズの小型化が進み、光学系内における光密度が急速に高まりつつある。
従前では、光学系内に配置された上記の偏光板（１０１,１０２）については、例えば有機材料を用いた偏光板を用いるものとし、光吸収による偏光制御（点灯／非点灯についての制御）を実現していた。
しかしながら、上記のように光学系内の光密度が高まると、有機材料を用いた偏光板ではその耐光性の面で問題が生じ、性能劣化による画質低下を招く虞があった。
そこで近年では、偏光板１０１,１０２として例えばワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板を用いるものとし、耐光性を高めている。
【００１３】
このような無機材料による偏光板１０１,１０２を用いた場合は、偏光制御は吸収ではなく反射を用いた制御となる。すなわち、図１５Ｂに示したような黒表示時において、液晶表示パネル１００を介した光線Ｌｉは偏光板１０２にて吸収されず液晶表示パネル１００側に反射されることで、非点灯状態が実現されるものである。
【００１４】
ところで、液晶表示パネル１００には、実際にスクリーン等に投射されるべき画像（有効画像）を表示するための有効画素領域と、その周囲に配されたダミー画素領域とが設けられる。
図１６Ａは、液晶表示パネル１００に形成される有効画素領域１００ａとダミー画素領域１００ｂとの関係を平面図により示している。
【００１５】
ここで、ダミー画素領域１００ｂは画像表示に寄与しない領域である。
従って、該ダミー画素領域１００ｂの透過光が有効画素領域１００ａの透過光に影響して画質の低下を招来することを防止するため、ダミー画素領域１００ｂに対しては、図１６Ｂの断面図に示すように、遮光層１０４を設けるということが行われる。
このような遮光層１０４を設けることで、ダミー画素の透過光が液晶表示パネル１００の後段に導かれて有効画素領域１００ａの透過光に混入してしまうことの防止が図られ、画質低下の防止が図られる。
【００１６】
以上の前提を踏まえた上で、従来の液晶表示パネル１００が備えるダミー画素領域１００ｂ内の画素（ダミー画素Ｇ-d’とする）の構造について図１７を参照して説明する。
図１７に示すように、従来の液晶表示パネル１００におけるダミー画素Ｇ-d’には、対向基板３０、透明電極３１、液晶層３２、透明電極３３、第１遮光層３４、信号線Ｌｄ、コンタクト部Ｃｔ、第１半導体層３５、及び走査線Ｌｇが形成されている。
対向基板３０が形成される側の面を偏光板１０１からの光線Ｌｉの入射面、走査線Ｌｇが形成される側の面を光線Ｌｉの出射面とすると、これらは入射面側から出射面側にかけて上記の順で配置されている。
【００１７】
これらのうち、第１遮光層３４は、図１６Ｂに示した遮光層１０４に相当するもので、ダミー画素Ｇ-d’の遮光のために設けられたものである。
また、第１半導体層３５は、前述の画素トランジスタＴｒが形成された半導体層となる。
コンタクト部Ｃｔは、信号線Ｌｄと第１半導体層３５に形成された画素トランジスタＴｒとを電気的に接続するための部位となる。
【００１８】
またこの場合、走査線Ｌｇは、無機材料で構成された偏光板１０２からの反射光Ｌｓが画素トランジスタＴｒ（第１半導体層３５）に直接照射されてしまうことを防止するための第２遮光層としても兼用されている。具体的に、この場合の走査線Ｌｇは反射光Ｌｓを反射し、画素トランジスタＴｒが反射光Ｌｓに直接晒されることを防止している。
なお、第２遮光層は走査線とは別途に形成することも勿論可能である。
【００１９】
ここで、画素トランジスタＴｒが反射光Ｌｓに晒されることを防止するのは、画素トランジスタＴｒが光照射により経時的に劣化して画質低下を招いてしまうことの防止を図るためである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上記のように従来のダミー画素Ｇ-d’においては、第２遮光層（図１７の構成では走査線Ｌｄ）を設けることで、画素トランジスタＴｒに偏光板１０２からの反射光Ｌｓが直接照射されてしまうことを防止するものとしている。
【００２１】
しかしながら、このような第２遮光層を設けたのみでは、前述の光学系内における光密度の高まりも影響して、画質の低下が生じてしまうことが確認された。
【００２２】
ここで、偏光板１０２からの反射光Ｌｓに伴う画質の低下の防止を図るためには、第２遮光層を、図１７に示した構成のように画素トランジスタＴｒ（第１半導体層３５）が形成される領域に対応した一部のみに形成するのではなく、ダミー画素Ｇ-d’の全面に形成するという対策を採ることが考えられる。
しかしながらその場合は、新たに遮光層を形成するプロセスが増えて液晶表示パネル１００の生産性の低下を招くと共に、コストアップの要因となる。
また同時に、ダミー画素Ｇ-d’の全面に遮光層を設けてしまうと、迷光の発生量が増大して、かえって画質の低下を招いてしまう虞もある。
【００２３】
本技術は上記の問題点に鑑み為されたものであり、その課題は、上記のようなプロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招くことなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質の低下を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記課題の解決のため、本技術では液晶表示パネルとして以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術の液晶表示パネルは、有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されている。
そして、上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれているものである。
【００２５】
また、本技術では液晶プロジェクタ装置として以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術の液晶プロジェクタ装置は、光源と、上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルとを備えるものであって、上記液晶表示パネルが、上記本技術の液晶表示パネルとされたものである。
【００２６】
ここで、後述もするように、ダミー画素内のトランジスタの光照射に伴う性能劣化に起因した画質の低下の問題は、該トランジスタの性能劣化に伴いドレイン電極側からソース電極側へのリーク電流が発生し、該リーク電流により信号線電位が変動し有効画素領域内の画素についての信号電位−透過率特性（いわゆるＶ−Ｔ特性）が変化してしまうことに起因するものと考えられる。
そこで本技術では、ダミー画素において、上記のように信号線とトランジスタとの電気的な接続を断つものとした。
これにより、ダミー画素において生じたトランジスタの性能劣化に起因して生じるとされる、有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、結果、画質低下の防止を図ることができる。
また、上記のようにトランジスタと信号線との電気的接続を断つにあたっては、例えばそれらを接続するためのコンタクト部の形成を省略するなどプロセスの増加を伴わない手法を採ることが容易であり、同時に、別途の層を新たに形成するなどといった必要性もない。
すなわち、本技術によれば、プロセスの増加やコストアップなどの問題を伴わずに画質低下の防止を図ることができる。
【発明の効果】
【００２７】
上記のように本技術によれば、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態の液晶プロジェクタ装置の内部構成についての説明図である。
【図２】実施の形態の液晶表示パネルの構成についての説明図である。
【図３】従来のダミー画素の概略構成図である。
【図４】画素トランジスタへの光照射に起因して画質が低下する原理について考察するための図である。
【図５】第１の実施の形態のダミー画素の構成についての説明図である。
【図６】従来のダミー画素の断面構造図である。
【図７】第１の実施の形態のダミー画素の断面構造図である。
【図８】ダミー画素内の画素トランジスタへの光照射時間に対する有効画素領域内の画素の輝度変動率の変化特性についての実験結果を示した図である。
【図９】経過時間（Aging Time）に対する表示画像の色度Δｙの変化特性についての実験結果を示した図である。
【図１０】第２の実施の形態のダミー画素の構成についての説明図である。
【図１１】第２の実施の形態のダミー画素の断面構造図である。
【図１２】液晶表示パネルにおける画素形成領域の平面図である。
【図１３】液晶プロジェクタ装置が備える液晶表示パネルの概略構成を表す回路図である。
【図１４】液晶プロジェクタ装置の光学系の概略構成図である。
【図１５】液晶表示パネルと偏光板とを用いて実現される偏光制御（白表示／黒表示の制御）についての説明図である。
【図１６】ダミー画素領域及びダミー画素に形成される遮光層についての説明図である。
【図１７】従来の液晶表示パネルが備えるダミー画素の構造についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本技術に係る実施の形態について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．液晶プロジェクタ装置の構成＞
＜２．液晶表示パネルの構成＞
＜３．第１の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
＜４．第２の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
＜５．変形例＞
【００３０】
＜１．液晶プロジェクタ装置の構成＞
図１は、本技術に係る実施の形態としての液晶プロジェクタ装置５０の内部構成についての説明図である。
なお、この図１では液晶プロジェクタ装置５０が備える主に光学系の構成のみを示し、他の部分の構成については図示を省略している。
本実施の形態の液晶プロジェクタ装置５０は、透過型の液晶表示パネル１として、赤色、緑色、青色の各色に対応する液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bの３枚用いてカラー画像表示を行ういわゆる３板方式の投射型液晶表示装置とされる。
【００３１】
図示するように、液晶プロジェクタ装置５０には、光源部２、ＵＶ／ＩＲカットフィルタ（紫外線／赤外線カットフィルタ）３、一対の第１及び第２レンズアレイ（フライアイレンズ）４，６、及びミラー５が設けられている。
【００３２】
光源部２は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光、青色光および緑色光を含んだ白色光を発するようになっている。この光源部２は、白色光を発する発光体（図示せず）と、発光体から発せられた光を反射する凹面鏡とを含んで構成されている。上記発光体には、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプ等が使用される。上記凹面鏡は、例えば回転楕円面鏡や回転放物面鏡等の回転対称な面形状とされる。
【００３３】
ＵＶ／ＩＲカットフィルタ３は、光源部２より発せられた光について紫外線、赤外線をカットする。これにより、後段の各種光学部品の加熱・劣化の防止が図られる。
またミラー５は、第１，第２レンズアレイ４，６の間に設けられ、光路（光軸）を第２レンズアレイ６側に略９０度曲げるようにされる。
【００３４】
第１，第２レンズアレイ４，６には、それぞれ複数のマイクロレンズが２次元的に配列されている。これら第１，第２レンズアレイ４，６は、光の照度分布を均一化させるためのものであり、入射した光を複数の小光束に分割する機能を有している。従って、光源部２から発せられた白色光は、第１，第２レンズアレイ４，６を透過することにより、複数の小光束に分割される。
【００３５】
第２レンズアレイ６の出射面側には、ＰＳ合成素子７、コンデンサレンズ８、ダイクロイックミラー９が同順で配置される。
【００３６】
ＰＳ合成素子７には、第２レンズアレイ６における隣り合うマイクロレンズ間に対応する位置に、複数の１／２波長板が設けられている。ＰＳ合成素子７は、第２レンズアレイ６より入射した光を第１偏光光（例えばＰ偏光成分）と第２偏光光（例えばＳ偏光成分）とに分離し、一方の偏光光（例えばＰ偏光成分）を、その偏光方向を保ったままＰＳ合成素子７から出射し、他方の偏光光（例えばＳ偏光成分）を上記１／２波長板の作用により他の偏光成分（例えばＰ偏光成分）に変換して出射する。これにより、分離された２つの偏光光の偏光方向が特定の方向（例えばＰ偏光）に揃えられる。
【００３７】
ＰＳ合成素子７を出射した光は、コンデンサレンズ８を介した後、ダイクロイックミラー９に入射する。ダイクロイックミラー９は、入射した光を、赤色光Ｒとその他の色光とに分離する。
【００３８】
図示するようにダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒの光路に沿っては、ミラー１１、フィールドレンズ１２-R、偏光板１３-R、液晶表示パネル１-R、偏光板１４-Rが同順に配置されている。
【００３９】
ミラー１１は、ダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒを液晶表示パネル１-Rに向けて反射する。ミラー１１によって反射された赤色光Ｒはフィールドレンズ１２-R→偏光板１３-Rを介して液晶表示パネル１-Rに入射する。液晶表示パネル１-Rに入射した赤色光Ｒは、該液晶表示パネル１-Rにおいて、画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Rを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４０】
ここで、本実施の形態の場合、偏光板１３、１４としては、光学系内の光密度の高まりに対する耐光性を確保すべく、ワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板が用いられる。
【００４１】
ダイクロイックミラー９によって分離された赤色光Ｒ以外の他の色光は、ダイクロイックミラー１０に入射する。ダイクロイックミラー１０は、入射した光を、緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する。
【００４２】
ダイクロイックミラー１０によって分離された緑色光Ｇの光路に沿っては、フィールドレンズ１２-G、偏光板１３-G、液晶表示パネル１-G、偏光板１４-Gが同順に配置されている。
緑色光Ｇは、フィールドレンズ１２-G→偏光板１３-Gを介して液晶表示パネル１-Gに入射する。液晶表示パネル1-Gに入射した緑色光Ｇは、該液晶表示素子１-Gにおいて画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Gを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４３】
また、ダイクロイックミラー１０により分離された青色光Ｂの光路に沿っては、図のようにリレーレンズ１５、ミラー１６、リレーレンズ１７、ミラー１８、フィールドレンズ１２-B、偏光板１３-B、液晶表示パネル１-B、偏光板１４-Bが同順に配置される。
ミラー１６は、リレーレンズ１５を介して入射した青色光Ｂをミラー１８に向けて反射する。ミラー１８は、上記ミラー１６にて反射されリレーレンズ１７を介して入射した青色光Ｂを液晶表示パネル１-Bに向けて反射する。
ミラー１８にて反射された青色光Ｂは、フィールドレンズ１２-B→偏光板１３-Bを介して液晶表示パネル１-Bに入射し、該液晶表示素子１-Bにおいて画像信号に応じて空間的に変調された後、偏光板１４-Bを介してクロスプリズム１９に入射する。
【００４４】
クロスプリズム１９は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂの光路が交わる位置に設けられ、これら３つの色光を合成する。
クロスプリズム１９から出射された合成光は、投射光学系２０に導かれる。投射光学系２０は、例えば液晶プロジェクタ装置５０の外部に設けられたスクリーン等の対象物に向けて、上記合成光を投射する。これにより、液晶表示パネル１の変調に応じた画像が上記スクリーン等の対象物に投影（表示）される。
【００４５】
なお、図示は省略したが、液晶プロジェクタ装置５０には、液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bを入力画像信号に応じて駆動するための信号処理回路等が備えられるものとなる。
【００４６】
＜２．液晶表示パネルの構成＞
図２は、図１に示した液晶プロジェクタ装置５０が備える液晶表示パネル１の構成についての説明図である。
図示するように液晶表示パネル１には、画素形成領域１Ｅとしての、複数の画素Ｇが形成された領域と、水平転送回路１Ｈ、及び垂直転送回路１Ｖ-1、１Ｖ-2が形成されている。
図示は省略したが、画素形成領域１Ｅにおいては、行方向（紙面横方向）に配列される複数の画素Ｇごとにそれぞれ走査線（ゲート線）Ｌｇが共通に配線され、また列方向（紙面縦方向）に配列される複数の画素Ｇごとにそれぞれ信号線（データ線）Ｌｄが共通に配線されている。すなわち、行方向における画素Ｇの配列数（つまり水平方向画素数）をｎh、列方向における画素Ｇの配列数（垂直方向画素数）をｎvとすると、走査線Ｌｇはｎh本、信号線Ｌｄはｎv本形成されるものである。
走査線Ｌｇと信号線Ｌｄのそれぞれの交点部に画素Ｇが配置されている。各画素Ｇは、それぞれ画素トランジスタＴｒ、液晶セルＣＬ、保持容量Ｃを有する（先の図１３を参照）。
【００４７】
水平転送回路１Ｈは走査線Ｌｇを駆動するための回路部である。また、垂直転送回路１Ｖ-1、１Ｖ-2は信号線Ｌｄを駆動するための回路部である。
【００４８】
液晶表示パネル１において、画素形成領域１Ｅは、有効画素領域１Ｅ-eと、その周囲に配されたダミー画素領域１Ｅ-dとを有する。
有効画素領域１Ｅ-eは、画像表示領域であり、この有効画素領域１Ｅ-eに形成される各画素を介した光がスクリーン等の対象物に表示されるべきものとなる。
一方、ダミー画素領域１Ｅ-dは画像表示に寄与しない領域となる。
以下、ダミー画素領域１Ｅ-dに形成される画素Ｇについては、ダミー画素Ｇ-dと表記する。
【００４９】
ここで、液晶表示パネル１において有効画素領域１Ｅ-eの周囲にダミー画素領域１Ｅ-dを配置する意義について説明しておく。
図２に示した通り、液晶表示パネル１においては、画素形成領域１Ｅと共に水平転送回路１Ｈ及び垂直転送回路１Ｖとしての周辺回路部とが形成されることになるが、これら画素形成領域１Ｅと周辺回路部とでは膜構成（層構造）が異なることから、ウエハー表面におけるそれらの境界部分において、起伏の差が生じることとなる。ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）等の技術を適用することも考えられるが、このような起伏の差を完全に防止することは非常に困難である。
ウエハー表面の起伏が不連続となった部分では、画素の配向膜の厚みや、セルのギャップ制御のためのスペーサ厚も不均一となり、液晶の配向状態に悪影響を及ぼす。つまりその結果、画質の低下を招来してしまう。
【００５０】
仮に、有効画素領域１Ｅ-eの周囲にダミー画素領域１Ｅ-dを配置しないとした場合には、有効画素領域１Ｅ-eの外縁部において上記のような起伏差が生じるものとなり、表示画像の画質低下が生じてしまう。
このような表示画像（つまり有効画素領域１Ｅ-eを介して投射される画像）についての画質低下を防止すべく、有効画素領域１Ｅ-eの周囲に対し、画像表示に寄与しないダミー画素領域１Ｅ-dを設けているものである。すなわち、上記のような起伏差が生じる画素領域をダミー画素領域１Ｅ-dに割り当てることで、有効画素領域１Ｅ-eの平坦性を確保し、それによって表示画像の画質低下の防止を図るというものである。
【００５１】
ここで、先の図１６に示したように、ダミー画素領域１Ｅ-eには、該ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光が有効画素領域１Ｅ-eの透過光に影響を与えて画質低下を招来することを防止すべく、遮光層（図１６では遮光層１０４）が設けられる。
また、ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光に起因した画質低下の防止にあたっては、ダミー画素Ｇ-dの透過率が最小となるように変調をかけるということも行われており、上記の遮光層の形成と併せて行われる場合もある。
【００５２】
＜３．第１の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
ここで、前述もしたように従来においては、液晶表示パネル１の前後に配される偏光板（１３，１４）として、ワイヤーグリッド等の無機材料による偏光板を設けたこと、すなわち吸収ではなく反射による偏光制御が行われることに対応して、ダミー画素Ｇ-d’に対し、偏光板１４から液晶表示パネル１側への反射光が直接的に画素トランジスタＴｒに照射されてしまうことを防止するための第２遮光層を形成するようにされている。
【００５３】
しかしながら、このような第２遮光層を設けたのみでは、前述の光学系内における光密度の高まりも影響して、画質の低下が生じてしまうことが確認された。
【００５４】
ここで、確認のため、図３に従来のダミー画素Ｇ-d’の概略構成図を示す。
先の図１７で説明した通り、従来のダミー画素Ｇ-d’には、対向基板３０、透明電極３１、液晶層３２、透明電極３３、第１遮光層３４、信号線Ｌｄ、コンタクト部Ｃｔ、第１半導体層３５、及び走査線Ｌｇが同順で形成されている。
対向基板３０が形成される側の面を偏光板１３からの光線Ｌｉの入射面、走査線Ｌｇが形成される側の面を光線Ｌｉの出射面とすると、これらは入射面側から出射面側にかけて上記の順で配置されている。
【００５５】
第１遮光層３４は、ダミー画素領域１Ｅ-dの透過光が有効画素領域１Ｅ-eの透過光に影響を与えて画質低下を招くことを防止するために設けられたものであり、図のように画素全体を覆うように形成されている（図１６における遮光層１０４に相当）。
【００５６】
また、第１半導体層３５は、画素トランジスタＴｒが形成された半導体層である。
またコンタクト部Ｃｔは、信号線Ｌｄと第１半導体層３５に形成された画素トランジスタＴｒとを電気的に接続するための部位となる。
【００５７】
ここで、第２遮光層（この場合は走査線Ｌｇが兼用）は、該第２遮光層による反射光が迷光となって画質の低下を招来してしまうことの防止を図るべく、ダミー画素Ｇ-d’の全面にわたって形成するのではなく、画素トランジスタＴｒが形成された第１半導体層３５の形成部に対応した一部のみに形成するものとしている。
【００５８】
このことによると、液晶表示パネル１の出射側に配された偏光板１４からの反射光Ｌｓは、図のように第１遮光層３４の裏側に対して入射してしまい、該第１遮光層３４にて反射されて第１半導体層３５（画素トランジスタＴｒ）に照射されてしまうことになる。
また、このような第１遮光層３４での反射が生じることで、反射光Ｌｓは、第１遮光層３４→第２遮光層（Ｌｇ）を介しても第１半導体層３５に照射されてしまうことになる。
【００５９】
このような反射光Ｌｓの照射の影響により、画素トランジスタＴｒの性能劣化が生じてしまう。
そして、画素トランジスタＴｒの性能劣化に起因して、有効画素領域１Ｅ-eの表示画像についての画質低下が生じることが確認されている。
【００６０】
図４を参照して、画素トランジスタＴｒへの光照射に起因して画質が低下する原理について考察する。
図４においては、従来のダミー画素Ｇ-d’の回路図が示されている。
図のようにダミー画素Ｇ-d’は、走査線Ｌｇと信号線Ｌｄとの交点部において、画素トランジスタＴｒ、液晶セルＬＣ、及び保持容量Ｃを有して構成される。
画素トランジスタＴｒは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とされる。この画素トランジスタＴｒのゲート電極（制御端子）は、走査線Ｌｇと接続され、ソース電極（入力端子）は、信号線Ｌｄと接続される。
【００６１】
液晶セルＬＣは、その画素電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極（出力端子）と接続され、対向電極がＶｃｏｍ線（コモン電位供給線）に接続されている。
また、保持容量Ｃは、一方の電極が画素トランジスタＴｒのドレイン電極と、他方の電極がＶｃｏｍ線と接続される。
【００６２】
ここで、このようなダミー画素Ｇ-d’において、画素トランジスタＴｒが比較的強い光に晒されると、該画素トランジスタＴｒの性能が劣化し、図中の破線矢印Ｙで示すようなリーク電流（画素トランジスタＴｒのドレイン電極からソース電極側に流れる）が発生してしまうと考えられる。
このリーク電流が、先の図３に示したコンタクト部Ｃｔを介して、信号線Ｌｄに流入する。この結果、信号線Ｌｄの電位に影響を与えてしまうと考えられる。
【００６３】
言うまでもなく、信号線Ｌｄには、有効画素領域１Ｅ-eにおける画素Ｇに書き込まれるべき信号（電位）が供給される。従って、上記のようにダミー画素Ｇ-d’で生じたリーク電流によって信号線Ｌｄの電位が変化してしまうと、有効画素領域１Ｅ-eにおける画素Ｇについての信号電位−透過率特性（いわゆるＶ−Ｔ特性）が変化してしまい、これが画質の劣化に繋がるものと推測される。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、ダミー画素Ｇ-dにおける画素トランジスタＴｒに光照射に起因した性能劣化が生じても、その影響が信号線Ｌｄを介して有効画素領域１Ｅ-eの表示画像に与えられないようにすべく、ダミー画素Ｇ-dにおいて、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つという構成を提案する。
具体的に、第１の実施の形態は、図３に示したコンタクト部Ｃｔを省略することで、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つものである。
【００６５】
図５は、第１の実施の形態の液晶表示パネル１に形成されるダミー画素Ｇ-dの構成についての説明図である。
図５Ａはダミー画素Ｇ-dの概略構成を斜視図により示し、図５Ｂはダミー画素Ｇ-dの回路図である。
なお、以降の説明において、既に説明済みとなった部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００６６】
図５Ａと先の図３との対比から明らかなように、本実施の形態のダミー画素Ｇ-dは、従来のダミー画素Ｇ-d’との比較で、信号線Ｌｄと第１半導体層３５（画素トランジスタＴｒ）とを電気的に接続するためのコンタクト部Ｃｔが省略された点が異なる。
これは、回路図によれば、図５Ｂ中の丸破線で囲ったように、画素トランジスタＴｒのソース電極と信号線Ｌｄとの間を繋ぐ配線上において、信号線Ｌｄとの接続部が切断されたものと表すことができる。
【００６７】
ここで、従来のダミー画素Ｇ-d’と本実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構造を、より詳細に対比してみる。
先ず、図６に従来のダミー画素Ｇ-d’のより詳細な断面構造図を示す。
この図６に示す通り、従来のダミー画素Ｇ-d’では、石英基板３６上に第２遮光層と兼用の走査線Ｌｇが形成され、さらにその上層に絶縁膜３７が成膜される。
絶縁膜３７の成膜後、第１半導体層３５が形成され、その後、酸化膜３８が成膜された上で、第２半導体層４０ａ,４０ｂが形成される。
ここで、第２半導体層４０ａは走査線Ｌｇと電気的に接続し、ゲート電極として利用する。こうして画素トランジスタＴｒが形成される。
【００６８】
第２半導体層４０ａ,４０ｂの形成後、絶縁膜３９を成膜し、その後、信号線Ｌｄとしての配線層を形成する。
図のように従来のダミー画素Ｇ-d’においては、この信号線Ｌｄとしての配線層が、コンタクト部Ｃｔを介して第１半導体層３５と電気的に接続されている。
【００６９】
信号線Ｌｄとしての配線層を形成後、平坦化を兼ねた絶縁膜４１を成膜する。そして、該絶縁膜４１の成膜後、第１遮光層３４を形成する。
【００７０】
第１遮光層３４の上層に絶縁膜４２を成膜し、その後、透明電極３３、配向膜４３を形成する。
【００７１】
さらに、対向基板３０と透明電極３１と配向膜４４とが同順で積層された積層体と上記配向膜４３との間に、液晶を封止して、液晶層３２を形成する。このとき、液晶の封止は、上記積層体における配向膜４４と配向膜４３とが対向する向きとなるようにして行う。
これにより、ダミー画素Ｇ-d’が形成される。
【００７２】
図７は、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dのより詳細な断面構造図である。
図６に示す従来のダミー画素Ｇ-d’との差異は、コンタクト部Ｃｔが省略された点である。
なお、ダミー画素Ｇ-dにおけるコンタクト部Ｃｔの省略は、該コンタクト部Ｃｔの形成工程で用いるマスクのパターンを変更するなどの手法により実現することができる。
【００７３】
上記のように本実施の形態のダミー画素Ｇ-dでは、コンタクト部Ｃｔを省略して画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続が断たれることで、ダミー画素Ｇ-dにて生じた光照射に伴う画素トランジスタＴｒの性能劣化に起因して生じるとされる、有効画素領域１Ｅ-eにおけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、結果、画質低下の防止を図ることができる。
【００７４】
そして、本実施の形態によれば、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つにあたっては、コンタクト部Ｃｔの形成を省略すれば足るものであり、特段、プロセスの増加を伴うものではなく、また同時に別途の層（遮光層）を新たに形成するなどといった必要性もない。
すなわち、本実施の形態によれば、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【００７５】
図８及び図９に、本実施の形態により画質低下の防止効果が得られる点を実証するための実験結果を示す。
図８は、ダミー画素内の画素トランジスタＴｒへの光照射時間に対する有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率の変化特性についての実験結果を示している。
なお、■プロットが従来例（従来のダミー画素Ｇ-d’を用いた場合）、▲プロットが本例（本実施の形態のダミー画素Ｇ-dを用いた場合）の結果を表す。
この図に示されるように、従来例では、光照射時間の経過と共に有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率が徐々に上昇していく傾向となる。この点からも理解されるように、従来例では、ダミー画素Ｇ-d’内の画素トランジスタＴｒへの光照射に応じて経時的に画質が低下していく傾向となる。
【００７６】
これに対し本例の場合は、光照射時間に対して有効画素領域１Ｅ-e内の画素の輝度変動率は殆ど変化しないことが確認できる。この点より、本例によれば、ダミー画素Ｇ-d内の画素トランジスタＴｒへの光照射に起因した画質低下を効果的に抑制できることが分かる。
【００７７】
図９は、経過時間（Aging Time）に対する表示画像の色度Δｙの変化特性についての実験結果を示している。この図においても■プロットが従来例、▲プロットが本例の結果を表す。
図９を参照すると、従来例としての液晶プロジェクタ装置の場合は時間経過と共に表示画像の色度Δｙが大きく変化していくことが分かる。
なお、色度Δｙの変化態様は、液晶表示パネル１-R、１-G、１-Bのそれぞれに対する入射光量のバランス（どのパネルでの劣化が表示画像の変化に大きく影響するかの度合い）に応じたものとなる。
【００７８】
これに対し、本例の液晶プロジェクタ装置５０の場合は、時間経過に伴う色度Δｙの変動幅は、±０．０２の範囲内に収まっている。すなわち、人間の視覚的に色変動が認知されない範囲内に収まっている。このことからも、本実施の形態によれば、画質の低下が効果的に抑制されていることが分かる。
【００７９】
＜４．第２の実施の形態としてのダミー画素の構成＞
第１の実施の形態では、ダミー画素Ｇ-dにおけるコンタクト部Ｃｔの形成を省略することで画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの電気的接続を断つものとしたが、第２の実施の形態は、画素トランジスタＴｒが形成される第１半導体層３５の一部を切断することで、画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの間の電気的接続を断つようにするものである。
【００８０】
図１０は、第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構成についての説明図であり、図１０Ａがその概略構成を表す斜視図、図１０Ｂは回路図である。
図１０Ａと先の図５Ａとを対比して分かるように、この場合のダミー画素Ｇ-dは、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dとの比較で、コンタクト部Ｃｔが設けられた代わりに、図中「Ｃ」と示すように、第１半導体層３５がコンタクト部Ｃｔとの接続部を含む部分（第１半導体層３５ａとする）とそれ以外の部分（第１半導体層３５ｂとする）とに分断された点が異なる。
【００８１】
これは、回路図によると、図１０Ｂ内の丸破線で囲ったように、画素トランジスタＴｒのソース電極と信号線Ｌｄとを繋ぐ配線上において、信号線Ｌｄとの接続部と上記ソース電極との間が切断されたものと表すことができる。
【００８２】
図１１は、第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dのより詳細な断面構造図である。
この図１１と先の図７とを対比して分かるように、この場合のダミー画素Ｇ-dは、第１の実施の形態のダミー画素Ｇ-dとの比較で、コンタクト部Ｃｔが設けられた代わりに、第１半導体層３５がコンタクト部Ｃｔとの接続部を含む第１半導体層３５ａとそれ以外の部分としての第１半導体層３５ｂとに分断されたものである（図中「Ｃ」）。
換言すれば、図６に示した従来のダミー画素Ｇ-d’との比較では、第１半導体層３５が第１半導体層３５ａと第１半導体層３５ｂとに分断された点のみが異なるものである。
【００８３】
上記のような第２の実施の形態のダミー画素Ｇ-dの構成によっても、ダミー画素Ｇ-dにおける画素トランジスタＴｒと信号線Ｌｄとの間の電気的接続を断つことができ、第１の実施の形態と同様の画質低下防止効果が得られる。
また、第２の実施の形態では第１半導体層３５を分断するのみでよいことから、第１の実施の形態の場合と同様、プロセスの増加や別途の層を形成することによるコストアップも防止することができる。すなわち、第２の実施の形態によっても、プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図ることができる。
【００８４】
＜５．変形例＞
以上、本技術に係る各実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した具体例に限定されるべきものではない。
例えばこれまでの説明では、ダミー画素領域１Ｅ-d内に形成される全ダミー画素Ｇ-dについて信号線Ｌｄとの電気的接続を断つことを前提としたが、有効画素領域１Ｅ-eの表示画像の画質低下防止を図るという効果を奏する上では、全ダミー画素Ｇ-dについて信号線Ｌｄとの電気的接続を断つ必要性はない。
【００８５】
図１２は、液晶表示パネル１における画素形成領域１Ｅの平面図を示しているが、この図を参照すると、ダミー画素Ｇ-dのうち、その画素トランジスタＴｒの劣化の影響が信号線Ｌｄを介して有効画素領域１Ｅ-e内の画素Ｇに及ぼされるのは、図中の斜線部Ａで示した部分の画素Ｇ-dであることが分かる。すなわち、信号線Ｌｄとの電気的接続を断つべきであるのは、少なくとも、ダミー画素Ｇ-dのうち有効画素領域１Ｅ-d内の画素Ｇと同じ画素列に配されるダミー画素Ｇ-d（換言すれば、有効画素領域１Ｅ-e内の画素Ｇと共通の信号線Ｌｄが配線されるダミー画素Ｇ-d）とさればよいものである。
【００８６】
また、これまでの説明では、本技術が３板方式の投射型液晶表示装置に適用される場合を例示したが、本技術は、液晶表示パネルを用いたプロジェクタ装置に広く好適に適用できるものである。
【００８７】
また、画素の断面構造についても、先の図７や図１１に示したものに限定されるべきものではなく、実際の実施形態に応じて適宜変更が可能なものである。
【００８８】
また、本技術は以下に示す構成を採ることも可能である。
（１）
有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶表示パネル。
（２）
上記信号線と上記トランジスタとの間を接続するコンタクト部が省略されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）に記載の液晶表示パネル。
（３）
上記トランジスタを形成する半導体層の一部が分断されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）又は（２）に記載の液晶表示パネル。
（４）
全ての上記ダミー画素においてトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
上記（１）〜（３）に記載の液晶表示パネル。
（５）
上記トランジスタと液晶層との間に第１の遮光層が形成されている上記（１）〜（４）に記載の液晶表示パネル。
（６）
上記トランジスタが形成される位置よりもパネル出射側となる位置に対して第２の遮光層が形成されている
上記（１）〜（５）に記載の液晶表示パネル。
（７）
光源と、
上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルと、
上記液晶表示パネルを介した光を投射する投射光学系と
を備え、
上記液晶表示パネルは、
有効画素の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶プロジェクタ装置。
（８）
上記液晶表示パネルの入射側と出射側とに無機材料による偏光板が配置されている上記（７）に記載の液晶プロジェクタ装置。
【符号の説明】
【００８９】
１-R,１-G,１-B 液晶表示パネル、２ 光源部、３ ＵＶ／ＩＲカットフィルタ、４ 第１レンズアレイ、５,１１,１６,１８ ミラー、６ 第２レンズアレイ、７ ＰＳ合成素子、８ コンデンサレンズ、９,１０ ダイクロイックミラー、１２-R,１２-G,１２-B フィールドレンズ、１３-R,１３-G,１３-B,１４-R,１４-G,１４-B 偏光板、１５,１７ リレーレンズ、１９ クロスプリズム、２０ 投射光学系、１Ｅ 画素形成領域、１Ｅ-e 有効画素領域、１Ｅ-d ダミー画素領域、１Ｈ 水平転送回路、１Ｖ-1,１Ｖ-2 垂直転送回路、３０ 対向基板、３１,３３ 透明電極、３２ 液晶層、３４ 第１遮光層、３５ 第１半導体層（画素トランジスタ）、Ｇ-d ダミー画素、Ｌｇ 走査線（第２遮光層）、Ｌｄ 信号線、Ｔｒ 画素トランジスタ、ＣＬ 液晶セル、Ｃ 保持容量、３６ 石英基板、３７,３９,４１,４２ 絶縁膜、３８ 酸化膜、４０ａ,４０ｂ 第２半導体層、４３,４４ 配向膜、Ｃｔ コンタクト部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶表示パネル。
【請求項２】
上記信号線と上記トランジスタとの間を接続するコンタクト部が省略されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
上記トランジスタを形成する半導体層の一部が分断されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
全ての上記ダミー画素においてトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
上記トランジスタと液晶層との間に第１の遮光層が形成されている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
上記トランジスタが形成される位置よりもパネル出射側となる位置に対して第２の遮光層が形成されている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
光源と、
上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルと、
上記液晶表示パネルを介した光を投射する投射光学系と
を備え、
上記液晶表示パネルは、
有効画素の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶プロジェクタ装置。
【請求項８】
上記液晶表示パネルの入射側と出射側とに無機材料による偏光板が配置されている請求項７に記載の液晶プロジェクタ装置。
【請求項１】
有効画素領域の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶表示パネル。
【請求項２】
上記信号線と上記トランジスタとの間を接続するコンタクト部が省略されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
上記トランジスタを形成する半導体層の一部が分断されたことで、上記同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
全ての上記ダミー画素においてトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
上記トランジスタと液晶層との間に第１の遮光層が形成されている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
上記トランジスタが形成される位置よりもパネル出射側となる位置に対して第２の遮光層が形成されている
請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
光源と、
上記光源より出射された光について画素単位で光変調を施す液晶表示パネルと、
上記液晶表示パネルを介した光を投射する投射光学系と
を備え、
上記液晶表示パネルは、
有効画素の周囲にダミー画素が形成されており、
上記ダミー画素のうち上記有効画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続が断たれている
液晶プロジェクタ装置。
【請求項８】
上記液晶表示パネルの入射側と出射側とに無機材料による偏光板が配置されている請求項７に記載の液晶プロジェクタ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−１０５１１６（Ｐ２０１３−１０５１１６Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５０３８０（Ｐ２０１１−２５０３８０）
【出願日】平成２３年１１月１６日（２０１１．１１．１６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１６日（２０１１．１１．１６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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