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Fターム[5C127EE02]の内容

冷陰極の製造 (9,839) | 解決課題 (1,671) | 放出電流 (900) | 電流量、密度 (263)

Fターム[5C127EE02]に分類される特許

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【課題】面発光型蛍光発光装置において、十分な電子放出効率が得られる陰極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンからなる電極層1の上に、Ru又はYを構成材料とし電子放出層よりも小さい抵抗率を有する導電性の第2の層2を、スパッタにより1nmから200nmの厚さに成膜し、第2の層2の上に電子放出層として、仕事関数が第2の層2の金属よりも小さく、且つ3.6eV以下の希土類材料からなる層をリアクティブスパッタにより1原子層から10nmの間の膜厚に積層形成する。 (もっと読む)


【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子1は、電極基板2、微粒子層3、薄膜電極4および電気絶縁層5を含んで構成される。電極基板2は、導電性を有する構造体であり、微粒子層3、薄膜電極4および電気絶縁層5を支持する。電気絶縁層5は、電極基板2上に形成され、複数の開口部6を有する。微粒子層3は、開口部6によって形成される開口6Aに、電極基板2と薄膜電極4との間に充填される。微粒子層3は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第1微粒子層31と、絶縁性微粒子を含んで構成される第2微粒子層32とによって構成される。薄膜電極4は、微粒子層3および電気絶縁層5の表面形状に沿って形成される。 (もっと読む)


【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式(1)で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたV族元素3と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド1の結晶粒径は500nm以下である。上記多結晶ダイヤモンド1は、V族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が10μm以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 (もっと読む)


【課題】触媒や各種の電子的用途への応用が期待できる新規なナノ・マイクロ突起体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Arイオンスパッタリングの閾値エネルギーが25eV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが1.6eV以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。Arイオンスパッタリングの閾値エネルギーが25eV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが1.6eV以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により複数の小突起体が合体されてなる大突起体を形成することを特徴とするナノ・マイクロ突起体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板6に繊維状の電子放出材料7を固定してカソードを得た後((a))、電子放出材料7を覆う接着層9を基板6上に形成し((b))、基板6から接着層9を剥離して電子放出材料7を起毛する((c))。(b)の工程において、0.1MPa以上に加圧しながら電子放出材料7に接着材料を接着させて、基板6に対して180度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが0.6g/mm以上の接着層9を形成する。 (もっと読む)


【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 (もっと読む)


【課題】冷陰極装置の真空容器内の真空度を高めるため、容器内の真空排気時に冷陰極から吸着ガスを追い出すためにその冷陰極を昇温させることを実現できる冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電圧の印加により電子を放出する冷陰極3と、冷陰極3を加熱するフィラメント4と、冷陰極3を支持する導電性を有した支持軸6と、冷陰極3、ヒータ4及び支持軸6を包囲する真空容器であるガラス管2と、ガラス管2の外部に出ておりフィラメント4につながっているヒータ端子7a,7bと、ガラス管2の外部に出ており支持軸6につながっている支持体端子7cとを有した冷陰極装置1である。ヒータ端子7a,7bと支持体端子7cとは互いに電気的に独立しており、それらに独自に所望の電圧を正確に印加できる。 (もっと読む)


【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】1.0Paよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層6aでカソード6を形成し、1.0Pa以上2.8Pa以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部8の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部9を形成して電子放出点を増やす。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 (もっと読む)


【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体1は、一辺が1000μmの立方体に収容可能である。また、突起構造体1は、基材2と、基材2の先端部21の端面22に設けられており端面22からの高さが10μm以上である突起3と、を備える。さらに、この突起構造体1においては、基材2の端面22の外周23から突起3の基端31までの距離Dが5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】 十分な電子が放出されるとともに絶縁は各破壊が生じにくい電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第1電極と、第1電極上に形成され、第1絶縁体微粒子と第1絶縁体微粒子よりも大きい第2絶縁体微粒子とにより構成され、その表面に第2絶縁体微粒子で形成された凸部が配置された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第2電極と、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧が印加されると、第1電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて前記凸部を介して第2電極から放出させるように構成されることを特徴とする電子放出素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブで構成されるスクリーン印刷可能なペーストを使用して、ペーストを印刷し、電子電界エミッタを形成する工程を含む陰極アセンブリを作製する方法を提供すること
【解決手段】 電子電界エミッタを形成するためにカーボンナノチューブが固形分の総重量に対して9重量パーセント未満を占める、固形分にカーボンナノチューブを含むスクリーン印刷可能なペーストを使用して電子電界エミッタを形成することにより、該電子電界エミッタを含んだ陰極アセンブリを作製すること、または、さらに材料と電子電界エミッタを接触させ、その材料を剥離し電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを再配列させ、電子電界エミッタの新たな表面を形成する工程を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なり、且つ半導体基板の面内において周期的に形成された周期的ナノ構造体を制御性よく製造する製造方法および電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板(半導体基板)1に下部電極2を形成し、シリコン基板1の一表面1aに周期的に配列された複数個の垂直孔31を陽極酸化により形成してから、垂直孔31の内周面の平滑性を向上させ、垂直孔31の内周面に沿ってシリコン基板1の厚み方向に連なるシリコン微結晶(半導体微結晶)33を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶33それぞれの表面にシリコン酸化膜(絶縁膜)34を形成することで強電界ドリフト部3を形成し、強電界ドリフト部3上に表面電極4を形成することで電界放射型電子源10を得る。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して9重量パーセント未満を占めるペースト使用し、電子電界エミッタを形成し、材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、その後、材料を剥離して、電子電界エミッタの新たな表面を形成する電子電界エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 固形分の総重量に対して9重量%未満、好ましくは0.01から2重量%のカーボンナノチューブを含むペースト、或いは、0.01から6.0重量%のカーボンナノチューブ、40〜75重量%の銀微粒子及び3〜15重量%のガラスフリットを含むペーストを用いて、電子電界エミッタを形成し、材料を電子電界エミッタに密着接触し、その後、剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは前記電子電界エミッタを再配列させ、前記電子電界エミッタの新たな表面を形成し、カーボンナノチューブで構成される電子電界エミッタを製造することを特徴とする方法 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブが焼成中に焼失せず好適に固定され、発光性に優れた電子放出源用被膜を形成可能な被膜形成用組成物及び電子放出源の形成方法を提供する。
【解決手段】電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は500℃以下である。基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、400〜450℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 優れた電子放出特性を有する電子放出部材、電子放出装置及び電子放出部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出部材は、金属のマトリックスにカーボンナノファイバーが分散した押出材bである。押出材bの押出方向Aと交差する方向に形成された面が電子放出領域である。本発明の電子放出部材の製造方法は、金属粒子と、カーボンナノファイバーと、を含む混合材料Bを押出加工して押出材bを得る工程(a)と、押出材bを少なくとも押出方向Aの複数個所で分割して、押出方向Aと交差する方向に形成された分割面を有する電子放出部材を得る工程(b)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層(4)と、電子供給層(4)上に形成された絶縁体層(5)と、絶縁体層(5)上に形成された上部電極(6)とを有し、電子供給層(4)と上部電極(6)間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極(6)と絶縁体層(5)が切り欠かれ電子供給層(4)が露出した凹部(7)と、上部電極(6)と凹部(7)上を覆って電子供給層(4)の露出面(4a)の縁部分(4c)に接触し、さらに電子供給層(4)の露出面(4a)の内側部分(4b)上で隆起して電子供給層(4)との間に空洞(8b)を有するドーム形状(8a)となっている炭素層(8)とを有する。 (もっと読む)


【課題】CNT膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置を提供する。
【解決手段】エミッタの製造方法では、ガラス基板10上に、複数のカーボンナノチューブ(CNT)を含みエミッタ電極を構成するCNT膜12を形成し、CNT膜12上に絶縁膜13を介してゲート電極16を形成し、ゲート電極16及び絶縁膜13に複数のゲート開口17を形成し、ゲート開口17内のCNTを直立配向させる。 (もっと読む)


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