【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハＷをエッチング装置１００の処理容器１内のステージ３上に載置する。シャワーリング５７から処理容器１内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス（例えばＯ_２ガス）又は還元性ガス（例えばＨ_２ガスやＮＨ_３ガス）を処理容器１内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハＷ上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 （もっと読む）

【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１は、電極基板２、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を含んで構成される。電極基板２は、導電性を有する構造体であり、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を支持する。電気絶縁層５は、電極基板２上に形成され、複数の開口部６を有する。微粒子層３は、開口部６によって形成される開口６Ａに、電極基板２と薄膜電極４との間に充填される。微粒子層３は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第１微粒子層３１と、絶縁性微粒子を含んで構成される第２微粒子層３２とによって構成される。薄膜電極４は、微粒子層３および電気絶縁層５の表面形状に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】電子放出源の位置を正確に規定し、画素間の漏洩の無い電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】基板１００の上に形成されたカソード電極１１０と触媒層１３０の上に感光性レジスト層１４０をコートし、パターン形成後に焼結させて所定位置にホールを形成し、ホール内にプラズマＣＶＤでカーボンナノチューブ１５０を成長させる。更に感光性レジスト１６０を用いて直接電極上に画素単位に区画するスペーサ１６２を形成し、画素間の漏洩を防止する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子を得ること。
【解決手段】真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、ＵＶオゾン法による電子放出源の表面処理工程を備える電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で低コストであり、高効率かつ輝度ムラを低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の発光装置１０は、アノード電極１２が基板面に配置されたアノード基板１１と、カソード電極１５が基板面に配置されたカソード基板１６と、複数の開口部１８が形成されたグリッド電極１７とを有し、前記両基板は、前記基板面が互いに対面して配置され、前記両基板の間に、前記両基板に対向して略平行に、グリッド電極１７が配置され、アノード基板１１とアノード電極１２との間、および、アノード電極１２上の少なくとも一方に、蛍光体層１３が配置され、カソード電極１５上にエミッタ１４が配置され、エミッタ１４から電界放出された電子が、グリッド電極１７の開口部１８を通過することにより、前記電子の軌道が広げられることで、蛍光体層１３の発光時の輝点が拡大され、輝度ムラが低減されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子毎で電子放出特性のばらつきが少ない電子放出素子、電子放出素子を用いた電子線装置、及び電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートと、上面にゲートを有し、ゲート直下の側面に凹部を有する絶縁部材と、突起部分を有し、突起部分の先端が凹部を介してゲートに向き合っているカソードと、を備える電子放出素子の製造方法であって、金属を含み不動態を形成可能な部材からなるゲート、を上面に有する絶縁部材を形成した後、ゲートの表面に不動態膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子を均一かつ制御性よく放出することができる電子放出素子を提供すること。
【解決手段】第１電極と、第１電極上に形成された、膜厚方向に貫通した複数の小孔を有する電子放出制御絶縁膜と、前記電子放出制御絶縁膜上に形成された、少なくとも絶縁性微粒子を含有する電子加速層と、前記電子加速層上に形成された第２電極とを備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することにより、第１電極から放出される電子を前記電子放出制御絶縁膜の前記小孔の位置における前記電子加速層で加速させて第２電極から外部へ放出させるように構成されたことを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や耐酸化性に優れた電子放出源用ペーストおよびそれを用いた均一で長寿命な電子放出源と電子放出素子および製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出源用のペーストにおいて、酸化ホウ素を含む成分で被覆された針状炭素と無機粉末を含む事を主たる特徴とする。更に、前記針状炭素のラマンスペクトルのＧバンドとＤバンドの強度比が３以上である事、前記被覆成分が更に酸化ケイ素を含むこと、また、前記無機粉末がガラスや導電性粒子を含む事なども付加的な特徴とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】 上記課題は、分散処理用有機溶媒にカーボンナノチューブとガラスフリットを分散させる分散工程、前記分散工程を経た分散処理用有機溶媒と水を混合し、カーボンナノチューブおよびガラスフリットを凝集させる分離工程、前記分離工程を経た分散処理用有機溶媒の水溶液を濾過する濾過工程、前記濾過工程によって得られた濾物を真空中で乾燥する乾燥工程、前記乾燥工程によって乾燥された濾物と、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを混練する混練工程とを備えたことを特徴とする電子放出源用ペーストの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着材料が電子放出素子内に均一に分布されて、均一な発光が得られる電子放出素子、該電子放出素子を光源とする照明装置、および該電子放出素子のカソード電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１のカソード電極２は、電子輸送層９の表面に、カーボンナノ構造体１３と電子放出材料１４を固定して構成されている。カーボンナノ構造体１３は、電子放出素子１の動作中に発生するガスや電子放出素子１の製造時に除去出来なかったガスを吸着するガス吸着材料として機能する物質である。カーボンナノ構造体１３は、大きさを制御して製造される。電子放出材料１４は、その先端がカーボンナノ構造体１３の上面から突出している。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）