【課題】高記録密度化に対応した情報記録媒体用基板を提供する。
【解決手段】mol％表示にて、SiO₂とAl₂O₃を合計で70〜85％（ただし、SiO₂の含有量が50％以上）、Al₂O₃の含有量が3％以上、Li₂O、Na₂OおよびK₂Oを合計で10％以上、CaOとMgOを合計で1〜6％（ただし、CaOの含有量がMgOの含有量よりも多い）、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂を合計で０％を超えて4％以下含み、SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂の合計含有量に対するLi₂O、Na₂OおよびK₂Oの合計含有量のmol比が0.28以下、である、情報記録媒体用基板に供するためのガラスとする。 （もっと読む）

【課題】事前にパターニングされた表面特徴およびしっかりと接着された平坦化充填材料を有する平坦化磁気記録ディスクならびにディスクを平坦化する方法を提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクは、隆起したランド２２０および窪んだ溝２３０という表面特徴と、平坦化された上面とを有する。化学機械研磨（ＣＭＰ）停止層２１０が、ランド２２０上および溝２３０内に堆積される。シリコンのような接着膜２３５がＣＭＰ停止層２１０上に堆積され、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む充填材料２４０が、接着膜２３５上に接着膜２３５に接して堆積される。接着膜２３５は、ＳｉＯ_ｘ充填材料２４０の接着性を向上させ、続く２段階のＣＭＰ平坦化プロセス中の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】使用する真空チャンバー数およびスパッタターゲット数を増加させることなく軟磁性裏打ち層の多層化を実現して、軟磁性裏打ち層起因のノイズを効果的に低減させることができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】非磁性基体１０、複合型軟磁性裏打ち層２０および磁気記録層５０を少なくとも含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、複合型軟磁性裏打ち層２０を形成する工程が、単一の真空チャンバー内に多極カソードを有する成膜装置において、ｎ層のアモルファス軟磁性材料層２２と（ｎ−１）層の非磁性結合層２４とを積層させることによって実施され、（ｎ−１）層の非磁性結合層のそれぞれは、２つのアモルファス軟磁性材料層の間に形成され、ｎは２以上の整数であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電磁変換特性に優れ高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体、並びにその垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板１の上に、裏打ち層２と、下地層と、中間層５と、垂直磁気記録層６とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、裏打ち層２は、非晶質構造を有する軟磁性膜を少なくとも有しており、下地層は、非磁性基板１側から第１下地層３と第２下地層４とが積層されてなり、第１下地層３はｆｃｃ構造の元素とｂｃｃ構造の元素とを含むｆｃｃ構造の合金層であり、第２下地層４はＮｉＷ合金を含み、中間層５は、Ｒｕ又はＲｕ合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体を採用する。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層と磁気ヘッドとの磁気結合を改善し、かつ配向制御層の上に形成する垂直磁性層の垂直配向性を高めて、高密度記録に適した十分に高い記録特性（ＯＷ特性）を得ることが可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の上に、軟磁性下地層２と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が非磁性基板１に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とが少なくとも積層されてなる磁気記録媒体であって、配向制御層３が、基板面と垂直方向の結晶磁気異方性定数が負の値を示す、基板面に対して垂直にｃ軸配向したｈｃｐ構造のＣｏＩｒ合金を含み、垂直磁性層４が、配向制御層３を構成する結晶粒子に対して厚み方向に連続した柱状晶を含むものであることを特徴とする磁気記録媒体を採用する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層へのデータの書込を容易にし、かつ記録層の熱的安定性を上げる。
【解決手段】装置は、第１の磁気層６２と、第１の磁気層上に形成される第１の交換ブレーク層６４と、第１の交換ブレーク層上に形成される第２の磁気層６６と、第２の磁気層上に形成される第２の交換ブレーク層と、第２の交換ブレーク層上に形成される第３の磁気層とを含み得る。第１の磁気層は第１の磁気異方性エネルギＨ_k1を有する。第２の磁気層は第２の磁気異方性エネルギＨ_k２を有する。第３の磁気層は第３の磁気異方性エネルギＨ_k３を有する。一部の実施の形態において、Ｈ_k1−Ｈ_k2はＨ_k2−Ｈ_k3よりも小さい。一部の実施の形態において、装置は垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】優れた記録再生特性と長期保存特性とを有し、高記録密度の磁気記録テープを提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録テープは、非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形成された非磁性下地層と、前記非磁性下地層の上に形成された多層構造軟磁性層と、前記多層構造軟磁性層の上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に形成されたグラニュラ磁性層と、前記グラニュラ磁性層の上に形成された保護層とを含み、前記非磁性下地層、前記多層構造軟磁性層、前記非磁性中間層、前記グラニュラ磁性層及び前記保護層は、対向ターゲット式スパッタリング法によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の交換結合が十分に低減され、クラスターサイズが小さい熱アシスト記録媒体、及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有する合金であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。 （もっと読む）

【課題】電気磁気変換特性を向上させ、よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層は、スパッタリング成膜により形成され、成膜時のガス圧が低ガス圧にて成膜される低ガス圧成膜層と、成膜時のガス圧が高ガス圧にて成膜される高ガス圧成膜層からなる。そして、前記高ガス圧成膜層は、成膜レートを段階的に低下させた多層成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性の向上と結晶粒径の微細化とを両立でき、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体１００は、基板１００と、基板１００上に設けられた第一下地層１５０ａと、第一下地層１５０ａ上に設けられた第二下地層１５０ｂと、第二下地層１５０ｂ上に設けられ、グラニュラー構造を有する磁性材料を含有する主記録層１６０とを含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体１００であって、主記録層１６０を構成する磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金を含有し、第二下地層１５０ｂを構成する材料がＲｕ−Ｃｏ酸化物合金を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、１８０〜４００°Ｃ程度の熱処理によっても増加する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ系合金からなる前下地層についてさらに微細化および粒径均一化、および結晶配向性向上を図ることにより、ＳＮＲの向上と高記録密度化を図った垂直磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板１１０上に、第１Ｎｉ合金層１４２及び第２Ｎｉ合金層１４４と、Ｒｕを主成分とする下地層１５０と、ＣｏＰｔ系合金と酸化物を含む垂直磁気記録層１６０とをこの順に備え、第１Ｎｉ合金層１４２及び第２Ｎｉ合金層１４４は、それぞれ単体においてｂｃｃ結晶構造を取る元素を少なくとも一つ含み、第２Ｎｉ合金層１４４は、酸化物をさらに含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ系合金からなる前下地層の結晶配向性をさらに向上させることにより、ＳＮＲの向上と高記録密度化を図った垂直磁気ディスクを提供する。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、軟磁性層１３０と、軟磁性層１３０の上に設けられたＴａ合金層１４０と、Ｔａ合金層１４０の上に設けられたＮｉ合金層１４２と、Ｎｉ合金層１４２の上に設けられたＲｕを主成分とする下地層１５０と、下地層１５０の上に設けられたグラニュラ磁性層１６０とを備え、Ｔａ合金層１４０は、Ｔａを１０ａｔ％以上４５ａｔ％以下含む非晶質かつ軟磁気特性を有する層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素／金シード構造を提供する。
【解決手段】ケイ素／金（Ｓｉ／Ａｕ）二層シード構造が、フィルムスタック内で、非晶質または結晶質の下部層と明確な結晶構造を伴う上部層との間に位置設定される。シード構造は、下部層の全体的に平担な表面上のＳｉ層と、Ｓｉ層上のＡｕ層を含む。Ｓｉ／Ａｕ界面は、面内配向された（１１１）平面を有する面心立方（ｆｃｃ）結晶構造を伴うＡｕ層の成長を開始させる。Ａｕ層で成長した上部層は、ｆｃｃまたは六方最密充填（ｆｃｃ）結晶構造を有する。上部層がｆｃｃ材料である場合には、その［１１１］方位はＡｕ層の（１１１）平面に対し実質的に垂直に配向され、上部層がｈｃｐ材料である場合、そのｃ軸はＡｕ層の（１１１）平面に対して実質的に垂直に配向される。 （もっと読む）

【課題】熱揺らぎ耐性を高めながら，記録に必要な磁界を小さくし、しかも信号ノイズ比を改善できる垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、第１磁性層と、非磁性中間層と、第２磁性層とをこの順に有し、前記第１磁性層と前記第２磁性層とは強磁性的に結合し、前記第１磁性層および前記第２磁性層は結晶粒子と非晶質粒界層とを有し、前記第１磁性層の結晶粒子はＣｏ，ＰｔおよびＣｒを含み，前記第２磁性層の結晶粒子はＣｏを含みＣｒを含まず、前記第１磁性層および第２磁性層について、飽和磁化をＭｓ_１，Ｍｓ_２、異方性磁界をＨｋ_１，Ｈｋ_２としたとき、Ｍｓ_１＜Ｍｓ_２，Ｈｋ_１＞Ｈｋ_２であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上およびオーバーライト特性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板上に、グラニュラ磁性層１６０と、該グラニュラ磁性層１６０より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層１６０は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層１８０はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、膜厚が１．５ｎｍ〜４．０ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の磁気特性を低下させる事なしに結晶粒径の低減を可能とし、それによって低ノイズ化、ＳＮＲ向上、記録容易性(Write-ability)向上といった性能向上を可能とする垂直磁気記録媒体の提供。
【解決手段】非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、非磁性下地層、強磁性中間層、非磁性中間層、および垂直磁気記録層が順次積層され、強磁性中間層がＣｏＣｒ基合金で形成されており、強磁性中間層の飽和磁束密度と膜厚との積Ｂｓ・ｔが０．１５〜３．６Ｔ・ｎｍの範囲内であり、非磁性中間層が３ｎｍ以上の膜厚を有する垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】良好な記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録層がグラニュラ膜型記録層と連続膜型記録層とを含み、グラニュラ膜型記録層は膜面内の磁気結晶粒子が３ｎｍから７ｎｍの平均結晶粒径を有する第１のグラニュラ膜型記録層と、第１のグラニュラ膜型記録層の平均結晶粒径よりも大きい膜面内の平均結晶粒子をもつ磁気結晶粒子を有する第２のグラニュラ膜型記録層を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明により、磁性結晶粒が均一で、かつ、磁性粒子間の交換結合が十分に弱い熱アシスト記録媒体と、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、ＭｇＯを主成分とし、かつ、１０００℃における酸化自由エネルギーが酸素１モルあたり、−１２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ Ｏ_２以下の元素を含有していることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 磁性結晶粒が均一であり、かつ、反転磁界分散（ＳＦＤ）の狭い熱アシスト記録媒体、およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、ＭｇＯを主成分として含有し、かつ、融点が２０００℃以上の金属元素を少なくとも一種含有していることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。 （もっと読む）