【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等により形成される不規則なＡ１構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を、熱処理以外の方法により規則化させてＬ１_０構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金磁性薄膜にすることができる手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｐｔ合金に特定量のＰを単独で配合するか或いは特定量のＣｕ又は特定量のＣｕ及びＡｇと共に配合すると、電子線照射により、熱処理することなく、規則化を行うことができるＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金において、マグネトロンスパッタ時に効率良く使用できるターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足し、相対密度９９％以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
０．６０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】 高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜およびそのＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ−ｂ}−Ｍ_ａ−Ｂ_ｂ、１０≦Ｘ≦７０、０≦Ｙ≦２５、７≦ａ、１≦ｂ≦５、１３≦ａ＋ｂ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａからなる粉末焼結ターゲット材をスパッタリングして、膜厚２０〜３００ｎｍに成膜されてなる垂直磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】高品位および高記録密度の記録層を形成する多重酸化物を含有するスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材を提供する。
【解決手段】コバルト−白金（ＣｏＰｔ）、コバルト−クロム−白金（ＣｏＣｒＰｔ）または、コバルト−クロム−白金−ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）の合金を基本とし、スパッタリングプロセスの間に酸素欠損に対して酸素を提供する酸素供給剤として、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）およびＣｒ_２Ｏ_３を付加したスパッタターゲットで、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）の量は４からの８原子％の範囲であり、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の量は０．８原子％から５原子％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＰＴＦを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、ＣｏとＣｒとＰｔとを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒相４と、ＰｔとＣｏとＣｒと非磁性酸化物とを含む結合相であるマトリックス相３との複合組織からなり、マトリックス相３のＣｏ濃度が、２５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 高いＰＴＦが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｆｅ：３０〜７０原子％を含有し、残部：Ｐｔおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Ｐｔ相とＦｅＰｔ合金相とで構成され、かつＦｅＰｔ合金相が純Ｐｔ相中に局所的に点在し、Ｆｅ濃度が７０原子％以上であるＦｅリッチ領域が、５〜４０面積％の面積率で分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】 秩序立った核形成層を有する垂直型磁気記録ディスクおよび垂直型磁気記録ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の下層と、下層の上に設けられ、粒状強磁性Ｃｏ合金とＳｉ、Ｔａ、Ｔｉ、およびＮｂの１つ以上の１つ以上の酸化物との連続層を備える垂直型磁気記録層と、下層と記録層との間に設けられ、記録層のＣｏ合金からなるアレイを備えた核形成層とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたＡｇ合金熱拡散制御膜を提供する。
【解決手段】本発明の熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜は、Ａｇを主成分とするＡｇ合金から構成されており、表面粗さＲａ１．０ｎｍ以下、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、熱拡散率４．０×１０^-5ｍ²／ｓｅｃ以上を満足する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金の提供。
【解決手段】原子比における組成式が（（Ｃｏ_{１００−ｘ}−Ｆｅ_ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−（ａ＋ｂ＋ｃ）}−Ｍ１_ａ−Ｍ２_ｂ−Ｔｉ_ｃ、５≦Ｘ≦８０、０≦Ｙ≦２５、２≦ａ≦６、２≦ｂ≦１０、０．５≦ｃ≦１０で表され、残部不可避的不純物からなるＣｏ−Ｆｅ系合金。この軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金は、組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素、組成式のＭ２元素が（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種もしくは２種の元素であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。また、上記合金組成の粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材。さらに、上記、薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｃｒを３３〜４０原子％含有し、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の溶解鋳造インゴットを、１１５０℃〜１３００℃の加熱後に総圧下率５０％〜９０％の熱間塑性加工を行い、次いで５００℃〜１２００℃の加熱温度範囲で熱処理を行うＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング膜のバラツキを抑制すべく、均一な組織を有するＮｉ合金ターゲット材を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）から選ばれる１種または２種以上を１０〜３０質量％含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるＮｉ合金ターゲット材の製造方法において、前記Ｎｉ合金を溶解鋳造したインゴットを温度８００〜１３００℃、圧下率５０％以上で塑性加工を施した後、８００〜１３００℃で０．５〜３時間の再結晶化熱処理を行うＮｉ合金ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｏ：１〜３０原子％、Ｃｒ:２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか１種）：０．５〜１５原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、表面がＣｏおよびＣｒの酸化物層により被覆されたＣｏ−Ｃｒ二元系合金相、ＰｔとＢの合金相およびＭの酸化物相が均一分散している組織を有することを特徴とする。 （もっと読む）