ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。いくつかの実施態様では、ナノロッド、ナノチューブ、ナノリボンなどのような他のナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。人工誘電体は、誘電体材料内に埋め込まれた複数のナノワイヤー（または他のナノ構造）を有する誘電体材料を含む。ナノ構造を使用した人工誘電体によって、非常に高い誘電率を達成することができる。ナノ構造の長さ、直径、キャリア密度、形状、アスペクト比、配向性、および密度を変化させることによって、誘電率を調整することができる。加えて、制御可能な人工誘電体に電界を印加することによって、誘電率を動的に調整することができる、ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した制御可能な人工誘電体を開示する。様々な電子デバイスが、ナノ構造を有する人工誘電体を使用して性能を向上させることができる。
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【課題】温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱が低い等の全ての特性を満足して、鉛を含有しないチタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする、ペロブスカイト型構造を形成する固溶体組成において、BiMnO₃成分を1.0モル％〜2.0モル％、Ba_1/2NbO₃またはBa_1/2TaO₃成分を0.3モル％〜1.2モル％、およびBi_2/3TiO₃成分を9.0モル％〜15.0モル％を含有する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ部品、部品内蔵プリント配線板に有用な、安定した高品質の誘電率薄膜が形成された薄膜コンデンサ用誘電体積層フィルムの提供。
【解決手段】ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数が１〜１２ｐｐｍ／℃のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムに、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、無電解メッキ法、電気メッキ法などの薄膜形成技術により、下地金属、導電化金属、無機誘電体、導電化金属の順で積層し主題の積層フィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】 多層基板に内蔵されたコンデンサにおいて、多層基板作製後でもコンデンサの容量のばらつきを補正することができ、コンデンサの容量を要求値に精度よく設定できるものである。
【解決手段】 上部電極８と下部電極１４とで構成される第１の電極対で常誘電体層１２を挟んだ第１のコンデンサ部１８と、上部電極９と下部電極１５とで構成される第２の電極対で強誘電体層１３を挟んだ第２のコンデンサ部１９と、第２の電極対に電圧を印加する電圧印加手段とを備え、第１のコンデンサ部１８と第２のコンデンサ部１９とを並列または直列に接続したコンデンサにおいて、電圧印加手段で第２のコンデンサ部１９の容量を調整してコンデンサの容量を要求値に精度よく設定する。 （もっと読む）

【課題】ラミネートのｚ軸において、独特に、または擬似対称配置で構成された３つ以上の異なる誘電性テープケミストリーの前駆体グリーン（焼成されていない）ラミネートから、平坦でゆがみのない、ゼロ収縮の低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のボディ、コンポジット、モジュールまたはパッケージを作製する方法を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック構造体は、１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープと、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープと、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる。 （もっと読む）

【課題】全体の厚肉化を伴うことなく、金属電極と誘電体部との密着性に優れた電子部品を得ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金属電極１１，３１と誘電体部４１とを備える電子部品１０の製造方法に関する。この製造方法は、金属アンカー層形成工程とペースト塗布工程と焼成工程とを含む。金属アンカー層形成工程では、金属電極１１となるべき金属層１２の主面１３に金属アンカー層１４を形成する。続くペースト塗布工程では、誘電体粉を含有する誘電体ペースト２９を金属アンカー層１４上に塗布することにより、誘電体部４１となるべき未焼結誘電体層４０を形成する。続く焼成工程では、未焼結誘電体層４０を加熱して焼結させることにより、誘電体部４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】特に小型・薄型化に適し、高周波特性に優れたコンデンサおよびそれを用いた複合部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】導電性を有する基板１１に一つ以上の貫通孔１０を設け、前記貫通孔１０の内壁に誘電体層１２を設け、この誘電体層１２を設けた貫通孔１０の内部に電極部１３を設け、前記基板１１の端部に基板１１と接続された一方の接続端子１６を設け、前記電極部１３の少なくとも片面に他方の接続端子１５を設けた構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストメリットに優れたゾル−ゲル法を用いた誘電膜であって、従来に無い高い電気容量を備え且つ長寿命のキャパシタ回路を製造出来るキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上部電極形成に用いる第１導電層２と下部電極形成に用いる第２導電層３との間に誘電層４を備えるキャパシタ層形成材１において、当該誘電層４は、ゾル−ゲル法で形成した酸化物誘電膜であり、当該誘電層の厚さ方向及び平面方向に成長した粗大化結晶組織であり、且つ、粒径（長径）が５０ｎｍ〜３００ｎｍの酸化物結晶組織を含むことを特徴としたキャパシタ層形成材を採用する。そして、このキャパシタ層形成材を効率よく得るための製造方法を提供する。 （もっと読む）

フォルステライトにルチル型酸化チタンを１５重量％以上３５重量％以下の割合で添加することにより、焼成温度を約１２００℃にまで低下させることができる。また、このような低温で焼成を行うことによって、フォルステライトとルチル型酸化チタンとがそれぞれの結晶相を保持しつつ焼結した焼結体を得ることができる。このような焼結体は、フォルステライトに由来する高い品質係数Ｑ・ｆの値が殆ど損われることなく、かつ、ルチル型酸化チタンによって温度係数τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下に制御された、優れた高周波用磁器組成物となる。
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【課題】 金属層と誘電体層とを備えるコンデンサ構造体を製造するにあたり、焼成時の収縮による反りの発生を抑制して製造品質を向上させることを目的とする。
【解決手段】 まず、ＰＥＴフィルム６上に塗工された未焼結誘電体シート２、ニッケル箔１、及びＰＥＴフィルム７上に塗工された未焼結アルミナシート３を各々準備する。そしてこれらを、ニッケル箔１の両面に未焼結誘電体シート２及び未焼結アルミナシート３がそれぞれ接するように積層し、熱圧着する。その後、ＰＥＴフィルム６，７を剥離して焼成前ＢＴ／アルミナ三層積層体４を得る。これを焼成すると、ＢＴ／アルミナ三層焼成積層体１４が形成される。焼成の際、未焼結誘電体シート２が焼成収縮するが、未焼結アルミナシート３も同様に焼成収縮するため、双方の焼成収縮による応力がキャンセルされてニッケル箔１には反りが生じない。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミックに対する密着性に優れた埋め込み用コンデンサ素子を提供することにある。
【解決手段】本発明の埋め込み用コンデンサ素子１０は、誘電体セラミック層２１と、誘電体セラミック層２１の表面上に形成されたアンカー層５５，５６と、アンカー層５５，５６の表面１１７，１１８上に形成された金属電極１１，３１とを備える。従って、アンカー層５５，５６と金属電極１１，３１との間に物理的結合力が得られる結果、金属電極１１，３１と誘電体セラミックとの密着性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 加速寿命が１００時間以上、最大比誘電率が１０，０００以上、誘電体磁器組成物を構成する焼結体の結晶粒径が２μｍ以下であって、還元雰囲気中１２５０℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物を製造する方法と該製造方法で製造した誘電体磁器組成物を成形してなる磁器コンデンサを提供。
【解決手段】 組成式Ｂａ（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（ただし、ｘは０．０５〜０．１５、Ｂａ／（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）比は０．９９〜１．０１）で表される基本主成分と、副成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記基本主成分の原料であるＢａ、Ｔｉ、及びＺｒ化合物を混合して焼成した基本主成分焼結体に、副成分の原料のうちのＣａ化合物を添加し、仮焼した後、残りの副成分の原料を添加し、次いで、これを、還元雰囲気で焼成することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法である。 （もっと読む）

特に、大容量コンデンサー材料として有用な、大きな誘電率を有する高誘電材料の提供。結晶構造が正方晶のβ型であり、化学組成がＬｎ_２Ｓ_３（ただし、Ｌｎは希土類金属）で示され、周波数領域が０．５ｋＨｚ〜１，０００ｋＨｚの範囲で、室温における比誘電率の値が１，０００を越える希土類硫化物の焼結体からなる高誘電材料。
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【課題】 比誘電率１０，０００以上、焼結体の結晶粒径２μｍ以下、信頼性が高く、Ｙ５Ｖ規格に規定する特性値を満足し、還元雰囲気中１２５０℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物；磁器コンデンサ；製造方法を提供。
【解決手段】 主成分として、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、及びＺｒの酸化物が、副成分として、Ｒｅ（ＲｅはＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ、及びＣｅからなる群から選択される少なくとも１種以上の希土類元素）、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＳｉの酸化物が含有されている焼結体からなり、主成分が、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（ｍは１．００〜１．０２、ｘは０．０１〜０．１０、ｙは０．０７〜０．２０）１００ｍｏｌ部；副成分として、Ｒｅ換算して０．３〜１．０ｍｏｌ部、Ｍｇ換算して０．０５〜１．０ｍｏｌ部、Ｍｎ換算して０．１〜０．５ｍｏｌ部、Ｓｉ換算して１．０〜２．０ｍｏｌ部含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 最大比誘電率が１０，０００以上、焼結体の結晶粒径が２μｍ以下であって、還元雰囲気中１２５０℃以下の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物；磁器コンデンサ；製造方法を提供。
【解決手段】 主成分：Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒの酸化物が、副成分：Ｒｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃａの酸化物が含有されている焼結体からなり、主成分が組成式Ｂａ（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（ｘは０．０５〜０．１５、Ｂａ／（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）比は０．９９〜１．０１）で表されるもの１００ｍｏｌ部に対して、副成分としてＲｅ酸化物をＲｅ換算して０．３〜１．０ｍｏｌ部、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算して０．３〜１．０ｍｏｌ部、Ｍｎ酸化物をＭｎ換算して０．１〜０．５ｍｏｌ部、Ｓｉ酸化物をＳｉ換算して１．０〜２．０ｍｏｌ部、Ｃａ酸化物をＣａ換算して０．５〜３．０ｍｏｌ部の割合で含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

本発明にかかる薄膜容量素子は、化学量論的組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−で表わされる組成（ｍは正の整数であり、Ａは、ナトリウム、カリウム、鉛、バリウム、ストロンチウム、カルシウムおよびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｂは、鉄、コバルト、クロム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、アンチモン、マンガン、バナジウム、モリブデンおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。）を有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えている。このように構成された薄膜容量素子は、薄層化が可能で、かつ、温度補償特性に優れている。
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組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】無機フィラーを高充填化させた空隙率の低い高誘電体組成物を得ること。
【解決手段】無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが偶数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲である。
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ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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