【課題】高容量で、漏れ電流が低く、且つ容量の温度依存性・バイアス電圧依存性が小さいコンデンサ内臓回路基板を提供する。
【解決手段】ベース基板または絶縁層上にチタンまたはチタン合金からなる金属層を形成し、過酸化水素を含む温度３℃以下の電解液中で陽極酸化して金属層表面をアモルファス二酸化チタン層に化成し、該アモルファス二酸化チタン層上に金属層を形成することによって、回路基板中または回路基板上に第一電極層と誘電体膜と第二電極層とからなるコンデンサを組み込んだ回路基板を得た。 （もっと読む）

【課題】 誘電体薄膜として誘電率が高い強誘電体を用いても、電圧依存性を抑制した薄膜キャパシタを得ることができる手段を提案する。
【解決手段】 下部電極と上部電極との間に誘電体薄膜が形成された薄膜キャパシタにおいて、厚さｄ１の前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に、互いに間隔ｐ１で並んでいる複数の貫通孔を有する絶縁体薄膜が形成されており、前記貫通孔には前記上部電極を構成する金属が充填されており、前記上部電極と前記誘電体薄膜は前記貫通孔中の金属を通じて接しており、前記誘電体薄膜の厚さｄ１と前記貫通孔の間隔ｐ１の関係が２．５≦ｐ１／ｄ１≦７．５で表される薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】 電子機器に搭載される電子部品や回路基板の小型化に有用であり、低磁気損失（ｔａｎδ）を呈する、複合材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の複合材料は、絶縁材料とこの絶縁材料内に分散している微粒子とを含有しており、微粒子は上記した絶縁材料と実質的に同一成分の絶縁材料で予め被覆されている。
微粒子は有機物又は無機物から構成され、形状は扁平形状が好ましい。
絶縁材料としては、電子部品の分野で通常用いられる絶縁材料を適宜用いる。
本発明の複合材料の好ましい製造方法としては、微粒子を絶縁材料で予め被覆し、前記絶縁材料と実質的に同一成分の絶縁材料中に分散させる方法がある。
本発明の複合材料は回路基板及び／または電子部品の材料として適用することにより、数百ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯域における情報通信機器の更なる小型化、低消費電力化を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶の大きさおよび結晶相の比率と相組成が予め決定可能及び調整可能なコンデンサ又は高周波フィルタにおける使用に適したガラス・セラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】最大直径２０〜１００ｎｍの強誘電性微結晶が得られガラス・セラミック中の強誘電性微結晶の比率が少なくとも５０容積％、ガラス・セラミック中の非強誘電性微結晶の比率が１０容積％未満、ガラス・セラミック内に有るポアが０．０１容積％未満であり、且つｅ’・Ｖ^２_maxの値が少なくとも２０（ＭＶ/ｃｍ）^２であるガラス・セラミック（ここで、ｅ’は１ｋＨｚにおけるガラス・セラミックの比誘電率、Ｖ_ｍａｘは絶縁破壊電圧/ガラス・セラミック厚さである）であり、出発ガラスを生成する工程と、該出発ガラスをセラミック化中少なくとも１０Ｋ/ｍｉｎの加熱又は冷却速度でセラミック化してガラス・セラミックを生ずる工程を含んで成る方法。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で誘電体の焼結が可能であり、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 Ｑ×ｆ値を向上するとともに、十分に高い比誘電率εｒを得ることも可能な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、下記組成式（１）で表される酸化物誘電体からなるものである。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０＜ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
（ａ＋ｂ＋ｄ）／ｅ＜１．０、
ｄが０でない場合、ｂ≧０．９×ｄ、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体からの酸素原子の欠損に起因する誘電体部品の特性の劣化を抑制することのできる誘電体部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の誘電体部品は、基板１、下部電極４、誘電体６、第２の密着層８および上部電極９を備え、誘電体６と第２の密着層８の間に拡散防止層７を形成し、この拡散防止層７が誘電体６に対しても安定したものである構成を備えたものである。これにより誘電体の酸素原子欠損を防ぎ、誘電体部品の特性劣化を防止することができるという優れた効果を奏するものである。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有し、しかも所要の場所に無駄なく形成することのできる誘電体構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性基板５１上に形成された絶縁膜５２上に第２の電極５３及び誘電体５４の順に形成する工程と、非耐熱性基板５５上に第１の電極５６を形成する工程と、非耐熱性基板５５上に形成された第１の電極５６上に、耐熱性基板５１上に第２の電極５３及び誘電体５４の順に形成された誘電体側を圧着する工程と、耐熱性基板５１上に形成された絶縁膜５２と前記第２の電極５３間を剥離して、非耐熱性基板５５上に第１の電極５６、誘電体５４、及び第２の電極５３の順に形成された誘電体構造体を取得する工程とからなることを特徴とする誘電体構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、広い周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、主成分１００重量％に対して、副成分として、ＭｎＯおよび／またはＣｒＯ_３／２を、０重量％超０．３５重量％以下、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯから選ばれる１つ以上を、０重量％超０．３５重量％以下、希土類酸化物から選ばれる１つ以上を、ＲＯ_３／２（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙから選ばれる１つ以上）、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＴｂＯ_７／４換算で、０重量％超０．４重量％以下含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの総体積を同じ値に維持しながら、容量値を増加させることが可能な平行平板コンデンサを提供する。
【解決手段】平行平板コンデンサ２００は、第１の導電構造２０２、第２の導電構造２０４および誘電体層２０６を備える。第１の導電構造２０２は、上面部２１２に配置された第１の上部フィンガー２０８と、下面部２１４に配置された第１の下部フィンガー２１０とを有し、第１の上部フィンガー２０８と第１の下部フィンガー２１０とが電気的に接続されている。第２の導電構造２０４は、第２の上部フィンガー２１８および第２の下部フィンガー２２０を有し、第２の上部フィンガー２１８が上面部２１２で第１の上部フィンガー２０８に隣り合った箇所に形成されている。誘電体層２０６は、第１の界面部２２６、第２の界面部２３２、第３の界面部２３４および第４の界面部２３６に配置されている。 （もっと読む）

【課題】均一なシェルを容易に作製でき、電極材料との剥離強度で評価される接着力が大きく、かつ膜内の強度が大きい高誘電率層間絶縁材料を構成するコア−シェル構造粒子、これを用いたペースト組成物、およびペースト組成物を硬化させて得られるキャパシタ用高誘電率層間絶縁材料を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト系結晶構造を有する高誘電率無機粒子を含有するコアと、光重合して得られる（ａ）重合性基を有する樹脂を含有するシェルを有するコア−シェル構造粒子。 （もっと読む）

【課題】 貫通孔を形成したり該貫通孔にめっきを施したりしても誘電体層の特性に悪影響を与えないコンデンサおよびその製造方法を提供する。またこのコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】 本発明のコンデンサは、誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に形成された第１の容量電極と、前記誘電体層の他方の主面に形成された第２の容量電極とを備え、前記誘電体層は、一方の主面から他方の主面に至る貫通導体を有し、該貫通導体の内部に貫通孔が形成されていることを特徴とする。また、本発明のコンデンサ内蔵基板は、配線導体を有する基板本体と、前記コンデンサとを備え、前記貫通孔の内部に形成された接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とが電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しながらも信頼性を向上することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、セラミック粒子とバインダを含むスラリーを分散処理する分散工程を有し、前記分散処理の前後における前記セラミック粒子のＢＥＴ値を略同一としたものであり、これによりセラミック粒子は粒子経のより揃ったものになり、誘電体層を薄層化しても絶縁破壊電圧のばらつきを抑制することができ、その結果、セラミックコンデンサとしての信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

金属構造２０と接触している誘電体４０内のクラックを低減する方法及び構造。金属構造は、第１の金属層２６と、該第１の金属層上に該第１の金属層と接触して配置される第２の金属層３０であって、該第２の金属層３０は第１の金属層よりも高いヤング弾性率を有する、第２の金属層３０と、該第２の金属層上に該第２の金属層と接触して配置される第３の金属層３２であって、第２の金属層は該第３の金属層よりも高いヤング弾性率を有する、第３の金属層３２とを備える。付加的な金属５０が含まれ、誘電体層は金属構造と該付加的な金属との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜３２は、一般式Ｂａ_xＳｒ_yＴｉＯ₃で表わされ前記ｘおよびｙがｘ＋ｙ＜１を満たす主成分と、前記主成分１００ｍｏｌに対して３ｍｏｌ以下（０ｍｏｌを含まない）のＣｅと、を含有する。これにより、ＣｅがＡサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を向上させることが可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】面実装型電子部品１は、誘電体素体１２、互いに対向する電極１４，１６、引き出し導体１８，２０、ソルダーレジスト２２，２４及びリード端子２６，２８を備える。誘電体素体１２は、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃ〜１２ｄを有する。電極１４は主面１２ａに形成され、電極１６は主面１２ｂに形成されている。引き出し導体１８は主面１２ａに配置され、引き出し導体２０は主面１２ｂに配置されている。ソルダーレジスト２２は、電極１４の全体及び引き出し導体１８の一部を覆うように、主面１２ａに配置されている。ソルダーレジスト２４は、電極１６の全体及び引き出し導体２０の一部を覆うように、主面１２ｂに配置されている。リード端子２６は引き出し導体１８と接続され、リード端子２８は引き出し導体２０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】
機械的強度を低下させることなく、必要とする高エネルギの始動パルスを発生させることができるようにする。
【解決手段】
既存の平板型非線形コンデンサに対し、静電容量を低下させずに機械的強度を強くして、「クラック」「パルス不足」「欠け」を生じにくくするために、誘電体となる強誘電性セラミック基板（２）の両面に電極膜（３）が形成されると共に、該電極膜（３）にリード端子（５）を接続して成る非線形セラミックコンデンサ（１）において、強誘電性セラミック基板（２）の中心部の厚さ（Ｔｃ）を、外縁部の厚さ（Ｔｅ）に比して肉厚に形成した。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることが可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】面実装型電子部品１は、誘電体素体１２と、電極１４，１６と、引き出し導体１８，２０と、リード端子２６，２８とを備える。誘電体素体１２は、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃ〜１２ｆを有する。電極１４は主面１２ａに形成され、電極１６は主面１２ｂに形成されており、電極１４，１６は互いに対向している。引き出し導体１８の第１部分１８ａは、側面１２ｄに配置されている。引き出し導体２０の第１部分２０ａは、側面１２ｃに配置されている。リード端子２６は板状の第１部分２６ａを有し、この第１部分２６ａは引き出し導体１８の第１部分１８ａと接続されている。リード端子２８は板状の第１部分２８ａを有し、この第１部分２８ａは引き出し導体２０の第１部分２０ａと接続されている。 （もっと読む）

【課題】 静電ノイズの影響を受け難く、安定して動作することが可能な静電容量スイッチを提供すること。
【解決手段】 入力キー３と検出回路２０との間が直接的ではなく、第１の容量部１５を介して接続することにより、入力キー３が拾った静電ノイズが検出回路に直接的に入り込むことがなく、検出回路２０を保護するとこが可能となる。また入力キー３と一方の対向電極１３との間を接続する第１の連結線１６、および他方の対向電極１４と検出回路２０との間を接続する第２の連結線１７の周囲を、それぞれアース電極１９Ａ，１９Ｂで包囲することにより、静電ノイズの影響が抑えることが可能となり、安定して動作することが可能な静電容量スイッチとすることができる。 （もっと読む）