【課題】電気エネルギを蓄積する装置を提供する。
【解決手段】電気エネルギを蓄積する装置は、第１の磁性セクション１１０と、第２の磁性セクション１２０と、第１の磁性セクション１１０と第２の磁性セクション１２０との間に配置された誘電体セクション１３０と、を備える。この誘電体セクション１３０により電気エネルギを蓄積し、ダイポール１１５，１２５をそれぞれに有する第１の磁性セクション１１０および第２の磁性セクション１２０により電流リークを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 鉛（Ｐｂ）を含まず、容量温度特性および比誘電率に優れ、しかも広い周波数領域における誘電損失の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式ａ（ＳｒＴｉＯ_３ ）＋ｂ（ＢａＴｉＯ_３ ）＋ｃ（Ｂｉ_２ Ｏ_３ −ｘＴｉＯ_２ −ｙＭｇＯ）で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図（ａ，ｂ，ｃ）で表したとき、図２に示す点Ａ〜Ｈで囲まれた領域内にあり、かつ、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＴｉＯ_２ のモル比を表すｘと、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＭｇＯのモル比を表すｙとが、０．７≦ｙ／ｘ≦１．５および１．０≦ｘ＋ｙ≦１．８の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】複雑で大掛かりな設備を必要とせず、チタン含有複合酸化物膜中に含まれるＡサイトの金属元素の含有比率を容易に制御できるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの中から選ばれる２つ以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、チタンを含む基体に、大気圧下又は減圧下で、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で気体となる塩基性化合物と、Ａサイトの２つ以上の金属元素のイオンとを含む溶液を反応させて、基体表面にチタン含有複合酸化物膜を形成する工程と、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で塩基性化合物を気体として複合酸化物膜から除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】厚膜上部電極を使用して金属箔上に薄膜コンデンサを作製する方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも１ミクロンの最小限の厚さを有する、一体的に完成された上部電極を、１回の堆積操作で薄膜誘電体上に形成することによって、箔上に形成された薄膜コンデンサを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板または有機半導体パッケージ基板内部に埋め込むための別個の薄膜コンデンサを形成する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】焼結温度をより下げて製造工数を削減できる誘電体磁器組成物、製造工程を削減できる磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】磁器コンデンサに用いられる誘電体磁器組成物２０であって、誘電体磁器組成物はチタン酸バリウム等のペロブスカイト型複合酸化物を主成分とし、ペロブスカイト型複合酸化物を加圧下で直流パルス電流により通電焼結する。前記ペロブスカイト型複合酸化物の粉体の粒径が０．３ミクロン以下である。 （もっと読む）

【課題】従来の物理的手法を用いて製造したフレーク銅粉よりも、安価に製造することが可能で、粉体特性に優れたドロップ状銅粉を提供することを目的とする。
【解決手段】物理的手法を用いることなく湿式法で直接得られる銅粉であって、当該銅粉は、粉粒表面に微細な凹凸を備えるドロップ形状であることを特徴としたドロップ状銅粉を採用した。また、硫酸銅溶液にアンモニウムイオン又はアンモニウムイオンとアミノ酸とを添加して銅アンミン錯体を含む溶液を生成し、これに水酸化アルカリ金属塩含有溶液を添加して反応させ、還元剤Ｉ及び還元剤ＩＩを添加して銅を晶出させ濾別分離して、洗浄、乾燥させることを特徴としたドロップ状銅粉の製造方法を採用した。 （もっと読む）

【課題】自己遮蔽および小さな静電容量値において正確な静電容量比を実現できる、かみ合わせ型金属‐絶縁体‐金属（ＭＩＭ）キャパシタを提供する。
【解決手段】絶縁体によって分離される、複数のかみ合わせ型フィンガにまで延びる２つの端子を有し、金属板が、フィンガの上方よび下方の層を占有して、一方の端子のフィンガに接続される。その結果、一方の端子に対して自己遮蔽を提供する。追加の遮蔽がキャパシタから絶縁された一連の追加の遮蔽によって採用されてもよい。自己遮蔽および追加の遮蔽は、ＭＩＭキャパシタのアレイで実現されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 低始動電圧形高圧蒸気放電灯に使用される円板状の（強誘電性セラミック基体の両面に電極膜を形成し、これらの電極膜の表面を、該電極膜に対する通電部と前記強誘電性セラミック基体の外周縁の部分を除いて強誘電性結晶化ガラスで被覆し、前記電極膜に対する通電部にリード線を接続した）非線形セラミックコンデンサにおいて、強誘電性結晶化ガラス膜の絶縁性能低下による沿面放電を抑止する。
【解決手段】 前記強誘電性結晶化ガラスによる被覆の厚さが前記電極膜中央部を被覆する部分よりも前記電極膜外周部近傍を被覆する部分のほうが厚く形成されている非線形セラミックコンデンサとする。 （もっと読む）

マイクロ電子工学装置用の電子部品および電子部品の製造方法。こうした方法にかかる特定の実施形態のひとつには、下地層を工作物の上に堆積するステップと、導電層をその下地層の上に形成するステップと、が含まれる。この方法ではさらに続けて、誘電層を導電層の上に堆積するステップを行ってもよい。この下地層の材料は、誘電層の誘電率を、その下地層が導電層の下に無い場合に較べて高めるようなものである。例えば下地層は、誘電層を導電層の上に堆積した後にあらためて高温焼き鈍し工程にかけなくとも、別の方法で非晶質誘電層を結晶化させる構造もしくはそのほかの特性を薄膜積層に与え得る。本方法の実施例のいくつかでは、あらためての高温焼き鈍し工程を使わないようにできるので、高誘電率を持つ誘電層をつくるにあたって非常に役立つであろう。
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本発明は、溶液の全質量における誘電体の部分として１０質量%未満の濃度を持つ誘電体の前駆化合物の溶液を用いることにより、多孔質導電性基板材料の被膜を誘電体で製造する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックスの製造方法であって、下記の工程、即ち(a)ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末を瞬間焼結させる工程、および(b)こうして得られた材料を、空気雰囲気または酸化性雰囲気中で熱処理する工程を含んでなる、方法に関する。本発明は、相対的誘電率の実質的な部分が非常に高い、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス、およびそれらのセラミックスの、高い静電容量および高電圧に耐える能力を得るために単位体積あたりの高い静電容量を有するコンデンサを得るための使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】炭素系の多孔質材料を含まない新規なコンデンサ用電極及び、それを用いた電気二重層コンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体５と、誘電体を介して設けられる１対の電極１０ａ、１０ｂとを具備する電気二重層コンデンサ１において、それらの電極は電界効果を有する半導体からなるコンデンサ用電極であり、電極１０ａは、誘電体と接する面と対向する面に設けられた導電体２０ａを介して直流電源５０の一方の極に接続され、電極１０ｂは、誘電体と接する面と対向する面に設けられた導電体２０ｂを介して直流電源の他方の極に接続される。 （もっと読む）

【課題】本明細書は、酸化物層で覆われたシリコン基板上に形成される集積受動デバイス（ＩＰＤ）を説明する。
【解決手段】シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。トラップ用中心は、シリコン基板と酸化物層との間に挿入される多結晶シリコン層によって製造される。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐衝撃性を確保した複合電子部品を提供する。
【解決手段】 このレゾネータ１では、板状の保持部７２，８２が含む受け部７３，８３により圧電素子２が支持され、保持部７２，８２が含む片部７４ａ，８４ａが容量素子３と接触させられている。これにより、圧電素子２と容量素子３との間隔が一定に保たれることになる。更に、レゾネータ１が衝撃を受けても板状の保持部７２，８２により衝撃が吸収されることになる。従って、レゾネータ１の耐衝撃性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐衝撃性を確保した複合電子部品を提供する。
【解決手段】 このレゾネータ１では、容量素子３は、容量素子３において振動領域２ａと重なる部分から、圧電素子２より外側に突出する突出部３７を有している。突出部３７は容量素子３の長手方向と略直交する方向において容量素子３の両側に設けられている。これにより、容量素子３の突出部３７がモールド樹脂５に食い込むため、圧電素子２の振動領域２ａを内包する振動空間５ａがモールド樹脂５に設けられていても、モールド樹脂５に対して容量素子３が十分に固定されることになる。従って、レゾネータ１の耐衝撃性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。
【解決手段】薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。下部導体層１０を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層１０を構成するめっき膜を形成する工程と、このめっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】誘電体層の比誘電率を容易に設定する。
【解決手段】第１電極５２及び第２電極５６間に誘電体層５４が設けられる。第１電極５２上に、絶縁性材料を含む液滴と、誘電体材料を含む液滴とを個別に塗布して、絶縁層５３に誘電体材料が分散した誘電体層５４を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含まず、容量温度特性および比誘電率に優れ、しかも誘電損失の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、副成分として、Ｓｂの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物。好ましくは、Ｓｂの酸化物の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、Ｓｂ_２ Ｏ_５ 換算で、０．３〜１．０重量％である。 （もっと読む）

【課題】 鉛（Ｐｂ）を含まず、容量温度特性および比誘電率に優れ、しかも誘電損失の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式ａ（ＳｒＴｉＯ_３ ）＋ｂ（ＢａＴｉＯ_３ ）＋ｃ（Ｂｉ_２ Ｏ_３ −ｘＴｉＯ_２ −ｙＭｇＯ）で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図（ａ，ｂ，ｃ）で表したとき、図２に示す点Ａ〜Ｅで囲まれた領域内（ただし、ａ＝０となる範囲は除く）にあり、かつ、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＴｉＯ_２ のモル比を表すｘと、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＭｇＯのモル比を表すｙとが、０．７≦ｙ／ｘ≦１．５および１．０≦ｘ＋ｙ≦１．８の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）