【課題】 耐振性に優れ、電子部品を安定保持することが可能なラジアルリード電子部品を提供すること。
【解決手段】 電子部品２の素子本体を構成する平板状の基板４と、基板４の表裏面にそれぞれ形成される電極膜６と、電極膜６に電気的に接続される接続部８ａと、接続部８ａから外方へ延びるリード脚部８ｆとをそれぞれ有する２本のリード線８と、リード線８の接続部８ａが接続された基板４の周囲を覆う外装樹脂１２とを有し、素子本体４の厚さ方向へ突出する凸部９が外装樹脂１２の外面に形成され、凸部９の頂面９ａは平坦化してあり、基板４の表面から見て、凸部９の頂面９ａの面積が基板４の表面の面積の６０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高いセラミックス材料、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。
【解決手段】式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有するセラミックス材料。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは０を超え、１未満の実数であり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルの密度を向上させ、製造工程を簡素化し、リフレッシュレートを下げることができるＤＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＤＲＡＭセルは、半導体材料からなり、主表面１０２を有する基板１００と、主表面１０２に形成されたトランジスタ１２０と、トランジスタ１２０の上方に設けた金属層に形成した磁器コンデンサ１４０とを備える。磁器コンデンサ１４０は、第１の磁性層１４２と、第１の磁性層１４２上に形成した誘電体層１４４と、誘電体層１４４上に形成した第２の磁性層１４６とを有する。誘電体層１４４が非導電性材料からなり、第１の磁性層１４２及び第２の磁性層１４６がＣｏＮｉＦｅ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】容量値の製造ばらつきが小さいコンデンサ、そのコンデンサを有する配線基板、およびそれらを高効率で作製する製造方法を提供する。
【解決手段】基板５と、基板５上に設けられた下部電極４と、少なくとも下部電極４上に設けられ、少なくとも熱硬化性を有する樹脂と誘電体フィラーとからなる誘電体層３と、誘電体層３の上に設けられ、熱硬化前の誘電体よりも高い剛性を有する上部電極２と、からなるコンデンサである。また上部電極２の少なくとも一部に基板５と上部電極２との間隔を規定するための突起部１５を有している。さらに上部電極２の誘電体層３に対向する面の少なくとも一部は、誘電体層３に接触していない事を特徴とする。製造方法は、下部電極４の上に熱硬化性樹脂と高誘電率フィラーからなる誘電体ペーストを供給し、上部電極２を誘電体ペーストの上からプレスし、熱硬化させる。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して安定した誘電率を有し、かつ高い誘電率を有する誘電体を製造できる、誘電体及び誘電体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表され、下記ｘが異なる２種以上のセラミックフィラーと、［化１］Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（Ｉ）（式中ｘは、０＜ｘ≦１の範囲の数である。）前記２種以上のセラミックフィラーを含む、好ましくは高い周波数で誘電損失値が小さく、温度による寸法変化が小さく、耐湿性及び耐化学性に優れたポリフェニレンオキシド、液晶高分子などの高分子基材と、を含む誘電体。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、導電体層の形状精度に優れる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、絶縁体層を用意するＡ工程と前記絶縁体層に所定の導電体層を形成するＢ工程からなる。前記Ｂ工程は、前記所定の導電体層の形状に対応する突起を型の下面に有する第１型を用意する第１工程と、前記第１型を前記絶縁体層に押圧することにより前記所定の導電体層の収納領域を前記絶縁体層に形成する第２工程と、前記絶縁体層に導電体ペーストを印刷して導電体層を形成する第３工程と、前記所定の導電体層の形状に対応する溝を型の下面に有する第２型を用意する第４工程と、前記第２型を前記導電体層に押圧することにより前記所定の導電体層を形成する第５工程と、前記導電体層の一部を除去することにより、前記所定の導電体層を前記絶縁体層に形成する第６工程を備える。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧のばらつきが少なく、かつ電気的特性が優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として組成式が｛α（ｘＢａＯ・ｙＮｄ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂）＋β（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）｝で表される成分を含み、ＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、及びＴｉＯ₂のモル比率を表すｘ、ｙ、及びｚが、それぞれ特定のモル比率の範囲内にあり、主成分における各成分の体積比率を表すα、及びβが、それぞれ特定の体積比率の範囲内にあり、主成分に対して副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、軟化点が特定の温度以下であるガラス、及び銀を含むとともに、主成分に対する各副成分の質量比率を表すａ、ｂ、ｃ及びｄが、それぞれ特定の質量比率の関係を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの直下に最短距離の配線で埋設可能な薄膜キャパシタを高い製品歩留まりで提供する。
【解決手段】この薄膜キャパシタは、第一の電極および第二の電極の間に、セラミックスを含んでなる、厚さ２０ｎｍ〜２．０μｍの誘電体層が挟持されてなる。第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｃａ及びＺｒの複合酸化物を含む誘電体薄膜を備え、従来に比べてリーク電流を抑制できる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ２は、下記化学式（１）で表される誘電体組成物を含み、厚さが２００〜１０００ｎｍである誘電体薄膜４と、誘電体薄膜４を間に挟む一対の電極６、８と、を備える。
Ｃａ_ｍＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３ （１）
［化学式（１）中、０．９≦ｍ≦１．１であり、０≦ｘ＜１である。］ （もっと読む）

【課題】低周波数帯域のキャパシタンスを小さくせず、容量性部品の使用周波数の上限を高周波帯域に広げた広帯域容量素子を提供する。
【解決手段】電極板１０１の上に、組成の異なる誘電体板１１１、１１２が形成され、その上に電極板１０２が形成される。誘電体板１１１、１１２の内少なくとも一方は、対象周波数帯域において、分極の特異点を有する。例えば、誘電体１１１を炭化珪素ＳｉＣ、誘電体１１２を酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３で形成し、誘電体１１１は、２４６ＭＨｚにおいて分極の特異点を有する。即ち、２４６ＭＨｚを境に誘電率が大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】外部電極と金属端子とを接合する半田が低融点化しないセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０は、セラミック素子１と、セラミック素子１の両端部にそれぞれ取り付けられた金属端子５，６とを備えている。金属端子５，６は、その接合部５ａ，６ａを半田溶湯に繰り返し浸漬して、接合部５ａ，６ａのＳｎ含有被覆膜１４が、半田７に置換されたものである。半田７の材料としては、Ｓｎ含有率が１２重量％以下の半田が用いられる。こうして、金属端子５，６は、接合部５ａ，６ａをＳｎ含有率が１２重量％以下の半田（Ｓｎ含有被覆膜）７で被覆し、かつ、引出し端子部５ｂ，６ｂをＳｎ含有率が６０重量％以上のＳｎ含有被覆膜１４で被覆したものとなる。そして、金属端子５，６の接合部５ａ，６ａを、別途用意した接合用の半田７により、セラミック素子１の外部電極３，４に接合している。 （もっと読む）

【課題】ＰｂおよびＢｉを含まず、広周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式（Ｓｒ_ｘＢａ_１−ｘ）_ｍＴｉＯ_３（０．１５９≦ｘ≦０．２３８、０．９９７≦ｍ≦１．０１１）で表される化合物を含む主成分と、副成分として、ＣａＴｉＯ_３を１１〜２５重量％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる１つ以上の酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ換算で、０．１０〜０．５０重量％、Ａ元素の酸化物（ＡはＭｎおよび／またはＣｒ）を元素換算で０．５９０〜１．９４０モル％、およびＤ元素の酸化物（ＤはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる１つ以上）を有し、Ｄ元素とＡ元素とのモル比（Ａ／Ｄ）が２．２５０〜７．４５０である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】寸法精度に優れ、しかも素子本体に対してリード端子が強固に接続され、不良品の発生が少ないリード型電子部品を提供すること。
【解決手段】内部電極層１４，１６を有する少なくとも一つのセラミック製の素子本体４と、素子本体４の両端面にそれぞれ取り付けられるリード端子８と、を有するリード型電子部品である。それぞれのリード端子８は、素子本体４の各端面４ａに形成してある端子電極面６ａにハンダを介して接続される接合片８ａと、接合片８ａに一体に形成されてリード長手方向に延びるリード脚部８ｂと、を有し、素子本体４の端子電極面６ａに形成される凸部６ｂが入り込むように、リード端子８の接合片８ａには、凹部１８またはスリット１８０が形成してある。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が大きくリーク電流が小さな高誘電体薄膜の上下面に上部電極および下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】下部電極上に、一般式（１）
Ｍ^１（ＮＲ^１）（ＯＲ^２）_３ （１）
（式中、Ｍ^１はタンタル原子またはニオブ原子を示し、Ｒ^１はイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基を示し、Ｒ^２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）で表されるイミド錯体およびアルミニウム錯体を原料として、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法によって、タンタル酸化物および／またはニオブ酸化物ならびにアルミニウム酸化物の積層膜または混合膜からなる薄膜を形成させ、当該薄膜上に上部電極を形成させ、高誘電体薄膜コンデンサとする。 （もっと読む）

【課題】緻密で広範囲で均一であると共に、クラックや剥離の発生しにくいナノ粒子薄膜の製造方法、ナノ粒子薄膜、及びそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ粒子１５を分散媒中に分散させ、ナノ粒子分散液１１を調製する工程Ａと、導電性の基材１２の表面を、分散液１１中におけるナノ粒子１５の表面電荷と逆の電荷を有する高分子電解質の被膜１４で被覆する工程Ｂと、高分子電解質の被膜１４で被覆された基材１２及び対電極１３を分散液１１中に浸漬し、電気泳動堆積法により高分子電解質の被膜１４で被覆された基材１２上にナノ粒子１５を堆積させる工程Ｃとを有することを特徴とするナノ粒子薄膜の形成方法、この方法により製造されたナノ粒子薄膜１０、及びこれを用いた電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、誘電体セラミックスからなる誘電体層２と、誘電体層２の両面に隙間無く形成され、誘電体層２を介して対向している２つの導体層３ａ，３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】現時点で使用可能な「スーパー・コンデンサ」は異なる物理原理で動作している。これらのスーパー・コンデンサは低電圧でしか動作せず、機械的な衝撃に敏感であり、ある高い抵抗を示し、数桁低いエネルギー密度及び出力密度を有する。
【解決手段】電気絶縁マトリックス材料又は中間層に埋め込まれ、複合箔又は固定された平らなベースに塗布されたナノメートル・サイズの粒子又は層の形態で化学的に高双極子性の結晶からなる材料から、クアンタム・バッテリ（スーパー・コンデンサ）を製造することができる方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ケース内の電子部品の位置ずれを抑制することができる電子部品ユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサユニット１は、コンデンサ部１０と、コンデンサ部１０を収納する外装ケース３０と、を備え、リードフレーム１５ａ，１５ｂの先端が外装ケース３０の外側に露出した状態で外装ケース３０内が樹脂モールドされてなる電子部品ユニットである。外装ケース３０は、外装カバー４０と外装カップ６０とを有し、外装カバー４０は、外装ケース３０の内側で外装カップ６０側に延びる突起４７を有している。リードフレーム１５ｂの先端は、外装カバー４０と外装カップ６０との間から外装ケース３０の外側に引き出されており、リードフレーム１５ｂは、外装カップ６０の内壁側面６５と突起４７とで挟み込まれている。 （もっと読む）

【課題】高いキャパシタンス密度を達成可能なコンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】バルクコンデンサは、金属箔から形成された第１電極と、金属箔上に形成された半導体の多孔質セラミック本体と、多孔質セラミック本体の上に例えば酸化処理により形成された誘電体層と、多孔質セラミック本体の気孔に充填されて第２電極を形成する導電性媒質を有する。コンデンサには、カプセル化用の各種の層や電気的終端を形成してもよい。バルクコンデンサの製造方法では、金属箔から形成された第１電極の上に半導体の多孔質セラミック本体を形成し、酸化処理して誘電体層を形成し、多孔質セラミック本体に導電性媒質を充填して第２電極を形成する。金属箔と多孔質セラミック本体の間に半導体のセラミック薄膜層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）