【課題】α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造可能な窒化物膜の製造方法及び窒化物膜の製造装置、並びに窒化物膜を提供する。
【解決手段】窒化物膜の製造装置1は、エアロゾル生成部10により原料粉末をエアロゾル化し、エアロゾルをチャンバ100内に高速で射出して基板Bに衝突させ、原料を破砕し、破砕片を基板Bに堆積させて成膜する。製造装置1は、窒素プラズマをエアロゾルに照射するプラズマ生成部20と、生成された窒化物などに磁場を印加する超電導磁石30とを更に具える。窒素プラズマにより、常温でα"Fe₁₆N₂などの窒化物を生成可能であり、磁場の印加により、N原子の進入方向を規制してα"Fe₁₆N₂などを効率よく生成可能であると共に、破砕片を構成する窒化物を配向させられ、配向性が高い窒化物膜を成膜できる。従って、製造装置1は、α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を３次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ従来よりも残留磁化を向上させ得る磁性薄膜の製造方法、磁性薄膜及び磁性体を提供する。
【解決手段】磁性薄膜３を形成する際に、絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能するイプシロン型酸化鉄系化合物を含む磁性粒子を含有した塗工液に対して所定の強さの外部磁場を印加し、当該塗工液を固化して磁性薄膜３を形成するようにしたことにより、当該イプシロン型酸化鉄系化合物を含む磁性粒子を磁化方向へ規則的に配向させた状態で固化させることができ、かくして、絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ従来よりも残留磁化を向上させ得る磁性薄膜３の製造方法、磁性薄膜３及び磁性体１を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ³より大きく、１０¹⁰原子／ｃｍ³より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。電極はＦｅＣｏＮｉを含む強磁性合金からなる。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するためのシステム及び方法が、開示される。特に、堆積の間に磁性膜のアライニング方法が、開示される。上記方法は、基板上への第１の磁性材料の堆積の間に存在する基板の領域の第１の方向に沿って第１の磁場を印加することを含む。上記方法は、基板上への前記第１の磁性材料の堆積の間に、領域に第２の方向に沿って第２の磁場を印加することをさらに含む。
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【課題】書き換え回数が十分に維持され、高速で再現性良く記録・再生が可能な透明磁性膜とその再生方法、透明磁性膜の製造方法及び磁化パターンを提供する。
【解決手段】支持体上に、分散剤で覆われたチタニアナノシート(透明且つ印加磁界により支持体面に対し垂直方向に磁気異方性を発現可能なもの)と水溶性高分子を含む分散液を塗工法又は印刷法により連続膜形状又はパターン膜形状で設け磁界を印加(、磁力線方向が支持体に平行)しながら乾燥してチタニアナノシート積層膜を形成（例えば、波長依存性を有する複数のナノシートを分割配置又は厚さ方向積層して形成）して透明磁性膜とする。透明磁性膜に情報を磁化パターンとして磁気又は／及び光により記録・再生する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】素子サイズを微小にしても、高い磁気抵抗比を維持しつつ磁化反転に必要な電流密度を低くすることができる磁気抵抗効果素子等を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１磁性層４１と、第１磁性層４１の一つの面に対峙する非磁性層４２と、非磁性層４２の第１磁性層４１に対峙する面とは反対の面に対峙して形成される第２磁性層４３と、第１磁性層４１と第２磁性層４３との間に設けられた非磁性層４２と、第２磁性層４３の非磁性層４２に対峙する面とは反対の面に対峙して形成され、Ｇｄ等の希土類金属とＦｅ等の遷移金属との合金からなる第３磁性層４４と、を有し、第２磁性層４３の磁化方向は、第３磁性層４４の磁化方向の反転に応じて反転することを特徴とする磁気抵抗効果素子である。 （もっと読む）

【課題】バインダー樹脂が不要で、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備えた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の反応性基を有する第１の膜化合物で表面が覆われた磁性微粒子２１と、第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１２とを含む混合物を基体３１の表面に塗布し、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により硬化され磁気記録層が形成された磁気記録媒体１０を得る。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

基板上にフィルムまたはコーティングとして施すことができ、かつ、適切な磁気的および電気的な特性を提供することができる材料は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む。材料は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の抵抗率、約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度、約５エルステッドよりも小さい飽和保磁力、および、約１００と約２０００との間の比透磁率を有する。
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【課題】スピン注入磁化反転現象の低減を図った磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気再生装置，および磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化自由層１３４０，磁化固着層１３４２，これらの間に配置される中間層１３４１，を有する磁気抵抗効果膜１２００と，磁気結合層１３４３と，強磁性層１３４４と，反強磁性層１３２０と，磁化自由層１３４０に対して，磁気抵抗効果膜１２００の膜面に略平行かつ前記磁化固着層１３４２の磁化方向に略垂直な方向のバイアス磁界を加えるバイアス機構部と，磁気抵抗効果膜１２００に，磁化固着層１３４２から前記磁化自由層１３４０に向かう方向の電流を通電するための一対の電極１１１０，１１４０と，を具備し，バイアスポイントが５０％より大きい。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で高機能性を示す高周波軟磁性体膜に関し、特に、軟磁性金属及び合金クラスターを堆積させた集合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高周波領域でフェライトを凌駕する複素透磁率が実現できるように、平均サイズ10nm以下の磁性金属及び合金クラスターを直接に基材（基板）上に堆積したことを特徴とする高周波軟磁性体膜。更にクラスター堆積中に、基材上に磁場を印加することにより作製すると、クラスター集合体膜中に磁気異方性が付与され、格段に優れた電磁波吸収特性を示す。 （もっと読む）

【目的】装置改良に技術的な工夫をほとんど必要としない希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら熱処理（光照射または電気炉を用いたヒーター加熱）を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶質構造のトンネルバリア層における面内応力を緩和し、ＭＲ比の向上を可能とする磁気抵抗効果素子及びかかる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。下部層、トンネルバリア層８、および上部層はこの順で互いに隣接して積層され、下部層と上部層のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。トンネルバリア層８の面内方向に結晶質部分８１と非晶質部分８２とが混在している。 （もっと読む）

ナノ材料の調製のための方法が提供され、この方法は、１種以上のイオン液体から作製された媒質に、（ａ）１種以上の樹脂基材材料と（ｂ）１種以上の磁性ナノ粒子物質との組み合わせを溶解および／または懸濁して混合物を提供することと、この混合物を非溶媒（イオン液体に対する溶媒であるが、他の成分に対する溶媒ではない）と組み合わせることによる固体ナノ材料を回収することとを包含し、また回収ステップ中に、磁性ナノ粒子物質を配列するために、混合物に電磁場を適用する。独特の情報記憶媒体を特にシートまたは膜の形状で提供するための、得られたナノ材料の使用もまた提供される。 （もっと読む）