【課題】α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造可能な窒化物膜の製造方法及び窒化物膜の製造装置、並びに窒化物膜を提供する。
【解決手段】窒化物膜の製造装置1は、エアロゾル生成部10により原料粉末をエアロゾル化し、エアロゾルをチャンバ100内に高速で射出して基板Bに衝突させ、原料を破砕し、破砕片を基板Bに堆積させて成膜する。製造装置1は、窒素プラズマをエアロゾルに照射するプラズマ生成部20と、生成された窒化物などに磁場を印加する超電導磁石30とを更に具える。窒素プラズマにより、常温でα"Fe₁₆N₂などの窒化物を生成可能であり、磁場の印加により、N原子の進入方向を規制してα"Fe₁₆N₂などを効率よく生成可能であると共に、破砕片を構成する窒化物を配向させられ、配向性が高い窒化物膜を成膜できる。従って、製造装置1は、α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。
【解決手段】単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 （もっと読む）

【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を３次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＮｄＦｅＢを迅速且つ容易に所望する形状を形成することが可能なＮｄＦｅＢのエッチング方法を得る。
【解決手段】基板２上のＮｄＦｅＢ層１上にフォトレジスト３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅを形成し、物理エッチング用のガスとハロゲンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行って、露呈しているＮｄＦｅＢ層１をパターニングし、パターン１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅを形成する。なお、上記混合ガスにおけるハロゲンガス含有率は４％〜１０％のいずれかの値とするとよい。また、物理エッチング用のガスには、Ａｒガス、Ｎ_２ガス、及びＣＯガスからなる群の中から選択されるいずれか１つのガス又は２以上のガスを含む混合ガスなどを用いることができる。また、プラズマエッチングを行う場合のＲＦバイアス値は、１．２Ｗ／ｃｍ^２以上とするとよい。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁界検出に使用できる垂直交換バイアス・デバイスの提供。
【解決手段】垂直交換バイアス・デバイス１０が、基板１２の表面上のバッファ材料層１４と、バッファ材料層表面上の強磁性材料層１８と、強磁性材料層表面上の反強磁性材料層２２とを含み、前記強磁性材料層の磁化が強磁性材料層の面に対し垂直方向に向けられている。また垂直交換バイアス・デバイスを作製する方法は、基板表面上にバッファ材料層を形成する段階と、バッファ材料層表面上に強磁性材料層を形成する段階と、強磁性材料層表面上に反強磁性材料層を形成する段階とを含み、しかも強磁性材料層の磁化は強磁性材料層の面に対して垂直方向に向けられている。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの磁性粒子を所望の形状やサイズで製造する。
【解決手段】有機溶媒での溶解処理で溶解することができるレジスト５１２からなり、ナノサイズの凹凸を有する型５１０を作成し（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０２）、ＭＢＥ法によりＣｏの膜とＰｄの膜とを型５１０上に交互に積層して磁性膜５３０を形成し（ステップＳ１０３）、型５１０の凹部内に堆積した磁性膜５３０を、有機溶媒での溶解処理によってレジスト５１２を除去することで取り出すことで磁性粒子２１１を得る。 （もっと読む）

【課題】２層構造のＲｕ下地層において第１の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。上部下地層１５上に、磁性結晶粒１６ａを含んだ磁性層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングでのプラズマダメージを受けて高温になっても基板、磁性層、及びレジスト層が損傷することなく、また、磁性層のエッチングレートが低下せず、基板自体の温度変化が小さいので、膨張及び収縮によるパターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記レジスト層に凹凸パターンを形成した磁気記録媒体を冷却する冷却工程と、冷却された前記凹凸パターンをマスクとして、ドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】 結晶表面が平坦でかつ結晶性に優れ、しかも強磁性を有し、キュリー温度の高いIV−VI族強磁性半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜製造装置の成長室内の真空度を１×１０^-8Torr以下に保ち、さらにベースとなる基板の温度を１００℃〜４００℃の範囲内に保ち、使用する蒸着原料に応じて、IV−VI族化合物半導体の結晶成長表面への蒸着原料の供給量を制御する、すなわち、蒸着原料にIV−VI族化合物、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するVI族元素（VI）と磁性元素（ＴＭ）の供給比VI／ＴＭが０．５から５の範囲内となるように、蒸着原料にIV族元素、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するIV族元素（IV），磁性元素（ＴＭ），VI族元素（VI）の供給比VI／（ＴＭ＋IV）が１から６になるように制御することによる。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性多層膜を提供する。
【解決手段】 磁性金属から成る強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、強磁性材料の薄膜１１の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、絶縁材料の薄膜１２の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、強磁性材料の薄膜１１の膜面内の透磁率が等方性である磁性多層膜１０を構成する。 （もっと読む）

磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法であって、−前記磁気層構造体（２）を形成するステップと、−前記磁気層構造体を電流で加熱するステップと
を有し、前記電流が、前記層構造体から前記層構造体の環境（４）への熱伝達特性はほとんどもたらされないような期間を有するパルス（３）になるので、前記電流パルスの前後で前記環境の温度はほぼ同じになる方法が開示されている。熱は層構造体においてかなり消費される。それ故に本方法は、隣接するデバイスのような環境を妨害することなく、磁気抵抗デバイスの磁気又は電気的特性を最適化するため、層構造体における物理プロセスの選択を可能にする。本方法は、有利なことに、ホイートストンブリッジ構成体（１６）において構成される異なる磁気抵抗デバイス（12,13,14,15）のバイアス層（5,7）において異なる磁化方向（９，１０）をセットするために、又は前記ホイートストンブリッジの出力特性におけるオフセットを低減するために使用され得る。
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【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。
【解決手段】ＧａＡｓで形成された基板上に、II-VI族半導体であるＺｎＴｅにＣｒを添加した半導体であり、Ｃｒ組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Ｃｒ組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。 （もっと読む）