【課題】 高周波数の環境下において、使用温度等が外気温付近で、高い飽和磁束密度を有するフェライト組成物、および電子部品を提供すること。
【解決手段】 主成分が、酸化鉄と、酸化亜鉛と、酸化マンガンと、から構成され、前記主成分１００重量％に対して、副成分として、ＳｉＯ_２を６０〜２５０ｐｐｍ、ＣａＯを３６０〜１０００ｐｐｍ含有し、さらにＰｂが１０ｐｐｍ以下、Ｃｄが１０ｐｐｍ以下であるフェライト組成物であって、前記フェライト組成物Ｔｓｐが−１０〜５０℃の範囲にあり、前記フェライト組成物のキュリー点Ｔｃ、前記酸化鉄の含有量（Ｘモル％）および前記酸化亜鉛の含有量（Ｚモル％）が下記式（１）〜（３）を満足することを特徴とするフェライト組成物。
Ｔｃ＝１２．８×（Ｘ−（２／３）×Ｚ）−３５８ …式（１）
６２．１≦Ｘ≦６５．１ …式（２）
２９３℃≦Ｔｃ≦３９６℃ …式（３） （もっと読む）

【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、ＩＣ素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板１は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたＩＣ素子用導体層14と、ＩＣ素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 透磁率およびキュリー温度が高く、透磁率の温度変化率の小さいフェライト焼結体およびこのフェライト焼結体に金属線を巻き付けてなるノイズフィルタを提供する。
【解決手段】ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３換算で48モル％以上51モル％以下，ＺｎをＺｎＯ換算で29モル％以上31モル％以下，ＮｉをＮｉＯ換算で14モル％以上17モル％以下およびＣｕをＣｕＯ換算で５モル％以上７モル％以下の組成範囲からなる主成分100質量％に対し、Ｔ
ｉをＴｉＯ_２換算で0.05質量％以上0.15質量％含有してなり、結晶粒界にＺｎ化合物が存在しているフェライト焼結体である。これにより、透磁率を1200以上、キュリー温度を159℃以上、透磁率の温度変化率Ｘ_{−４０〜２５}およびＸ_{２５〜１６０}の絶対値を40以下と
することができる。 （もっと読む）

【課題】使用温度あるいは環境温度が外気温付近あるいはそれよりもかなり高くなっても、高周波数かつ低磁場の環境下において、電力損失の低減と高い飽和磁束密度とを両立できる電子部品、および該電子部品に好適なフェライト組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が、Ｆｅ_２Ｏ_３とＺｎＯとＭｎＯとから構成され、主成分１００重量％に対して、副成分として、ＳｉＯ_２を５０〜３００ｐｐｍ、ＣａＯを１１０〜１１２０ｐｐｍを含有するフェライト組成物であって、フェライト組成物の磁気損失の極小温度Ｔｓｐが４５〜５１℃の範囲にあり、主成分におけるＦｅ_２Ｏ_３の含有量をＸモル％、ＺｎＯの含有量をＺモル％、残部を酸化マンガンとしたときに、Ｔｓｐ、ＸおよびＺが下記式（１）および（２）を満足するフェライト組成物。
Ｔｓｐ＝２１．６（Ｘ＋０．５２Ｚ）−１５２０…式（１）
Ｘ≧５８．０…式（２） （もっと読む）

【課題】温度安定性が改善された巻き線抵抗をもつインダクターを提供する。
【解決手段】上面１４、および対向する第１端面１８および第２端面２０を有するインダクター本体１２からなるインダクター１０であり、対向する第１端面および第２端面の間においてインダクター本体に中空部分２８を設け、この中空部分に熱安定性抵抗要素３０を配置し、上面に向けて折り曲げ、表面実装端子３２、３４、３８、４０を形成する。インダクター本体をフェライトで構成する場合、インダクター本体にスロット２６を形成する。インダクターは、抵抗要素の周りに形成した分布型ギャップ磁性材料から構成することができる。また、熱安定性抵抗要素の周りにインダクター本体１２を配置し、熱安定性抵抗要素の端子をインダクター本体から延設する。 （もっと読む）

【課題】 Agの融点より低温で焼結可能であり、2 MHz以上の高周波数でも低損失であり、応力下でも広い温度範囲で特性変動が少ない低損失フェライトを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 複数のフェライト層を備えた積層体の内部にAgを含む電極からなるコイルが設けられた電子部品であって、前記フェライト層は47.1〜49.3 mol%のFe₂O₃、20〜26 mol%のZnO、6〜14 mol%のCuO、及び残部NiOからなる主成分100質量%に対して、副成分としてSnO₂換算で0.1〜２質量％のSnと、Mn₃O₄換算で0.05〜1.1質量％のMnとを含み、平均結晶粒径が0.5〜３μmである低損失フェライトで構成された電子部品 （もっと読む）

【課題】直流重畳特性に優れ、かつ、温度変化によってインダクタンス値が変化しにくい電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性体層１６は、Ｎｉ及びＣｏを含有している。非磁性体層１７は、Ｎｉを含有していない。積層体１２は、磁性体層１６及び非磁性体層１７が積層されて構成されている。コイルＬは、積層体１２内において、非磁性体層１７を横切るように設けられている。磁性体層１６は、非磁性体層１７の数に０．２５％以上０．３５％以下の値を乗じて得られる重量濃度の範囲内でＣｏ₃Ｏ₄を含有している。 （もっと読む）

【課題】より巻き数が大きく、かつ、薄型でありながら、反りや歪みが発生しにくいコイルを提供する。
【解決手段】１次側コイルは、基板３１Ｃの表面に沿って所定の隙間を隔てて巻回する導体３１Ａ，３１Ｂを有する。ここで、各巻線体３１Ｔ１〜３１Ｔ３は、自らの幅が拡大する部分と縮小する部分とを交互に含んでいる。すなわち、各巻線体３１Ｔ１〜３１Ｔ３における巻回内周側の輪郭および巻回外周側の輪郭が、巻回方向を基準として巻回内周側へ向かう輪郭ベクトルを有する部分と、巻回外周側へ向かう輪郭ベクトルを有する部分とを交互に含む波形状となっている。よって、高温環境下であっても熱膨張に伴う基板３１Ｃと導体３１Ａ，３２Ｂとの間に発生する応力を、巻回方向以外の方向にも分散させることができ、１次側コイル全体の反りや歪みの発生を抑制しつつ、さらなる巻き数の増加や薄型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高温高湿の試験にも耐えうる高信頼性の電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１はチップ体２と４つの外部電極３−１〜３−４とを備える。チップ体２は、磁性基板６０上に、絶縁層６１〜６６とコイルパターン４１，４２，５１，５２を交互に積層形成し、磁性基板６９を最上位に貼り合わせた構成となっており、コイル体４とコイル体５を内部に有する。コイルパターン４１，４２（５１，５２）の引き出し端部４１Ａ，４２Ａ（５１Ａ，５２Ａ）同士が絶縁層６２の前縁部で対向し、引き出し端部４１Ｂ，４２Ｂ（５１Ｂ，５２Ｂ）同士が絶縁層６２の後縁部で対向している。引き出し端部４２Ａは、水平部４３と第１の壁部４４と第２の壁部４５とで形成されている。第１の壁部４４は外部電極３−１側へ大きく膨張することを阻止する部材であり、第２の壁部４５は外部電極３−１との接続面積を拡張する部材である。 （もっと読む）

【課題】 温度を精度良く検知することが可能な積層型セラミック素子及びその実装構造を提供すること。
【解決手段】 ＮＴＣコンデンサ１は、複数の絶縁体層１６〜１８が積層されたコンデンサ素体１５と、コンデンサ素体１５内に配置された第１〜第３の内部電極１９、２０、２１〜２４と、コンデンサ素体１５の外表面に配置された第１〜第３の端子電極１１〜１４とを備える。第１の内部電極１９は、第１の端子電極１１にのみ接続され、第２の内部電極２０は、第２の端子電極１２にのみ接続され、第３の内部電極２１、２２は、第３の端子電極１３にのみ接続され、第３の内部電極２３、２４は、第３の端子電極１４にのみ接続される。第３の内部電極２１〜２４は、第１及び第２の内部電極１９、２０の何れとも絶縁体層１６〜１８の積層方向に対向しない （もっと読む）

【課題】特に実装部品の放熱効果が優れ組立てが容易な多層配線基板によるパッケージ構造を得るのに好適な電子部品内蔵型配線基板及びその実装部品を提供する。
【解決手段】電子部品内蔵型配線基板は、放熱基板１と、前記放熱基板上に配置されていて一方の面に電極層２ｂを有し他方の面に導熱金属層２ｄを有する電子部品チップ２と、前記導熱金属層２ｄを前記放熱基板１に接着する導電性ペーストからなる導熱性接着層３と、絶縁基板４ａの一方の面に配線層４ｂを有し前記電子部品チップ２上に配置された配線基板４と、前記絶縁基板４ａを貫通して設けられていて一端面が前記配線層４ｂに接続され他端面が前記電子部品チップ２の電極層２ｂに電気的に接続された貫通電極４ｄとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 平面コイル導体層で発生した熱に起因して搭載されるＩＣが誤動作することなく、高電流を流すことができるコイル内蔵基板を提供すること。
【解決手段】 配線層６が形成された一対の絶縁層１・１および一対の絶縁層１・１に挟持されたフェライト磁性体層２からなる基板と、フェライト磁性体層２内に形成された平面コイル導体３とを具備し、平面視で平面コイル導体３の内側の領域に、フェライト磁性体層２から基板の主面にかけてフェライト磁性体層２および絶縁層１を貫通する伝熱用貫通導体４が形成され、基板の主面に伝熱用貫通導体４が接続された放熱用導体層５が形成されているコイル内蔵基板である。平面コイル導体３において発生した熱を伝熱用貫通導体４を介して放熱用導体層５から外部へ放熱することができるので、搭載したＩＣ等の電子部品がコイルから発生する熱により誤動作してしまうことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い送電効率を保証することができると共に、磁気的な不要輻射が極めて少なく、また長時間の使用によっても過熱することがなく、さらに低コストに製作することが可能なシート状乃至薄板状のトランス装置を提供すること。
【解決手段】 扁平コイルのそれぞれは、基本となる導体パターンを複数積層してなる積層型コイルとされ、基本パターンを構成する２個の渦巻状環のそれぞれは正三角形状とされ、最外周三角形の底辺を共有するようにして背中合わせに配置され、基本パターンの全体は菱形状のＳ字形状を呈することを特徴とする。 （もっと読む）

【構成】上面１４、および対向する第１端面１８および第２端面２０を有するインダクター本体１２、１０２、１２４からなるインダクター１０、１００、１２０である。対向する第１端面および第２端面の間においてインダクター本体に中空部分２８を設ける。この中空部分に熱安定性抵抗要素３０、８４、９８、１２２を配置し、上面に向けて折り曲げ、表面実装端子３２、３４、３８、４０、１２６、１２８を形成する。これら端子は、ケルヴィン型検出に使用できる。インダクター本体をフェライトで構成する場合、インダクター本体にスロット２６を形成する。抵抗要素は、パンチ加工抵抗ストリップ８４で構成することができ、部分巻き線または複数の巻き線部分９４を与える。インダクターは、抵抗要素の周りに形成した分布型ギャップ磁性材料１２４から構成することができる。また、熱安定性抵抗要素の周りにインダクター本体１２、１０２、１２４を配置し、熱安定性抵抗要素の端子をインダクター本体から延設するインダクターの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コイルを有するインダクタンス部品と、これを用いたモジュールデバイス、及び電子機器において、そのコイル内部における温度上昇の低減を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、脚４Ａを有する閉路状磁心４、５と、脚４Ａに組み込まれたコイル７とを備え、コイル７には放熱部材９を密着させて設ける構成としたものである。
このような構成により、コイル７と放熱部材９の間に磁心４を介在させること無く、コイル７で発生した熱を効率よく放熱部材９に伝達することができる。その結果として、コイル７内部における温度上昇を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】結合係数の温度依存性を低減しつつ、外部磁束に起因するノイズとしての影響を軽減するとともに、低圧側と高圧側とを電気的に絶縁しながら信号の授受を行うことが可能なパワーエレクトロニクス機器を提供する。
【解決手段】車体筐体に接地される制御回路１側と、高圧となる上アーム２側および下アーム３側との間には、空芯型絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３がそれぞれ介挿され、空芯型絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３の２次巻線には、２次巻線を鎖交する外部磁束による起電圧を打ち消し合うとともに、２次巻線を鎖交する信号磁束を強め合うよう構成された複数の巻線を設ける。 （もっと読む）

【課題】コイル部品近傍に位置して回路基板に実装された他の回路部品へのコイル部品発熱の影響を軽減可能なコイル部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】トロイダルコア１にコイル２を巻装してなるコイルアセンブリは、一端開口のコイルカバー４に収容され、このコイルカバー４の開口はヒートシンク板３により閉鎖され、内部にゲル７が注入される。 （もっと読む）

【課題】 放熱性の向上及び高周波電流に対する低インピーダンス化を十分に図ることができるインダクタンス素子を提供する。
【解決手段】 インダクタンス素子１では、コイル５，５の長手方向に沿って絶縁板２上に延在する３列の電気絶縁性の核体７が設けられており、コイル５，５は、電解めっき法によって各電気絶縁性の核体７を覆うように成長させためっき層８のそれぞれを互いに接続して形成されている。これにより、コイル５，５の底面側は、各電気絶縁性の核体７の側面及び頂面に沿う凹凸形状となっており、コイル５，５の頂面側は、各電気絶縁性の核体７を中心とするアーチ状の凹凸形状となっている。この結果、インダクタンス素子１では、コイル５，５の表面積が大面積化されるため、コイル５，５に発生する熱の放熱性の向上、及び高周波電流に対する低インピーダンス化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】 基板１上に、インピーダンス素子２と、該インピーダンス素子２に接続された複数の電極３，５とを形成したチップ素子１０において、前記基板１はＧＨｚ帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板１は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 開磁路を構成するインダクタの放熱性を向上させること。
【解決手段】 表面を絶縁性の皮膜により被覆された、導電性を有する巻線３０と、巻線３０が巻回され、開磁路を構成するコア２０と、を有する基板実装型のインダクタ１０において、巻線３０の表面積の１０％以上７０％以下の範囲で接触するように、巻線３０とコア２０との間にシリコーン樹脂３２を介在させる。 （もっと読む）