実施形態は、有機性の液相材料中に金属含有分散相材料を含む液体複合誘電材料（ＬＣＤＭ）であって、４０Ｈｚにおいて１００００以上の誘電体誘電率（ε_ｒ）および４０Ｈｚにおいて１以下の誘電損失（ｔａｎδ）を有するＬＣＤＭに関する。
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【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に耐湿負荷試験および高温負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃系を主成分とし、副成分として、希土類元素Ｒ（ＲはＮｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）、ＳｉＯ₂およびＣａＯを含有する、誘電体セラミック。この誘電体セラミックに含まれる結晶粒子のうち、Ｓｉが固溶している結晶粒子１１の個数割合が５％以上である。 （もっと読む）

【課題】 端子電極の密着層と誘電体層とが直接接触することによる電気特性の劣化を防ぎ、信頼性を高めることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された誘電体層１２と、誘電体層１２上に積層された上部電極層１３と、密着層１７ａ、シード層１７ｂ及びめっき層１７ｃを有する端子電極１７と、上部電極層１３と端子電極１７との間に設けられ、上部電極層１３と端子電極１７とを絶縁する配線用樹脂層１４と、配線用樹脂層１４を貫通するよう設けられ、密着層１７ａに接しており、上部電極層１３と端子電極１７とを電気的に接続する配線層１５と、を備え、配線層１５の組成が端子電極１７の密着層１７ａと異なるものであり、配線層１５の誘電体層１２に対する還元力が、密着層１７ａのものより小さい。 （もっと読む）

低温度での強誘電体結晶酸化薄膜、特に、デバイスの集積に適した強誘電体特性を有するＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３ （ＰＺＴ） （ＰＺＴの場合、４００℃未満） の製造の処理技術を本明細書で公開する。本方法は、また、Ａ及びＢを一価、二価、三価、四価及び五価のイオンとした、タングステンブロンズ（Ａ_２Ｂ_２Ｏ_６）、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）、パイロクロア（Ａ_２Ｂ_２Ｏ_７）及びビスマス層（Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２）の構造を有する強誘電体薄膜の製造に効果的である。本方法は、シード二相ゾルゲル（ＳＤＳＧ）前駆体と光化学溶液付着（ＰＣＳＤ）方法の組み合わせを基礎としており、主に以下のステップを含む。ｉ）ＵＶ波長帯に高い感光性を有する、所望の金属酸化合成物の改質された有機金属前駆体溶液を合成するステップ。ｉｉ）ゾルゲル処理により、前駆体のゾルから得られる結晶合成物と類似又は非類似の所望の合成物のナノ粒子を生成するステップ。ｉｉｉ）前駆体ゾル内の結晶性ナノ粒子の分散により、安定かつ均質のゾルゲル溶液を調整するステップ。ｉｖ）基板上へ前記溶液を付着するステップ。ｖ）空気中又は酸素中で付着層に対してＵＶ照射を行い、さらに照射された層に対して空気中又は酸素中で４００℃未満の熱処理を行う。本発明は、低温度で、単結晶質、多結晶質、非晶質、金属及びポリマー基板上へ、高濃度かつひび欠けがない厚さ５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の、小型電子製品及び光学工業の適用に最適化された特性を有する、多結晶強誘電性、圧電性、焦電気性及び誘電性薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バンプ等の外部接続端子に働く鉛直方向の応力が電極層に集中しない構造を有するとともに、等価直列抵抗を所望の値に増加させることが容易な薄膜キャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され少なくとも１層の誘電体薄膜と少なくとも２層の電極層からなるキャパシタ部と、前記キャパシタ部の少なくとも一部を覆う保護層と、前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する引き出し導体と、前記引き出し導体上に形成されたバンプと、を備え、前記引き出し導体は、前記保護層に形成された開口部内に形成されて前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する接続部と、前記保護層上に延伸された引き回し部とからなり、前記バンプは前記引き回し部上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサーの大エネルギー容量化
【解決手段】本発明では積層セラミックコンデンサーの誘電膜作成を、巻取り式電子ビー
ム真空蒸着法を用いて作成し、誘電膜蒸着時に、アイドラーと接する電極の蒸着部の
温度を所定の温度に設定することで、結晶性の最適化をおこない、高誘電率で高耐電圧
の誘電膜を高能率で作成する。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】実装時にかかる機械的応力を緩和する誘電体薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る誘電体薄膜素子１０は、基板１１と、基板１１の一方の主面上に形成された密着層１３と、密着層１３上に形成され、誘電体層２２と、前記誘電体層の上下面に形成された少なくとも一対の電極層２１、２３と、を有する容量部２０と、下部電極層２１、上部電極層２３と電気的に接続される引出電極４１、４２と、引出電極４１、４２上に複数部分形成される外部電極４３、４４と、外部電極４３、４４の間に介在する有機絶縁層３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、分極電荷が小さく、かつ優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主結晶相とし、該結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有するとともに、前記結晶相を構成する結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであり、希土類元素（ＲＥ）、マンガン、マグネシウムおよびイッテルビウムを含有する誘電体磁器からなるとともに、前記誘電体層のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対するＹｂ_２Ｔｉ_２Ｏ_７の面指数（２２２）の回折強度が５％以下である。 （もっと読む）

【課題】バルブ金属陽極体の製造工程あるいはコンデンサ製造工程におけるハンドリング性、生産性を向上させる、バルブ金属陽極体素子が複数個連なったバルブ金属陽極体シートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バルブ金属箔とその少なくとも一方の面に形成されたバルブ金属多孔質層からなる陽極体素子が複数個連結し、その陽極体素子が方形の形状を有し、且つ陽極体素子の角部を連結部として、横並びの行配置型、縦並びの列配置型、および碁盤目配置型のいずれかの形態で、複数個連結しているバルブ金属陽極体シート。 （もっと読む）

【解決手段】固体薄膜コンデンサが提供される。固体薄膜コンデンサの態様は、遷移金属の第１電極層と、遷移金属の酸化物の絶縁層と、金属酸化物の第２電極層とを含む。固体薄膜コンデンサ並びに前記コンデンサを含む装置を作製する方法も提供される。コンデンサは、陰極アークで作製された１つ以上の構造体、即ち、陰極アーク堆積プロセスを利用して作製される構造体を有し得る。それらの構造体は、応力がない金属構造体、多孔質層、及び、細密褶曲を表す層であり得る。本発明の態様は、化学気相堆積を利用して及び／又はスパッタ堆積により容量性構造を作製する方法を更に含む。
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【課題】従来に比べて絶縁抵抗値が高く、且つ信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ１は、誘電体薄膜３と、誘電体薄膜３を挟んで対向する電極２、４とを備え、誘電体薄膜３が、下記化学式（１）で表される組成を有するペロブスカイト型の複合酸化物と、Ｍｎと、Ｖ，Ｎｂ及びＴａからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Ｍとを含み、誘電体薄膜３中のＭｎの含有量が複合酸化物１００モルに対して０．０５〜０．４５モルであり、誘電体薄膜３中の元素Ｍの含有量の合計が複合酸化物１００モルに対して０．０５〜０．５モルである。
Ａ_ｙＢＯ_３ （１）
［化学式（１）中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、ＢはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表す。０．９７≦ｙ≦０．９９５。］ （もっと読む）

【課題】高速伝送に対応し且つ高周波帯域での減衰特性の劣化を抑制することが可能な積層型フィルタアレイを提供すること。
【解決手段】積層型フィルタアレイは、複数のコイルを含むコイル部１０と複数のコンデンサを含むコンデンサ部２０とを備えている。コイルは、導体パターン１１ａ〜１６ａが形成された絶縁体１１〜１６が積層されることによって構成される。コンデンサは、コンデンサ電極が形成された絶縁体２１，２２が積層されることによって構成される。コンデンサ部２０は、コンデンサ電極として、各コイルに対応するように個別に配置された複数の信号用コンデンサ電極２１ａと、複数の信号用コンデンサ電極２１ａに共通に対向するように配置された一つの接地用コンデンサ電極２２ａと、を有している。接地用コンデンサ電極２２ａに一つのインダクタンス調整用導体Ｌａが接続されている。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜６０を有するＢａＯ−ＴｉＯ_２系セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能で、樹脂基板への搭載時に問題となる線膨張のマッチングをとることができるようにする。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式（ＢａＯ・ｘＴｉＯ_２）と表される成分を含み、該組成式におけるＢａＯに対するＴｉＯ_２のモル比ｘが、４．６≦ｘ≦８の範囲内にあり、
前記主成分に対して副成分として、ホウ素酸化物および銅酸化物を含むとともに、これらの副成分をそれぞれａＢ_２Ｏ_３、ｂＣｕＯと表したとき、
前記主成分に対する前記各副成分の重量比率を表すａおよびｂがそれぞれ
０．５（重量％）≦ａ≦５（重量％）
０．１（重量％）≦ｂ≦３（重量％）
である。 （もっと読む）

【課題】
簡易且つ安価な製造工程によって形成可能な大容量キャパシタを提供すること。
【解決手段】
第１の誘電体膜によって表面全体が覆われた複数の第１の導体粒子を含み、前記複数の第１の導体粒子が前記第１の誘電体膜によって互いに隔離された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層が有する第１の主面に接している第１の電極と、誘電体によって形成され、前記第１の絶縁層に接する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層が接する第２の電極を具備すること。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜４０を有するＬｉＮｂ_３Ｏ_８セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式ＬｉＮｂ_３Ｏ_８で表される成分を含み、主成分に対する副成分として、Ｂ_２Ｏ_３を０．５〜３．０重量％の範囲で含む。さらに、副成分として、必要に応じて、Ｂｉ_２Ｏ_３をわずかに含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ静電容量の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、ＤＣバイアス特性が小さくかつ高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層は厚みが１〜２μｍであり、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３０モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有してなり、前記結晶粒子１１は、その中心部を占める内核と、該内核９ａを取り囲む外殻９ｂとからなり、前記内核９ａおよび外殻９ｂにおけるバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ比）がそれぞれ０．９０〜０．９５および１．１０〜１．２０であるとともに、平均粒径が０．１８〜０．２５μｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能なセラミック体の製造方法を提供する。
【解決手段】内部電極層１１ａ、１１ｃ、１１ｅの左側の端面がセラミック積層体１０の左側の表面で露出しておらず、かつ、内部電極層１１ａ、１１ｃ、１１ｅの右側の端面がセラミック積層体１０の右側の表面で露出しているセラミック積層体１０を、酸化物ゾルを含む液体１０４に浸漬し、セラミック積層体１０の左側の表面から距離を隔てた位置に対向電極１０２を配置し、対向電極１０２と内部電極層１１ａ、１１ｃ、１１ｅとの間に電界を印加することによって、電気泳動法により内部電極層１１ａ、１１ｃ、１１ｅとセラミック積層体１０の左側の表面の間の領域１０ｇ、１０ｈ、１０ｉ内の空隙に酸化物ゾルを浸入させた後、熱処理することにより、空隙を酸化物で充填する。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を抑制できる誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜素子１０の製造方法は、誘電体薄膜１４を、当該誘電体薄膜１４を保持する基板１１（又は金属箔１６）を含む基体上に形成する形成工程Ｓ２を備え、αを基板１１（又は金属箔１６）の形成工程Ｓ２開始時のビッカース硬度ＨＶとし、ｔを誘電体薄膜１４の膜厚（μｍ）としたとき、α×ｔ≦１５０の関係を満たすことを特徴とする。これにより、クラック発生が抑制される。 （もっと読む）