【課題】簡易且つ安価な製造工程によって形成可能な大容量小型キャパシタ用の構造体、キャパシタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の下地上に形成され、第１の誘電体膜によって表面全体が覆われた複数の第１の導体粒子を含み、前記複数の第１の導体粒子が前記第１の誘電体膜によって互いに隔離された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層に積層され、前記第１の誘電体層より誘電体が占める体積の割合が高い第２の誘電体層とを含むこと。 （もっと読む）

集積回路（「ＩＣ」）のキャパシタ（１００）は、ＩＣの層に形成され、キャパシタの第１のノードに電気的に接続され、かつ第１のノードの一部分を形成する第１の複数の導電性交差部（１０２，１０４）と、ＩＣの金属層に形成された第２の複数の導電性交差部（１０８，１１０）とを有する。第２の複数の導電性交差部の導電性交差部は、キャパシタの第２のノードに電気的に接続され、かつ第２のノードの一部分を形成し、第１のノードに容量結合する。
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【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、並びに該積層体、さらに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び比誘電率が１５以上で、かつ比誘電率の温度変化率が正である無機充填剤を含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び／又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有するキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるキャパシタは、金属基板、前記金属基板に形成された金属酸化膜、前記金属酸化膜の第１面に形成された第１電極層、及び前記金属酸化膜の第２面に形成された第２電極層を含む。また、本発明によるキャパシタ製造方法は、金属基板の第１面及び第２面にフォトレジストパターンを形成するステップ、前記フォトレジストパターンをマスクにして前記金属基板に対して酸化処理を遂行して前記金属基板に選択的に金属酸化膜を形成するステップ、及び前記金属酸化膜の第１面及び第２面に各々第１電極層及び第２電極層を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化した場合にも耐湿性に対する信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体１０の、第１の内部電極１および第２の内部電極２の側部とセラミック焼結体の第１、第２の側面２１，２２との間、および、有効層部３ａの側部とセラミック焼結体の第１、第２の側面との間に存在する側面側ギャップ部Ｇ_Sのうち、少なくとも第１、第２の内部電極１，２と隣接する領域を、有効層部に比べてＭｇ濃度が高いＭｇリッチ領域Ｍ_Rとする。
また、側面側ギャップ部全体をＭｇリッチ領域とする。
また、有効層部の端部とセラミック焼結体の第１または第２の端面１１，１２との間に存在する端面側ギャップ部Ｇ_Eのうち、少なくとも第１、第２の内部電極と隣接する領域をＭｇリッチ領域とする。
Ｍｇリッチ領域には、有効層部よりも、Ｍｇを０．５〜１．０ｍｏｌ％の割合で多く含有させる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜を良好にパターニングすることが可能な金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】酸化チタン膜３の形成方法は、基材１上に、基材１の一部表面を選択的に露出させるために銅を主成分とするメタルマスク２を形成するステップと、メタルマスク２上と露出された基材１の一部表面上とにＣＶＤ法によって酸化チタン膜３を形成するステップと、メタルマスク２上に形成された酸化チタン膜３を剥離によって除去するステップと、酸化チタン膜３を剥離した後、メタルマスク２を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いキャパシタンス密度を達成可能なコンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】バルクコンデンサは、金属箔から形成された第１電極と、金属箔上に形成された半導体の多孔質セラミック本体と、多孔質セラミック本体の上に例えば酸化処理により形成された誘電体層と、多孔質セラミック本体の気孔に充填されて第２電極を形成する導電性媒質を有する。コンデンサには、カプセル化用の各種の層や電気的終端を形成してもよい。バルクコンデンサの製造方法では、金属箔から形成された第１電極の上に半導体の多孔質セラミック本体を形成し、酸化処理して誘電体層を形成し、多孔質セラミック本体に導電性媒質を充填して第２電極を形成する。金属箔と多孔質セラミック本体の間に半導体のセラミック薄膜層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】部品全体の機械的強度を向上させることができ、これにより、生産性及び信頼性を十分に高めることが可能なトレンチ型コンデンサを提供する。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３、誘電体層４、上部電極５、保護層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３はトレンチ部Ｒｔ及び台座部Ｄから構成され、トレンチ部Ｒｔには複数のトレンチＴが画成されている。台座部Ｄは、トレンチ部Ｒｔの周囲に設けられており、その高さがトレンチＴの底壁よりも高く形成されている。また、トレンチＴの内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように薄膜状の誘電体層４が、さらにそれを覆うように上部電極５が形成され、台座部Ｄの上方に設けられたビア導体Ｖａ，Ｖｂを介して、パッド電極７ａ，７ｂが、それぞれ下部電極３及び上部電極５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】内蔵された部品と導体層とを確実に接続し、接続信頼性を向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法及び部品内蔵配線基板を提供する。
【解決手段】金属球７を外部電極１２１、１２２に接合して突設導体５１を形成する突設導体形成工程と、キャパシタ１０１をコア基板１１の収容穴部９０に収容する収容工程と、キャパシタ１０１が収容されたコア基板１１の収容穴部９０内の間隙を絶縁性樹脂（樹脂充塞部９２となる。）で充塞する樹脂充塞工程と、を備える。樹脂充塞工程の後に、複数の突設導体５１の頂部と、コア基板１１のコア裏面１３等とが１つの平坦面に含まれるように高さを合わせる高さ合わせ工程を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が１００ｎｍ以下のＡＢＯ₃ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム（Ｓｃ）を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ安価な製造工程によって形成可能な大容量小型キャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体によって表面全体が覆われた導体粒子を、ガスと共に噴射して加速する加速工程と、加速された前記導体粒子を基板に衝突させ、前記表面全体が誘電体に覆われたままの状態で前記導体粒子を基板に固着させる固着工程と、固着した前記導体粒子で形成される堆積膜を電極で挟む電極形成工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】外部から熱が印加されても変形し難いトレンチ型コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３（第１電極）、誘電体層４、上部電極５（第２電極）、絶縁層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３には、トレンチＴが複数形成されており、その内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように、薄膜状の誘電体層４が形成されている。また、上部電極５は、トレンチＴの内部空間を充填するように、誘電体層４上に厚膜状に形成されている。このように、下部電極３の凹部であるトレンチＴ内に、凸状の上部電極５が嵌合するように構成されているので、構造強度が高められ、これにより、熱応力が印加されても、トレンチ型コンデンサ１の変形や破壊を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対してニオブを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の結晶化のための熱処理による下部電極の酸化、及び熱処理による誘電特性の劣化等の問題を解消することができる薄膜キャパシタ材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
工程（１）：１０〜５００μｍの厚さからなり、表面抵抗値が０．１〜１Ω、及び最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１００〜７００ｎｍであるニッケル箔を準備する。
工程（２）：前記ニッケル箔の表面上に、次の（イ）〜（ハ）の手順を２〜５回繰り返し膜形成した後、これをカーボン製容器内に挿入して、非酸化性雰囲気下に７００〜８００℃の温度で加熱し、所望の厚さの誘電体膜を形成する。
（イ）誘電体の前駆体溶液を塗布する。
（ロ）次いで、大気下に３００〜３５０℃の温度で加熱する。
（ハ）続いて、大気下に４５０〜５００℃の温度で加熱する。
工程（３）：前記誘電体膜の表面上に、第１導電材を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック多層デバイスの電子デバイスレベルにおける誘電率の温度特性向上と機械的強度向上とを同時に満たすことが課題であった。
【解決手段】セラミック誘電体層１の材料として希土類及び酸化チタンの少なくとも一方を用いることでセラミック誘電体層１の誘電率の温度特性を向上させ、またセラミック誘電体層の主表面部４に圧縮応力を導入することで機械的強度を向上させているので、機械的強度向上と誘電率の温度特性向上の２つを同時に満たすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ容量のばらつきが十分に小さいキャパシタ部を備える電子部品を提供すること。
【解決手段】キャパシタ部を備える電子部品。キャパシタ部が、基板上に形成された第１電極層と、第１電極層上に形成された誘電体膜４と、誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面に接し、開口６ａを形成している絶縁層６と、開口６ａ内で誘電体膜４及び絶縁層６に接する第２電極層５とを有する。誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 （もっと読む）

【課題】トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制すること。
【解決手段】基板と、誘電体膜と、一対の電極と、を備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる複数の凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサ。凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。区画７のうち少なくとも一部がｘ軸方向に沿って延びた部分７１を有し、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の延びた部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。 （もっと読む）

【課題】 隣り合うコンデンサ素子の間に配置される接着剤の量を減らすことができ、しかも、樹脂封止部材の成型圧を高めることができる固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 固体電解コンデンサ１では、隣り合うコンデンサ素子２の間に配置された絶縁性接着剤４１が、樹脂封止部材５に臨むコンデンサ素子２の外縁部分に沿って延在している。そのため、隣り合うコンデンサ素子２の間への樹脂封止部材５の進入が絶縁性接着剤４１によって防止される。 （もっと読む）