【課題】ダイボンド用はんだ材料を使用して形成された面実装部品を、実装用はんだ材料を使用してプリント基板にはんだ付けするときでも、ダイボンド用はんだ材料の溶解が起きないようにした。
【解決手段】ダイパット用はんだ材料３０として、Ｃｕの含有量が所定値以下のＳｎを主成分とする（Ｓｎ−Ｓｂ）系の高融点はんだ材料を使用して形成された面実装部品を、回路基板の基板端子部に塗布された実装用はんだ材料７０として、（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ）系はんだ材料を用いてはんだ付けする。ダイボンド用はんだ材料３０の固相線温度は２４３℃であり、実装用はんだ材料７０の液相線温度は２１５〜２２０℃程度であるので、リフロー炉の加熱温度（２４０℃以下）によってもダイボンド用はんだ材料３０は溶解しない。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、低耐熱性電子部品等の実装、特にＴＳＶ技術やビルドアップ工法を利用した電子部品等の実装に適した流動性を有し、はんだ接合部の高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有した鉛フリーはんだ合金及び当該はんだ合金を用いたはんだ接合部の提供を目的とする。
【解決手段】 はんだ接合部及びはんだ接合界面において、ＮｉＡｓ型結晶構造を有する金属間化合物を形成する鉛フリーはんだ合金組成を用い、当該鉛フリーはんだ合金の組成がＩｎを必須組成とし、更にＣｕ及びＮｉに関して、Ｃｕを０．１〜２．０重量％、Ｎｉを０．０１〜０．１重量％添加させ、残部をＩｎからなる組成の鉛フリーはんだ合金を用いることにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が抑制される効果、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有するはんだ接合部の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】鉛含有はんだと同等以上の疲労寿命を持つ鉛フリーはんだ合金およびそのはんだ合金を用いた電子回路基板を提供する。
【解決手段】はんだ合金５は、Ｓｎを９０質量％以上含み、残部がＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＳｂおよびＩｎよりなる群から選ばれる１種以上の添加元素を含み、かつ添加元素以外の不可避不純物を０．０１質量％未満含んでいる。 （もっと読む）

【課題】再溶融やフラッシュ・ショートの発生を防止し、高温雰囲気中での密着性が高く、濡れ性が優れた、回路部品の接続材料を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂バインダー、金属粉末、フラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物において、金属粉末が第一複合金属粉末と第二複合金属粉末とを含む。第一複合金属粉末は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第１金属粒子と、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第２金属粒子とを含み、熱拡散により金属間化合物を形成する特性を有する。第二複合金属粉末は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第３金属粒子と、Ｓｎからなる第４金属粒子とを含み、熱拡散により金属間化合物を形成する特性を有する。フラックス成分として、構造式（１）と（２）で示される化合物の少なくとも一方が用いられている。 （もっと読む）

【課題】使用温度の変化が激しい環境下においても、クリープひずみによるクラック、金属結晶粒の粗大化によるクラック、を生じさせないはんだ接続信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、電子部品１と基板２とが接続部３によって電気的に接続され、前記接続部３を低融点はんだとすることにより、使用環境において液相状態になる。また、接続部流出防止層４を設け、接続部３が溶融した際の体積膨張を吸収させる。 （もっと読む）

【課題】接合性が安定であって、かつ信頼性の高い接合部を形成するはんだ接合方法を提供する。
【解決手段】バンプ電極５を有する電子部品４と電子回路基板１とをはんだ接合する方法であって、電子回路基板１の電極部２に、導電性フィラー、フラックス、第１の熱硬化性樹脂、およびこの樹脂を硬化させる硬化剤を含む導電性ペーストを供給して、導電性ペースト層３を形成する工程と、電子部品４に、第２の熱硬化性樹脂、およびこの樹脂を硬化させる硬化剤を含む絶縁性樹脂ペーストを供給して、絶縁性樹脂ペースト層６を形成する工程と、電子部品４を電子回路基板１上に搭載する工程と、加熱によって導電性フィラーを溶融させ、電子部品４を電子回路基板１の電極部２にはんだ接合するとともに、ペースト層３、６の第１および第２の熱硬化性樹脂を硬化させる工程とを備える。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの導電性層と電気デバイスを導電性結合する方法に関するものであり、導電性層は光の可視波長領域で実質的に透明の基板に塗布され、次の各ステップを含んでおり、すなわち、電気デバイスまたは導電性層にデバイスが導電性層と結合されるべき領域ではんだ材料が施され、はんだ材料にエネルギー源から放出されるエネルギーが供給され、それにより、はんだ材料が溶融し、取外し可能でない物質接合式の導電性結合が電気デバイスと導電性層との間に構成される。 （もっと読む）

はんだ堆積物を基板上に形成する方法であって、次の工程ｉ）少なくとも１つのコンタクト領域を含む表面を有する電気回路構成を含む基板を準備し、ｉｉ）前記基板表面上に配置され、かつパターン形成されるはんだマスク層を形成して前記少なくとも１つのコンタクト領域を露出させ、ｉｉｉ）前記はんだマスク層及び前記少なくとも１つのコンタクト領域を含む全基板領域を、導電性層を前記基板表面上に設けるのに適した溶液と接触させ、ｉｖ）スズ又はスズ合金を含有するはんだ堆積物層を前記導電性層上へ電気めっきし、及びｖ）スズ又はスズ合金を含有する前記はんだ堆積物層及び前記導電性層を、前記はんだ堆積物層と前記導電性層の双方ともを前記はんだマスク層領域から、前記少なくとも１つのコンタクト領域上にはんだ堆積物層を残して除去するのに十分な量をエッチ除去することを含んでなる方法が記載される。
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【課題】単一プリント回路板のはんだバンプ印刷方法を提供する。
【解決手段】本発明は、単一プリント回路板のはんだバンプ印刷方法を提供し、完成した内部回路を含むプリント回路板全板を提供するステップと、プリント回路板全板を複数の独立した単一プリント回路板に分割するステップと、単一プリント回路板に電子テストを実行するステップと、複数のはんだバンプを単一プリント回路板中に形成するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の高機能化及び多端子化が可能な電子部品接合構造体の製造方法及び電子部品接合構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上の電極金属上にはんだペーストを塗布する塗布工程、及び、該基板上の電極金属上に該はんだペーストを介して電子部品の電極端子を接触させた状態で、該はんだペーストを熱処理する熱処理工程を含む電子部品接合構造体の製造方法であって、該はんだペーストが、該基板上の電極金属と同じ材質の金属板に塗布したときの該金属板とはんだペーストとの接触面積をＡ、該はんだペーストを温度２３５℃〜２６０℃の範囲で熱処理した後の該金属板とはんだとの接触面積をＢとしたときに、０．７≦Ｂ／Ａ≦１．３を満たす電子部品接合構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温でも金属溶融接合が可能で、かつ、高い接着強度を有し、フラッシュ・ショートが起こり難いという特性を有する熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂バインダー、金属粉末、フラックス成分を含有する。金属粉末は、Ａｇを５〜１５質量％、Ｂｉを１５〜２５質量％、Ｃｕを１０〜２０質量％、Ｉｎを１５〜２５質量％、Ｓｎを１５〜５５質量％含有する第１合金粒子と、Ａｇを２５〜４０質量％、Ｂｉを２〜８質量％、Ｃｕを５〜１５質量％、Ｉｎを２〜８質量％、Ｓｎを２９〜６６質量％含有する第２合金粒子とを含み、第１合金粒子１００質量部に対し、第２合金粒子９０〜１１０質量部であり、１５０℃以下の温度で金属間化合物を形成する特性を有する。フラックス成分は、末端にカルボキシル基、および金属が配位可能な孤立電子対又は二重結合性π電子を有する有機基を含有する特定の化合物。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板回路部の銅または銅合金表面の半田濡れ性が良好となる表面処理剤および表面処理方法を提供する。
【解決手段】一般式(I)で示されるイミダゾール化合物を含有する表面処理剤。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は同一または異なって、水素原子または炭素数が１〜８のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】半田との接合界面が、低温で水素雰囲気では還元されにくい材質で構成されている場合でも、低いボイド率で半田付けを行う。
【解決手段】半田を介して重ね合わせられている第１の接合部材および第２の接合部材が設置されたチャンバー内の空気を排気し、少なくとも水素を含むガスを導入して、大気圧よりも低い第１の圧力の状態に設定するステップＡ１と、第１の圧力の状態を保持したまま、半田の液相線温度よりも高い第１の温度まで加熱するステップＡ３と、第１の温度の状態を保持したまま、第１の圧力よりも低い第２の圧力まで減圧するステップＡ４と、第１の温度の状態を保持したまま、チャンバー内に少なくとも水素または窒素を含むガスを導入して、大気圧まで加圧するステップＡ５と、大気圧の状態を保持したまま、半田の固相線温度よりも低い第２の温度まで冷却するステップＡ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】はんだペーストを用いて基板に対して被搭載物を同じ位置および方向となるように接合する方法、特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて基板に対して素子を同じ位置および方向となるように接合する方法を提供する。
【解決手段】メタライズ層を有する基板のメタライズ層とメタライズ層を有する被搭載物のメタライズ層との間にはんだペースト３を搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理して基板と被搭載物を接合するはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法において、前記基板のメタライズ層を図１（ａ）のように面積が被搭載物４のメタライズ層の面積よりも小さいメタライズ層本体部分６と前記メタライズ層本体部分６の周囲から突出したはんだ誘引部７とからなる平面形状を有するようにすると、被搭載物が図１（ｂ）の如くはんだ誘引部７の方向に揃ってはんだ付けされる。 （もっと読む）

【課題】はんだ粉末とフラックスの反応により、水や水素などのガスが発生する。はんだが溶融するとき、このガスおよびフラックス中の溶媒ガスおよびフラックス自体が取り込まれてしまい、ボイドと呼ばれる、はんだの中に空間が生じる。このボイドの発生を防止したソルダペーストを提供する。
【解決手段】はんだ合金粉末と、接合面およびはんだ合金粉末の酸化物を除去清浄化するためのフラックスとからなるソルダペーストにおいて、吸着剤Ａを必須成分とする。 （もっと読む）

【課題】ランド剥離の発生を防止するはんだ接合部、プリント配線板およびはんだの接合方法、を提供する。
【解決手段】はんだ接合部は、基材１２の実装面１３ａと裏面１３ｂとを貫通するスルーホール１４と、スルーホール１４に挿入される電子部品のリード部４６とが接合されるはんだ接合部である。実装面１３ａ側および裏面１３ｂ側のスルーホール１４の開口部には、それぞれランド３２が配置される。はんだ接合部は、裏面１３ｂ側のランド３２と鉛フリーはんだ２１のフィレット２２との界面に、はんだの低融点相の偏析を有する。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付け部の強度にばらつきがなく、しかも強度とはんだ付け特性とのバランスに優れた高温鉛フリーはんだ合金による電子機器を提供する。
【解決手段】 はんだ合金が鉛フリーの接合用材料であって、元素Ａと元素Ｂからなり、かつ常温平衡状態で安定相であるＡｍＢｎと、元素Ｂからなる組成であって、急冷凝固により元素Ａを元素Ｂからなる常温安定相中に過飽和固溶させることを特徴とする合金で、はんだ付けによる溶解・凝固過程を経た後に平衡状態であるＡｍＢｎと、元素Ｂからなる組成に戻り、再度加熱するときにははんだ付け温度であっても安定相のＡｍＢｎにより強度を確保できる合金を用いてはんだ付けすることを特徴とする鉛フリー接合用材料を用いてはんだ付けしてなる電子機器。 （もっと読む）

【課題】半田接合部のボイドの発生を抑制することができる半田ペーストを提供する。
【解決手段】半田金属粉と、予め水素を吸蔵させた水素吸蔵合金粉と、フラックスとを含有する半田ペーストを用いて、水素吸蔵合金が大気圧下で水素を放出する温度以上に加熱することによって、半田を溶融させると共に、水素吸蔵合金から水素を放出させてペースト系外に水素を吐き出させて半田接合部を製造することにより、水素と共に、ボイド発生の原因となるガスおよびブラックス成分を系外に吐き出させることができ、半田接合部のボイドの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】チップ部品の従来の実装構造ではチップ部品の電極端子が配線基板に接続される導電部材（はんだ）にクラックが入って導通不良が発生していた。また、従来の実装構造では、この導通不良を引き起こすクラックを外観上確認し難く、チップ部品の電気的導通不良が起こる可能性を予測することが困難であった。
【解決手段】チップ部品７の電極端子２毎に対応する配線基板６上の電極パッド４が、チップ部品の電極端子２間方向に外側パッド4aと内側パッド4bとに分割されており、分割箇所のスリット５は、絶縁樹脂9により充填されている。内側パッド4ｂには、チップ部品7の下面以外の箇所に設けられた検査パッド11と配線10により接続されている。 （もっと読む）

【課題】翼縁が形成された導電素子を回避し、ファインピッチ分布の使用要求が図られる回路板およびその製造方法を提供する
【解決手段】少なくとも一つの表面に複数の電気的接続パッドを有する回路板本体と、該回路板本体の表面に設けられ、該電気的接続パッドに対応して該電気的接続パッドより大きく該電気的接続パッドの周縁に接触しない開口を有する絶縁保護層と、該電気的接続パッドの表面に設けられ、該電気的接続パッドの直径より小さい半田材料とを備えることにより、該半田材料を半田リフローにより導電素子として形成し、該絶縁保護層の開口より小さくすることにより、ファインピッチの電気的接続構造を形成する。 （もっと読む）