【課題】ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。
【解決手段】補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）の一側面に接着手段を付着し、接着手段上にシード層５０３を形成し、シード層５０３上に回路パターン５０４を形成し、回路パターン５０４上に絶縁層５０５を積層し、補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）を除去し、シード層５０３を除去する。 （もっと読む）

【課題】 導体層の密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体フィルム等からなる絶縁層１を用意する。次に、絶縁層１上に金属薄膜２および銅薄膜３を順に形成する。続いて、銅薄膜３上にドライフィルム等をラミネートし、露光および現像することにより、後工程で形成される導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する。次に、銅薄膜３におけるめっきレジストが形成されていない表面に、電解硫酸銅めっき液を用いて電解めっきにより銅からなる導体パターン５を形成する。次に、めっきレジストを剥離等により除去する。その後、銅薄膜３に熱処理を施す。この場合、２００℃以上３００℃以下の温度で約１時間保持する。続いて、導体パターン５下の領域を除いて銅薄膜３および金属薄膜２を化学エッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、それが用いられる配線回路基板、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 ベース絶縁層１の表面に、第１金属３５が飛散する第１金属飛散領域３７と、第２金属３６が飛散する第２金属飛散領域３８とが重複するように、第１金属３５および第２金属３６をスパッタリングすることにより、金属薄層２を形成する。金属薄層２は、これによって、第１金属３５が偏在し、ベース絶縁層１に隣接する第１金属偏在部分４と、第２金属３６が偏在し、導体パターン６に隣接する第２金属偏在部分５と、それら第１金属偏在部分４と第２金属偏在部分５との間に介在され、第１金属３５および第２金属３６が共存する金属共存部分３とが、境界なく連続して存在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの異なる光画像形成膜組成物、特に、基板上に２つの異なるドライフィルム組成物を設ける方法に関する。
【解決手段】２つの光画像形成膜組成物は、現像後、光画像形成膜上層が光画像形成膜下層にオーバーハングするように、異なる現像速度及び／又は硬化速度を有するようにそれぞれ選択される。その後、金属層が基板の表面上に堆積される。オーバーハング形状は基板と光画像形成膜層との界面に沿って金属層が光画像形成膜層との密着を防ぐため、オーバーハング形状が次に配置される金属層に損傷を与えずに、光画像形成膜層の完全な除去が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高周波電流の部分的な集中による損失低下を防止するとともに、伝送導体の断面積を大きく確保して高周波電流の損失を低減することが可能な高周波配線構造を提供する。
【解決手段】 接地導体３と、接地導体３上に備えられた誘電体４と、一部が誘電体４内に配置された伝送導体５とからなるマイクロストリップ線路６を具備してなり、伝送導体５は、接地導体３に平行な平面底部と、接地導体３に対して垂直で平面底部の配線幅方向両側に位置する一対の平面側部と、平面底部および一対の平面側部を連続的に連結する曲面部とにより区画されてなり、曲面部の曲率半径が、伝送導体の厚みの５％以上５０％以下の範囲に設定されていることを特徴とする高周波配線構造１を採用する。 （もっと読む）

金属とプラスチックフィルムの密着強度及び安定性の大幅な向上を図る。
基体プラスチックフィルム層３の上に熱可塑性プラスチックフィルム層２を積層して積層プラスチックフィルムとし、この積層プラスチックフィルムの温度を制御しながら、金属層１を気相法により該熱可塑性プラスチックフィルム層２上へ成膜した。 （もっと読む）

基材（２）および、薄膜技術によって基材上に設けられた少なくとも１つの電子薄膜構成要素（８）、を有する、薄膜アセンブリ（１）であって、ここでベース電極（４）が基材上に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成する、ベース電極薄膜層（２１）が、上部トップ電極（９）と併せて配置されており；
この基材（２）は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板（２）から構成され、
この導体層（５）は、ベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素（８）の位置上はスムージングされており、および
接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層（５）と、薄膜構成要素（８）の積層薄膜層（２１）と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極（４）の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。

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多環式オレフィンモノマー、及び所望によりアリル的又はオレフィン的モノマーのオリゴマー、並びに多環式オレフィンモノマーを、Ｎｉ又はＰｄを含有する触媒の存在中で、或いはアリル的モノマーの場合、フリーラジカル開始剤の存在中で反応させることを含むこのようなオリゴマーを製造する方法。オリゴマーは、フォトレジスト組成物中に溶解速度調整剤として含めることができる。フォトレジスト組成物は、更にポリマーの結合樹脂、光酸発生剤、及び溶媒を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】各種電子デバイスの小型化（特に、小面積化）に貢献し得る接続線の形成方法、電子デバイス用基板、および、この電子デバイス用基板を備える電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】接続線の形成方法は、基板７の少なくとも一方の面に、形成される接続線８１に接続される配線パターン７１を形成する工程と、基板７の縁部７２に、基板７の両面７２１、７２２および端面７２３に亘って、導電層８を形成する工程（第１の工程）と、導電層８の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線８１に分割する工程（第２の工程）とを有している。また、導電層８を形成する工程（第１の工程）において、導電層８の少なくとも一部は、基板７を切り出す前の原板に形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンが得ることが出来、かつ電気的信頼性に優れた、フィルム状積層体を提供する。
【解決手段】耐熱性重合体フィルムの少なくとも片面に、有機金属化合物のプラズマＣＶＤ層および導電体層が逐次形成されたことを特徴とするフィルム状積層体。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、低誘電率、低吸水率、低熱膨張率、導体や絶縁膜相互の高密着性、優れた膜強度や破断伸び率、半導体デバイス実装における応力にも耐え、信頼性を有し、高速、高密度実装に最適な高密度実装用配線基板を提供する。
【解決手段】高密度実装用配線基板用のベース基材の上に少なくとも１層の層間絶縁膜と導体配線パターンを形成し、前記絶縁膜の少なくとも１層がポリベンゾオキサゾール膜からなり、前記ポリベンゾオキサゾール膜と導体配線パターンの間にＴｉ、Ｔｉ系化合物およびＮｉの少なくとも１種類からなる接着層を設ける。 （もっと読む）