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Fターム[5E343DD25]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターンの形成方法 (7,103) | メッキ (3,277) | 乾式メッキ (552) | 蒸着 (519) | スパッタリング (291)

Fターム[5E343DD25]に分類される特許

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【課題】配線パターンの不良の誤検出が十分に低減された配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属製の長尺状基板1上にベース絶縁層2を形成する。ベース絶縁層2上に金属薄膜31および導体層33からなる配線パターン3を形成する。露出する配線パターン3の表面をエッチングにより粗面化処理する。その後、無電解錫めっきにより露出する配線パターン3の表面を覆うように錫めっき層34を形成する。これにより、キャリアテープ12が完成する。完成されたキャリアテープ12について、配線パターン3に光を照射し、配線パターン3からの反射光に基づいて配線パターン3の不良検査を行う。 (もっと読む)


【課題】特に優れた電気特性を得ることができるのみならず、一般のアルミナ基板に適用することにより、コストの低減を図れる基板の金属化工程を提供すること。
【解決手段】穿孔ステップと、チタン層・銅層形成ステップと、化学銅メッキステップと、ドライフィルム形成ステップと、パターニングステップと、銅回路形成ステップと、剥離ステップと、ニッケルメッキステップと、金メッキステップと、チタン層・銅層除去ステップと、順次行う。 (もっと読む)


【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜2を有する基板1表面に式(I)に示す感紫外線化合物3を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子4により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。
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【課題】アライメントマーク位置読み取り精度を向上させる。
【解決手段】基板12の表面にメッキ給電用膜13を形成し、次いで当該メッキ給電用膜13にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマーク及びその作成方法である。アライメントマークは、マーク本体15の周囲に設けられ前記メッキ給電用膜13を形成しない領域を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整して前記マーク本体15となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域16とを備えた。アライメントマークの作成方法は、前記マーク本体15を形成する際に、当該マーク本体15の周囲にメッキ給電用膜非形成領域16を形成して前記メッキ給電用膜13を形成しない領域を一部に設けてメッキ給電時の抵抗を調整し、前記マーク本体15となるメッキ層の膜厚を制御する。 (もっと読む)


【課題】金属層の引張り応力の増大による不具合を防止することが可能な銅蒸着基材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅蒸着基材100は、絶縁層1上に、密着強化層3を介して銅からなる金属層2が形成された構成を有する。金属層2は、真空蒸着によって形成され、複数の銅粒子により構成される。金属層2を構成する全ての銅粒子の表面積の合計に対して、40nm以上100nm以下の粒径を有する銅粒子の表面積の合計の比率は、7%以上である。 (もっと読む)


【課題】回路基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、金−はんだ接合方式に用いる基板配線上に形成する錫を含むはんだを、膜厚バラツキを抑制して厚付けする。
【解決手段】回路基板1の実装面に設けられた複数の接続部導体パターンの間に、金属置換により錫を含むはんだに置換可能な金属膜4を設けたのち、前記金属膜を金属置換により錫を含むはんだ5に置換し、次いで、前記置換した錫を含むはんだを溶融させて、前記接続部導体パターン間で分割するとともに前記接続部導体パターン表面に錫を含むはんだ6を厚付けする。 (もっと読む)


【課題】金属接合層上に配設された配線導体が、絶縁性基板から剥がれる可能性を低減することができる配線基板、プローブカード、または配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板1は、主面2aを有する絶縁性基板2と、絶縁性基板2の主面2a上に配設され、絶縁性基板2と接合する第1金属接合層3aと、第1金属接合層3a上に配設された配線導体4と、絶縁性基板2の主面2a上に配設され、絶縁性基板2aと接合する第2金属接合層3bと、第2金属接合層3b上に配設された金属体5と、絶縁性基板2に形成され、第1金属接合層3aと第2金属接合層3bとを接続する接続配線6とを備え、金属体5を構成する主成分は、第1金属接合層3aおよび第2金属接合層3bを構成する主成分よりもイオン化傾向が小さく、配線導体4を構成する主成分は、金属体5を構成する主成分よりもイオン化傾向が小さい。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が小さい埋め込み配線の場合においてもディッシングの発生を防止することで、ヒーターボードとしての機能を満足し、かつ、導電膜の成膜(メッキ)膜厚を薄くし、研磨時間(タクト)短縮と研磨プロセス数の単一化により、製造コストを削減する埋め込み配線の形成方法及びインクジェットヘッドのヒーターボードを提供する。
【解決手段】絶縁膜に凹部を形成し、該凹部に導電膜を形成することにより埋め込み配線を形成する埋め込み配線の形成方法において、従来であれば余分に研磨する必要がある導電膜部分を予め研磨前に粘着剤に接着させて除去した後、導電膜を機械的研磨又は機械的化学的研磨により絶縁膜の凸面と面一になるように研磨することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 (もっと読む)


【課題】
モールドを用いて、微細構造物を安定に製造できる技術を提供する。
【解決手段】
表面に3次元微細構造を有するモールドの有機樹脂層を準備し、有機樹脂層の表面上に、3次元微細構造を完全に埋め込み、共通支持部も形成する金属層を形成し、有機樹脂層と金属層の界面に金属酸化物を介した結合を形成し、有機樹脂層を蟻酸ガスに曝し、有機樹脂層を浸透した蟻酸により、金属層との界面における金属酸化物を還元し、金属層と有機樹脂層との結合を切断し、結合を切断した金属層を有機樹脂層から剥離し、有機樹脂層から剥離した金属層を、軟化させた有機樹脂層中に押し込み、金属層の有機樹脂層上方の共通支持部を化学機械研磨により除去することにより、微細構造を製造する。 (もっと読む)


【課題】導電層配線の形状が良好であるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、金属ナノ粒子を含むインクを用いたインクジェット法により、複数の部位に低抵抗導電層23を形成する工程を含んでおり、絶縁性基板11上にインクの受容層12を形成する受容層形成工程と、低抵抗導電層23が形成される複数の部位のうち、互いに隣り合う第1導電層配線および第2導電層配線が形成される各部位の間において、受容層12にスリット14を形成するスリット形成工程と、スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に低抵抗導電層23を形成する導電層形成工程とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜を剥離した後、回路パターンの変色を除去することで、回路パターンにおけるワイヤボンディング不良を抑制する。
【解決手段】ドデシルベンゼンスルホン酸を含む剥離液により、パターン形成工程後の回路基板に対し、レジスト膜を溶解するレジスト剥離工程、上記レジスト剥離工程後の回路基板をアルコール脱脂した後、青化ソーダにより基板表面を活性化する表面活性化工程、上記表面活性化工程により表面の活性化された回路基板を洗浄する洗浄工程、により回路パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム系基板に回路を形成するに際して、高密着性の絶縁膜を効率よく形成することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム系基板表面に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜表面に導電性の下地膜を形成する工程と、形成しようとする導体回路の回路パターンの輪郭に沿って前記下地膜を電磁波照射により除去することにより、導体回路となる部分を導体回路が形成されない部分から絶縁する工程と、導体回路となる部分の下地膜に電解メッキ処理を施すことにより、厚膜化して導体回路を形成する工程と、を備え、絶縁膜を形成する際に、導体回路を形成する領域とその周辺領域以外の部分をマスキングした後、溶射法により導体回路を形成する領域とその周辺領域のみに絶縁膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 コールドスプレー法によってガラス基板の貫通孔または凹部に導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線を形成した、ガラス基板と電極または配線との密着力が高いガラス回路基板及びその製造方法を実現する。
【解決手段】 ガラス基板11の凹部13に、ガラス基板11よりも硬質または弾性率が高い、例えば、チタン系材料である純Ti、TiN、TiC、TiCN、TiAlNなどにより中間層14を形成し、コールドスプレー法により導電性金属粒子を付着堆積させて金属配線16を形成する。導電性金属粒子が中間膜14に衝突した際のエネルギーが、導電性金属粒子の塑性変形に有効に利用されるので、導電性金属粒子を十分に塑性変形させることができ、ガラス基板11に対する金属配線16の密着力を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】機械的手段によって露出した、他の部品や部材を接続するパッドのパッド面のクリーニングのためのエッチングを均一に施すことが困難な従来の配線基板の製造方法の課題を解決する。
【解決手段】基板の両面側に形成された他の部品や部材を接続するパッド24のパッド面が露出する配線基板を製造する際に、前記両面側に形成した銅から成るパターン20と、パターン20に電気的に接続された銅から成るパッド24とを形成した後、パッド24の銅から成るパッド面を銅と異なる種類の金属から成る保護皮膜48によって被覆し、次いで、パターン20及び保護被覆48を樹脂層28によって覆った後、樹脂層28をサンドブラストによって削って保護皮膜48を露出し、その後、保護皮膜48を、銅を溶解することなく保護皮膜48を形成する金属を溶解するエッチング液を用いて選択的にエッチングして除去し、パッド24のパッド面を露出する。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの精密な配置を実現できるとともに、配線回路基板の変形を防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】貫通孔17が形成された支持基板2を用意し、絶縁フィルム26を、支持基板2の上に、貫通孔17を被覆するように積層することにより、ベース絶縁層3を形成し、導体パターン4を形成するための種膜21を、ベース絶縁層3の上に、真空蒸着法により形成し、その後、導体パターン4を、種膜21を介してベース絶縁層3の上に形成することにより、配線回路基板1を得る。 (もっと読む)


【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを防止でき、めっき層の厚さ方向に異なる位置のエッチング速度を制御して、従前では困難とされていたサブトラクティブ法による微細回路形成を可能にできる銅張積層板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11の導電性を有する表面に、一層または複数層の銅めっき層16、17、18が形成され、かつ当該一層または複数層の銅めっき層は、少なくとも上記基材に接触している底部18が銅よりもエッチングレートの大きい金属を含有している銅張積層板とした。好ましくは、上記エッチングレートの大きい金属を含有している銅合金部を、上記銅めっき層の表面から上記底部の方向に向けて上記エッチングレートの大きい金属を漸次または段階的に多く含有させて構成した。 (もっと読む)


【課題】配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上する配線基板製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板製造装置1における欠損検出部110は、絶縁膜における欠損を検出する。続いて、欠損数算出部120は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部130は、算出した欠損の数が0より多く、かつ、所定の閾値Th1未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。 (もっと読む)


【課題】筒形などの立体形状の絶縁基材の内周に、容易に且つ信頼性良く回路形成する方法を提供する。
【解決手段】ポリグリコール酸系樹脂成形品の表面に金属被覆を行い回路形成した成形品をインサート材として用い、エポキシ樹脂を添加した液晶性ポリマーにてインサート成形し金属回路を液晶性ポリマーに転写させた後、ポリグリコール酸系樹脂を除去し回路形成部品とする。 (もっと読む)


【課題】本発明はロールツーロールタイプの薄膜パターン形成装置に関する。
【解決手段】薄膜パターン形成装置は、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、弾性体層が形成された周面を有し、上記巻出ロールと巻取ロールとの間に配置され上記シートをその周面に沿って走行させる回転ドラムと、蒸着ソースを収容し、蒸発した蒸着ソースが上記回転ドラム上に位置した上記シートに薄膜を形成するよう装着されたソース載置部と、上記ソース載置部から上記回転ドラムに向かう蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタと、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、薄膜蒸着時に上記回転ドラム上に位置したシートに密着したマスクと、薄膜蒸着後に上記弾性体層の厚さの減少により上記マスクから上記シートが離隔されるよう上記シートを上記回転ドラム方向に加圧させる張力印加部とを含む。 (もっと読む)


【課題】エッチング性がよく、耐熱ピール強度の低下も防止できるバリア層を備えたフレキシブル基材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム1の少なくとも片面に、ニッケル−クロム−マグネシウムからなる合金のバリア層2と銅層3、4とを順に積層したフレキシブル基材とした。このバリア層として、好ましくは、組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であるものを用いた。また、プラスチックフィルムとしてポリイミドフィルムを用いるとともに、このポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させた後に、上記バリア層と上記銅層とを順に成膜形成するフレキシブル基材の製造方法とした。 (もっと読む)


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