【課題】 セラミック基板の表面から貫通導体の端面にかけて薄膜配線導体が被着されてなり、薄膜配線導体における膨れが抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、貫通孔１ａを有するセラミック基板１と、セラミック焼結体とは別に焼結した導体からなり、貫通孔１ａ内に配置された貫通導体２と、貫通導体２の端面に被着された下地めっき層３と、セラミック基板１の表面から下地めっき層３の表面にかけて形成された薄膜配線導体４とを備え、薄膜配線導体４は、少なくとも平面視で貫通導体２の外側面と貫通孔１ａの内側面との間に重なる部分において形成されていない薄膜導体層４ａと、その上に被着された他の薄膜導体層４ｂとからなる配線基板である。薄膜導体層４ａが形成されていない部分から液体成分を外気に逃がすことができるので、気化成分による薄膜配線導体４の膨れを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド基板と金属層との密着性を向上させて、安価で高品質な積層板を提供することが可能な積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】本積層板の製造方法では、ポリイミド基板Ｓの表面に表面処理層（アルカリ処理層）３を形成するアルカリ処理工程（ステップ２）を行った後、表面処理層（アルカリ処理層）３に触媒を付与する触媒付与工程（ステップ４）を行う前に、ポリイミド基板Ｓの熱処理を行う熱処理工程（ステップ３）を行う。 （もっと読む）

【課題】反応性の高いＺｎを半田付けする際に界面反応に介入させることで構造物の特性が改善された半田付け構造物が提供する。
【解決手段】本半田付け構造物は、Ｚｎを含む結合層および結合層と結合反応する鉛フリー半田を含む。そして、前記結合層は、所定の物質から形成された少なくとも１つの物質層およびＺｎ層が順次積層された多重層の構造であり、前記Ｚｎ層は前記多重層のうち前記鉛フリー半田側の最上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【解決手段】感光性樹脂層を配置して選択的に導電性金属層を析出させて形成されたプリント配線基板であり、下記条件のいずれか一つの条件を満足する。すべての配線においてピッチ幅が（１）５０μm以下；（２）５０μm超１００μm以下；（３）５０μm以下と５０μm超１００μm以下の配線が混在し、ピッチ幅５０μｍ超１００μｍ以下の配線の幅ａ、ダミー配線の幅ａ'、ダミー配線無視時の隣接配線との距離ｂ、配線と隣接するダミー配線との距離ｂ'、ダミー配線無視時のピッチ幅Ｐとしたとき（A）ａμm≧Ｐμm×０．５、ｂμm≦Ｐμm×０．５、２５μm＜ａμm≦９５μm；（B）ダミー配線を有し、ａ＋ａ'μm≧Ｐμm×０．５、ｂ'μm≦Ｐ×０．２５、５μm≦ａμm≦８５μm、５μm≦ａ'μm≦８５μmのいずれかを満足する。
【効果】セミアディティブ法を採用しているにも拘わらず、導電性金属析出厚の均質な配線パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】耐折性の優れた配線を有するプリント配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１０の表面に、下地層２３と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層２４とを含む配線パターンを有するプリント配線基板であって、前記銅めっき層２４が、多層構造を有し、双晶粒径が５μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 耐屈折性に優れたフレキシブル性銅張積層板（２層ＦＣＣＬ板のうち樹脂フィルム基材上に銅層をめっき法により形成した通称めっき板）、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム基材の表面に接着剤を介さずにシード層を形成し、そのシード層上に１０℃〜１７℃の温度の硫酸銅めっき浴中で不溶性アノードを用いて銅層を電気めっきした後、１７０℃〜１８０℃の温度で２時間以上熱処理する。このフレキシブル性銅張積層板の銅層は、ビッカース硬度が８０Ｈｖ以下であり、銅の平均結晶粒径が２μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 矩形配線の形成及び大面積化に適した回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の開口２２を有する第１の絶縁層２１を形成し、次いで、第１の絶縁層２１上に第２の絶縁層２３を形成する。第２の絶縁層２３には、第１の開口２２と連通する第２の開口２４と、第１の開口２２と連通しない第３の開口２５とが形成される。第１の開口２２及び第２の開口は、それぞれ、１つのビアホール２６の底部、上部を構成し、第３の開口２５は配線溝を構成する。その後、ビアホール２６内にビア３６を、配線溝２５内にトレンチ配線３５を形成する。好ましくは、第１の絶縁層２１及び第２の絶縁層２３は、互いに異なる種類の感光性絶縁膜にされる。 （もっと読む）

【課題】スタックビア構造を簡素な方法によって低コストで形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０の上に形成された第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０の上に第１層間絶縁層３０を形成する工程と、第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２を形成すると共に、第１ビアパッドＰ１に対応する第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２より膜厚が薄い第２ビアパッドＰ２を形成する工程と、第２配線層２２及び第２ビアパッドＰ２の上に第２層間絶縁層３２を形成する工程と、第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２及び第１層間絶縁層３０を貫通加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して、第１ビアパッドＰ１に接続される第３配線層２４を第２層間絶縁層３２の上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】両面の配線パターンの接続信頼性の高い両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１０の下面に中間層５を介して配線パターン２０が形成される。さらに、絶縁層１０には、配線パターンに達する複数の孔部１５０が形成される。絶縁層１０の上面ならびに孔部１５０の内周面および底面にシード層３０および電解めっき層４０の積層構造からなる配線パターン５０が形成される。配線パターン５０は配線部５０ａとランド５０ｂからなる。孔部１５０の底面の配線パターン２０の表面における酸素元素比率積分値が１２０％以上５３０％以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】めっき法により金属膜が金属ベース層上に形成され、フレキシブル配線基板に利用される金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造法等を提供する。
【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式により搬送される耐熱性樹脂フィルム８の両面に原子層堆積（ＡＬＤ）法により金属シード層（Ｃｕ）を成膜する工程と、スパッタリングウェブコータにより各金属シード層上に金属ベース層（Ｃｕ）をそれぞれ成膜する工程と、各金属シード層上に金属ベース層が成膜された長尺の耐熱性樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程を具備し、かつ、これ等の工程を連続して行なうことを特徴とする。この方法によれば、ＡＬＤ法により成膜されたピンホールのない金属シード層上に金属ベース層を形成しているため、金属ベース層の膜厚を薄く設定してもピンホールが生じ難く金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造効率の向上が図れる。 （もっと読む）

絶縁基板内に凹部又は溝を形成することを含むＲＦＩＤタグの作製技術。導電配線は溝内に形成され、ＲＦＩＤタグ用の誘導コイルを形成する。
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【課題】アルカリ現像型のフォトリソグラフィー法によるハイアスペクト比でのパターン加工が可能であり、かつ、電気的・熱機械的な信頼性に優れる絶縁層形成用材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂にアクリル酸および／またはメタクリル酸を反応させて得られるエポキシアクリレート樹脂に二塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有エポキシアクリレート樹脂で、１分子中にカルボキシル基が１個の樹脂、（Ｂ）重合促進剤および（Ｃ）数平均粒子径１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の無機粒子を含む絶縁層形成用材料。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、電気特性に優れ、信頼度が高く、結合力が強固で、製造コストを低減させることができるセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミック基板１の金属化方法を提供するものである。セラミック基板１は、無機物であり、電気的極性を有さないため、金属との接合が非常に困難である。従って、めっきの製造工程を利用し、先ず、セラミック基板１を洗浄し、マイクロエッチングにより、セラミック基板１の表面に粗面化処理を行う。次に、セラミック基板１の表面にナノレベルのＳｉを含む界面活性剤２を塗布し、電気的極性を有さないセラミック基板１の表面に、負極の電気的極性を発生させる。次に、めっき工程を通じてナノ界面活性剤２上に厚さが薄く、セラミックと接合させやすい正帯電の第１の金属層３を析出させる。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工の際のスミアの飛散、付着を防止する配線基板の製法の提供。
【解決手段】絶縁基板表面に、エーテル結合とベンゼン核を有するビニル化合物Ａ、ゴムおよび／または熱可塑性エラストマーＢを含有する樹脂組成物のフィルムと、ポリイミドフィルムとの積層フィルムをマスクフィルムとして設置し、レーザー光で配線パターンを作製し、絶縁基板表面に配線層を形成した後、加熱によりマスクフィルムを剥離除去し、配線パターンに金属配線を形成する配線基板の製法、配線基板、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、搬送ロールに蓄えられる静電気が、離型層表面に傷を発生させる主要因となっていることを見出し、離型層中に帯電防止剤を含有させることにより、搬送中に生じる離型層表面の傷発生を防止し得ることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の内容を含む。
【解決手段】 支持体層上に帯電防止剤を含有する離型層が形成され、該離型層上に金属膜層が形成されている金属膜付きシート。 （もっと読む）

【課題】厚さが、５μｍ以上の金属膜が微小基板から剥離することを抑制することが可能な微小基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１が形成された基板２と、前記基板２の一表面側に設けられた、その厚さが５μｍ以上である金属層３と、前記貫通孔１に形成された金属材料からなる係止部材４と、を備え、前記係止部材４と前記金属層３とは結合一体化されており、前記係止部材４が前記貫通孔１に係止されて、前記係止部材４と結合一体化された前記金属層３が前記基板２の前記一表面側に接合されるものであるようにした。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板において、配線層の酸化を防止し、接続不良を防止する。
【解決手段】 ガラス基板１１の温度を２００℃に設定し、インラインスパッタ成膜法にて、１０^−７Torrで、スパッタガスとして、水素ガスを５ｖｏｌ％添加されたＡｒガスを用いて、Ｃｒ膜を７００Å、Ｃｕ膜を６μｍ、およびＮｉ膜を７００Åの膜厚で順次成膜して、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ多層配線層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】線幅の細線化および線厚の増大といった要望に応え得る配線導体の能率的な形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に金属膜３を形成し、金属膜３の上方から、パルス幅が１ピコ秒未満のフェムト秒レーザー光４を照射することによって、基材１に溝５を形成するとともに、金属膜３を構成していた金属を溶融させながら、溶融した金属を溝５に充填し、次いで、金属を冷却・固化することによって、基材１に埋設された配線導体２を得る。その後、必要に応じて、溝５を除く基材１の表面上に残存している金属膜３を除去する工程が実施される。上記のレーザー光照射工程において、レーザー光４の焦点は、基材１上に合わされることが好ましい。 （もっと読む）