【課題】 金属層表面に微小な凹みが無い銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供し、金属層表面の凹みや配線パターニング時に欠陥を減少させる。
【解決手段】 ポリイミドフィルムを１級アミド化合物及びポリアルキレングリコールを含有する水溶液に浸漬させて洗浄する。洗浄するタイミングは、導体となる銅層を形成する前であれば、乾式法で１次金属層を形成する前でも良く、後でも良い。乾式法で１次金属層を形成する前後の２回処理することも有効である。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と導電層との接着力を強化可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板２は、第１樹脂層６ｅと第１樹脂層６ｅ上に形成された第１導電層７ａとを備える。第１導電層７ａは、周期表第４族、５族又は６族である遷移金属の炭化物を含み、且つ、第１樹脂層６ｅに接着する金属炭化物層７ａｘを有する。第１樹脂層６ｅは、金属炭化物層７ａｘが接着した第１領域６ｅｊと、第１領域６ｅｊよりも第１樹脂層６ｅの内部に位置する第２領域６ｅｋとを有する。第１領域６ｅｊは、炭素原子数に対する窒素原子数の比率が第２領域６ｅｋよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド基板と導電性膜層との間の剥離が防止された積層板を提供する。
【解決手段】ポリイミド基板２の表面をアルカリ性水溶液に接触させることによって、ポリイミド基板表面にアルカリ処理層を形成するアルカリ処理工程と、前記アルカリ処理層を、金属触媒を含む水溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に金属触媒を付与する触媒付与工程と、前記金属触媒が付与された前記アルカリ処理層を、還元処理溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に付与された金属触媒を還元することによって、表面処理層３を形成する還元工程と、前記表面処理層上にニッケルを含むシード層４を積層するシード層形成工程と、前記シード層を大気中にて熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理されたシード層上に金属層６を積層する金属層形成工程と、からなる積層板の製造方法、とすることにより、ポリイミド基板２とシード層４との間の剥離強度を強くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】導体回路間の絶縁信頼性の優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けたレジスト層２１を形成する工程と、レジスト層２１の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、レジスト層２２を剥離液により除去する工程と、レジスト層を剥離液により除去することにより露出する金属層１０１をドライエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】トナー担持体とトナーが付着させられる記録紙との間に配置されたトナーが通過する穴を複数有する回路基板によって直接記録方式で画像を形成することのできる画像形成用回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の開口部が列状に設けられた絶縁性基材と、該絶縁性基材に前記各開口部に対応して設けられた個別背面電極と、前記絶縁性基材の他面に制御電極と共通バイアス印加用の共通電極が設けられた、画像形成用回路基板の製造方法において、前記絶縁性基材に個別背面電極、制御電極、及び共通バイアス印加用の共通電極を形成する工程と、複数の開口部を形成する工程と、前記個別背面電極、制御電極、及び共通電極が設けられた画像形成用回路基板の開口部周辺を熱強圧する工程を含むことを特徴とする画像形成用回路基板の製造方法などによって提供する。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

パターン化されたマスク層を有する基板を製造する方法が開示され、そのマスク層は、反復する縞などの微細な形体を備えたものである。その方法は、基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する工程と、第１の主表面上に転写層を有する基板を用意する工程と、本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、接触部分は、約０．５Ｇｐａ〜約３０Ｇｐａのヤング率を有する、工程と、構造化成形型か又は基板のいずれかを加熱する工程と、転写層を構造化成形型と接触させる工程と、転写層を冷却する工程と、転写層の各部分が、構造化成形型と共に分離するように、構造化成形型を転写層から引き離し、転写層を完全に貫いて基板まで延びる開口部を転写層内に開口部を残し、所定のパターンを備えた転写層を形成する工程とを含む。
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【課題】Ｎ、Ｏ、Ｔａの元素組成プロファイルが安定し、抵抗膜中にＮを安定して含有し、Ｏが少なく、化学量論的な組成に近いＴａＮ膜が得られ、耐酸化性が優れていて信頼性が高いオーディオ用抵抗体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、ＴａＮ膜を含む抵抗膜をパターン形成する。そして、前記抵抗膜上に層間絶縁膜を形成し、その後、前記抵抗膜を７５０乃至１１００℃で焼鈍する。その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であると共に、シート抵抗が１００Ω／□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記ＴａＮ膜のスパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだを用い、下地のＮｉ層によらずに充分な接合強度を得る。
【解決手段】この電極構造１０においては、電極下地１１上に、Ｎｉめっき層１２が形成されており、Ｎｉめっき層１２上にＣｏ薄膜層１３が形成される。はんだ層２０は、Ｎｉめっき層１２上ではなく、Ｃｏ薄膜層１３上に形成される。このはんだ層２０によって被接合試料３０は、この電極構造１０に接合される。Ｃｏ薄膜層１３は、１０ｎｍ〜８００ｎｍ程度の厚さであり、この厚さのＣｏ薄膜層１３は、蒸着法、スパッタリング法によって形成することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき焼けを防止しつつめっきの効率を向上させることが可能なめっき装置および配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１００は、めっき槽１０２を備える。めっき槽１０２内には、めっき液が収容される。長尺状基板１０がめっき槽１０２内を通過するように搬送ロール１０１ａ〜１０１ｄにより搬送される。めっき槽１０２内には、長尺状基板１０に沿って並ぶように３つ以上の棒状のアノード電極１が設けられる。両端に配置されたアノード電極１の表面積は他のアノード電極１の表面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、被転写体である水晶基板の特性に影響を与えることなく、電極となる導電性膜を水晶基板へ形成することが可能な転写体を提供する。
【解決手段】転写体１０は、基材１１と、基材１１の表面に形成され所定の形状にパターニング加工されて電極４となるべき導電性膜である金属膜１４と、少なくとも金属膜１４となる導電性膜の部分を覆うように形成されエネルギーを付与されると接着性を発現することが可能な接合膜３と、を備えている。このような構成の転写体１０は、導電性膜１４および接合膜３の形成された側が被転写体へ押し付けられると、接合膜３の膜面が被転写体へ接合する。そして、基材１１を被転写体から離反する方向へ引き離すと、接合膜３が被転写体と強固に接合しているため、導電性膜１４は、基材１１から剥離し、接合膜３を介して被転写体へ転写される。 （もっと読む）

【課題】めっき加工後に独立回路を形成する場合にも、めっきレジストのはみ出しによるめっき断線、めっきかけ(めっき領域の欠落)を防ぐ。
【解決手段】そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層１１ａを形成する工程と、前記下地層１１ａのうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭１２を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物３０を充填する工程と、前記下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層１１ｂを形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、全面エッチングにより、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線パターンと絶縁層との密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】エッチング液を用いないことにより、人体に悪影響を及ぼしたり、環境を汚染したりすることを防ぐセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板上にドライフィルムを貼リ付ける工程１００と、ドライフィルムに対して露光および現像加工を行い、ドライフィルム上に所定の配線パターンを形成する工程１０１と、セラミック基板およびドライフィルム上に第１の金属層をコーティングする工程１０２と、第１の金属層上に銅層を電気メッキする工程１０３と、セラミック基板上のドライフィルム、第１の金属層および銅層に切断および研磨を行なった後、ドライフィルムを前記セラミック基板上から除去する工程１０４と、セラミック基板上に適切な厚さを有する銅層を形成する工程１０５と、セラミック基板の銅層の表面に第２の金属層を電気メッキする工程１０６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜と基板との密着性が高く、密着強度の経時熱劣化が改善された積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に形成された絶縁性樹脂層１２と、絶縁性樹脂層１２上に形成され、少なくとも当該絶縁基板１１との接触界面に金属酸化物１４を含有する金属薄膜層１３と、を備え、絶縁性樹脂層１２がビフェニル骨格を有するジアミン成分を含有した熱可塑性ポリイミドを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属層表面に微小な凹みが無い銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供し、金属層表面の凹みや配線パターニング時に欠陥を減少させる。
【解決手段】 ポリイミドフィルムを有機アミン化合物およびポリアルキレングリコールを含有する水溶液に浸漬させて洗浄する。洗浄するタイミングは、導体となる銅層を形成する前であれば、乾式法で１次金属層を形成する前でも良く、後でも良い。乾式法で１次金属層を形成する前後の２回処理することも有効である。 （もっと読む）

【課題】基板自体の厚みを薄くできる利点を有する２層フレキシブル基板において、課題となっている耐熱環境や高温高湿環境における信頼性に関わる密着性を、従来の３層フレキシブル基板と同等以上とした２層フレキシブル基板の提供。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層を形成し、次いで前記下地金属層上に銅被膜層が形成される２層フレキシブル基板において、前記下地金属層が接する側の前記絶縁体フィルムの表面に、層厚２〜１０ｎｍの改質層が設けられていることを特徴とする２層フレキシブル基板。 （もっと読む）

【課題】回路基板のパターン形成を合理化する。
【解決手段】少なくとも、金属基板表面に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜を形成する工程と、Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】追加絶縁層を薄く形成できるとともに、追加絶縁層の金属支持基板からの剥離を防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
金属支持基板２の上にベース絶縁層３を部分的に形成し、ベース絶縁層３およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上にクロム薄膜２０および銅薄膜２１を順次形成し、銅薄膜２１の上に導体パターン４を形成し、導体パターン４から露出する銅薄膜２１を除去し、導体パターン４およびクロム薄膜２０の表面にパラジウム触媒２２を付着させ、導体パターン４から露出するクロム薄膜２０をその表面に付着するパラジウム触媒２２とともに除去し、パラジウム触媒が付着する導体パターンの表面にニッケルめっき層を形成し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を被覆するようにカバー絶縁層５を形成するとともに、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上に台座１３を形成する。 （もっと読む）