【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、狭ピッチの配線層を信頼性よく形成すること。
【解決手段】第１配線層２０の上に、絶縁樹脂層３０を介してニッケル・銅合金層４２が形成された積層体を形成する工程と、ニッケル・銅合金層４２及び絶縁樹脂層３０に、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨ内をデスミア処理する工程と、ニッケル・銅合金層４２の上及びビアホールＶＨの内面にシード層４４を形成する工程と、ビアホールＶＨを含む部分に開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２を形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層４６を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層４６をマスクにしてシード層４４及びニッケル・銅合金層４２をエッチングして第２配線層４０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ビア界面の接続面積が大きくなるため、接続信頼性を損なわずに従来よりもビアの小径化が可能となり、プリント配線板やビルドアップ配線基板の高密度化が可能となることが求められていた。
【解決手段】絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層プリント配線板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、直流電解めっき法を用いて下地層１３上に形成された第１層１５ａと、反転電解めっき法を用いて第１層１５ａ上に形成された第２層１５ｂと、直流電解めっき法を用いて第２層１５ｂ上に形成された最外層をなす第３層１５ｃと、を有する、平面視で互いに離間した複数の電解めっき層１４を下地層１３上に形成する工程と、平面視で電解めっき層１４同士の間に配された下地層１３の一部をエッチングする工程と、第３層１５ｃ上に絶縁層１０を形成する工程と、貫通孔Ｐの底面に第３層１５ｃの一部を露出させるために、絶縁層１０に貫通孔Ｐを形成する工程と、貫通孔Ｐの内壁面上および前記底面上にスパッタ層１６を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属支持層を備える配線回路基板において、導体パターンの良否を精度よく検査することができる配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】
金属支持層２と、金属支持層２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４とを備える回路付サスペンション基板１の製造方法において、ベース絶縁層３の表面を粗化した後、波長４３５〜５００ｎｍの入射光３１を発光する光源ユニット２２と、カメラユニット２３とを備える検査装置２１を用いて、入射光３１を、その光軸に対して０°超過３０°以下の角度θを形成するように傾斜する傾斜光を含むように、回路付サスペンション基板１に照射しながら、カメラユニット２３で導体パターン４を撮影し、その良否を検査する。 （もっと読む）

【課題】平面性に優れかつ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できる成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】この第１成膜工程に続いて、上記他方の面（第１成膜面）を第２冷却ロール３９に接触させて冷却すると共に、この接触している他方の面とは反対側の一方の面（第２成膜面）に成膜する（第２成膜工程）。この第２成膜工程に続いて、上記一方の面（第２成膜面）を第３冷却ロール４０に接触させて冷却すると共に、この接触している一方の面とは反対側の他方の面に成膜する（第３成膜工程）。これらの工程を順に繰り返しながら、耐熱性樹脂フィルム３２に複数の薄膜を重ねて成膜する。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、各絶縁層は、同一組成のフィラーを含有し、前記各絶縁層の前記フィラーの含有量は、何れも３０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下の範囲にあり、前記各絶縁層の熱膨張係数は、何れも１２ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 長尺の一次金属層付樹脂フィルムを搬送しながら電気めっきにより二次金属層を形成し、得られた金属化樹脂フィルムを巻き取る際に局所的なシワの発生をなくすことができる金属化樹脂フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 一次金属層付樹脂フィルムＦを巻出ロール１から巻取ロール７にロールツーロールで搬送しながら、電気めっき装置Ａで一次金属層付樹脂フィルムＦの一次金属層の表面に電気めっきにより銅の二次金属層を形成する。得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。
【解決手段】インターポーザ１００において、配線パターン１１１は銅から形成される。また、貫通電極１１４も銅から形成される。また、酸化膜１１５は、貫通電極１１４に隣接して配置される。そして、酸化膜１１５と配線パターン１１１とは、密着層であるチタン膜１１７を介して積層される。また、貫通電極１１４と配線パターン１１１とは、チタン膜１１７を介することなく積層される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。
【解決手段】インターポーザ１００において、配線パターン１１１は銅から形成される。また、貫通電極１１４も銅から形成される。また、酸化膜１１５は、貫通電極１１４に隣接して配置される。そして、酸化膜１１５と配線パターン１１１とは、密着層であるチタン膜１１７を介して積層される。また、貫通電極１１４と配線パターン１１１とは、チタン膜１１７に隣接して形成された銅合金層１１９を介して積層される。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＦｅＣｌ₃を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを０〜２．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での電気特性、特に低誘電率、低誘電正接を有する高周波回路基材用フィルム及びハンダ耐熱性、導体との密接接合性に優れた高周波回路基材を提供する。
【解決手段】（Ａ）：ポリフェニレンエーテルと、（Ｂ）：（Ａ）以外の熱可塑性樹脂とを、含有する熱可塑性樹脂組成物からなり、前記（Ａ）ポリフェニレンエーテルの含有量が、前記（Ａ）と前記（Ｂ）との合計量を１００質量部としたとき、８０質量部以上であり、７６．５ＧＨｚにおける比誘電率が２．７以下で、誘電正接が０．００３以下である高周波回路基材用フィルム、及び当該高周波回路基材用フィルムに厚み５〜５０μｍの銅層を積層した高周波回路基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスをプリント配線基板に実装するときに、給電ラインに使用される材料と電子デバイスに使用されている材料との熱線膨張係数の差によって発生する、給電ラインが交差する近傍のプリント配線基板の部分（交差部）の盛り上がりを防止することが可能なプリント配線基板を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１０は、外部接続電極１１と、電子デバイス接続端子（バンプ）１２と、回路パターン１３と、給電ライン１４を備えている。給電ライン１４は、Ｘ方向とＹ方向のダイシングライン２０が交差する各交差点Ｏの近傍のＸ方向及びＹ方向に設けられたＸ方向隙間ＸｓとＹ方向隙間Ｙｓとによって分離した、交差点Ｏを交差中心とした給電ラインクロス部１４ａと、Ｘ方向のダイシングライン２０上に線形状のＸ方向給電ライン部１４ｂと、Ｙ方向のダイシングライン２０上に線形状のＹ方向給電ライン部１４ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的特性を有する立体的回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性フィルム１の片面に配線２が形成されたフィルム状回路基板３と表面に接着剤層５が形成された円筒形状の筺体４とを準備し、筺体４の表面全周にフィルム状回路基板３をその配線２が形成された面側が筐体４との貼付面側となるように接着剤層５を介して貼り付けた後、絶縁性フィルム１を除去して筺体４の表面の接着剤層５に配線２を残す。絶縁性フィルム１の除去は、エッチング処理による溶解除去であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる配線構造体を提供する。
【解決手段】配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第１の領域Ｒ１と、平面状に形成された第２の領域Ｒ２とを有する基体１と、第１の領域Ｒ１、および第２の領域Ｒ２のうち第２の領域Ｒ２に連続的に形成されて、配線パターンをなす金属層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板４は、貫通孔Ｐ１が形成された樹脂層７ａと、該貫通孔内Ｐ１に配された貫通導体８ａと、樹脂層７ａと貫通導体８ａとの間に介された介在膜９Ａとを備え、該介在膜９ａは、樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも前記貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】電気化学的マイグレーションによる電気的短絡を防止することができ、高密度化とともに信頼性を向上させることができる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による印刷回路基板およびその製造方法は、絶縁層及び前記絶縁層に配置された回路パターンと前記回路パターンの少なくとも一面を覆うように配置されて前記回路パターンから電気化学的マイグレーション(electrochemical migration)を抑制するバリア層を含んで、信頼性を確保するだけではなく、高密度化を実現することができる印刷回路基板及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い配線層を低コストで形成し得る配線層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に樹脂層１２を形成する工程と、樹脂層１２上にチタンを含む密着層１４を形成する工程と、密着層１４上にシード層１６を形成する工程と、シード層１６上に配線層２２を形成する工程と、配線層２２をマスクとしてシード層１６をエッチングする工程と、一般式Ｔｉ（ＯＲ^１）_Ｘ（Ｏ_ＹＲ^２）_４−Ｘ（但し、Ｒ^１、Ｒ^２はアルキル基又は水素であり、Ｘは１〜３の整数であり、Ｙは正の整数である）、又は、一般式Ｔｉ（ＯＲ^３）_４（但し、Ｒ^３はアルキル基である）で表されるチタン有機化合物が添加されたエッチング液を用い、前記配線層２２をマスクとして、前記密着層１４をエッチングする工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）