配線基板およびその実装構造体
【課題】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板４は、貫通孔Ｐ１が形成された樹脂層７ａと、該貫通孔内Ｐ１に配された貫通導体８ａと、樹脂層７ａと貫通導体８ａとの間に介された介在膜９Ａとを備え、該介在膜９ａは、樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも前記貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５とを有する。
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板４は、貫通孔Ｐ１が形成された樹脂層７ａと、該貫通孔内Ｐ１に配された貫通導体８ａと、樹脂層７ａと貫通導体８ａとの間に介された介在膜９Ａとを備え、該介在膜９ａは、樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも前記貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
配線基板に関して、特許文献１には、絶縁性樹脂を含む絶縁層（樹脂層）と、該絶縁層を貫通するスルーホールの内壁に被着しためっき層（スルーホール導体）と、を備えた構成が開示されている。
【０００４】
ところで、配線基板内の水分に起因して、スルーホール導体に含まれる導電材料がイオン化することがあり、この場合、隣接するスルーホール導体間に電界が印加されると、イオン化した導電材料が隣接するスルーホール導体に向って樹脂層内に侵入することがある（イオンマイグレーション）。
【０００５】
その結果、該樹脂層に侵入した導電材料が隣接するスルーホール導体に達すると、隣接するスルーホール導体同士が短絡し、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。それ故、スルーホール導体間の絶縁性を向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１０１１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板は、貫通孔が形成された樹脂層と、該貫通孔内に配された貫通導体と、前記樹脂層と前記貫通導体との間に介された介在膜とを備え、該介在膜は、前記樹脂層に当接した第１酸化チタン膜と、該第１酸化チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記第１酸化チタン膜に当接したチタン膜とを有する。
【０００９】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、上述した配線基板と、前記配線基板に搭載され、前記貫通導体と電気的に接続された電子部品とを備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、貫通導体と樹脂層との間に介された介在膜が酸化チタン膜を有しているため、イオン化した導電材料の樹脂層内への侵入を酸化チタン膜によって低減することにより、貫通導体同士の絶縁性を高めることができる。一方、該介在膜がチタン膜を有しているため、酸化チタン膜と貫通導体との接着強度を高めることにより、貫通導体の信頼性を高めることができる。それ故、貫通導体同士の絶縁性及び貫通導体の信頼性を高めることができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る実装構造体の厚み方向に沿った断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分の拡大図である。
【図２】図２は、図１（ａ）のＲ２部分の拡大図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ３部分の拡大図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図３（ｂ）のＲ３部分に相当する部分の拡大図である。
【図５】図５（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＲ４部分の拡大図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の第１実施形態の変形例に係る実装構造体において、図１（ａ）のＲ１部分に相当する部分の拡大図であり、図７（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る実装構造体において、図１（ａ）のＲ１部分に相当する部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がバンプ３を介してフリップチップ実装された平板状の配線基板４と、を含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。
【００１５】
バンプ３は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。
【００１６】
配線基板４は、コア基板５と、該コア基板５の上下に配された一対の配線層６と、を含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板４の強度を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１が複数形成された平板状の第１樹脂層７ａと、第１貫通孔Ｐ１内に配された筒状の第１貫通導体８ａと、第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａと、第１貫通導体８ａの内部に配された柱状の絶縁体１０と、を含んでいる。
【００１８】
第１樹脂層７aは、コア基板５の主要部をなして剛性を高めるものであり、第１樹脂材
料部１１ａと、該第１樹脂材料部１１ａ内に含有された複数の無機絶縁粒子１２と、該第１樹脂材料部１１ａにより被覆された基材１３と、を含んでいる。
【００１９】
この第１樹脂層７ａは、厚みが例えば０．０８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下に設定され、平
面方向への熱膨張率が例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が平面方向への熱膨張率の例えば１．５倍以上３倍以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２０】
なお、第１樹脂層７ａの厚みは、第１樹脂層７ａを厚み方向に沿って切断し、その研摩面若しくは破断面を走査型電子顕微鏡で観察し、厚み方向に沿った長さを測定し、その平均値を算出することにより測定される。また、第１樹脂層７ａの熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、第１樹脂層７ａのヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材の厚み、熱膨張率及びヤング率は、特にことわりがない場合、第１樹脂層７ａと同様に測定する。
【００２１】
第１樹脂層７ａに含まれる第１樹脂材料部１１ａは、第１樹脂層７aの主要部をなすも
のであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料を含むものを使用することができる。この第１樹脂材料部１１ａは、各方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定されている。
【００２２】
第１樹脂材料部１１ａ内に含有された複数の無機絶縁粒子１２は、無機絶縁フィラーを構成し、第１樹脂層７ａの熱膨張率を低減するとともに第１樹脂層７ａの剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素を含む無機絶縁材料を用いることができる。なお、該無機絶縁材料は、酸化ケイ素に加えて、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等を含有するものを用いても構わない。また、無機絶縁粒子１２は、酸化ケイ素を６５重量％以上１００重量％以下含有することが望ましい。
【００２３】
この無機絶縁粒子１２は、例えば球状に形成されており、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、第１樹脂材料部１１ａ内における含有量が例えば５０体積％以上８５体積％以下に設定され、各方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２４】
なお、無機絶縁粒子１２の粒径は、第１樹脂層７ａの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。また、第１樹脂層７ａの第１樹脂材料部１１ａ内における無機絶縁粒子１２の含有量(体積％)は、第１樹脂層７ａの研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂材料部１１ａ及び無機絶縁粒子１２の面積の合計値に対して無機絶縁粒子１２の占める面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより測定される。
【００２５】
第１樹脂材料部１１ａに被覆された基材１３は、第１樹脂層７ａの剛性を高めるものであり、平面方向への熱膨張率が厚み方向よりも小さいため、配線基板４と電子部品２との平面方向への熱膨張率の差を低減し、配線基板４の反りを低減できる。この基材１３としては、無機絶縁繊維１３ａが縦横に織り込まれてなる織布を使用することができ、無機絶縁繊維１３ａとしては、例えばガラス繊維を使用することができる。
【００２６】
第１樹脂層７aを厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１は、例えば円柱状に形成されてお
り、平面方向に沿った断面積が３００μｍ２以上４００００μｍ２以下に設定されている。
【００２７】
第１貫通孔Ｐ１内に配された第１貫通導体８ａは、コア基板５上下の配線層６同士を電気的に接続するものであり、銅（導電率７．７４x１０６ｍ・Ω、熱伝導率４０１Ｗ／（
ｍ・Ｋ）、熱膨張率１６．５ｐｐｍ／℃、ヤング率１３０ＧＰａ）を含む金属材料により形成されたものを用いることができる。このように導電率と熱伝導率に優れた金属材料を用いることにより、第１貫通導体８ａの信号伝送特性を高めるとともに、電子部品２から後述する導電層１６及び第２貫通導体８ｂを介して伝わった熱を外部へ効率良く放散させることができる。この第１貫通導体８ａは、厚みが２μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。
【００２８】
第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａは、第１樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５と、を有する。この第１介在膜９ａは、厚みが例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されており、厚みが第１貫通導体８ａの厚みの例えば０．０００３倍以上０．０５倍以下に設定されている。
【００２９】
第１酸化チタン膜１４ａは、絶縁物である酸化チタン（チタンの酸化物）を例えば９９．９重量％以上１００重量％未満含有しており、例えば酸化チタンに加えて鉄を０．０１重量％未満含有しても構わない。この酸化チタンは、二酸化チタンを例えば５０重量％以上１００重量％未満含有しており、例えば二酸化チタンに加えて、Ｔｉ２Ｏ５、ＴｉＯ３、ＴｉＯ、Ｔｉ６Ｏ、Ｔｉ３Ｏ又はＴｉ２Ｏ等を含有しても構わない。
【００３０】
チタン膜１５は、チタン（導電率２．３４x１０６ｍ・Ω、熱伝導率２１．９Ｗ／（ｍ
・Ｋ）、熱膨張率８．６ｐｐｍ／℃、ヤング率１０６ＧＰａ）を例えば９９．９重量％以上１００重量％未満含有しており、例えばチタンに加えて鉄を０．０１重量％未満含有しても構わない。
【００３１】
なお、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の判別は、第１介在膜９ａを厚み方向に沿って切断し、その研摩面若しくは破断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、透過性を示すか否かで行うことができる。また、その観察時にＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）を用いることにより、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の化学組成の分析及び厚みの算出を行うことができる。後述する第２介在膜９ｂにおいても、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の判別、化学組成の分析及び厚みの算出は、第１介在膜９ａにおけるものと同様に行う。
【００３２】
第１貫通導体８ａの内部に配された絶縁体１０は、後述する第２貫通導体８ｂの支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００３３】
一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、図１（ａ）及び図２に示すように、第１樹脂層７a上に積層され、厚み方向に貫
通する第２貫通孔Ｐ２が複数形成された第２樹脂層７ｂと、第１樹脂層７a上又は第２樹
脂層７ｂ上に形成された導電層１６と、第２貫通孔Ｐ２内に配され、導電層１６に電気的に接続された第２貫通導体８ｂと、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂと、を含んでいる。
【００３４】
第２樹脂層７ｂは、導電層１６を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層
１６同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、第２樹脂材料部１１ｂと、該第２樹脂材料部１１ｂ内に含有された無機絶縁粒子１２と、を含んでいる。
【００３５】
この第２樹脂層７ｂは、厚みが例えば３μｍ以上５０μｍ以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下に設定されている。
【００３６】
第２樹脂絶縁部７ｂ１に含まれる第２樹脂材料部１１ｂとしては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等により形成されたものを使用することができる。
【００３７】
第２樹脂材料部１１ｂ内に含有された無機絶縁粒子１２としては、上述した第１樹脂層７aに含まれる無機絶縁粒子１２と同様のものを用いることができる。
【００３８】
導電層１６は、厚み方向に互いに離間するとともに第１樹脂層７a上及び第２樹脂層７
ｂ上に間隙を空けて配置されており、銅により形成されたものを使用することができる。
【００３９】
第２貫通導体８ｂは、厚み方向に互いに離間した導電層１６同士を相互に接続するものであり、例えば配線基板４の平面方向に沿った断面が円形であるとともに該断面の面積がコア基板５に向って小さくなる柱状に形成されており、第１貫通導体８ａと同様に、銅により形成されたものを使用することができる。この第２貫通導体８ｂは、配線基板４の平面方向に沿った断面積が３００μｍ２以上７００μｍ２以下に設定されている。
【００４０】
第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、第２樹脂層７ｂに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも第２貫通導体８ｂ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５と、を有する。
【００４１】
この第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５は、上述したコア基板５に含まれる第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５と同様の構成を有している。
【００４２】
ところで、第１樹脂層７ａの第１樹脂材料部１１ａを構成する樹脂材料又は絶縁体１０を構成する樹脂材料に含まれる水分が第１貫通導体８ａに接触すると、第１貫通導体８ａを構成する金属材料がイオン化することがある。
【００４３】
また、第１貫通導体８ａ、導電層１６及び第２貫通導体８ｂは、互いに電気的に接続されることにより、例えば接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能する１組の配線部を構成している。このように、第１貫通導体８ａは、例えば接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線としての機能を有することから、隣接する第１貫通導体８ａと異なる電圧になる場合があり、隣接する第１貫通導体８ａ間で電界が発生することがある。
【００４４】
一方、本実施形態の配線基板４においては、図１（ａ）に示すように、第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａは、第１樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａを有している。
【００４５】
ここで、第１酸化チタン膜１４ａを構成する酸化チタンは、第１貫通導体８ａを構成する金属材料の酸化物と比較して、イオン化しにくく化学的に安定であり、且つ、緻密で強固な結晶構造を有する不動態被膜を形成している。それ故、イオン化した第１貫通導体８ａの金属材料が第１酸化チタン膜１４ａを通過しにくいため、隣接する第１貫通導体８ａ間で電界が発生した場合に、該イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａに侵入することを
低減することができる。また、第１樹脂層７ａに含まれる水分が第１酸化チタン膜１４ａを通過しにくいため、該水分に起因した第１貫通導体８ａの金属材料のイオン化を低減することができる。
【００４６】
したがって、第１貫通導体８ａの金属材料のイオン化を低減しつつ、イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａに侵入することを低減することにより、隣接した第１貫通導体８ａ間のイオンマイグレーションを低減し、ひいては配線基板４の電気的信頼性を向上させることができる。
【００４７】
さらに、本実施形態の配線基板４においては、第１介在膜９ａは、第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５を有している。
【００４８】
ここで、チタン膜１５を構成するチタンのヤング率（１１５．７ＧＰａ）は、第１酸化チタン膜１４ａを構成する二酸化チタンのヤング率（２８９．４ＧＰａ）よりも小さいため、チタン膜１５は第１酸化チタン膜１４ａよりも柔軟性が高い。それ故、チタン膜１５が第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に介されることによって、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとが直接当接している場合と比較して、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に印加される応力を緩和して、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができるため、該剥離に起因した第１貫通導体８ａのクラックを低減できる。また、チタン膜１５が第１酸化チタン膜１４ａに印加される応力を緩和することにより、第１酸化チタン膜１４ａにクラックが生じることを低減できるため、該クラックが第１貫通導体８ａに向って伸長することを低減できる。
【００４９】
したがって、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａのクラックを低減することにより、第１貫通導体８ａの断線を低減し、ひいては配線基板４の電気的信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、上述したように、本実施形態の配線基板４においては、チタン膜１５は第１酸化チタン膜１４ａに当接しており、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとの界面領域において、チタンと酸化チタンとが互いに分散して混合されることにより、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとを強固に接着させることができる。それ故、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができる。
【００５１】
また、本実施形態の配線基板４においては、前記界面領域で、酸化チタンの含有量が第１酸化チタン膜１４ａからチタン膜１５に向って減少するように設定されているとともに、チタンの含有量が第１酸化チタン膜１４ａからチタン膜１５に向って増加するように設定されている。その結果、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとをより強固に接着させることができる。
【００５２】
なお、第１介在膜９ａの前記界面領域において、チタンと酸化チタンとが互いに拡散して混合されていることは、ＴＥＭを用いた断面観察によって確認される。また、第１介在膜９ａの前記界面領域におけるチタンと酸化チタンとの含有量の変化は、ＥＰＭＡを用いた分析によって測定される。後述する第２介在膜９ｂの前記界面領域においても、チタンと酸化チタンとの拡散の確認と、チタン及び酸化チタンの含有量の変化は、第１介在膜９ａの場合と同様に行う。
【００５３】
また、本実施形態の配線基板４において、チタン膜１５は、第１酸化チタン膜１４ａよりも厚みが大きく設定されている。その結果、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に印加される応力をより緩和することができる。また、チタン膜１５は熱伝導率
が第１酸化チタン膜１４ａよりも高いため、チタン膜１５の厚みを第１酸化チタン膜１４ａよりも大きくすることにより、電子部品２の熱をより拡散させることができる。
【００５４】
この場合、チタン膜１５は、厚みが例えば４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されており、厚みが第１酸化チタン膜１４ａ（第１樹脂材料部１１ａとの当接部）の厚みの例えば２倍以上５倍以下に設定されている。また、第１酸化チタン膜１４ａは、厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。
【００５５】
また、本実施形態の配線基板４においては、チタン膜１５は、第１貫通導体８ａに当接している。ここで、金属材料同士は互いに拡散しやすいことから、第１貫通導体８ａとチタン膜１５との境界領域においては、互いに金属材料が拡散して混合しやすい。それ故、第１貫通導体８ａとチタン膜１５とが強固に接着されるため、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができる。
【００５６】
この第１貫通導体８ａとチタン膜１５との界面領域においては、例えば、銅とチタンとの銅チタン拡散混合層が形成されており、該銅チタン拡散混合層は、厚みが例えば１ｎｍ以上５ｎｍ以下に設定されている。なお、銅チタン拡散混合層は、ＴＥＭを用いて配線基板４の断面を観察することにより確認することができる。
【００５７】
また、本実施形態の配線基板４においては、第１酸化チタン膜１４ａは、無機絶縁繊維１３ａ及び第１樹脂材料部１１ａに当接しており、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みよりも小さく設定されている。
【００５８】
その結果、水分を含みやすくイオンマイグレーションが生じやすい第１樹脂材料部１１ａとの当接部においては、第１酸化チタン膜１４ａの厚みが大きいため、第１貫通導体８ａの金属材料による第１酸化チタン膜１４ａの通過を低減することができる。さらに、無機絶縁繊維１３ａとの当接部においては第１酸化チタン膜１４ａの厚みが小さく設定されていることから、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との間に凹凸を形成することができ、該凹凸のアンカー効果により、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との接着強度を高めることができる。また、第１樹脂材料部１１ａよりも硬い無機絶縁繊維１３ａとの当接部において、チタン膜１５よりも硬い第１酸化チタン膜１４ａを薄くしつつ、第１酸化チタン膜１４ａよりも柔らかいチタン膜１５を厚くすることにより、無機絶縁繊維１３ａによって第１介在膜９ａに印加される応力をチタン膜１５によって緩和し、第１介在膜９ａのクラックを低減することができる。
【００５９】
なお、第１酸化チタン膜１４ａは、第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みの例えば０．１倍以上０．９倍以下に設定されている。
【００６０】
一方、本実施形態の配線基板４においては、第１酸化チタン膜１４ａは無機絶縁粒子１２及び第１樹脂材料部１１ａに当接しており、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みよりも小さく設定されている。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａの場合と同様に、第１貫通導体８ａの金属材料による第１酸化チタン膜１４ａの通過を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との接着強度を高めることができる。
【００６１】
なお、第１酸化チタン膜１４ａは、第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが第１樹脂材料部１１
ａとの当接部の厚みの例えば０．１倍以上０．９倍以下に設定されている。
【００６２】
一方、本実施形態の配線基板４においては、図２に示すように、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、上述した第１樹脂層７ａと第２貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａと同様の構成及び作用効果を有している。なお、第２樹脂層７ｂが無機絶縁繊維１３ａを含んでいないため、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、無機絶縁繊維１３ａとの関係において、第１介在膜９ａと相違する。
【００６３】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板４を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００６４】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を説明する。
【００６５】
（コア基板の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、第１樹脂層７ａと該第１樹脂層７aの上下に配された
金属箔１６ｘとからなる金属張積層板５ｘを準備する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００６６】
未硬化の第１樹脂材料部１１ａ、無機絶縁粒子１２及び基材１３を含む複数の樹脂シートを積層して第１樹脂層前駆体を形成し、該第１絶縁層前駆体の上下に金属箔１６ｘを積層して積層体を形成した後、該積層体を厚み方向に加熱加圧することにより、該第１樹脂材料部１１ａを熱硬化させて第１樹脂層７ａを形成するとともに、上述した金属張積層板５ｘを作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００６７】
なお、金属箔１６ｘは、例えば銅、鉄ニッケル合金又は鉄ニッケルコバルト合金等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００６８】
（２）図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、例えばレーザー加工又はドリル加工を用いて、金属張積層板５ｘを厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１を形成し、該第１貫通孔Ｐ１内に第１樹脂層７ａを露出させる。
【００６９】
（３）図４（ａ）に示すように、第１介在膜９ａを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。具体的には例えば以下のように行う。
【００７０】
スパッタリング法又は蒸着法を用いて、第１貫通孔Ｐ１内に露出した第１樹脂層７ａの表面にチタンを被着させる。ここで、第１樹脂層７ａは樹脂分子の一部が酸化されていることから、第１樹脂層７ａの表面に被着したチタンが該酸化した樹脂分子によって酸化されるため、第１酸化チタン膜１４ａが形成される。この第１酸化チタン膜１４ａの厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に達すると、第１貫通孔Ｐ１側に被着されたチタンが第１酸化チタン膜１４ａによって第１樹脂層７ａから保護されるため、該チタンの酸化が抑制されることとなり、第１酸化チタン膜１４ａの形成が停止する。したがって、第１酸化チタン膜１４ａの形成が停止する厚みよりも厚く、チタンを第１樹脂層７ａの表面に被着させることにより、第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通孔Ｐ１側にチタン膜１５を形成することができる。以上のようにして、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５を有する第１介在膜９ａを形成することができる。
【００７１】
また、チタンの被着は、気圧が１．０×１０−２Ｐａ以上１０Ｐａ以下に設定された真空条件下で行う。その結果、第１貫通孔Ｐ１側におけるチタンの酸化を抑制することがで
き、第１貫通孔Ｐ１内にチタン膜１５を露出させることができる。
【００７２】
なお、スパッタリング法としては、マグネトロンスパッタリング法を用いることが望ましい。その結果、より低圧下でスパッタリングを行うことができるため、スパッタリング時に放出される金属粒子の平均自由行程を大きくすることができ、細長形状の第１貫通孔Ｐ１の内壁全体を被膜しやすることができる。
【００７３】
また、蒸着法としては、イオンプレーティング法又はイオンアシスト法を用いることが望ましい。その結果、イオンプレーティング法又はイオンアシスト法を用いた場合、電荷を帯びた金属粒子を蒸着させるため、細長形状の第１貫通孔Ｐ１の内壁へ効率良く被覆させることができる。
【００７４】
（４）図４（ｂ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１貫通導体８ａを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００７５】
まず、図４（ｂ）に示すように、スパッタリング法又は蒸着法を用いて、第１貫通孔Ｐ１内に露出した介在膜９ａに金属材料を被着させることにより、第１貫通導体下地膜８ａｘを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。このようにスパッタリング法又は蒸着法を用いることにより、第１介在膜９ａと第１貫通導体下地膜８ａｘとの密着強度を高めることができる。
【００７６】
ここで、（３）の工程における真空条件は、第１介在膜９ａの形成時から第１貫通導体下地膜８ａｘが形成されるまでの間、維持されている。その結果、第１貫通孔Ｐ１側からのチタンの酸化を抑制することにより、第１貫通孔Ｐ１側に配されたチタン膜１５を維持しつつ、第１貫通導体下地膜８ａｘを形成することができ、ひいてはチタン膜１５を第１貫通導体下地膜８ａｘに当接させることができる。このチタン膜１５の第１貫通孔Ｐ１側に位置する表面は、第１貫通導体下地膜８ａｘによって保護される。
【００７７】
次に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、電気めっき法を用いて、第１貫通導体下地膜８ａｘに金属材料を被着させることにより、第１貫通導体下地膜８ａｘを含む円筒状の第１貫通導体８ａを形成する。この金属材料を被着させる際に、チタン膜１５は上述したように第１貫通導体下地膜８ａｘによって保護されているため、電気めっき法に用いられるめっき液からチタン膜１５を保護することができ、ひいては該めっき液に起因したチタン膜１５の酸化を抑制することができる。その結果、第１貫通導体下地膜８ａｘに当接されたチタン膜１５を維持することにより、第１貫通導体８ａに当接されたチタン膜１５を形成することができる。
【００７８】
なお、第１貫通導体下地膜８ａｘは、第１貫通導体８ａを構成する金属材料との同一の金属材料により構成されている。この第１貫通導体下地膜８ａｘは、第１介在膜９ａ保護の観点から、厚みが第１介在膜９ａの厚みよりも大きいことが望ましい。
【００７９】
（５）図６（ａ）に示すように、第１貫通導体８ａの内部に絶縁体１０を形成し、第１樹脂層７ａの上下に導電層１５を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００８０】
まず、円筒状の第１貫通導体８ａの内部に樹脂材料等を充填し、絶縁体１０を形成する。次に、導電材料を絶縁体１０の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔１６ｘをパターニングして導電層１６を形成する。
【００８１】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００８２】
（配線基板の作製）
（６）図６（ｂ）に示すように、コア基板５の上下に一対の配線層６を形成することにより、配線基板４を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００８３】
まず、未硬化の樹脂を導電層１６上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層１６上に第２樹脂層７ｂを形成する。次に、（２）の工程と同様に、第２樹脂層７ｂに第２貫通孔Ｐ２を形成し、第２貫通孔Ｐ２内に導電層１６の少なくとも一部を露出させる。次に、（３）及び（４）の工程と同様に、第２貫通孔Ｐ２内に第２介在膜９ｂ及び第２貫通導体８ｂを形成するとともに、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、第２樹脂層７ｂの上面に導電層１６を形成する。
【００８４】
以上のようにして、配線基板４を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６において第２樹脂層７ｂ及び導電層１６を多層化させることができる。
【００８５】
（実装構造体の作製）
（７）最上層の導電層１６上面にバンプ３を形成するとともにバンプ３を介して配線基板４に電子部品２をフリップチップ実装する。
【００８６】
以上のようにして、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製することができる。
【００８７】
なお、上述した第１実施形態において、電子部品に半導体素子を用いた構成を例に説明したが、電子部品としてはコンデンサ等を用いても構わない。
【００８８】
また、上述した第１実施形態において、電子部品を配線基板にフリップチップ実装した構成を例に説明したが、電子部品を配線基板にワイヤボンディング実装しても構わない。
【００８９】
また、上述した第１実施形態において、第２絶縁層を１層含む配線層を備えた構成を例に説明したが、配線層は第２絶縁層を何層含んでも構わない。
【００９０】
また、上述した第１実施形態において、第１樹脂層は、第１樹脂材料部、無機絶縁粒子及び基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は第１樹脂材料部を含んでいればよく、無機絶縁粒子を含まなくても構わないし、基材を含まなくても構わないし、第１樹脂材料に被覆された金属板を更に含んでいても構わない。
【００９１】
また、上述した第１実施形態において、無機絶縁繊維からなる基材を用いた構成を例に説明したが、基材を構成する繊維は、無機絶縁繊維でなくてもよく、例えばポリイミド樹脂又はポリアミド樹脂からなる有機繊維を用いても構わない。ここで、有機繊維を用いた場合、第１樹脂材料部よりも酸化されにくい材料からなる有機繊維を用いることにより、第１酸化チタン膜の厚みを、有機繊維との当接部において小さくすることができる。
【００９２】
また、上述した第１実施形態において、基材として織布を用いた構成を例に説明したが、基材は繊維により構成されていればよく、繊維を一方向に配列したものや不織布を用いても構わない。
【００９３】
また、上述した第１実施形態において、第１貫通孔の内壁に筒状の第１貫通導体を被着させ、該第１貫通導体内に絶縁体を充填した構成を例に説明したが、絶縁体を形成することなく、第１貫通孔内に第１貫通導体を充填しても構わない。
【００９４】
また、上述した第１実施形態において、チタン膜は、厚みが第１酸化チタン膜よりも大
きく設定された構成を例に説明したが、介在膜がチタン膜を有していればよく、第１酸化チタン膜の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、チタン膜の厚みが例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定され、チタン膜の厚みが第１酸化チタン膜（第１樹脂材料部との当接部）の厚みの例えば０．５倍以上１０倍以下に設定されていても構わない。また、図７（ａ）に示すように、チタン膜１５´の厚みは第１酸化チタン膜１４ａ´の厚みよりも小さくても構わない。
【００９５】
また、上述した第１実施形態において、第１酸化チタン膜は、第１樹脂材料との当接部における厚みが、無機絶縁粒子との当接部及び無機絶縁繊維との当接部における厚みよりも、大きく設定された構成を例に説明したが、介在膜が第１酸化チタン膜を有していればよく、図７（ａ）に示すように、第１酸化チタン膜１４ａ´の厚みが第１樹脂層７ａ´の厚み方向に渡って同一に設定されていても構わない。この場合、例えば、基材に含まれる繊維１３ａ´として、第１樹脂材料部１１ａ´と同一の樹脂材料からなる有機繊維を用いることや、第１樹脂層７ａ´として、第１樹脂材料部１１ａ´における無機絶縁粒子１２´の含有量が少ない第１樹脂層７ａ´を用いることにより、第１樹脂層７ａ´の厚み方向に渡って厚みが同一の第１酸化チタン膜１４ａ´を形成することができる。
【００９６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図７（ｂ）に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第２実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００９７】
第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１介在膜９ａＡは、チタン膜１５Ａ及び第１酸化チタン膜１４ａＡに加え、チタン膜１５Ａよりも第１貫通導体８ａＡ側に配され、第１貫通導体８ａＡに当接された第２酸化チタン膜１４ｂＡを更に有している。
【００９８】
それ故、イオン化した第１貫通導体８ａＡの金属材料が第２酸化チタン膜１４ｂＡを通過しにくいため、隣接する第１貫通導体８ａＡ間で電界が発生した場合に、該イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａＡに侵入することを低減することができる。また、第１樹脂層７ａＡに含まれる水分が第２酸化チタン膜１４ｂＡを通過しにくいため、該水分に起因した第１貫通導体８ａＡの金属材料のイオン化を低減することができる。
【００９９】
この第２酸化チタン膜１４ｂＡは、例えば厚み方向及び周回方向に渡ってチタン膜１５Ａを被覆している。この第２酸化チタン膜１４ｂＡの厚みは、例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。また、第２酸化チタン膜１４ｂＡの厚みは、例えば、第１酸化チタン膜１４ａＡ（第１樹脂材料１１ａＡとの当接部）の厚みと略同一に設定されており、すなわち、第１酸化チタン膜１４ａＡ（第１樹脂材料１１ａＡとの当接部）の厚みの例えば０．８倍以上１．２倍以下に設定されている。
【０１００】
第２酸化チタン膜１４ｂＡは、例えば以下のようにして形成することができる。上述した第１実施形態に係る配線基板の製造方法において、（３）の工程において、チタン膜１５Ａの厚みを４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成した後、（４）の工程の前に、一度大気に晒して第１貫通孔Ｐ１Ａ側からチタン膜１５Ａの表面を酸化させる。その結果、第１酸化チタン膜１４ａＡと同様に、第２酸化チタン膜１４ｂＡが形成される。
【０１０１】
一方、第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１酸化チタン膜１４ａＡは、第１樹脂材料部１１ａＡに当接しているとともに、第１介在膜９ａＡの無機絶縁繊維１３ａＡとの当接部に第１孔部Ｃ１Ａが形成されており、チタン膜１５Ａの一部は、第１孔部Ｃ１Ａに充填されているとともに無機絶縁繊維１３ａＡに当接している。
【０１０２】
その結果、水分を含みやすい第１樹脂材料部１１ａＡとの当接部においては、第１酸化チタン膜１４ａによって、第１貫通導体８ａの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減することができる。さらに、無機絶縁繊維１３ａＡとの当接部においてはチタン膜１５Ａの一部が第１孔部Ｃ１Ａに充填されていることから、第１実施形態よりも大きい凹凸を第１酸化チタン膜１４ａＡとチタン膜１５Ａとの間に形成することができ、該凹凸のアンカー効果を高めることができる。また、柔軟性が高くクラックの生じにくいチタン膜１５Ａを剛性の高い無機絶縁繊維１３ａＡに当接させるとともに、剛性が高くクラックが生じやすい第１酸化チタン膜１４ａＡを柔軟性の高い第１樹脂材料部１１ａＡに当接させることにより、第１介在膜９ａＡのクラックを低減することができる。
【０１０３】
また、無機絶縁繊維１３ａＡと第１樹脂材料部１１ａＡとの境界領域においては、第１酸化チタン膜１４ａＡが、無機絶縁繊維１３ａＡ及び第１樹脂材料部１１ａＡの双方に当接している。
【０１０４】
その結果、無機絶縁繊維１３ａＡと第１樹脂材料部１１ａＡとの剥離に起因してイオンマイグレーションが生じやすい該境界領域において、第１酸化チタン膜１４ａＡによって、第１貫通導体８ａＡの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減することができ、ひいては隣接する第１貫通導体８ａＡ間のイオンマイグレーションを低減することができる。
【０１０５】
チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ１Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。まず、（２）の工程にて、第１貫通孔Ｐ１内壁をプラズマ処理又はデスミア処理することによって、第１貫通孔Ｐ１側における無機絶縁繊維１３ａＡの端部に付着した、第１樹脂材料部１１ａＡの樹脂残渣を除去する。次に、（３）の工程にて、チタンを被着させて第１介在膜９ａＡを形成する。その結果、無機絶縁繊維１３ａＡの第１貫通孔Ｐ１に露出した表面への樹脂残滓の付着が抑制されているため、無機絶縁繊維１３ａＡに被着されたチタンの酸化を抑制し、チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ１Ａを形成することができる。
【０１０６】
一方、第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１酸化チタン膜１４ａＡは、第１樹脂材料部１１ａＡに当接しているとともに、第１介在膜９ａＡの無機絶縁粒子１２Ａとの当接部に第２孔部Ｃ２Ａが形成されており、チタン膜１５Ａの一部は、第２孔部Ｃ２Ａに充填されているとともに無機絶縁粒子１２Ａに当接している。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａＡの場合と同様に、第１貫通導体８ａの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａＡとチタン膜１５Ａとの接着強度を高めるとともに、第１介在膜９ａＡのクラックを低減することができる。
【０１０７】
また、無機絶縁粒子１２Ａと第１樹脂材料部１１ａＡとの境界領域においては、第１酸化チタン膜１４ａＡが、無機絶縁粒子１２Ａ及び第１樹脂材料部１１ａＡの双方に当接している。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａＡの場合と同様に、隣接する第１貫通導体８ａＡ間のイオンマイグレーションを低減することができる。
【０１０８】
チタン膜１５Ａの一部が充填された第２孔部Ｃ２Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。
【０１０９】
まず、（２）の工程において、第１貫通孔Ｐ１内壁をプラズマ処理又はデスミア処理する。これにより、第１貫通孔Ｐ１の内壁から第１樹脂材料部１１ａＡを部分的に除去することができるため、無機絶縁粒子１２Ａを第１樹脂層７ａＡから突出させて、第１貫通孔Ｐ１内に無機絶縁粒子１２Ａの表面を大きく露出させる。次に、（３）の工程において、チタンを被着させることにより、無機絶縁粒子１２Ａの第１貫通孔Ｐ１内に露出した表面
に被着されたチタンの酸化を抑制し、チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ２Ａを形成することができる。
【０１１０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能であり、第１実施形態と第２実施形態との各構成を互いに置換することができ、例えば、第１実施形態の第１酸化チタン膜の構成を第２実施形態の第１酸化チタン膜に適用しても構わない。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ バンプ
４ 配線基板
５ コア基板
６ 配線層
７ａ 第１樹脂層
７ｂ 第２樹脂層
８ａ 第１貫通導体
８ｂ 第２貫通導体
９ａ 第１介在膜
９ｂ 第２介在膜
１０ 絶縁体
１１ａ 第１樹脂材料部
１１ｂ 第２樹脂材料部
１２ 無機絶縁粒子
１３ 基材
１３ａ 無機絶縁繊維
１４ａ 第１酸化チタン膜
１５ チタン膜
１６ 導電層
Ｐ１ 第１貫通孔
Ｐ２ 第２貫通孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
配線基板に関して、特許文献１には、絶縁性樹脂を含む絶縁層（樹脂層）と、該絶縁層を貫通するスルーホールの内壁に被着しためっき層（スルーホール導体）と、を備えた構成が開示されている。
【０００４】
ところで、配線基板内の水分に起因して、スルーホール導体に含まれる導電材料がイオン化することがあり、この場合、隣接するスルーホール導体間に電界が印加されると、イオン化した導電材料が隣接するスルーホール導体に向って樹脂層内に侵入することがある（イオンマイグレーション）。
【０００５】
その結果、該樹脂層に侵入した導電材料が隣接するスルーホール導体に達すると、隣接するスルーホール導体同士が短絡し、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。それ故、スルーホール導体間の絶縁性を向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１０１１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板は、貫通孔が形成された樹脂層と、該貫通孔内に配された貫通導体と、前記樹脂層と前記貫通導体との間に介された介在膜とを備え、該介在膜は、前記樹脂層に当接した第１酸化チタン膜と、該第１酸化チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記第１酸化チタン膜に当接したチタン膜とを有する。
【０００９】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、上述した配線基板と、前記配線基板に搭載され、前記貫通導体と電気的に接続された電子部品とを備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、貫通導体と樹脂層との間に介された介在膜が酸化チタン膜を有しているため、イオン化した導電材料の樹脂層内への侵入を酸化チタン膜によって低減することにより、貫通導体同士の絶縁性を高めることができる。一方、該介在膜がチタン膜を有しているため、酸化チタン膜と貫通導体との接着強度を高めることにより、貫通導体の信頼性を高めることができる。それ故、貫通導体同士の絶縁性及び貫通導体の信頼性を高めることができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る実装構造体の厚み方向に沿った断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分の拡大図である。
【図２】図２は、図１（ａ）のＲ２部分の拡大図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ３部分の拡大図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図３（ｂ）のＲ３部分に相当する部分の拡大図である。
【図５】図５（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＲ４部分の拡大図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の第１実施形態の変形例に係る実装構造体において、図１（ａ）のＲ１部分に相当する部分の拡大図であり、図７（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る実装構造体において、図１（ａ）のＲ１部分に相当する部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がバンプ３を介してフリップチップ実装された平板状の配線基板４と、を含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。
【００１５】
バンプ３は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。
【００１６】
配線基板４は、コア基板５と、該コア基板５の上下に配された一対の配線層６と、を含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板４の強度を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１が複数形成された平板状の第１樹脂層７ａと、第１貫通孔Ｐ１内に配された筒状の第１貫通導体８ａと、第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａと、第１貫通導体８ａの内部に配された柱状の絶縁体１０と、を含んでいる。
【００１８】
第１樹脂層７aは、コア基板５の主要部をなして剛性を高めるものであり、第１樹脂材
料部１１ａと、該第１樹脂材料部１１ａ内に含有された複数の無機絶縁粒子１２と、該第１樹脂材料部１１ａにより被覆された基材１３と、を含んでいる。
【００１９】
この第１樹脂層７ａは、厚みが例えば０．０８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下に設定され、平
面方向への熱膨張率が例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が平面方向への熱膨張率の例えば１．５倍以上３倍以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２０】
なお、第１樹脂層７ａの厚みは、第１樹脂層７ａを厚み方向に沿って切断し、その研摩面若しくは破断面を走査型電子顕微鏡で観察し、厚み方向に沿った長さを測定し、その平均値を算出することにより測定される。また、第１樹脂層７ａの熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、第１樹脂層７ａのヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材の厚み、熱膨張率及びヤング率は、特にことわりがない場合、第１樹脂層７ａと同様に測定する。
【００２１】
第１樹脂層７ａに含まれる第１樹脂材料部１１ａは、第１樹脂層７aの主要部をなすも
のであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料を含むものを使用することができる。この第１樹脂材料部１１ａは、各方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定されている。
【００２２】
第１樹脂材料部１１ａ内に含有された複数の無機絶縁粒子１２は、無機絶縁フィラーを構成し、第１樹脂層７ａの熱膨張率を低減するとともに第１樹脂層７ａの剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素を含む無機絶縁材料を用いることができる。なお、該無機絶縁材料は、酸化ケイ素に加えて、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等を含有するものを用いても構わない。また、無機絶縁粒子１２は、酸化ケイ素を６５重量％以上１００重量％以下含有することが望ましい。
【００２３】
この無機絶縁粒子１２は、例えば球状に形成されており、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、第１樹脂材料部１１ａ内における含有量が例えば５０体積％以上８５体積％以下に設定され、各方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２４】
なお、無機絶縁粒子１２の粒径は、第１樹脂層７ａの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。また、第１樹脂層７ａの第１樹脂材料部１１ａ内における無機絶縁粒子１２の含有量(体積％)は、第１樹脂層７ａの研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂材料部１１ａ及び無機絶縁粒子１２の面積の合計値に対して無機絶縁粒子１２の占める面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより測定される。
【００２５】
第１樹脂材料部１１ａに被覆された基材１３は、第１樹脂層７ａの剛性を高めるものであり、平面方向への熱膨張率が厚み方向よりも小さいため、配線基板４と電子部品２との平面方向への熱膨張率の差を低減し、配線基板４の反りを低減できる。この基材１３としては、無機絶縁繊維１３ａが縦横に織り込まれてなる織布を使用することができ、無機絶縁繊維１３ａとしては、例えばガラス繊維を使用することができる。
【００２６】
第１樹脂層７aを厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１は、例えば円柱状に形成されてお
り、平面方向に沿った断面積が３００μｍ２以上４００００μｍ２以下に設定されている。
【００２７】
第１貫通孔Ｐ１内に配された第１貫通導体８ａは、コア基板５上下の配線層６同士を電気的に接続するものであり、銅（導電率７．７４x１０６ｍ・Ω、熱伝導率４０１Ｗ／（
ｍ・Ｋ）、熱膨張率１６．５ｐｐｍ／℃、ヤング率１３０ＧＰａ）を含む金属材料により形成されたものを用いることができる。このように導電率と熱伝導率に優れた金属材料を用いることにより、第１貫通導体８ａの信号伝送特性を高めるとともに、電子部品２から後述する導電層１６及び第２貫通導体８ｂを介して伝わった熱を外部へ効率良く放散させることができる。この第１貫通導体８ａは、厚みが２μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。
【００２８】
第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａは、第１樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５と、を有する。この第１介在膜９ａは、厚みが例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されており、厚みが第１貫通導体８ａの厚みの例えば０．０００３倍以上０．０５倍以下に設定されている。
【００２９】
第１酸化チタン膜１４ａは、絶縁物である酸化チタン（チタンの酸化物）を例えば９９．９重量％以上１００重量％未満含有しており、例えば酸化チタンに加えて鉄を０．０１重量％未満含有しても構わない。この酸化チタンは、二酸化チタンを例えば５０重量％以上１００重量％未満含有しており、例えば二酸化チタンに加えて、Ｔｉ２Ｏ５、ＴｉＯ３、ＴｉＯ、Ｔｉ６Ｏ、Ｔｉ３Ｏ又はＴｉ２Ｏ等を含有しても構わない。
【００３０】
チタン膜１５は、チタン（導電率２．３４x１０６ｍ・Ω、熱伝導率２１．９Ｗ／（ｍ
・Ｋ）、熱膨張率８．６ｐｐｍ／℃、ヤング率１０６ＧＰａ）を例えば９９．９重量％以上１００重量％未満含有しており、例えばチタンに加えて鉄を０．０１重量％未満含有しても構わない。
【００３１】
なお、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の判別は、第１介在膜９ａを厚み方向に沿って切断し、その研摩面若しくは破断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、透過性を示すか否かで行うことができる。また、その観察時にＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）を用いることにより、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の化学組成の分析及び厚みの算出を行うことができる。後述する第２介在膜９ｂにおいても、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５の判別、化学組成の分析及び厚みの算出は、第１介在膜９ａにおけるものと同様に行う。
【００３２】
第１貫通導体８ａの内部に配された絶縁体１０は、後述する第２貫通導体８ｂの支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００３３】
一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、図１（ａ）及び図２に示すように、第１樹脂層７a上に積層され、厚み方向に貫
通する第２貫通孔Ｐ２が複数形成された第２樹脂層７ｂと、第１樹脂層７a上又は第２樹
脂層７ｂ上に形成された導電層１６と、第２貫通孔Ｐ２内に配され、導電層１６に電気的に接続された第２貫通導体８ｂと、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂと、を含んでいる。
【００３４】
第２樹脂層７ｂは、導電層１６を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層
１６同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、第２樹脂材料部１１ｂと、該第２樹脂材料部１１ｂ内に含有された無機絶縁粒子１２と、を含んでいる。
【００３５】
この第２樹脂層７ｂは、厚みが例えば３μｍ以上５０μｍ以下に設定され、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下に設定されている。
【００３６】
第２樹脂絶縁部７ｂ１に含まれる第２樹脂材料部１１ｂとしては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等により形成されたものを使用することができる。
【００３７】
第２樹脂材料部１１ｂ内に含有された無機絶縁粒子１２としては、上述した第１樹脂層７aに含まれる無機絶縁粒子１２と同様のものを用いることができる。
【００３８】
導電層１６は、厚み方向に互いに離間するとともに第１樹脂層７a上及び第２樹脂層７
ｂ上に間隙を空けて配置されており、銅により形成されたものを使用することができる。
【００３９】
第２貫通導体８ｂは、厚み方向に互いに離間した導電層１６同士を相互に接続するものであり、例えば配線基板４の平面方向に沿った断面が円形であるとともに該断面の面積がコア基板５に向って小さくなる柱状に形成されており、第１貫通導体８ａと同様に、銅により形成されたものを使用することができる。この第２貫通導体８ｂは、配線基板４の平面方向に沿った断面積が３００μｍ２以上７００μｍ２以下に設定されている。
【００４０】
第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、第２樹脂層７ｂに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも第２貫通導体８ｂ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５と、を有する。
【００４１】
この第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５は、上述したコア基板５に含まれる第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５と同様の構成を有している。
【００４２】
ところで、第１樹脂層７ａの第１樹脂材料部１１ａを構成する樹脂材料又は絶縁体１０を構成する樹脂材料に含まれる水分が第１貫通導体８ａに接触すると、第１貫通導体８ａを構成する金属材料がイオン化することがある。
【００４３】
また、第１貫通導体８ａ、導電層１６及び第２貫通導体８ｂは、互いに電気的に接続されることにより、例えば接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能する１組の配線部を構成している。このように、第１貫通導体８ａは、例えば接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線としての機能を有することから、隣接する第１貫通導体８ａと異なる電圧になる場合があり、隣接する第１貫通導体８ａ間で電界が発生することがある。
【００４４】
一方、本実施形態の配線基板４においては、図１（ａ）に示すように、第１樹脂層７ａと第１貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａは、第１樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａを有している。
【００４５】
ここで、第１酸化チタン膜１４ａを構成する酸化チタンは、第１貫通導体８ａを構成する金属材料の酸化物と比較して、イオン化しにくく化学的に安定であり、且つ、緻密で強固な結晶構造を有する不動態被膜を形成している。それ故、イオン化した第１貫通導体８ａの金属材料が第１酸化チタン膜１４ａを通過しにくいため、隣接する第１貫通導体８ａ間で電界が発生した場合に、該イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａに侵入することを
低減することができる。また、第１樹脂層７ａに含まれる水分が第１酸化チタン膜１４ａを通過しにくいため、該水分に起因した第１貫通導体８ａの金属材料のイオン化を低減することができる。
【００４６】
したがって、第１貫通導体８ａの金属材料のイオン化を低減しつつ、イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａに侵入することを低減することにより、隣接した第１貫通導体８ａ間のイオンマイグレーションを低減し、ひいては配線基板４の電気的信頼性を向上させることができる。
【００４７】
さらに、本実施形態の配線基板４においては、第１介在膜９ａは、第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５を有している。
【００４８】
ここで、チタン膜１５を構成するチタンのヤング率（１１５．７ＧＰａ）は、第１酸化チタン膜１４ａを構成する二酸化チタンのヤング率（２８９．４ＧＰａ）よりも小さいため、チタン膜１５は第１酸化チタン膜１４ａよりも柔軟性が高い。それ故、チタン膜１５が第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に介されることによって、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとが直接当接している場合と比較して、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に印加される応力を緩和して、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができるため、該剥離に起因した第１貫通導体８ａのクラックを低減できる。また、チタン膜１５が第１酸化チタン膜１４ａに印加される応力を緩和することにより、第１酸化チタン膜１４ａにクラックが生じることを低減できるため、該クラックが第１貫通導体８ａに向って伸長することを低減できる。
【００４９】
したがって、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａのクラックを低減することにより、第１貫通導体８ａの断線を低減し、ひいては配線基板４の電気的信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、上述したように、本実施形態の配線基板４においては、チタン膜１５は第１酸化チタン膜１４ａに当接しており、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとの界面領域において、チタンと酸化チタンとが互いに分散して混合されることにより、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとを強固に接着させることができる。それ故、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができる。
【００５１】
また、本実施形態の配線基板４においては、前記界面領域で、酸化チタンの含有量が第１酸化チタン膜１４ａからチタン膜１５に向って減少するように設定されているとともに、チタンの含有量が第１酸化チタン膜１４ａからチタン膜１５に向って増加するように設定されている。その結果、チタン膜１５と第１酸化チタン膜１４ａとをより強固に接着させることができる。
【００５２】
なお、第１介在膜９ａの前記界面領域において、チタンと酸化チタンとが互いに拡散して混合されていることは、ＴＥＭを用いた断面観察によって確認される。また、第１介在膜９ａの前記界面領域におけるチタンと酸化チタンとの含有量の変化は、ＥＰＭＡを用いた分析によって測定される。後述する第２介在膜９ｂの前記界面領域においても、チタンと酸化チタンとの拡散の確認と、チタン及び酸化チタンの含有量の変化は、第１介在膜９ａの場合と同様に行う。
【００５３】
また、本実施形態の配線基板４において、チタン膜１５は、第１酸化チタン膜１４ａよりも厚みが大きく設定されている。その結果、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの間に印加される応力をより緩和することができる。また、チタン膜１５は熱伝導率
が第１酸化チタン膜１４ａよりも高いため、チタン膜１５の厚みを第１酸化チタン膜１４ａよりも大きくすることにより、電子部品２の熱をより拡散させることができる。
【００５４】
この場合、チタン膜１５は、厚みが例えば４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されており、厚みが第１酸化チタン膜１４ａ（第１樹脂材料部１１ａとの当接部）の厚みの例えば２倍以上５倍以下に設定されている。また、第１酸化チタン膜１４ａは、厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。
【００５５】
また、本実施形態の配線基板４においては、チタン膜１５は、第１貫通導体８ａに当接している。ここで、金属材料同士は互いに拡散しやすいことから、第１貫通導体８ａとチタン膜１５との境界領域においては、互いに金属材料が拡散して混合しやすい。それ故、第１貫通導体８ａとチタン膜１５とが強固に接着されるため、第１貫通導体８ａと第１酸化チタン膜１４ａとの剥離を低減することができる。
【００５６】
この第１貫通導体８ａとチタン膜１５との界面領域においては、例えば、銅とチタンとの銅チタン拡散混合層が形成されており、該銅チタン拡散混合層は、厚みが例えば１ｎｍ以上５ｎｍ以下に設定されている。なお、銅チタン拡散混合層は、ＴＥＭを用いて配線基板４の断面を観察することにより確認することができる。
【００５７】
また、本実施形態の配線基板４においては、第１酸化チタン膜１４ａは、無機絶縁繊維１３ａ及び第１樹脂材料部１１ａに当接しており、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みよりも小さく設定されている。
【００５８】
その結果、水分を含みやすくイオンマイグレーションが生じやすい第１樹脂材料部１１ａとの当接部においては、第１酸化チタン膜１４ａの厚みが大きいため、第１貫通導体８ａの金属材料による第１酸化チタン膜１４ａの通過を低減することができる。さらに、無機絶縁繊維１３ａとの当接部においては第１酸化チタン膜１４ａの厚みが小さく設定されていることから、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との間に凹凸を形成することができ、該凹凸のアンカー効果により、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との接着強度を高めることができる。また、第１樹脂材料部１１ａよりも硬い無機絶縁繊維１３ａとの当接部において、チタン膜１５よりも硬い第１酸化チタン膜１４ａを薄くしつつ、第１酸化チタン膜１４ａよりも柔らかいチタン膜１５を厚くすることにより、無機絶縁繊維１３ａによって第１介在膜９ａに印加される応力をチタン膜１５によって緩和し、第１介在膜９ａのクラックを低減することができる。
【００５９】
なお、第１酸化チタン膜１４ａは、第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁繊維１３ａとの当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みの例えば０．１倍以上０．９倍以下に設定されている。
【００６０】
一方、本実施形態の配線基板４においては、第１酸化チタン膜１４ａは無機絶縁粒子１２及び第１樹脂材料部１１ａに当接しており、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みよりも小さく設定されている。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａの場合と同様に、第１貫通導体８ａの金属材料による第１酸化チタン膜１４ａの通過を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａとチタン膜１５との接着強度を高めることができる。
【００６１】
なお、第１酸化チタン膜１４ａは、第１樹脂材料部１１ａとの当接部の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定され、無機絶縁粒子１２との当接部の厚みが第１樹脂材料部１１
ａとの当接部の厚みの例えば０．１倍以上０．９倍以下に設定されている。
【００６２】
一方、本実施形態の配線基板４においては、図２に示すように、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、上述した第１樹脂層７ａと第２貫通導体８ａとの間に介された第１介在膜９ａと同様の構成及び作用効果を有している。なお、第２樹脂層７ｂが無機絶縁繊維１３ａを含んでいないため、第２樹脂層７ｂと第２貫通導体８ｂとの間に介された第２介在膜９ｂは、無機絶縁繊維１３ａとの関係において、第１介在膜９ａと相違する。
【００６３】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板４を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００６４】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を説明する。
【００６５】
（コア基板の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、第１樹脂層７ａと該第１樹脂層７aの上下に配された
金属箔１６ｘとからなる金属張積層板５ｘを準備する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００６６】
未硬化の第１樹脂材料部１１ａ、無機絶縁粒子１２及び基材１３を含む複数の樹脂シートを積層して第１樹脂層前駆体を形成し、該第１絶縁層前駆体の上下に金属箔１６ｘを積層して積層体を形成した後、該積層体を厚み方向に加熱加圧することにより、該第１樹脂材料部１１ａを熱硬化させて第１樹脂層７ａを形成するとともに、上述した金属張積層板５ｘを作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００６７】
なお、金属箔１６ｘは、例えば銅、鉄ニッケル合金又は鉄ニッケルコバルト合金等の金属材料により形成されたものを使用することができる。
【００６８】
（２）図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、例えばレーザー加工又はドリル加工を用いて、金属張積層板５ｘを厚み方向に貫通する第１貫通孔Ｐ１を形成し、該第１貫通孔Ｐ１内に第１樹脂層７ａを露出させる。
【００６９】
（３）図４（ａ）に示すように、第１介在膜９ａを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。具体的には例えば以下のように行う。
【００７０】
スパッタリング法又は蒸着法を用いて、第１貫通孔Ｐ１内に露出した第１樹脂層７ａの表面にチタンを被着させる。ここで、第１樹脂層７ａは樹脂分子の一部が酸化されていることから、第１樹脂層７ａの表面に被着したチタンが該酸化した樹脂分子によって酸化されるため、第１酸化チタン膜１４ａが形成される。この第１酸化チタン膜１４ａの厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に達すると、第１貫通孔Ｐ１側に被着されたチタンが第１酸化チタン膜１４ａによって第１樹脂層７ａから保護されるため、該チタンの酸化が抑制されることとなり、第１酸化チタン膜１４ａの形成が停止する。したがって、第１酸化チタン膜１４ａの形成が停止する厚みよりも厚く、チタンを第１樹脂層７ａの表面に被着させることにより、第１酸化チタン膜１４ａよりも第１貫通孔Ｐ１側にチタン膜１５を形成することができる。以上のようにして、第１酸化チタン膜１４ａ及びチタン膜１５を有する第１介在膜９ａを形成することができる。
【００７１】
また、チタンの被着は、気圧が１．０×１０−２Ｐａ以上１０Ｐａ以下に設定された真空条件下で行う。その結果、第１貫通孔Ｐ１側におけるチタンの酸化を抑制することがで
き、第１貫通孔Ｐ１内にチタン膜１５を露出させることができる。
【００７２】
なお、スパッタリング法としては、マグネトロンスパッタリング法を用いることが望ましい。その結果、より低圧下でスパッタリングを行うことができるため、スパッタリング時に放出される金属粒子の平均自由行程を大きくすることができ、細長形状の第１貫通孔Ｐ１の内壁全体を被膜しやすることができる。
【００７３】
また、蒸着法としては、イオンプレーティング法又はイオンアシスト法を用いることが望ましい。その結果、イオンプレーティング法又はイオンアシスト法を用いた場合、電荷を帯びた金属粒子を蒸着させるため、細長形状の第１貫通孔Ｐ１の内壁へ効率良く被覆させることができる。
【００７４】
（４）図４（ｂ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１貫通導体８ａを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００７５】
まず、図４（ｂ）に示すように、スパッタリング法又は蒸着法を用いて、第１貫通孔Ｐ１内に露出した介在膜９ａに金属材料を被着させることにより、第１貫通導体下地膜８ａｘを第１貫通孔Ｐ１内に形成する。このようにスパッタリング法又は蒸着法を用いることにより、第１介在膜９ａと第１貫通導体下地膜８ａｘとの密着強度を高めることができる。
【００７６】
ここで、（３）の工程における真空条件は、第１介在膜９ａの形成時から第１貫通導体下地膜８ａｘが形成されるまでの間、維持されている。その結果、第１貫通孔Ｐ１側からのチタンの酸化を抑制することにより、第１貫通孔Ｐ１側に配されたチタン膜１５を維持しつつ、第１貫通導体下地膜８ａｘを形成することができ、ひいてはチタン膜１５を第１貫通導体下地膜８ａｘに当接させることができる。このチタン膜１５の第１貫通孔Ｐ１側に位置する表面は、第１貫通導体下地膜８ａｘによって保護される。
【００７７】
次に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、電気めっき法を用いて、第１貫通導体下地膜８ａｘに金属材料を被着させることにより、第１貫通導体下地膜８ａｘを含む円筒状の第１貫通導体８ａを形成する。この金属材料を被着させる際に、チタン膜１５は上述したように第１貫通導体下地膜８ａｘによって保護されているため、電気めっき法に用いられるめっき液からチタン膜１５を保護することができ、ひいては該めっき液に起因したチタン膜１５の酸化を抑制することができる。その結果、第１貫通導体下地膜８ａｘに当接されたチタン膜１５を維持することにより、第１貫通導体８ａに当接されたチタン膜１５を形成することができる。
【００７８】
なお、第１貫通導体下地膜８ａｘは、第１貫通導体８ａを構成する金属材料との同一の金属材料により構成されている。この第１貫通導体下地膜８ａｘは、第１介在膜９ａ保護の観点から、厚みが第１介在膜９ａの厚みよりも大きいことが望ましい。
【００７９】
（５）図６（ａ）に示すように、第１貫通導体８ａの内部に絶縁体１０を形成し、第１樹脂層７ａの上下に導電層１５を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００８０】
まず、円筒状の第１貫通導体８ａの内部に樹脂材料等を充填し、絶縁体１０を形成する。次に、導電材料を絶縁体１０の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔１６ｘをパターニングして導電層１６を形成する。
【００８１】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００８２】
（配線基板の作製）
（６）図６（ｂ）に示すように、コア基板５の上下に一対の配線層６を形成することにより、配線基板４を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００８３】
まず、未硬化の樹脂を導電層１６上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層１６上に第２樹脂層７ｂを形成する。次に、（２）の工程と同様に、第２樹脂層７ｂに第２貫通孔Ｐ２を形成し、第２貫通孔Ｐ２内に導電層１６の少なくとも一部を露出させる。次に、（３）及び（４）の工程と同様に、第２貫通孔Ｐ２内に第２介在膜９ｂ及び第２貫通導体８ｂを形成するとともに、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、第２樹脂層７ｂの上面に導電層１６を形成する。
【００８４】
以上のようにして、配線基板４を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６において第２樹脂層７ｂ及び導電層１６を多層化させることができる。
【００８５】
（実装構造体の作製）
（７）最上層の導電層１６上面にバンプ３を形成するとともにバンプ３を介して配線基板４に電子部品２をフリップチップ実装する。
【００８６】
以上のようにして、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製することができる。
【００８７】
なお、上述した第１実施形態において、電子部品に半導体素子を用いた構成を例に説明したが、電子部品としてはコンデンサ等を用いても構わない。
【００８８】
また、上述した第１実施形態において、電子部品を配線基板にフリップチップ実装した構成を例に説明したが、電子部品を配線基板にワイヤボンディング実装しても構わない。
【００８９】
また、上述した第１実施形態において、第２絶縁層を１層含む配線層を備えた構成を例に説明したが、配線層は第２絶縁層を何層含んでも構わない。
【００９０】
また、上述した第１実施形態において、第１樹脂層は、第１樹脂材料部、無機絶縁粒子及び基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は第１樹脂材料部を含んでいればよく、無機絶縁粒子を含まなくても構わないし、基材を含まなくても構わないし、第１樹脂材料に被覆された金属板を更に含んでいても構わない。
【００９１】
また、上述した第１実施形態において、無機絶縁繊維からなる基材を用いた構成を例に説明したが、基材を構成する繊維は、無機絶縁繊維でなくてもよく、例えばポリイミド樹脂又はポリアミド樹脂からなる有機繊維を用いても構わない。ここで、有機繊維を用いた場合、第１樹脂材料部よりも酸化されにくい材料からなる有機繊維を用いることにより、第１酸化チタン膜の厚みを、有機繊維との当接部において小さくすることができる。
【００９２】
また、上述した第１実施形態において、基材として織布を用いた構成を例に説明したが、基材は繊維により構成されていればよく、繊維を一方向に配列したものや不織布を用いても構わない。
【００９３】
また、上述した第１実施形態において、第１貫通孔の内壁に筒状の第１貫通導体を被着させ、該第１貫通導体内に絶縁体を充填した構成を例に説明したが、絶縁体を形成することなく、第１貫通孔内に第１貫通導体を充填しても構わない。
【００９４】
また、上述した第１実施形態において、チタン膜は、厚みが第１酸化チタン膜よりも大
きく設定された構成を例に説明したが、介在膜がチタン膜を有していればよく、第１酸化チタン膜の厚みが例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、チタン膜の厚みが例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定され、チタン膜の厚みが第１酸化チタン膜（第１樹脂材料部との当接部）の厚みの例えば０．５倍以上１０倍以下に設定されていても構わない。また、図７（ａ）に示すように、チタン膜１５´の厚みは第１酸化チタン膜１４ａ´の厚みよりも小さくても構わない。
【００９５】
また、上述した第１実施形態において、第１酸化チタン膜は、第１樹脂材料との当接部における厚みが、無機絶縁粒子との当接部及び無機絶縁繊維との当接部における厚みよりも、大きく設定された構成を例に説明したが、介在膜が第１酸化チタン膜を有していればよく、図７（ａ）に示すように、第１酸化チタン膜１４ａ´の厚みが第１樹脂層７ａ´の厚み方向に渡って同一に設定されていても構わない。この場合、例えば、基材に含まれる繊維１３ａ´として、第１樹脂材料部１１ａ´と同一の樹脂材料からなる有機繊維を用いることや、第１樹脂層７ａ´として、第１樹脂材料部１１ａ´における無機絶縁粒子１２´の含有量が少ない第１樹脂層７ａ´を用いることにより、第１樹脂層７ａ´の厚み方向に渡って厚みが同一の第１酸化チタン膜１４ａ´を形成することができる。
【００９６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図７（ｂ）に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第２実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００９７】
第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１介在膜９ａＡは、チタン膜１５Ａ及び第１酸化チタン膜１４ａＡに加え、チタン膜１５Ａよりも第１貫通導体８ａＡ側に配され、第１貫通導体８ａＡに当接された第２酸化チタン膜１４ｂＡを更に有している。
【００９８】
それ故、イオン化した第１貫通導体８ａＡの金属材料が第２酸化チタン膜１４ｂＡを通過しにくいため、隣接する第１貫通導体８ａＡ間で電界が発生した場合に、該イオン化した金属材料が第１樹脂層７ａＡに侵入することを低減することができる。また、第１樹脂層７ａＡに含まれる水分が第２酸化チタン膜１４ｂＡを通過しにくいため、該水分に起因した第１貫通導体８ａＡの金属材料のイオン化を低減することができる。
【００９９】
この第２酸化チタン膜１４ｂＡは、例えば厚み方向及び周回方向に渡ってチタン膜１５Ａを被覆している。この第２酸化チタン膜１４ｂＡの厚みは、例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。また、第２酸化チタン膜１４ｂＡの厚みは、例えば、第１酸化チタン膜１４ａＡ（第１樹脂材料１１ａＡとの当接部）の厚みと略同一に設定されており、すなわち、第１酸化チタン膜１４ａＡ（第１樹脂材料１１ａＡとの当接部）の厚みの例えば０．８倍以上１．２倍以下に設定されている。
【０１００】
第２酸化チタン膜１４ｂＡは、例えば以下のようにして形成することができる。上述した第１実施形態に係る配線基板の製造方法において、（３）の工程において、チタン膜１５Ａの厚みを４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成した後、（４）の工程の前に、一度大気に晒して第１貫通孔Ｐ１Ａ側からチタン膜１５Ａの表面を酸化させる。その結果、第１酸化チタン膜１４ａＡと同様に、第２酸化チタン膜１４ｂＡが形成される。
【０１０１】
一方、第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１酸化チタン膜１４ａＡは、第１樹脂材料部１１ａＡに当接しているとともに、第１介在膜９ａＡの無機絶縁繊維１３ａＡとの当接部に第１孔部Ｃ１Ａが形成されており、チタン膜１５Ａの一部は、第１孔部Ｃ１Ａに充填されているとともに無機絶縁繊維１３ａＡに当接している。
【０１０２】
その結果、水分を含みやすい第１樹脂材料部１１ａＡとの当接部においては、第１酸化チタン膜１４ａによって、第１貫通導体８ａの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減することができる。さらに、無機絶縁繊維１３ａＡとの当接部においてはチタン膜１５Ａの一部が第１孔部Ｃ１Ａに充填されていることから、第１実施形態よりも大きい凹凸を第１酸化チタン膜１４ａＡとチタン膜１５Ａとの間に形成することができ、該凹凸のアンカー効果を高めることができる。また、柔軟性が高くクラックの生じにくいチタン膜１５Ａを剛性の高い無機絶縁繊維１３ａＡに当接させるとともに、剛性が高くクラックが生じやすい第１酸化チタン膜１４ａＡを柔軟性の高い第１樹脂材料部１１ａＡに当接させることにより、第１介在膜９ａＡのクラックを低減することができる。
【０１０３】
また、無機絶縁繊維１３ａＡと第１樹脂材料部１１ａＡとの境界領域においては、第１酸化チタン膜１４ａＡが、無機絶縁繊維１３ａＡ及び第１樹脂材料部１１ａＡの双方に当接している。
【０１０４】
その結果、無機絶縁繊維１３ａＡと第１樹脂材料部１１ａＡとの剥離に起因してイオンマイグレーションが生じやすい該境界領域において、第１酸化チタン膜１４ａＡによって、第１貫通導体８ａＡの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減することができ、ひいては隣接する第１貫通導体８ａＡ間のイオンマイグレーションを低減することができる。
【０１０５】
チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ１Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。まず、（２）の工程にて、第１貫通孔Ｐ１内壁をプラズマ処理又はデスミア処理することによって、第１貫通孔Ｐ１側における無機絶縁繊維１３ａＡの端部に付着した、第１樹脂材料部１１ａＡの樹脂残渣を除去する。次に、（３）の工程にて、チタンを被着させて第１介在膜９ａＡを形成する。その結果、無機絶縁繊維１３ａＡの第１貫通孔Ｐ１に露出した表面への樹脂残滓の付着が抑制されているため、無機絶縁繊維１３ａＡに被着されたチタンの酸化を抑制し、チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ１Ａを形成することができる。
【０１０６】
一方、第２実施形態は、第１実施形態と異なり、第１酸化チタン膜１４ａＡは、第１樹脂材料部１１ａＡに当接しているとともに、第１介在膜９ａＡの無機絶縁粒子１２Ａとの当接部に第２孔部Ｃ２Ａが形成されており、チタン膜１５Ａの一部は、第２孔部Ｃ２Ａに充填されているとともに無機絶縁粒子１２Ａに当接している。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａＡの場合と同様に、第１貫通導体８ａの金属材料による第１介在膜９ａＡの通過を低減しつつ、第１酸化チタン膜１４ａＡとチタン膜１５Ａとの接着強度を高めるとともに、第１介在膜９ａＡのクラックを低減することができる。
【０１０７】
また、無機絶縁粒子１２Ａと第１樹脂材料部１１ａＡとの境界領域においては、第１酸化チタン膜１４ａＡが、無機絶縁粒子１２Ａ及び第１樹脂材料部１１ａＡの双方に当接している。その結果、上述した無機絶縁繊維１３ａＡの場合と同様に、隣接する第１貫通導体８ａＡ間のイオンマイグレーションを低減することができる。
【０１０８】
チタン膜１５Ａの一部が充填された第２孔部Ｃ２Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。
【０１０９】
まず、（２）の工程において、第１貫通孔Ｐ１内壁をプラズマ処理又はデスミア処理する。これにより、第１貫通孔Ｐ１の内壁から第１樹脂材料部１１ａＡを部分的に除去することができるため、無機絶縁粒子１２Ａを第１樹脂層７ａＡから突出させて、第１貫通孔Ｐ１内に無機絶縁粒子１２Ａの表面を大きく露出させる。次に、（３）の工程において、チタンを被着させることにより、無機絶縁粒子１２Ａの第１貫通孔Ｐ１内に露出した表面
に被着されたチタンの酸化を抑制し、チタン膜１５Ａの一部が充填された第１孔部Ｃ２Ａを形成することができる。
【０１１０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能であり、第１実施形態と第２実施形態との各構成を互いに置換することができ、例えば、第１実施形態の第１酸化チタン膜の構成を第２実施形態の第１酸化チタン膜に適用しても構わない。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ バンプ
４ 配線基板
５ コア基板
６ 配線層
７ａ 第１樹脂層
７ｂ 第２樹脂層
８ａ 第１貫通導体
８ｂ 第２貫通導体
９ａ 第１介在膜
９ｂ 第２介在膜
１０ 絶縁体
１１ａ 第１樹脂材料部
１１ｂ 第２樹脂材料部
１２ 無機絶縁粒子
１３ 基材
１３ａ 無機絶縁繊維
１４ａ 第１酸化チタン膜
１５ チタン膜
１６ 導電層
Ｐ１ 第１貫通孔
Ｐ２ 第２貫通孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された樹脂層と、該貫通孔内に配された貫通導体と、前記樹脂層と前記貫通導体との間に介された介在膜とを備え、
該介在膜は、前記樹脂層に当接した第１酸化チタン膜と、該第１酸化チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記第１酸化チタン膜に当接したチタン膜とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記チタン膜は、前記貫通導体に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記介在膜は、前記チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記貫通導体に当接した第２酸化チタン膜を更に有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記介在膜は、前記第１酸化チタン膜と前記チタン膜との界面領域において、酸化チタンの含有量が前記第１酸化チタン膜から前記チタン膜に向かって減少するように設定されているとともに、チタンの含有量が前記第１酸化チタン膜から前記チタン膜に向かって増加するにように設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１酸化チタン膜は、厚みが前記チタン膜よりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記第１酸化チタン膜に当接された繊維と、該繊維を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記繊維との当接部の厚みが前記樹脂材料部との当接部の厚みよりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記介在膜に当接された繊維と、該繊維を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記樹脂材料部に当接しているとともに、前記介在膜の前記繊維との当接部に孔部が形成されており、
前記チタン膜の一部は、前記孔部に充填されているとともに前記繊維に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記第１酸化チタン膜に当接された無機絶縁粒子と、該無機絶縁粒子を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記無機絶縁粒子との当接部の厚みが前記樹脂材料部との当接の厚みよりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記介在膜に当接した無機絶縁粒子と、該無機絶縁粒子を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記樹脂材料部に当接しているとともに、前記介在膜と前記無機絶縁粒子との当接部に孔部が形成されており、
前記チタン膜の一部は、前記孔部に充填されているとともに前記無機絶縁粒子に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線基板において、
前記スルーホール導体は、銅を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記貫通導体と電気的に接続された電子部品と
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１】
貫通孔が形成された樹脂層と、該貫通孔内に配された貫通導体と、前記樹脂層と前記貫通導体との間に介された介在膜とを備え、
該介在膜は、前記樹脂層に当接した第１酸化チタン膜と、該第１酸化チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記第１酸化チタン膜に当接したチタン膜とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記チタン膜は、前記貫通導体に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記介在膜は、前記チタン膜よりも前記貫通導体側に配され、前記貫通導体に当接した第２酸化チタン膜を更に有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記介在膜は、前記第１酸化チタン膜と前記チタン膜との界面領域において、酸化チタンの含有量が前記第１酸化チタン膜から前記チタン膜に向かって減少するように設定されているとともに、チタンの含有量が前記第１酸化チタン膜から前記チタン膜に向かって増加するにように設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１酸化チタン膜は、厚みが前記チタン膜よりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記第１酸化チタン膜に当接された繊維と、該繊維を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記繊維との当接部の厚みが前記樹脂材料部との当接部の厚みよりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記介在膜に当接された繊維と、該繊維を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記樹脂材料部に当接しているとともに、前記介在膜の前記繊維との当接部に孔部が形成されており、
前記チタン膜の一部は、前記孔部に充填されているとともに前記繊維に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記第１酸化チタン膜に当接された無機絶縁粒子と、該無機絶縁粒子を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記無機絶縁粒子との当接部の厚みが前記樹脂材料部との当接の厚みよりも小さく設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層は、前記介在膜に当接した無機絶縁粒子と、該無機絶縁粒子を被覆する樹脂材料部とを含んでおり、
前記第１酸化チタン膜は、前記樹脂材料部に当接しているとともに、前記介在膜と前記無機絶縁粒子との当接部に孔部が形成されており、
前記チタン膜の一部は、前記孔部に充填されているとともに前記無機絶縁粒子に当接していることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線基板において、
前記スルーホール導体は、銅を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記貫通導体と電気的に接続された電子部品と
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２３３６９１（Ｐ２０１１−２３３６９１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０２１７８（Ｐ２０１０−１０２１７８）
【出願日】平成２２年４月２７日（２０１０．４．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２７日（２０１０．４．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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