説明

フレキシブル基材およびその製造方法

【課題】エッチング性がよく、耐熱ピール強度の低下も防止できるバリア層を備えたフレキシブル基材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム1の少なくとも片面に、ニッケル−クロム−マグネシウムからなる合金のバリア層2と銅層3、4とを順に積層したフレキシブル基材とした。このバリア層として、好ましくは、組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であるものを用いた。また、プラスチックフィルムとしてポリイミドフィルムを用いるとともに、このポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させた後に、上記バリア層と上記銅層とを順に成膜形成するフレキシブル基材の製造方法とした。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、携帯電話やディスプレイ等に内蔵のプリント配線板を製作するために利用される銅張り積層板などのフレキシブル基材およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
このフレキシブル基材としては、一般的に、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ニッケル等を主成分とするバリア層と銅層とが積層されたものが知られている。
このようなフレキシブル基材においては、銅層のポリイミドフィルムに対する密着力が低いことから、特に、高温雰囲気中におかれると水蒸気などに含まれる酸素が銅層に浸透して酸化銅となることによって密着力が低下してしまうことから、バリア層が両者の間において密着力を発揮して、フレキシブル基材のピール強度を向上させることを目的として形成されている。
【0003】
このようなバリア層を構成する金属等としては、具体的に、特許文献1にNi、Cr、Al、Ti、Mn、Nb、Ta、Mo、W、Hf等が開示され、特許文献2にNi、Cu、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Coやそれらの合金等が開示され、また、特許文献3にCr、Ti、Pd、Zn、Pb、Mo、Ni、Co、Zr、Feなどが開示されている。そして、これらのバリア層や銅層による積層体がエッチング等によってパターン形成されることによりプリント配線板が製造され、このプリント配線板は、一般的に、ICチップ等の外付け部品が搭載されことにより、電子機器に内蔵されて永年使用されるものである。
【0004】
しかしながら、上述のバリア層を備えたフレキシブル基材は、いずれも密着力が向上することによって常態ピール強度が高くなるものの、高温保持後の耐熱ピール強度の低下を充分に防止できず、または耐熱ピール強度の低下を防止できたとしても、バリア層のエッチング性が低下してしまうという問題を有している。
【0005】
【特許文献1】特許第2571960号公報
【特許文献2】特開2003−018849号公報
【特許文献3】特開2003−127275号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、エッチング性がよく、耐熱ピール強度の低下も防止できるバリア層を備えたフレキシブル基材およびその製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
請求項1に記載の発明に係るフレキシブル基材は、プラスチックフィルムの少なくとも片面にバリア層と銅層とが順に積層されており、かつこのバリア層は、ニッケル−クロム−マグネシウムからなる合金であることを特徴としている。
【0008】
ここで、上記プラスチックフィルムとしては、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂又はポリエーテルエーテルケトン樹脂からなるフィルムが用いられる。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のフレキシブル基材において、上記バリア層がマグネシウムを0.05〜20wt%含有することを特徴としている。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のフレキシブル基材において、上記バリア層は、その組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であることを特徴としている。
【0011】
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のフレキシブル基材の製造方法であって、上記プラスチックフィルムとして、ポリイミドフィルムを用いるとともに、このポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させた後に、上記バリア層と上記銅層とを順に成膜形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【0012】
請求項1ないし3のいずれかに記載の発明によれば、ニッケル−クロム−マグネシウムからなるバリア層が銅層とプラスチックフィルムとの間において密着力を発揮するため、フレキシブル基材の耐熱ピール強度の低下を防止できる。さらに、このバリア層は、塩酸などを主成分とするエッチング液によって容易にパターニングされることから、エッチング性の低下によってエッチング残渣が生じるなどの問題の発生も防止できる。
【0013】
特に、請求項2に記載の発明のように、バリア層におけるマグネシウムの含有量を0.05wt%を超える量とすることによって、高温保持後の密着力の低下防止効果、すなわち、耐熱ピール強度の低下防止効果が確実に得られ、また、20wt%未満とすることによって、塩酸に対する耐性が必要以上に高くなってエッチング性の低下によりエッチング残渣が生じてしまうことを防止できる。
【0014】
さらには、バリア層は、請求項3に記載の発明のように、組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であることによって、一段とフレキシブル基材の常態ピール強度が向上して耐熱ピール強度の低下も防止でき、さらにはエッチング性の低下も効果的に防止できる。これに加えて、このバリア層や銅層が形成されたフレキシブル基材を硫酸銅めっき液に浸漬させることにより、その表面に銅めっきを施して銅張り積層板(CCL)を製造し、また、これをエッチング液によりパターン形成して銅配線を有するプリント配線板を製造し、さらに、これを使用するに際して好適な材質となる。
【0015】
また、これらのフレキシブル基材は、請求項4に記載の発明のように、バリア層を成膜形成する前に、プラスチックフィルムとしてのポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させることによって、ポリイミドフィルムに含有される水分中の酸素などによりバリア層などが酸化されることによるピール強度の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
以下、本発明に係るフレキシブル基材及びこれを用いたプリント配線板の製造方法について説明する。
【0017】
まず、本実施形態のフレキシブル基材は、図1に示すように、厚さ20〜50μmの帯状のポリイミドフィルム(プラスチックフィルム)1の片面に、厚さ5〜50nmのバリア層2と、厚さ20〜400nm銅スパッタ層(銅層)3と、厚さ5〜10μm電解銅めっき層(銅層)4とが順次積層されて構成されている。
このバリア層2は、ニッケル−クロム−マグネシウムの合金からなる組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内のスパッタ層である。
【0018】
そして、このように構成されたフレキシブル基材を用いて、電解銅めっき層4および銅スパッタ層3を第2塩化鉄エッチング液によってパターン形成した後に、バリア層2を4M程度の塩酸を主成分とするエッチング液によってパターン形成することにより、複数本の銅配線10が形成され、次いで、これらの銅配線10をカバーレイ40によって被覆することにより、図2に示すようなプリント配線板が得られる。そして、このプリント配線板は、電子部品などが搭載されて、電子機器に内蔵されるなどして用いられている。
【0019】
その際、フレキシブル基材は、マグネシウムの含有量が0.05wt%を超えるバリア層2が介装されることによって、高温保持後の耐熱ピール強度の低下によるプリント配線板としての用途の限定もなく、汎用性が高められる。
このようにバリア層2におけるマグネシウムの含有量が0.05wt%を超えることによって耐熱ピール強度の低下が防止されるのは、ニッケルの標準電位が−0.23V、クロムの標準電位が−0.74Vであるのに比較して、マグネシウムは、その標準電位が−2.37Vと著しく小さく、酸化されやすい上に酸化によって不動態被膜を形成する。それ故に、マグネシウムが酸化することによってポリイミドと化学的に結合して、バリア層2が安定的かつ強固にポリイミドフィルム1に密着するためであると推測される。
これに加えて、バリア層2のマグネシウムの含有量が20wt%未満であるため、過剰含有によるバリア層2のエッチング性の低下も防止される。
【0020】
次いで、上記フレキシブル基材の製造方法について説明する。
本実施形態におけるフレキシブル基材の製造方法は、ポリイミドフィルム1の片面にバリア層2と銅スパッタ層3を成膜する第1の工程と、この銅スパッタ層3の上に銅めっき層4を形成する第2工程とを有している。また、第1の工程においては、ポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させて水分を蒸発させた後に、好ましくはアルゴン雰囲気によるプラズマ処理によって清浄し、かつ親水性を向上させたポリイミドフィルム1の表面に、DCマグネトロンスパッタ装置5によってバリア層2と銅スパッタ層3とを順に成膜形成する。
【0021】
そこで、まず、このDCマグネトロンスパッタ装置5について図3を用いて説明する。
DCマグネトロンスパッタ装置5は、横断面略円状に構成されるとともに、その中心部に外観視円柱状の回転ドラム50が軸方向を上下方向に向けて設置されている。そして、この回転ドラム50の外周面に沿って、ポリイミドフィルム1の搬送方向の上流側から下流側に向けて、複数基のバリア層2用のターゲット61と、複数基の銅スパッタ層3用のターゲット62とが順に設置されている。これらのバリア層2用および銅スパッタ層3用のターゲット61、62は、それぞれ筺状のターゲット固定器77の前面開口を塞ぐように配設されたバッキングプレート71に固定されて、ターゲット固定器77とともにスパッタ装置5から取り外し可能に設けられている。従って、ターゲット61、62は、互いに設置数が調整可能であり、各ターゲット61、62の間には、それぞれ隔壁部材55が設けられている。
【0022】
また、バリア層2用のターゲット61は、Mgの含有量が5wt%以上の場合には、マグネシウムの融点が648.8℃であって、ニッケルの1453℃と比較して極端に低いために双方を同時に溶解しようとすると、マグネシウムが突沸してしまうことから、溶解法では作製不可能である。
このため、ターゲット61は、Mgの含有量が5wt%未満の場合には溶解法で作製されるものの、5wt%以上の場合には、図4に示すように、ターゲット固定器77内に配設される環状の磁石70に対応する位置に沿って、一枚のニッケルクロム合金板67の表面に複数枚の小片状のマグネシウム板66が固設されることにより製作され、バッキングプレート71に固定されている。
【0023】
さらに、DCマグネトロンスパッタ装置5は、その内部を真空状態に近づける内圧調節手段と、その内部全体をアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気に調節する内部雰囲気調節手段とを有している。
加えて、DCマグネトロンスパッタ装置5の内部には、ポリイミドフィルム1の搬送方向の上流側に、ポリイミドフィルム1を巻き出す巻出しロール51が備えられているとともに、同下流側に、バリア層2および銅スパッタ層3が成膜されたポリイミドフィルム1を巻き取る巻き取りロール52が備えられている。
【0024】
次いで、このスパッタ装置5を用いて、ポリイミドフィルム1にバリア層2と銅スパッタ層3とを成膜する第1の工程について説明する。
まず、巻きだしロール51から巻き出された帯状のポリイミドフィルム1を、帯幅方向を上下方向に向けて回転ドラム50の外周壁面周りに沿わせた状態で搬送しつつ、このポリイミドフィルム1にターゲット61によってバリア層2を成膜した後に、ターゲット62によって銅スパッタ層3を成膜する。これにより、スパッタ装置5内においてバリア層2と銅スパッタ層3とを連続的に成膜した後に、これらのバリア層2や銅スパッタ層3が成膜されたポリイミドフィルム1を、巻き取りロール52に巻き取る。
【0025】
次ぎに、この巻き取りロール52をメッキ装置に設置して、第2の工程によって銅スパッタ層3の表面に銅めっき層4を形成する。
ここで、このメッキ装置は、このポリイミドフィルム1のバリア層2および銅スパッタ層3に電気を流す電力供給手段と、ポリイミドフィルム1を帯幅方向を上下方向に向けた状態で搬入させて、硫酸銅メッキ液に浸漬させることにより、銅スパッタ層3上に銅メッキを施す電解メッキ槽とを有している。
【0026】
従って、上記第2の工程によって、この巻き取りロール52から巻き出したポリイミドフィルム1を、電解メッキ槽の硫酸銅メッキ液に浸漬させて、銅スパッタ層3の表面に銅メッキ層4を形成する。
【0027】
本実施形態のフレキシブル基材は、ポリイミドフィルム1の片面に、バリア層2と銅スパッタ層3と銅めっき層4とが形成され、かつこのバリア層2が組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であることから、常態ピール強度が向上して耐熱ピール強度の低下も防止できる。さらには、このバリア層2が塩酸を主成分とするエッチング液によって容易にパターン形成されることから、エッチング性の低下によってエッチング残渣が生じるなどの問題の発生も防止できる。
【0028】
さらに、本実施形態のフレキシブル基材の製造方法およびそれにより得られるフレキシブル基材は、ポリイミドフィルム1を1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させて水分を蒸発させることによって、水分中に含まれる酸素などによるバリア層2の過剰酸化を防止して、一段と常態ピール強度を向上させることができ、また、バリア層2がマグネシウムの適度な酸化によって、ポリイミドフィルム1と化学的に結合することにより、耐熱ピール強度の低下を防止できる。
【0029】
次いで、実施例について説明する。
まず、下記表1に示すように、ポリイミドフィルム1を常温、65℃あるいは250℃の温度条件で乾燥させて、プラズマによる洗浄および親水性付与の処理を行ったものや行わなかったもの4種をフィルムNo.1〜4として用意した。なお、上記乾燥は、フィルムNo.1〜4のすべてについて3×10-5Torrの真空下で行うとともに、上記プラズマ処理は、Linear ion source(アドバンスドエナジー社製のプラズマ処理装置)を用いて、Arの流量を4.5sccmとし、かつ電圧を2000vとして行った。
【0030】
次ぎに、これらのフィルムNo.1〜4にそれぞれバリア層2として膜厚25nmのNi78.4(wt%)Cr21.6(wt%)Mg0.065(wt%)を成膜した後に、膜厚180nmの銅スパッタ層3を成膜し、次いで、この銅スパッタ層3上に膜厚200nmの電解銅めっき層4を形成した。これにより得られたフレキシブル基材の常態ピール強度および504時間150℃に高温保持した後の耐熱ピール強度をJISC5016に従ってそれぞれ測定して、表1に示した。
【0031】
【表1】

【0032】
次ぎに、比較例として、以下のようにフィルムNo.5〜8にバリア層2に代えてNi78.4(wt%)Cr21.6(wt%)を成膜したものを用意して、ピール強度を測定した。
【0033】
まず、フィルムNo.5〜8として、実施例と同様に下記表2に示す温度条件で乾燥させて、プラズマによる清浄および親水性付与の処理を行ったものや行わなかったものを用意した。なお、上記乾燥は、フィルムNo.5〜8のすべてについて3×10-5Torrの真空下で行うとともに、上記プラズマ処理は、Linear ion source(アドバンスドエナジー社製のプラズマ処理装置)を用いて、Arの流量を4.5sccmとし、かつ電圧を2000vとして行った。
【0034】
そして、これらのフィルムNo.5〜8にそれぞれ膜厚20nmのNi79.6(wt%)Cr19.9(wt%)を成膜した後に、膜厚200nmの銅スパッタ層3を成膜し、次いで、この銅スパッタ層3上に膜厚200nmの電解銅めっき層4を形成した。これにより得られたフレキシブル基材の常態ピール強度および504時間150℃に高温保持した後の耐熱ピール強度をJISC5016に従ってそれぞれ測定して、表2に示した。
【0035】
【表2】

【0036】
表1および表2から判るように、実施例のフィルムNo.1〜4にバリア層2などを成膜したフレキシブル基材は、常態ピール強度および耐熱ピール強度がともに高い。特に、50℃以上、200℃以下の温度条件下で乾燥させることによって、高温保持後の密着力の低下を意味する耐熱ピール強度の常態ピール強度からの減少幅も非常に小さく、プリント配線板製造用に適したフレキシブル基材が得られた。
【0037】
なお、本発明は、上述の実施形態に何ら限定されるものでなく、例えば、銅めっき層4が形成されていなくてもよく、バリア層2の上に銅スパッタ層3などの配線形成用の銅層が形成されていれば足りる。また、ポリイミドフィルム1の両面にバリア層2等が形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】本発明に係るフレキシブル基材を示す断面模式図である。
【図2】図1のフレキシブル基材を用いて製作したプリント配線板の断面模式図である。
【図3】フレキシブル基材を製造する際に用いるスパッタ装置5の断面模式図である。
【図4】図3のスパッタ装置に設置されているターゲット61並びにそれを固定するバッキングプレート71及びターゲット固定器77の斜視図である。
【図5】図4の断面図である。
【符号の説明】
【0039】
1 ポリイミドフィルム(プラスチックフィルム)
2 バリア層
3 銅スパッタ層
4 電解銅めっき層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラスチックフィルムの少なくとも片面にバリア層と銅層とが順に積層されており、かつ
このバリア層は、ニッケル−クロム−マグネシウムからなる合金であることを特徴とするフレキシブル基材。
【請求項2】
上記バリア層は、マグネシウムを0.05〜20wt%含有することを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル基材。
【請求項3】
上記バリア層は、その組成式(NixCr100-x100-yMgyにおけるx(wt%)およびy(wt%)が、60wt%≦x≦95wt%の範囲内であって、かつ0.05wt%<y<20wt%の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル基材。
【請求項4】
請求項1ないし3のいずれか一項に記載のフレキシブル基材の製造方法であって、
上記プラスチックフィルムとして、ポリイミドフィルムを用いるとともに、
このポリイミドフィルムを、1×10-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させた後に、上記バリア層と上記銅層とを順に成膜形成することを特徴とするフレキシブル基材の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2010−45119(P2010−45119A)
【公開日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−207228(P2008−207228)
【出願日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【出願人】(000006264)三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【Fターム(参考)】