説明

Fターム[5E343EE52]の内容

Fターム[5E343EE52]の下位に属するFターム

Fターム[5E343EE52]に分類される特許

61 - 80 / 184


【課題】セミアディティブ法により配線断面形状が矩形でかつ、微細である配線を形成する。
【解決手段】絶縁樹脂の上に金属層を有する回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第1金属層を形成する工程と、第1レジスト層として第1金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層をポジ型のフォトレジストを用いて設ける工程と、電解めっきによって第2金属層を形成する工程と、露出した第2金属層をエッチング液でエッチングする工程を有する回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】樹脂層との接着性を確保した上で、後工程での銅−スズ合金層の除去が容易な導電層及びこれを用いた積層体と、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層(4)に接着させる導電層(10)において、銅層(1)と、この銅層(1)上に積層された銅−スズ合金層(3)とを含み、銅−スズ合金層(3)は、厚みが0.001〜0.020μmである導電層(10)とする。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板において、感光性シロキサンポリイミド樹脂組成物からなる保護層から、環状ジメチルシロキサンオリゴマーのブリードアウトを十分に抑制し、しかも優れた耐メッキを実現する。
【解決手段】テトラカルボン酸二無水物とジフェニルシリレン単位を有するシロキサンジアミンとシロキサン非含有ジアミンとをイミド化して得られるシロキサンポリイミド樹脂と、架橋剤と、光酸発生剤とを含有する感光性シロキサンポリイミド樹脂組成物の熱硬化物からなる保護層を、プリント配線板の銅または銅合金配線パターンの少なくとも一部の上に形成する。架橋剤として、液状エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン類及びレゾール類からなる群より少なくとも一種を特定量使用し、また感光剤として、光酸発生剤を特定量使用する。プリント配線板の銅または銅合金配線パターンの表面は、粗化処理が施されている。 (もっと読む)


【課題】転写によって樹脂層に回路を設けるにあたって、樹脂層の転写面が損傷するのを防止することができるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板の製造方法に関する。金属材1の表面に金属皮膜2を設ける。金属材1の表面を露出させずに金属皮膜2の所定箇所を厚み方向に除去して薄膜部6を形成し、この薄膜部6以外の部分で転写用回路3を形成することによって転写用基材4を作製する。この転写用基材4を樹脂層5に貼り合わせて転写用回路3を樹脂層5に埋め込む。その後、金属材1を剥離する。薄膜部6をエッチングにより除去する。 (もっと読む)


【課題】導電性、透明性に優れ、かつ生産性の高い透明電極とその製造方法、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】透明支持体上に導電層を形成する透明電極の製造方法において、該導電層は、金属ナノワイヤと導電性高分子を含有する分散液を用い、グラビア印刷法によりパターンを形成することを特徴とする透明電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】パッドに外部接続端子等を接合したときの引っ張り強度を高め、パッドが剥離するといった不良モードを大いに減らし、実装の信頼性向上に寄与すること。
【解決手段】配線基板10は、最外層の絶縁層12の開口部から露出するパッド11Pを備える。パッド11Pは、配線基板10からその表面が露出した金属層21と、該金属層上に設けられ、基板内部のビア(13)に含まれる金属が該金属層に拡散するのを防止する金属層22と、該金属層22とビアとの間に設けられ、該金属層22よりも酸化され難い金属層23とを有し、この金属層23の厚さは相対的に厚く、好適には金属層22の厚さの3倍以上に選定されている。さらに、金属層23の側面、及びビアと接続される側の面が、粗面化されている。 (もっと読む)


【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第1ニッケルメッキ層を形成する工程と、第1ニッケルメッキ層上に第2ニッケルメッキ層を形成する工程と、第2ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】銅ナノ粒子の低温還元焼結のための還元剤及びこれを用いた低温焼結方法を提供する。本発明による還元剤を用いることにより、250℃未満の低い焼結温度で銅ナノ粒子の還元及び焼結が可能となり、このように焼結された銅ナノ粒子の焼結体は優れた電気的特性を有するため、実際に産業的に利用可能な銅ナノ粒子インクを用いた微細配線パターンを形成することができる。
【解決手段】本発明に係る還元剤は、ギ酸または酢酸と、炭素数1〜3のアルコールまたはエーテルとを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために好適に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、銅または銅合金を研磨する速度が高く、段差解消性に優れ、かつ、得られる回路基板の平坦性が良好な化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる化学機械研磨用水系分散体は、樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、(A)有機酸と、(B)含窒素複素環化合物と、(C)酸化剤と、(D1)一次粒子径が20〜70nmである第1の砥粒と、(D2)一次粒子径が80〜150nmである第2の砥粒と、を含み、前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)有機酸の濃度は、3〜15質量%であり、前記(D1)第1の砥粒の粒子数N1と前記(D2)第2の砥粒の粒子数N2の比(N1/N2)は、3〜50であり、pHの値は、1〜5である。 (もっと読む)


【課題】 直接金属化プロセスにおいて、基板の表面に炭素分散物の被覆を設ける改良された方法であって、前記基板が導電部と非導電部とを含む。前記方法が、炭素分散物を基板に接触させて前記基板を炭素を含有する前記分散物で被覆する工程と、前記基板のほぼ平らな面の少なくとも一部に亘って非吸収性ローラーを移動させて、前記基板のほぼ平らな面から過剰な炭素分散物を除去する工程、及び前記基板を真空吸引チャンバに通して前記基板の表面に残る過剰な炭素分散物を除去する工程の少なくとも1つの工程とを含む。前記方法は、マイクロエッチングに対する要求を最小限にするためにより清浄な銅の表面を提供し、また、炭素分散物が基板の表面に不要に再付着するのを防ぐ。
【解決手段】 (もっと読む)


超小型電子相互接続素子は、複数の第1の金属線(110)および第1の金属線(110)とインターリーブされた複数の第2の金属線(110’)を含む。第1の金属線および第2の金属線のそれぞれは、同じ基準平面内に延在する表面(122)、(120’)を有している。第1の金属線(110)は、基準平面より上に、基準平面から離れている表面(120)を有し、第2の金属線(110’)は、基準平面より下に、基準平面から離れている表面(122’)を有する。誘電体層(114A)は、第1の金属線の中の金属線を第2の金属線の中の隣接する金属線から分離する。
(もっと読む)


【課題】エッチング特性を改善しながら金属箔と樹脂層との密着性に優れ、微細な配線パターンの形成が可能な金属張積層体を提供する。
【解決手段】金属箔20と、該金属箔20に積層されたポリイミド樹脂層と、を備えた金属張積層体は、金属箔20として、ポリイミド樹脂層に接合される面が、10点平均粗さ(Rz)で1.9μmを超え2.5μm以下の範囲内の粗化面であると共に、該粗化面に、亜鉛とクロムとを含有し、表面から2nmの厚さ範囲内に存在する平均Cr量が5.0atom%以上である防錆層40を有するものを用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】錫合金層で被覆された導体パターンとカバー絶縁層との密着性の低下を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層3の上に導体パターン4を形成し、導体パターン4の表面に錫層32を形成し、錫層32を、真空下で350℃以上に加熱して錫合金層33を形成し、その後、錫合金層33を、大気圧下で冷却するか、あるいは、錫合金層32を、真空下で冷却し、続いて、錫合金層33を、大気圧下で150℃以上に加熱することにより、少なくとも酸化錫を含む錫系薄層5を形成し、ベース絶縁層3の上に、錫系薄層5を被覆するように、カバー絶縁層6を形成する。 (もっと読む)


【課題】工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板7と、金属支持基板7の上に形成されるベース絶縁層8と、ベース絶縁層8の上に形成され、端子14および端子14から連続するめっきリード16を備える導体パターン9と、導体パターン9を被覆するように、ベース絶縁層8の上に形成されるカバー絶縁層10とを形成し、金属支持基板7をエッチングした後、ベース絶縁層8をエッチングして、金属支持基板7およびベース絶縁層8から、めっきリード16を露出させ、露出させためっきリード16をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁層上に配置されたシード層上にめっき用レジスト膜を設け、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層上に配線を形成する配線基板の製造方法に関し、シード層からめっき用レジスト膜が剥がれることを防止できると共に、不要なシード層を除去する際のエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層除去工程後の配線のサイズが所定のサイズとなるように配線を形成することのできる配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁層11の平滑な上面11Aを覆うようにシード層12を形成し、次いで、シード層12の上面12Aを粗化し、その後、配線13の形成領域に対応する部分のシード層12の上面12Aを露出する開口部15Aを有しためっき用レジスト膜15を形成し、次いで、シード層12を給電層とする電解めっき法によりシード層12の上面12Aに配線13を形成し、次いで、めっき用レジスト膜15を除去し、その後、配線13が形成されていない部分の不要なシード層12を除去する。 (もっと読む)


【課題】 樹脂フィルムとの接着力、耐熱性、耐酸性などを改善したプリント回路用銅箔の表面処理方法及びその銅箔を提供する。
【解決手段】 本発明によるプリント回路用銅箔は、表面粗さ(Rz)が2.0μm以下であって屈曲回数が60回以上である銅箔の表面に銅ノジュール層を形成する段階と、前記銅ノジュール層上にコバルト(Co)またはコバルト(Co)合金をメッキしてバリア層を形成する段階と、を含む方法で表面処理され、ポリイミド(PI)フィルムとの接着強度が1.0kgf/cm以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銅配線間のニッケルの異常析出が生じることもなく、Niブリッジを減少させることと、チップの実装のズレを防止することと、銅配線の線幅が細くなることを防止して銅配線のはく離を防止することを同時に達成するチップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1表面に形成した銅配線2を覆うエッチングレジスト3を設ける工程と、前記銅配線2表面が露出するまで前記エッチングレジスト3を除去する工程と、前記銅配線2を途中までエッチングする工程と、前記エッチングレジスト3をはく離する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁樹脂組成物層と金属箔との界面の密着性と平坦性を両立し、かつ、経済性や取扱い性等のプリント配線板製造時に係る実用的な要素をも満たす金属張積層板または樹脂付き金属箔を提供することを目的とし、さらに、該金属張積層板または樹脂付き金属箔を用い、信頼性および回路形成性に優れ、導体損失の非常に少ないプリント配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂組成物層と、絶縁樹脂組成物層の片面もしくは両面に固着してなる金属箔とを有する樹脂付き金属箔において、金属箔の少なくとも絶縁樹脂組成物層側が表面処理されており、かつ金属箔の両面が実質的に粗し処理されていないことを特徴とする金属張積層板または樹脂付き金属箔を作製し、それを用いてプリント配線板を構成する。 (もっと読む)


本発明は、回路支持体の自動化される製造方法に関し、電子部品(2)を受容する基板(1)を準備し、基板(1)上の電子部品(2)を互いに接続する導電性の金属含有基礎構造体(3)を基板(1)上に設け、電子部品(2)を基礎構造体(3)に導電接続する導電性の金属含有導電接着剤構造体(4)を基板(1)上に設ける。その際導電性の金属含有導電接着剤構造体(4)及び導電性の金属含有基礎構造体(3)の自動化される光学的監視のために、導電接着剤構造体(4)を製造するため着色された導電性の金属含有導電接着剤を基板(1)に塗布することによって、導電接着剤構造体(4)を基礎構造体(3)から光学的に区別し、それにより導電接着剤構造体(4)及び基礎構造体(3)の自動化された光学的監視に必要な導電接着剤構造体(4)と基礎構造体(3)との対比を行う。
(もっと読む)


【課題】半田接合部に破断の起点となる欠陥部が発生することを防止して、接合信頼性を確保することができる電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】上面に配線パターン3が金属薄膜によって形成されたベース配線層1に電子部品7を装着し、ベース配線層1の上面に形成された封止樹脂層10*によって電子部品7とその周囲の配線パターン3とを封止して成る電子部品モジュール19を製造する電子部品モジュールの製造方法において、ベース配線層1の上面を粗化処理することにより配線パターン3を含む金属薄膜の表面を粗化する粗化工程をまず実行し、粗化工程後のベース配線層1を対象として、接合材配置工程、電子部品接着工程、プレス工程を順次実行する。これにより、粗化処理において半田接合部にマイクロクラックが発生する事態を排除し、接合信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


61 - 80 / 184