【課題】機械的、熱的、及び電気的特性が向上された金属−セラミック基板を提供する。
【解決手段】金属−セラミック基板１の１つの第１の表面側を形成する少なくとも１つの第１の外側金属層４を備え、金属−セラミック基板１の１つの第２の表面側を形成する少なくとも１つの第２の外側金属層５を備え、外側金属層が、２次元的接合により平板様基板本体の表面側とそれぞれ接合されており、更に、機械的、熱的、及び電気的特性を向上するために、少なくとも１つの中間層３とからなり、中間層が内部金属層にて接合されている、特に電気回路又はモジュール用の金属−セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】側面電極を形成するための導電性ペーストが加工中に剥離しにくい積層型セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一層の未焼結のセラミック層について、（ｉ）個基板になる部分に、個基板になる部分の境界線２９との間に間隔を設けて並ぶ複数の第１の貫通孔２２を形成し、（ii）第１の貫通孔２２に導電性ペースト２４を充填し、（iii）第１の貫通孔２２に部分的に重なり、かつ境界線２９に達する第２の貫通孔２８を形成し、（iｖ）第２の貫通孔２８に焼失材料２７を充填する。未焼結のセラミック層を積層し、焼成した後に、導電性ペースト２４が焼結したビアホール導体は、焼失材料２７が焼失して形成された空間内に露出する。露出したビアホール導体にめっき処理を施して側面電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板では、品質を向上させることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画工程Ｓ１と、前記描画工程Ｓ１の後に、前記回路パターンに光を照射する光照射工程Ｓ２と、前記光照射工程Ｓ２の後に、前記回路パターンに他の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程Ｓ３と、前記積層工程Ｓ３の後に、前記積層体を加圧する加圧工程Ｓ４と、前記加圧工程Ｓ４の後に、前記積層体を焼成する焼成工程Ｓ５と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】嵌合穴の形成に適した樹脂充填部の形成が可能な部品支持基板を提供すること。
【解決手段】本発明の部品支持基板は、基板１１、樹脂充填部２２及び部品支持体２４を備える。基板１１は、少なくとも第１主面１２にて開口する充填用孔２１を有する。樹脂充填部２２は、充填用孔２１内に配置され、基板１１よりも硬度が低い材料によって形成され、第１主面１２側にて開口する嵌合穴２３を有する。部品支持体２４は、嵌合穴２３に嵌合されることで固定され、嵌合穴２３から突出した箇所に他部品を支持可能である。なお、樹脂充填部２２の第１主面１２側の端面は、第１主面１２よりも第２主面１３側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 第２導体回路５８と第２導体回路５８との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０との間に無機絶縁膜４８が介在しており、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０とが無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板をインサート物質を介して接合する複合基板の製造方法において、該インサート物質の移動を制御する複合基板の製造方法、及び該複合基板の製造方法によって得られる複合基板の提供。
【解決手段】平面をなす主面２ａに機能素子８が配された第一基板２と、該第一基板２と接合させる主面３ａを有する第二基板３とを用い、主面２ａ，３ａのうち少なくとも一方の主面にインサート物質４を形成する工程Ａと、主面２ａ，３ａどうしを向かい合わせて圧接することにより、インサート物質４を介して、第一基板２と第二基板３とを接合させる工程Ｂと、を含む複合基板の製造方法であって、工程Ａにおいてインサート物質４の表面に段差を設けること、及び工程Ｂにおいて前記段差の高い側から低い側に向けて、インサート物質４が移動するように圧接することを特徴とする複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板３は、第２樹脂層１０ｂと、第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１とを備える。無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子１１ａを含む。第２樹脂層１０ｂは、無機絶縁層１１に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化基板によって高放熱特性を維持し、高密度／高集積の特性を持つ陽極酸化放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通ホールが形成された金属層１０の全面に陽極酸化層２０が形成された陽極酸化基板１１、陽極酸化基板１１の両面に形成された第１内側回路層３０及び第２内側回路層４０、それらを連結するために貫通ホールの内壁に形成されたホールメッキ層５０、ホールメッキ層５０によって電気的に連結された貫通ホールの内部に充填されたプラギングインク６０、陽極酸化基板１１の両面に形成された第１絶縁層９０及び第２絶縁層１００を介して形成された第１外側回路層１１０及び第２外側回路層１２０、それらを電気的に連結するために貫通ホールまたはプラギングインク６０を貫くように挿入された連結部材１３０を含む。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でかつ安価に形成することができ、しかも貫通孔の深さ方向にわたり均一な厚みの金属膜を形成することができ、電気的接続の信頼性に優れたスルーホール電極の形成方法を提供することにある。
【解決手段】金属板２上に基板６が積層されている積層体１を用意し、積層体１の基板６側からレーザー光Ａを照射し、貫通孔４ａ，５ａを基板６に形成し、さらに貫通孔下部の金属板２にレーザー光を照射し続け、金属と金属を段階的にを飛散させ、貫通孔４ａ，５ａの内周面に金属膜からなるスルーホール電極を形成する、スルーホール電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】脆弱な構造を有する第１基板や導電層に第２基板を積層した場合でも、第１基板や導電層の変形や破損を防止することによって、基板間での電気信号の伝送特性が良好な基板間接続構造およびパッケージを提供する。
【解決手段】導電層９が形成され、導電層９の下部に空洞７を有する第１基板２と、導電層９に対応する位置に貫通穴３を有する第２基板１とを、第２基板１と導電層９との間に間隙を開けて導電層９領域以外の領域で固定し、貫通穴３に液体状の導電性材料を挿入して、導電層９に接し貫通穴３の内部に充填された金属を含む貫通導電部１２を形成する基板間接続構造とした。 （もっと読む）

【課題】低背化、高機能化するとともに、より設計自由度が高い多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】コア基板２と、コア基板２の一方主面３に形成された第１の樹脂層１２とからなる多層基板１１であり、第１の実装部品１０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に形成された表面導体に実装され、第２の実装部品２０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装され、第１の実装部品１０と第２の実装部品２０とは、第１の樹脂層１２に埋設されている。 （もっと読む）

【課題】 放熱性に優れるとともに、信頼性にも優れるプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の貫通穴１ａが設けられたコア層１と、コア層１の両表面と第１の貫通穴１ａの内壁面とを覆い、無機フィラーを含有する硬化したプリプレグ２ａ、２ｂを含む絶縁層５０ａ、５０ｂと、絶縁層５０ａ、５０ｂの両表面に接着され、ガラスクロスに含浸された熱硬化性樹脂が硬化されてなる層５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂと配線層７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄとを含む回路層５１ａ、５１ｂと、第１の貫通穴１ａと略同軸の位置に絶縁層５０ａ、５０ｂと回路層５１ａ、５１ｂとを貫通して設けられたスルーホール８と、を備え、回路層５１ａ、５１ｂが、ガラスクロスに含浸された熱硬化性樹脂が硬化されてなる層の配線層が形成さていない面で絶縁層５０ａ、５０ｂに接着されているプリント配線板とした。 （もっと読む）

【課題】複数のシリコン基板同士の電気接続長を短くして、寄生容量を最小にするとともに、パッケージ基板全体の反りを抑制して接続信頼性を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ９は、半導体素子を備えた複数のシリコン基板１を内蔵する半導体パッケージにおいて、第１のシリコン基板にシリコン貫通ヴィア２を備え、パッケージ基板を形成するコア基板１０の基材の線膨張係数が、３〜８ｐｐｍ／℃である。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、ベース基板の反りを抑制しつつ、ダミーパターンのめっき液の消費量及びクラックの発生を低減することができる配線基板を提供する。
【構成】 配線基板１００は、ベース基板１１０と、このベース基板１１０の面上に交互に積層された絶縁層１２０及び配線層１３０とを備えている。配線層１３０は配線領域と非配線領域を有している。前記配線領域には複数の配線パターン１３１が間隔をあけて設けられている。前記非配線領域には複数の正六角形のダミーパターン１３２が間隔を空けてハニカム状に配設されている。ダミーパターン１３２の間の通路１３３はジグザグ状である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔３を有する絶縁板１と、貫通孔３内に充填された貫通導体２とを備える配線基板であって、貫通孔３の内側面と貫通導体２の側面との間に、内部に空隙４ａを含んだ焼結体からなる緩衝層４が介在している配線基板である。貫通導体２の熱膨張を、空隙４ａを含んだ緩衝層４の変形によって吸収することができるため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制して、貫通導体２の絶縁板１からの突出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】表面実装部品をはんだ付けにより実装する際のはんだボイドの発生およびそれによるショート不良の発生を防止することが可能なセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結金属からなる外部電極４を備えたセラミック多層基板において、外部電極４の表面の所定の領域にめっき金属層１１を形成し、外部電極４の表面の一部にはめっき金属層を形成しないようにして、外部電極のめっき金属層が形成されていない領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極の一部を、表面にめっき金属層が付着しない無機絶縁材料からなる多孔質層により被覆し、外部電極の表面の、多孔質層が配設されていない領域にのみめっき金属層を形成するようにして、多孔質層が形成された領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極を、セラミック粒子を含む焼結金属からなるポーラスな電極とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はセラミック基板の製造方法及びこれを用いたセラミック基板に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセラミック基板の製造方法は、セラミック基板に形成されたブリスターに第１接着層を形成する段階と、上記第１接着層が形成されたブリスターに充填剤を充填する段階と、上記セラミック基板を硬化させる段階とを含む。本発明によると、セラミック基板に形成されたブリスターを除去することができ、基板表面が均一な信頼度が向上したセラミック基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の熱エネルギーの伝達速度を高めることができる回路板を提供すること。
【解決手段】回路板は、金属パターン層と、熱伝導板部材と、電気絶縁層と、少なくとも１つの電気絶縁材料とを備えている。熱伝導板部材は平面を有する。電気絶縁層は金属パターン層と平面との間に配置され、かつ平面を局所的に覆っている。電気絶縁材料は電気絶縁層に覆われていない平面を覆うとともに、熱伝導板部材に接触している。電気絶縁層は電気絶縁材料を露出させ、電気絶縁材料の熱伝導率は電気絶縁層の熱伝導率より大きい。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の差による製品の反りや捩れを防止する。
【解決手段】基材２の面部２Ａを表裏に貫通する配線用スルーホール５Ａを備え、基材２と異なる熱膨張率の絶縁材料６Ｂを使用した配線用スルーホール部位５と、基材２の面部２Ａに形成した下孔６Ａを備え、当該下孔６Ａに絶縁材料６Ｂを充填して形成する熱膨張調整部位６とを有し、基材２の面部２Ａに区画したセル２０内の縦横方向の熱膨張率の差が最小限となるように、当該セル２０内の配線用スルーホール部位５の配置位置に応じて、当該セル２０内に熱膨張調整部位６を配置した。 （もっと読む）