配線基板、実装構造体、複合積層板及び配線基板の製造方法
【課題】信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板３は、第２樹脂層１０ｂと、第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１とを備える。無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子１１ａを含む。第２樹脂層１０ｂは、無機絶縁層１１に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【解決手段】配線基板３は、第２樹脂層１０ｂと、第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１とを備える。無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子１１ａを含む。第２樹脂層１０ｂは、無機絶縁層１１に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、実装構造体、複合積層板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
紙基材フェノール樹脂積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂積層板等の積層板を用いて構成された配線基板が知られている。このような積層板を用いたコア基板に熱硬化性樹脂を積層して多層化した配線基板も知られている。セラミック基板を用いた配線基板も知られている。
【０００３】
特許文献１は、アルミナセラミック層にガラス布基材エポキシ樹脂層を積層して構成した積層板を開示している。特許文献１では、このようにＦＲＰ層とセラミック層とを組み合わせることにより、両者の長所を取り入れた、改良された基板が提供されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−２５３９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術は、専用の製造装置が必用であり、また、薄型化が難しい。そこで、ガラス布基材エポキシ樹脂層に代えて樹脂層を用いることが考えられる。しかし、そのようにすると、配線基板の靭性の低下が生じ、また、セラミック層と樹脂層との剥離が生じやすくなる。その結果、配線基板の信頼性が低下する。
【０００６】
本発明は、信頼性を向上させる要求に応える配線基板、実装構造体、複合積層板及び配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る配線基板は、樹脂層と、前記樹脂層上に形成された無機絶縁層と、を備え、前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、前記樹脂層は、前記無機絶縁層に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【０００８】
本発明の一形態に係る実装構造体は、上記の本発明の一形態に係る配線基板と、当該配線基板上に搭載された電子部品と、を備える。
【０００９】
本発明の一形態に係る複合積層板は、金属箔と、該金属箔上に形成された無機絶縁層と、該無機絶縁層上に形成された接着剤層とを備えた複合積層板であって、前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、前記接着剤層は、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【００１０】
本発明の一形態に係る配線基板の製造方法は、金属箔上に、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含む無機絶縁層を形成する工程と、前記無機絶縁層上に、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である未硬化の熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤層を形成して複合積層板を得る工程と、主面に導電層を有するコア基板上に前記複合積層板を、前記接着剤層が前記導電層と当接するように重ね交わせ熱圧着により一体化して多層化する。
【発明の効果】
【００１１】
上記の構成又は手順によれば、無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含むことから、靭性が向上する。また、ガラス布等の基材を有さない樹脂層を用いた場合、基材を有さない樹脂層は、無機絶縁層に比較して熱膨張率が大きくなりやすく、配線基板に熱が印加された場合に無機絶縁層から剥離しやすい。しかし、上記の構成及び手順によれば、樹脂層は、熱膨張率が１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなることから、無機絶縁層と樹脂層との境界に印加される応力を低減することができるため、無機絶縁層と樹脂層との剥離を低減できる。このように、信頼性に優れた配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図であり、図２（ｂ）は、２つの第１無機絶縁粒子が結合した様子を模式的に現したものである。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図４（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図５】図５（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１５】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１６】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の上下面に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１８】
基体７は、コア基板５の剛性を高めるものであり、第１樹脂層１０ａと該第１樹脂層１０ａ上下面に設けられた無機絶縁層１１とを有する。
【００１９】
第１樹脂層１０ａは、基体７の主要部をなすものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された基材を含む。第１樹脂層１０ａは、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定され、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０１以上０．０２以下に設定されている。
【００２０】
なお、ヤング率は、市販の引張り試験機を用いて、ＩＳＯ５２７‐１：１９９３に準じた測定方法により測定される。また、熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により、測定される。また、誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により、測定される。
【００２１】
第１樹脂層１０ａに含まれる樹脂部は、第１樹脂層１０ａの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。樹脂部は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２２】
樹脂部に被覆された基材は、第１樹脂層１０ａの剛性を高めるとともに、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率を低減するものである。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができ、繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２３】
第１樹脂層１０ａは、樹脂部に被覆された無機絶縁フィラー１２を含有していることが望ましい。その結果、第１樹脂層１０ａの熱膨張率を低減するとともに、第１樹脂層１０ａの剛性を高めることができる。無機絶縁フィラー１２は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成されたものを用いることができ、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定され、第１樹脂層１０ａの樹脂部における含有量が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。
【００２４】
なお、無機絶縁フィラー１２の粒径は、第１樹脂層１０ａの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。また、第１樹脂層１０ａの樹脂部における無機絶縁フィラー１２の含有量(体積％)は、第１樹脂層１０ａの研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂層１０ａの樹脂部に占める無機絶縁フィラー１２の面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
【００２５】
無機絶縁層１１は、無機絶縁材料により構成されており、無機絶縁材料は樹脂材料と比較して剛性が高いことから、無機絶縁層１１は基体７の剛性を高める機能を有する。なお、無機絶縁層１１は、無機絶縁材料を例えば９９％以上含む。
【００２６】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料と比較して低分子の無機絶縁材料により構成されていることから、その分子が小さく分子間に水分子が侵入しにくい性質を有しているため、第１樹脂層１０ａよりも絶縁性が高く、コア基板５の上下面に配置された一対の配線層６間の短絡を低減することができる。
【００２７】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料と比較して熱膨張率の低い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板３の平面方向への熱膨張率を低減することにより、配線基板３と電子部品２との熱膨張率の違いに起因した配線基板３の反りを低減でき、また、基体７の厚み方向への熱膨張率を低減することにより、基体７とスルーホール導体８との熱膨張率の違いに起因したスルーホール導体８の断線を低減できる。
【００２８】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料よりも誘電正接の低い無機絶縁材料により構成されていることから、コア基板５の最上層及び最下層に形成されていることにより、コア基板５の上下面に配置された配線層６の信号伝送特性を高めることができる。
【００２９】
上述した無機絶縁層１１は、例えば平板状に形成されており、厚みが例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定され、厚みが例えば第１樹脂層１０ａの３％以上１０％以下に設定され、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が例えば第１樹脂層１０ａの樹脂部の１０倍以上１００倍以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．０１以下に設定されている。
【００３０】
また、無機絶縁層１１は、無機絶縁材料がアモルファス（非晶質）状態である。アモルファス状態の無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を９０重量％以上含むものを用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を１００重量％含むものを用いることが望ましく、酸化ケイ素を１００重量％未満含むものを用いる場合は、酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含むものを用いても構わない。
【００３１】
アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。なお、無機絶縁材料における結晶相領域の体積比は、１００％結晶化した試料粉末を非晶質粉末に混合してX線回折法で測定して検量線を作成し、調査試料のデータと検量線のデータを比較することにより、測定される。
【００３２】
一方、図２（ａ）に示すように、無機絶縁層１１は、第１無機絶縁粒子１１ａと該第１無機絶縁粒子１１ａよりも粒径が大きい第２無機絶縁粒子１１ｂとを含む。第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、上述した無機絶縁層１１を構成する無機絶縁材料により形成されたものを使用することができる。
【００３３】
第１無機絶縁粒子１１ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されており、図２（ｂ）に示すように、互いに結合することにより、無機絶縁層１１の主要部を構成している。なお、第１無機絶縁粒子１１ａ同士が互いに結合している領域を結合領域１１ａｚとする。
【００３４】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されており、第１無機絶縁粒子１１ａを介して互いに接着している。
【００３５】
なお、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより、確認される。また、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの粒径は、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。
【００３６】
基体７には、該基体７を厚み方向に貫通し、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状であるスルーホールＴが設けられている。スルーホールＴの内部には、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するスルーホール導体８がスルーホールＴの内壁に沿って円筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３７】
円筒状に形成されたスルーホール導体８の中空部には、絶縁体９が柱状に形成されており、スルーホール導体８の端面と絶縁体９の端面とで、後述するビア導体１４の支持面を形成している。絶縁体９としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００３８】
一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、第２樹脂層１０ｂ、無機絶縁層１１、導電層１３、ビア孔Ｖ、ビア導体１４と、を含んでいる。導電層１３及びビア導体１４は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む配線部を構成している。
【００３９】
第２樹脂層１０ｂは、導電層１３を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１３同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものである。第２樹脂層１０ｂは、厚みが例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、弾性率が例えば０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは４ＧＰａ以上９ＧＰａ以下に設定され、誘電正接が例えば０．００１以上０．０２以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは１５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ガラス転移温度が１７０℃以上、好ましくは１８０℃以上２４０℃以下に設定されている。
【００４０】
第２樹脂層１０ｂは、低熱膨張率であるため、無機絶縁層１１との熱膨張率差が小さく、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの境界に印加される熱応力が低減される。また、配線基板３全体の熱膨張率が低減される。また、第２樹脂層１０ｂが低弾性率であるため、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの境界に印加される熱応力を第２樹脂層１０ｂによって緩和することができる。樹脂は、ガラス転移温度を超えると、弾性率は低下するが、熱膨張率が上昇してしまう。しかし、第２樹脂層１０ｂは、ガラス転移温度が高いため、配線基板３の使用時に、第２樹脂層１０ｂの温度をガラス転移温度以下に維持することにより、低熱膨張率を維持することができる。
【００４１】
第２樹脂層１０ｂは、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成されている。
【００４２】
より好適には、第２樹脂層１０ｂを構成する樹脂材料としては、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤（無機絶縁フィラー１２）、（Ｄ）無機充填剤を含む熱硬化性樹脂組成物が用いられる。
【００４３】
（Ａ）二官能エポキシ樹脂及び（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤により、第２樹脂層１０ｂの低熱膨張化を図れる。従って、（Ｄ）無機充填剤の量を増加させることなく、第２樹脂層１０ｂを低熱膨張化できる。その結果、樹脂材料の含有量の減少を抑制できるため、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高めることができる。また、樹脂材料の含有量の減少を抑制できるため、第２樹脂層１０ｂの弾性率が低減される。その結果、無機絶縁層１１及び第２樹脂層１０ｂの熱膨張差に起因してこれらの境界に印加される熱応力を緩和することができる。それ故、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減することができる。
【００４４】
（Ａ）二官能エポキシ樹脂は、分子内に２個のエポキシ基を有するものであればよい。２官能エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が挙げられる。このうちビフェニル型エポキシ樹脂が成形性の理由で好ましい。
【００４５】
（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤は、骨格内にイミド構造を有する硬化剤であればよい。このような硬化剤としては、例えば、ノボラック型硬化剤、トリアジン変性ノボラック型硬化剤、ポリアミドイミド型硬化剤、シリコーン変性型硬化剤が挙げられる。このうちトリアジン変性ノボラック型硬化剤が、接着性の理由で好ましい。
【００４６】
（Ｃ）硬化促進剤としては、例えば、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボランなどの有機ホスフィン化合物；１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５などのジアザビシクロアルケン化合物；トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン化合物などが挙げられる。これらは単独または２種以上混合して使用することができる。このうち２−ウンデシルイミダゾールが、反応性が速いため好ましい。
【００４７】
（Ｄ）無機充填剤は、平均粒子径が１０μｍ以下であり、樹脂組成物全体の１０重量％以上５０重量％以下であることが好ましい。無機充填剤としては、例えば、水酸化アルミニウム、タルク、シリカ等が挙げられる。このうち溶融シリカが、熱膨張が低いので好ましい。
【００４８】
上記（Ａ）〜（Ｄ）の材料の配合量は、例えば、（Ａ）５〜２５重量％、（Ｂ）０．１〜３５重量％、（Ｃ）０．０５〜１０重量％、（Ｄ）４０〜９０重量％である。より好ましくは、（Ａ）１０〜２０重量％、（Ｂ）２５〜３５重量％、（Ｃ）０．１〜０．３重量％、（Ｄ）５０〜６０重量％である。
【００４９】
無機絶縁層１１は、第２樹脂層１０ｂ上に形成され、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様に、樹脂材料と比較して剛性及び絶縁性が高く熱膨張率及び誘電正接が低い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板３の剛性を高め、導電層１３同士の短絡を低減し、配線基板３の反りを低減し、ビア導体１４の断線を低減し、導電層１３における信号伝送特性を高めることができる。
【００５０】
第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、例えば第２樹脂層１０ｂの０．５倍以上１０倍以下に設定されている。かかる無機絶縁層１１のその他の構成は、図２（ｂ）に示すように、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様の構成である。
【００５１】
導電層１３は、無機絶縁層１１上に形成され、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１を介して厚み方向に互いに離間している。導電層１３としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５２】
ビア導体１４は、厚み方向に互いに離間した導電層１３同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１４としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５３】
上述した本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１がアモルファス（非晶質）状態の無機絶縁材料から成る。その結果、結晶状態の無機絶縁材料から成る場合と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板３が加熱された場合、加熱後の冷却の際に無機絶縁層１１の収縮を各方向にてより均一にすることができ、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。
【００５４】
ところで、アモルファス状態の無機絶縁層１１を形成するためには、結晶化開始温度未満にて無機絶縁粒子同士を結合させる必要があるが、このような低温で無機絶縁粒子同士を結合させると、無機絶縁粒子同士の接着強度が低下しやすくなるため、平板状に形成された無機絶縁層１１の厚み方向へクラックが生じやすくなる。
【００５５】
一方、本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定された第１無機絶縁粒子１１ａを含んでおり、該第１無機絶縁粒子１１ａ同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に結合するため、アモルファス状態の無機絶縁層１１において無機絶縁粒子同士の接着強度を高めることができ、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減することができる。ここで、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていると、第１無機絶縁粒子１１ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第１無機絶縁粒子１１ａ同士が強固に結合すると推測される。
【００５６】
さらに、本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定された第２無機絶縁粒子１１ｂを含む。その結果、無機絶縁層１１にクラックが生じた場合、厚み方向へのクラックの伸長が第２無機絶縁粒子１１ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｂの表面に沿って迂回するようにクラックが伸長することから、クラックの伸長に大きなエネルギーが必要となるため、クラックの伸長を低減することができる。
【００５７】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは粒径が大きいため、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接着強度は小さくなりやすいが、本実施形態の配線基板３においては、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士は、接着強度の高い第１無機絶縁粒子１１ａを介して互いに接着しているため、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の剥離に起因したクラックの発生を低減することができる。
【００５８】
以上のように、無機絶縁層１１が、熱膨張率の異方性の小さいアモルファス状態であるとともに、該アモルファス状態であることに起因したクラックの発生及び伸長を低減する第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂを含むため、無機絶縁層１１の上面に形成された導電層１３の断線を低減し、電気的信頼性に優れた配線基板３を提供することができる。
【００５９】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径が５μｍ以下に設定されていることにより、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの単位重量あたりの接触面積を増加させることができるため、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの接着強度を高め、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの剥離を低減し、該剥離に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。
【００６０】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、互いに離間していることが望ましく、さらには、第１無機絶縁粒子１１ａに被覆されていることが望ましい。その結果、接着強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接触領域を低減することにより、該接触領域に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。
【００６１】
第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層１１において、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。
【００６２】
また、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、無機絶縁フィラー１２と同一材料からなることが望ましい。その結果、第１樹脂層１０ａ及び第２樹脂層１０ｂの熱膨張率を無機絶縁層１１により近づけることができる。
【００６３】
第１無機絶縁粒子１１ａは、球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１１ａ間の空隙を低減することにより、無機絶縁層１１の内部構造を緻密にでき、無機絶縁層１１の剛性及び絶縁性を向上させることができる。
【００６４】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、球状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｂの表面における応力を分散させることができ、第２無機絶縁粒子１１ｂの表面を起点とした無機絶縁層１１のクラックの発生を低減することができる。
【００６５】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、第１無機絶縁粒子１１ａよりも硬度が高いことが望ましい。その結果、厚み方向へのクラックの伸長が第２無機絶縁粒子１１ｂに達した際に、該クラックが第２無機絶縁粒子１１ｂの内部へ伸長することを低減し、ひいては無機絶縁層１１におけるクラックの伸長を低減することができる。また、後述するように、第２無機絶縁粒子１１ｂは第１無機絶縁粒子１１ａよりも硬度を容易に高めることができるため、無機絶縁層１１の剛性を容易に高めることができる。なお、硬度は、ナノインデンター装置を用いることにより、測定することができる。
【００６６】
無機絶縁層１１は、第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上７０体積％以下含むことが望ましい。
【００６７】
第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上含むことにより、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の間隙に第１無機絶縁粒子１１ａを隙間なく十分に配置させて互いに結合させることができ、かかる間隙におけるクラックの発生及び伸長を低減することができる。また、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上含むことにより、無機絶縁層１１におけるクラックの伸長を効果的に抑制することができる。
【００６８】
なお、無機絶縁層１１における第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの含有量（体積％）は、無機絶縁層１１の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、無機絶縁層１１における第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの面積比率（面積％）を１０個の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
【００６９】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００７０】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図６に基づいて説明する。
【００７１】
（積層板１５の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、第１無機絶縁粒子１１ａ、第２無機絶縁粒子１１ｂ及び溶剤を含む無機絶縁ゾル１１ｘと銅箔１３ｘとを準備し、銅箔１３ｘの一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。
【００７２】
無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分と溶剤とを含む。無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含むことが望ましい。また、該固形分は、第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上７０体積％以下含むことが望ましい。
【００７３】
溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの５０体積％以上含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させて、配線基板３の上面の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの９０体積％以下含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層１１の生産性を向上させることができる。また、第１無機絶縁粒子１１ａを固形分の３０体積％以上含むことにより、無機絶縁層１１の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、第２無機絶縁粒子１１ｂを固形分の１０体積％以上含むことにより、（２）の工程にて無機絶縁層１１におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００７４】
第１無機絶縁粒子１１ａは、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。なお、析出時間の調整により、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径を調整することができる。
【００７５】
第１無機絶縁粒子１１ａの粒径は、３ｎｍ以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させることができる。
【００７６】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第２無機絶縁粒子１１ｂは、第１無機絶縁粒子１１ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすいため、高温加熱で容易に作製することができ、ひいては硬度を容易に高めることができる。
【００７７】
なお、第２無機絶縁粒子１１ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
【００７８】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径のばらつき（標準偏差）が、無機絶縁フィラー１２よりも小さいことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｂを無機絶縁層１１内により均一に分散させることができ、第２無機絶縁粒子１１ｂの凝集を低減することによって、接着強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接触領域を低減することができる。なお、第２無機絶縁粒子１１ｂにおける粒径の標準偏差は、無機絶縁フィラー１２の２０％以下に設定されていることが望ましい。
【００７９】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール及び／又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘを均一に塗布することができ、且つ、（２）の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００８０】
無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。
【００８１】
銅箔１３ｘの一主面に塗布された無機絶縁ゾル１１ｘは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば３μｍ以上１１０μｍ以下に設定されている。
【００８２】
（２）図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾル１１ｘを加熱し、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を結合させることにより、無機絶縁ゾル１１ｘを無機絶縁層１１にして、銅箔１３ｘと無機絶縁層１１とを有する積層シート１６を形成する。
【００８３】
無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上６００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されている。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満であることにより、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、結晶化した無機絶縁層１１が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。
【００８４】
ここで、無機絶縁ゾル１１ｘは粒径が１１０ｎｍ以下に設定された第１無機絶縁粒子１１ａを含むため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を強固に結合させることができる。これは、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径が１１０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１無機絶縁粒子１１ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１無機絶縁粒子１１ａ同士が強固に結合すると推測される。なお、第１無機絶縁粒子１１ａとして酸化ケイ素により形成されたものを用いる場合、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、かかる粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、かかる粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。
【００８５】
また、無機絶縁ゾル１１ｘは粒径が０．５μｍ以上に設定された第２無機絶縁粒子１１ｂを含むため、第２無機絶縁粒子１１ｂが含まれている領域にて局所的に溶剤の含有量を低減することができる。それ故、溶剤が蒸発する際に生じる無機絶縁層１１の平面方向への収縮を低減することができ、該収縮に起因して平板状の無機絶縁層１１に生じる厚み方向へのクラックを低減することができる。また、無機絶縁層１１にクラックが生じた場合、第１無機絶縁粒子１１ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｂによって該クラックの伸長を低減することができる。
【００８６】
無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、例えば大気雰囲気中で行うことができる。また、温度を１５０℃以上に上げる場合、銅箔１３ｘの酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。
【００８７】
（３）図４（ａ）に示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘを準備する。第１樹脂層前駆体１０ａｘは、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層することにより作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００８８】
（４）図４（ｂ）に示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘの上下面それぞれに無機絶縁層１１を当接させるように積層シート１６を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第１樹脂層前駆体１０ａｘを硬化させて第１樹脂層１０ａにし、第１樹脂層１０ａと無機絶縁層１１とを有する基体７を形成する。
【００８９】
該積層体の加熱加圧は、温度が第１樹脂層１０ａの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、該積層体の加熱加圧は、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００９０】
以上のようにして、積層板１５を作製することができる。
【００９１】
（コア基板５の作製）
（５）図４（ｃ）に示すように、基体７を上下方向に貫通するスルーホール導体８を形成し、基体７上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。
【００９２】
まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて銅箔１３ｘをパターニングすることにより、導電層１３を形成する。
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００９３】
（複合積層板１７の作製）
（６）図５（ａ）に示すように、（１）及び（２）の工程と同様に、銅箔１３ｘと無機絶縁層１１とを有する積層シート１６を形成し、未硬化の第２樹脂層前駆体１０ｂｘを無機絶縁層１１上に形成することにより、複合積層板１７を得る。
【００９４】
第２樹脂層前駆体１０ｂｘは、例えば、液状の樹脂組成物を無機絶縁層１１に塗布することにより、若しくは、未硬化の樹脂組成物をシート状に成形したものを無機絶縁層１１に仮付けすることにより、無機絶縁層１１上に形成される。
【００９５】
液状の樹脂組成物及びシート状の未硬化の樹脂組成物は、公知の種々の方法により製造されてよい。樹脂組成物が好ましい態様である場合、すなわち、樹脂組成物が（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む場合も同様である。
【００９６】
例えば、液状の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）の成分を上述した配合量で混合するとともに有機溶剤により希釈することにより製造される。なお、混合及び希釈に際しては、適宜に加熱処理若しくは冷却処理が行われてよく、また、各成分の投入時期も適宜に設定されてよい。また、例えば、シート状の樹脂組成物は、樹脂組成物（有機溶剤を含んでいてもよい）を押出成形法、キャスティング成形法等により成形することにより製造される。
【００９７】
なお、有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、若しくは、ジメチルアセトアミドが挙げられる。
【００９８】
（配線基板３の作製）
（７）図５（ｂ）に示すように、コア基板５の上下面それぞれに第２樹脂層前駆体１０ｂｘを当接させるように複合積層板１７を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第２樹脂層前駆体１０ｂｘを硬化させて第２樹脂層１０ｂにする。なお、該積層体の加熱加圧は、例えば（４）の工程と同様に行うことができる。
【００９９】
（８）図５（ｃ）に示すように、例えば硫酸及び過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液又は塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、無機絶縁層１１から銅箔１３ｘを剥離する。
【０１００】
（９）図６（ａ）に示すように、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１を上下方向に貫通するビア導体１４を形成し、無機絶縁層１１上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。
【０１０１】
まず、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１３の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔Ｖにビア導体１４を形成するとともに無機絶縁層１１上に導電層１３を形成する。
【０１０２】
（１０）図６（ｂ）に示すように、（６）乃至（９）の工程を繰り返すことにより、コア基板５の上下面に配線層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６をより多層化することができる。
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【０１０３】
（実装構造体１の作製）
（１１）バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体１を作製することができる。
【０１０４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【０１０５】
例えば、上述した本発明の実施形態は、配線層にて第２樹脂層及び無機絶縁層を２層積層した構成を例に説明したが、第２樹脂層及び無機絶縁層は何層積層しても構わない。
【０１０６】
また、上述した本発明の実施形態は、無機絶縁層に第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含む構成を例に説明したが、無機絶縁層には第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子が上述した範囲の体積％で含まれていればよく、第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。
【０１０７】
また、上述した本発明の実施形態は、第１樹脂層が基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は基材を含まなくても構わない。配線基板が、基材を含まない第１樹脂層と無機絶縁層とを備えている場合、無機絶縁層により配線基板の剛性を高めつつ平面方向への熱膨張率を低減し、基材を含まないことにより配線基板の厚みを小さくしつつ平坦性を高めることができる。第１樹脂層は、第２樹脂層と同様の構成であってもよい。
【０１０８】
また、上述した本発明の実施形態は、基体が第１樹脂層を備えた構成を例に説明したが、基体は金属板と該金属板を被覆する第１樹脂層とを備えていても構わない。
【０１０９】
また、上述した本発明の実施形態は、配線基板が第１樹脂層上及び第２樹脂層上の両方に無機絶縁層を備えた構成を例に説明したが、配線基板は少なくとも１層の無機絶縁層を備えていればよく、第１樹脂層上又は第２樹脂層上のどちらか一方のみに無機絶縁層を備えていても構わない。また、配線基板が第２樹脂層上のみに無機絶縁層を有する場合、配線基板は、コア基板としてセラミック基板等の樹脂基板以外の基板を備えていても構わないし、コア基板を備えていなくても構わない。
【０１１０】
また、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程にて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾルを加熱する構成を例に説明したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行なっても構わない。
【０１１１】
また、上述した本発明の実施形態は、銅箔を備えた複合積層板を説明したが、複合積層板は、一主面に導電材料層が形成されていればよく、例えば導電材料層として銅箔以外の金属箔を用いても構わない。
【実施例】
【０１１２】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。
【０１１３】
表１に示すように、複数種の樹脂組成物（実施例１〜３及び比較例１〜３）を製造し、その特性を調査した。具体的には、以下のとおりである。
【０１１４】
＜試料の製造方法＞
樹脂及び溶剤をガラス容器に仕込み、８０℃まで昇温後、２時間攪拌し、その後、４０℃まで冷却した。次に、硬化剤、必要に応じて、無機充填剤及び硬化促進剤を投入し、１時間攪拌し、樹脂組成物を得た。そして、得られた樹脂組成物を離型紙に塗布後、１５０℃で５分間乾燥して、厚さ２５μmの樹脂シートを作成した。なお、特性の測定においては、後述するように、更に加熱等の工程が適宜に加えられた。
【０１１５】
＜各樹脂組成物の組成＞
各樹脂組成物の組成については、表１における、「組成（重量部）」の欄において、成分と、その配合量（重量部）とが示されている。なお、表１における各成分の詳細は、以下のとおりである。
【０１１６】
（樹脂）
２官能エポキシ樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０−Ｓ」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）
３官能エポキシ樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−４７５０」
ＰＰＥ：旭化成株式会社製、商品名「ＡＰＰＥ」
【０１１７】
（硬化材）
イミド骨格樹脂１：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＢＥＳＭＯＬ ＩＺ−９８８３」（フェノール樹脂）
イミド骨格樹脂２：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ユニディック Ｖ−８０００」（フェノール樹脂）
非イミド骨格樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ ＬＡ−３０１８」（フェノール樹脂、ノボラック樹脂）
ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート）：日本化成株式会社製、商品名「ＴＡＩＣ」
【０１１８】
（硬化促進剤）
イミダゾール：２−メチル−４メチルイミダゾール
【０１１９】
（無機充填材）
球状シリカ：電気化学工業株式会社製、商品名「ＳＦＰ−１３０ＭＣ」、平均粒径０．５μｍ
結晶シリカ：龍森株式会社製、商品名「クリスタライト ５Ｘ」、平均粒径１．５μｍ
【０１２０】
（その他）
溶剤１：ダイセル化学工業株式会社製、メチルセロソルブアセテート
溶剤２：三京化成株式会社製、トルエン
【０１２１】
＜各樹脂組成物の特性の調査方法＞
表１の「特性」の欄に示されている項目に関して、各樹脂組成物の測定を行った。なお、測定方法は、以下のとおりである。
【０１２２】
（粘度）
樹脂組成物を３℃／ｍｉｎの条件で昇温しつつレオメーターにより粘度を測定した。
【０１２３】
（硬化時間）
樹脂組成物を１７０℃の熱板に当接させ、硬化するまでの時間を測定した。
【０１２４】
（熱膨張率）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍ、縦/横３ｍｍ×３ｍｍのサンプル片を作成した。これを２５℃から２５０℃まで２℃/ｓの条件で昇温し、株式会社島津製作所製のＴＭＡ（熱機械分析装置）により熱膨張率を測定した。
【０１２５】
（弾性率）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．４ｍｍ、縦/横１５０ｍｍ×５ｍｍのサンプルを作成した。このサンプルの弾性率を１０Ｈｚの条件で株式会社島津製作所製のＤＭＡ（動的粘弾性測定装置）により測定した。
【０１２６】
（ガラス転移温度）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍ、縦/横１ｍｍ×１ｍｍのサンプルを作成した。これを３℃/ｍｉｎの条件で昇温しつつ、島津製作所製のＤＭＡによりガラス転移温度を測定した。
【０１２７】
（ピール強度）
厚さ１８μ銅箔の電解銅箔のマット面上に樹脂組成物を塗布し、２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍの塗膜を形成した。これを両面テープで厚さ１．６ｍｍガラスエポキシ積層板に貼りつけた後、引き剥がし試験機で銅箔を引き剥がし、２５℃および２００℃におけるピール強度を測定した。
評価は、１ｋＮ／ｍ以上を○、０．５ｋＮ／ｍ以上１ｋＭ未満を△、０．５ｋＮ未満を×とした。
【０１２８】
（半田耐熱性）
厚さ１８μ銅箔の電解銅箔のマット面上に樹脂組成物を塗布し、２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍの塗膜を形成した。これを１０ｍｍ×１０ｍｍに切断し、２８８℃の半田槽に浮かべてフクレが生じるまでの時間を測定した。
評価は、１５分以上を○、３分以上１５分未満を△、３分未満を×とした。
【０１２９】
＜実施例及び比較例の説明＞
（概要）
実施例１〜３の樹脂組成物は、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上の要件を満たすものである。一方、比較例１〜３の樹脂組成物は、上記の少なくとも一つの要件を満たさないものである。
【０１３０】
実施例１〜３の樹脂組成物は、上述した（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む。一方、比較例１〜３は、（Ａ）〜（Ｄ）の少なくとも一つの条件を満たさない。
【０１３１】
実施例１と実施例２とは、主として、（Ｂ）硬化剤の種類が異なる。実施例１と実施例３とは、主として、（Ｄ）無機充填剤の種類が異なる。比較例１は（Ｂ）の要件を満たさない。比較例２は（Ａ）及び（Ｂ）の要件を満たさない。比較例３は、（Ａ）〜（Ｄ）のいずれも満たさない。
【０１３２】
以上のとおり、実施例により、熱膨張率：１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率：０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度：１７０℃以上の要件を満たす樹脂組成物が実現可能であることが確認された。
【０１３３】
また、実施例と比較例との比較から、（Ａ）〜（Ｄ）を含むことにより、熱膨張率：１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率：０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度：１７０℃以上の要件を満たし易くなることが確認された。
【０１３４】
（実施例１）
実施例１の樹脂組成物は、実施例中、最も低熱膨張率及び低弾性率を実現している樹脂組成物である。なお、実施例１の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１７重量％、（Ｂ）約２８重量％、（Ｃ）約０．２重量％、（Ｄ）約５５重量％である。
【０１３５】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比較すると、熱膨張率及び弾性率がやや高い。ただし、実施例２は、ガラス転移温度は実施例１よりも高い。なお、実施例２の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１６重量％、（Ｂ）約３１重量％、（Ｃ）約０．２重量％、（Ｄ）約５２重量％であり、実施例１と概ね同様である。
【０１３６】
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比較すると、熱膨張率及び弾性率がやや高い。なお、実施例３の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１７重量％、（Ｂ）約２８重量％、（Ｃ）約０．１重量％、（Ｄ）約５５重量％であり、実施例１と概ね同様である。
【０１３７】
【表１】
【符号の説明】
【０１３８】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ バンプ
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ａ 第１樹脂層
１０ａｘ 第１樹脂層前駆体
１０ｂ 第２樹脂層
１０ｂｘ 第２樹脂層前駆体
１１ 無機絶縁層
１１ａ 第１無機絶縁粒子
１１ｂ 第２無機絶縁粒子
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２ 無機絶縁フィラー
１３ 導電層
１３ｘ 銅箔
１４ ビア導体
１５ 積層板
１６ 積層シート
１７ 複合積層板
Ｔ スルーホール
Ｖ ビア孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、実装構造体、複合積層板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
紙基材フェノール樹脂積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂積層板等の積層板を用いて構成された配線基板が知られている。このような積層板を用いたコア基板に熱硬化性樹脂を積層して多層化した配線基板も知られている。セラミック基板を用いた配線基板も知られている。
【０００３】
特許文献１は、アルミナセラミック層にガラス布基材エポキシ樹脂層を積層して構成した積層板を開示している。特許文献１では、このようにＦＲＰ層とセラミック層とを組み合わせることにより、両者の長所を取り入れた、改良された基板が提供されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−２５３９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術は、専用の製造装置が必用であり、また、薄型化が難しい。そこで、ガラス布基材エポキシ樹脂層に代えて樹脂層を用いることが考えられる。しかし、そのようにすると、配線基板の靭性の低下が生じ、また、セラミック層と樹脂層との剥離が生じやすくなる。その結果、配線基板の信頼性が低下する。
【０００６】
本発明は、信頼性を向上させる要求に応える配線基板、実装構造体、複合積層板及び配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る配線基板は、樹脂層と、前記樹脂層上に形成された無機絶縁層と、を備え、前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、前記樹脂層は、前記無機絶縁層に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【０００８】
本発明の一形態に係る実装構造体は、上記の本発明の一形態に係る配線基板と、当該配線基板上に搭載された電子部品と、を備える。
【０００９】
本発明の一形態に係る複合積層板は、金属箔と、該金属箔上に形成された無機絶縁層と、該無機絶縁層上に形成された接着剤層とを備えた複合積層板であって、前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、前記接着剤層は、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる。
【００１０】
本発明の一形態に係る配線基板の製造方法は、金属箔上に、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含む無機絶縁層を形成する工程と、前記無機絶縁層上に、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である未硬化の熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤層を形成して複合積層板を得る工程と、主面に導電層を有するコア基板上に前記複合積層板を、前記接着剤層が前記導電層と当接するように重ね交わせ熱圧着により一体化して多層化する。
【発明の効果】
【００１１】
上記の構成又は手順によれば、無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含むことから、靭性が向上する。また、ガラス布等の基材を有さない樹脂層を用いた場合、基材を有さない樹脂層は、無機絶縁層に比較して熱膨張率が大きくなりやすく、配線基板に熱が印加された場合に無機絶縁層から剥離しやすい。しかし、上記の構成及び手順によれば、樹脂層は、熱膨張率が１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなることから、無機絶縁層と樹脂層との境界に印加される応力を低減することができるため、無機絶縁層と樹脂層との剥離を低減できる。このように、信頼性に優れた配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図であり、図２（ｂ）は、２つの第１無機絶縁粒子が結合した様子を模式的に現したものである。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図４（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図５】図５（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１５】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１６】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の上下面に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１７】
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１８】
基体７は、コア基板５の剛性を高めるものであり、第１樹脂層１０ａと該第１樹脂層１０ａ上下面に設けられた無機絶縁層１１とを有する。
【００１９】
第１樹脂層１０ａは、基体７の主要部をなすものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された基材を含む。第１樹脂層１０ａは、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定され、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０１以上０．０２以下に設定されている。
【００２０】
なお、ヤング率は、市販の引張り試験機を用いて、ＩＳＯ５２７‐１：１９９３に準じた測定方法により測定される。また、熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により、測定される。また、誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により、測定される。
【００２１】
第１樹脂層１０ａに含まれる樹脂部は、第１樹脂層１０ａの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。樹脂部は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２２】
樹脂部に被覆された基材は、第１樹脂層１０ａの剛性を高めるとともに、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率を低減するものである。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができ、繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２３】
第１樹脂層１０ａは、樹脂部に被覆された無機絶縁フィラー１２を含有していることが望ましい。その結果、第１樹脂層１０ａの熱膨張率を低減するとともに、第１樹脂層１０ａの剛性を高めることができる。無機絶縁フィラー１２は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成されたものを用いることができ、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定され、第１樹脂層１０ａの樹脂部における含有量が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。
【００２４】
なお、無機絶縁フィラー１２の粒径は、第１樹脂層１０ａの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。また、第１樹脂層１０ａの樹脂部における無機絶縁フィラー１２の含有量(体積％)は、第１樹脂層１０ａの研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、第１樹脂層１０ａの樹脂部に占める無機絶縁フィラー１２の面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
【００２５】
無機絶縁層１１は、無機絶縁材料により構成されており、無機絶縁材料は樹脂材料と比較して剛性が高いことから、無機絶縁層１１は基体７の剛性を高める機能を有する。なお、無機絶縁層１１は、無機絶縁材料を例えば９９％以上含む。
【００２６】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料と比較して低分子の無機絶縁材料により構成されていることから、その分子が小さく分子間に水分子が侵入しにくい性質を有しているため、第１樹脂層１０ａよりも絶縁性が高く、コア基板５の上下面に配置された一対の配線層６間の短絡を低減することができる。
【００２７】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料と比較して熱膨張率の低い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板３の平面方向への熱膨張率を低減することにより、配線基板３と電子部品２との熱膨張率の違いに起因した配線基板３の反りを低減でき、また、基体７の厚み方向への熱膨張率を低減することにより、基体７とスルーホール導体８との熱膨張率の違いに起因したスルーホール導体８の断線を低減できる。
【００２８】
また、無機絶縁層１１は、樹脂材料よりも誘電正接の低い無機絶縁材料により構成されていることから、コア基板５の最上層及び最下層に形成されていることにより、コア基板５の上下面に配置された配線層６の信号伝送特性を高めることができる。
【００２９】
上述した無機絶縁層１１は、例えば平板状に形成されており、厚みが例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定され、厚みが例えば第１樹脂層１０ａの３％以上１０％以下に設定され、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が例えば第１樹脂層１０ａの樹脂部の１０倍以上１００倍以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．０１以下に設定されている。
【００３０】
また、無機絶縁層１１は、無機絶縁材料がアモルファス（非晶質）状態である。アモルファス状態の無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を９０重量％以上含むものを用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を１００重量％含むものを用いることが望ましく、酸化ケイ素を１００重量％未満含むものを用いる場合は、酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含むものを用いても構わない。
【００３１】
アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。なお、無機絶縁材料における結晶相領域の体積比は、１００％結晶化した試料粉末を非晶質粉末に混合してX線回折法で測定して検量線を作成し、調査試料のデータと検量線のデータを比較することにより、測定される。
【００３２】
一方、図２（ａ）に示すように、無機絶縁層１１は、第１無機絶縁粒子１１ａと該第１無機絶縁粒子１１ａよりも粒径が大きい第２無機絶縁粒子１１ｂとを含む。第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、上述した無機絶縁層１１を構成する無機絶縁材料により形成されたものを使用することができる。
【００３３】
第１無機絶縁粒子１１ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されており、図２（ｂ）に示すように、互いに結合することにより、無機絶縁層１１の主要部を構成している。なお、第１無機絶縁粒子１１ａ同士が互いに結合している領域を結合領域１１ａｚとする。
【００３４】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されており、第１無機絶縁粒子１１ａを介して互いに接着している。
【００３５】
なお、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより、確認される。また、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの粒径は、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。
【００３６】
基体７には、該基体７を厚み方向に貫通し、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状であるスルーホールＴが設けられている。スルーホールＴの内部には、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するスルーホール導体８がスルーホールＴの内壁に沿って円筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３７】
円筒状に形成されたスルーホール導体８の中空部には、絶縁体９が柱状に形成されており、スルーホール導体８の端面と絶縁体９の端面とで、後述するビア導体１４の支持面を形成している。絶縁体９としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００３８】
一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、第２樹脂層１０ｂ、無機絶縁層１１、導電層１３、ビア孔Ｖ、ビア導体１４と、を含んでいる。導電層１３及びビア導体１４は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む配線部を構成している。
【００３９】
第２樹脂層１０ｂは、導電層１３を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１３同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものである。第２樹脂層１０ｂは、厚みが例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、弾性率が例えば０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは４ＧＰａ以上９ＧＰａ以下に設定され、誘電正接が例えば０．００１以上０．０２以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは１５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ガラス転移温度が１７０℃以上、好ましくは１８０℃以上２４０℃以下に設定されている。
【００４０】
第２樹脂層１０ｂは、低熱膨張率であるため、無機絶縁層１１との熱膨張率差が小さく、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの境界に印加される熱応力が低減される。また、配線基板３全体の熱膨張率が低減される。また、第２樹脂層１０ｂが低弾性率であるため、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの境界に印加される熱応力を第２樹脂層１０ｂによって緩和することができる。樹脂は、ガラス転移温度を超えると、弾性率は低下するが、熱膨張率が上昇してしまう。しかし、第２樹脂層１０ｂは、ガラス転移温度が高いため、配線基板３の使用時に、第２樹脂層１０ｂの温度をガラス転移温度以下に維持することにより、低熱膨張率を維持することができる。
【００４１】
第２樹脂層１０ｂは、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成されている。
【００４２】
より好適には、第２樹脂層１０ｂを構成する樹脂材料としては、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤（無機絶縁フィラー１２）、（Ｄ）無機充填剤を含む熱硬化性樹脂組成物が用いられる。
【００４３】
（Ａ）二官能エポキシ樹脂及び（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤により、第２樹脂層１０ｂの低熱膨張化を図れる。従って、（Ｄ）無機充填剤の量を増加させることなく、第２樹脂層１０ｂを低熱膨張化できる。その結果、樹脂材料の含有量の減少を抑制できるため、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの接着強度を高めることができる。また、樹脂材料の含有量の減少を抑制できるため、第２樹脂層１０ｂの弾性率が低減される。その結果、無機絶縁層１１及び第２樹脂層１０ｂの熱膨張差に起因してこれらの境界に印加される熱応力を緩和することができる。それ故、無機絶縁層１１と第２樹脂層１０ｂとの剥離を低減することができる。
【００４４】
（Ａ）二官能エポキシ樹脂は、分子内に２個のエポキシ基を有するものであればよい。２官能エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が挙げられる。このうちビフェニル型エポキシ樹脂が成形性の理由で好ましい。
【００４５】
（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤は、骨格内にイミド構造を有する硬化剤であればよい。このような硬化剤としては、例えば、ノボラック型硬化剤、トリアジン変性ノボラック型硬化剤、ポリアミドイミド型硬化剤、シリコーン変性型硬化剤が挙げられる。このうちトリアジン変性ノボラック型硬化剤が、接着性の理由で好ましい。
【００４６】
（Ｃ）硬化促進剤としては、例えば、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボランなどの有機ホスフィン化合物；１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５などのジアザビシクロアルケン化合物；トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン化合物などが挙げられる。これらは単独または２種以上混合して使用することができる。このうち２−ウンデシルイミダゾールが、反応性が速いため好ましい。
【００４７】
（Ｄ）無機充填剤は、平均粒子径が１０μｍ以下であり、樹脂組成物全体の１０重量％以上５０重量％以下であることが好ましい。無機充填剤としては、例えば、水酸化アルミニウム、タルク、シリカ等が挙げられる。このうち溶融シリカが、熱膨張が低いので好ましい。
【００４８】
上記（Ａ）〜（Ｄ）の材料の配合量は、例えば、（Ａ）５〜２５重量％、（Ｂ）０．１〜３５重量％、（Ｃ）０．０５〜１０重量％、（Ｄ）４０〜９０重量％である。より好ましくは、（Ａ）１０〜２０重量％、（Ｂ）２５〜３５重量％、（Ｃ）０．１〜０．３重量％、（Ｄ）５０〜６０重量％である。
【００４９】
無機絶縁層１１は、第２樹脂層１０ｂ上に形成され、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様に、樹脂材料と比較して剛性及び絶縁性が高く熱膨張率及び誘電正接が低い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板３の剛性を高め、導電層１３同士の短絡を低減し、配線基板３の反りを低減し、ビア導体１４の断線を低減し、導電層１３における信号伝送特性を高めることができる。
【００５０】
第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、例えば第２樹脂層１０ｂの０．５倍以上１０倍以下に設定されている。かかる無機絶縁層１１のその他の構成は、図２（ｂ）に示すように、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様の構成である。
【００５１】
導電層１３は、無機絶縁層１１上に形成され、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１を介して厚み方向に互いに離間している。導電層１３としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５２】
ビア導体１４は、厚み方向に互いに離間した導電層１３同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１４としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５３】
上述した本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１がアモルファス（非晶質）状態の無機絶縁材料から成る。その結果、結晶状態の無機絶縁材料から成る場合と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板３が加熱された場合、加熱後の冷却の際に無機絶縁層１１の収縮を各方向にてより均一にすることができ、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。
【００５４】
ところで、アモルファス状態の無機絶縁層１１を形成するためには、結晶化開始温度未満にて無機絶縁粒子同士を結合させる必要があるが、このような低温で無機絶縁粒子同士を結合させると、無機絶縁粒子同士の接着強度が低下しやすくなるため、平板状に形成された無機絶縁層１１の厚み方向へクラックが生じやすくなる。
【００５５】
一方、本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定された第１無機絶縁粒子１１ａを含んでおり、該第１無機絶縁粒子１１ａ同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に結合するため、アモルファス状態の無機絶縁層１１において無機絶縁粒子同士の接着強度を高めることができ、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減することができる。ここで、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていると、第１無機絶縁粒子１１ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第１無機絶縁粒子１１ａ同士が強固に結合すると推測される。
【００５６】
さらに、本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１１は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定された第２無機絶縁粒子１１ｂを含む。その結果、無機絶縁層１１にクラックが生じた場合、厚み方向へのクラックの伸長が第２無機絶縁粒子１１ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｂの表面に沿って迂回するようにクラックが伸長することから、クラックの伸長に大きなエネルギーが必要となるため、クラックの伸長を低減することができる。
【００５７】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは粒径が大きいため、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接着強度は小さくなりやすいが、本実施形態の配線基板３においては、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士は、接着強度の高い第１無機絶縁粒子１１ａを介して互いに接着しているため、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の剥離に起因したクラックの発生を低減することができる。
【００５８】
以上のように、無機絶縁層１１が、熱膨張率の異方性の小さいアモルファス状態であるとともに、該アモルファス状態であることに起因したクラックの発生及び伸長を低減する第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂを含むため、無機絶縁層１１の上面に形成された導電層１３の断線を低減し、電気的信頼性に優れた配線基板３を提供することができる。
【００５９】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径が５μｍ以下に設定されていることにより、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの単位重量あたりの接触面積を増加させることができるため、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの接着強度を高め、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの剥離を低減し、該剥離に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。
【００６０】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、互いに離間していることが望ましく、さらには、第１無機絶縁粒子１１ａに被覆されていることが望ましい。その結果、接着強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接触領域を低減することにより、該接触領域に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。
【００６１】
第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層１１において、第１無機絶縁粒子１１ａと第２無機絶縁粒子１１ｂとの材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。
【００６２】
また、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂは、無機絶縁フィラー１２と同一材料からなることが望ましい。その結果、第１樹脂層１０ａ及び第２樹脂層１０ｂの熱膨張率を無機絶縁層１１により近づけることができる。
【００６３】
第１無機絶縁粒子１１ａは、球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１１ａ間の空隙を低減することにより、無機絶縁層１１の内部構造を緻密にでき、無機絶縁層１１の剛性及び絶縁性を向上させることができる。
【００６４】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、球状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｂの表面における応力を分散させることができ、第２無機絶縁粒子１１ｂの表面を起点とした無機絶縁層１１のクラックの発生を低減することができる。
【００６５】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、第１無機絶縁粒子１１ａよりも硬度が高いことが望ましい。その結果、厚み方向へのクラックの伸長が第２無機絶縁粒子１１ｂに達した際に、該クラックが第２無機絶縁粒子１１ｂの内部へ伸長することを低減し、ひいては無機絶縁層１１におけるクラックの伸長を低減することができる。また、後述するように、第２無機絶縁粒子１１ｂは第１無機絶縁粒子１１ａよりも硬度を容易に高めることができるため、無機絶縁層１１の剛性を容易に高めることができる。なお、硬度は、ナノインデンター装置を用いることにより、測定することができる。
【００６６】
無機絶縁層１１は、第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上７０体積％以下含むことが望ましい。
【００６７】
第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上含むことにより、第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の間隙に第１無機絶縁粒子１１ａを隙間なく十分に配置させて互いに結合させることができ、かかる間隙におけるクラックの発生及び伸長を低減することができる。また、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上含むことにより、無機絶縁層１１におけるクラックの伸長を効果的に抑制することができる。
【００６８】
なお、無機絶縁層１１における第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの含有量（体積％）は、無機絶縁層１１の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、無機絶縁層１１における第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの面積比率（面積％）を１０個の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
【００６９】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００７０】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図６に基づいて説明する。
【００７１】
（積層板１５の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、第１無機絶縁粒子１１ａ、第２無機絶縁粒子１１ｂ及び溶剤を含む無機絶縁ゾル１１ｘと銅箔１３ｘとを準備し、銅箔１３ｘの一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。
【００７２】
無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分と溶剤とを含む。無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含むことが望ましい。また、該固形分は、第１無機絶縁粒子１１ａを３０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１１ｂを１０体積％以上７０体積％以下含むことが望ましい。
【００７３】
溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの５０体積％以上含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させて、配線基板３の上面の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの９０体積％以下含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層１１の生産性を向上させることができる。また、第１無機絶縁粒子１１ａを固形分の３０体積％以上含むことにより、無機絶縁層１１の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、第２無機絶縁粒子１１ｂを固形分の１０体積％以上含むことにより、（２）の工程にて無機絶縁層１１におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００７４】
第１無機絶縁粒子１１ａは、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。なお、析出時間の調整により、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径を調整することができる。
【００７５】
第１無機絶縁粒子１１ａの粒径は、３ｎｍ以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させることができる。
【００７６】
第２無機絶縁粒子１１ｂは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第２無機絶縁粒子１１ｂは、第１無機絶縁粒子１１ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすいため、高温加熱で容易に作製することができ、ひいては硬度を容易に高めることができる。
【００７７】
なお、第２無機絶縁粒子１１ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
【００７８】
また、第２無機絶縁粒子１１ｂは、粒径のばらつき（標準偏差）が、無機絶縁フィラー１２よりも小さいことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｂを無機絶縁層１１内により均一に分散させることができ、第２無機絶縁粒子１１ｂの凝集を低減することによって、接着強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１１ｂ同士の接触領域を低減することができる。なお、第２無機絶縁粒子１１ｂにおける粒径の標準偏差は、無機絶縁フィラー１２の２０％以下に設定されていることが望ましい。
【００７９】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール及び／又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘを均一に塗布することができ、且つ、（２）の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００８０】
無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。
【００８１】
銅箔１３ｘの一主面に塗布された無機絶縁ゾル１１ｘは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば３μｍ以上１１０μｍ以下に設定されている。
【００８２】
（２）図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾル１１ｘを加熱し、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を結合させることにより、無機絶縁ゾル１１ｘを無機絶縁層１１にして、銅箔１３ｘと無機絶縁層１１とを有する積層シート１６を形成する。
【００８３】
無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上６００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されている。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満であることにより、第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、結晶化した無機絶縁層１１が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。
【００８４】
ここで、無機絶縁ゾル１１ｘは粒径が１１０ｎｍ以下に設定された第１無機絶縁粒子１１ａを含むため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が第１無機絶縁粒子１１ａ及び第２無機絶縁粒子１１ｂの結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を強固に結合させることができる。これは、第１無機絶縁粒子１１ａの粒径が１１０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１無機絶縁粒子１１ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１無機絶縁粒子１１ａ同士が強固に結合すると推測される。なお、第１無機絶縁粒子１１ａとして酸化ケイ素により形成されたものを用いる場合、第１無機絶縁粒子１１ａ同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、かかる粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、かかる粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。
【００８５】
また、無機絶縁ゾル１１ｘは粒径が０．５μｍ以上に設定された第２無機絶縁粒子１１ｂを含むため、第２無機絶縁粒子１１ｂが含まれている領域にて局所的に溶剤の含有量を低減することができる。それ故、溶剤が蒸発する際に生じる無機絶縁層１１の平面方向への収縮を低減することができ、該収縮に起因して平板状の無機絶縁層１１に生じる厚み方向へのクラックを低減することができる。また、無機絶縁層１１にクラックが生じた場合、第１無機絶縁粒子１１ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｂによって該クラックの伸長を低減することができる。
【００８６】
無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、例えば大気雰囲気中で行うことができる。また、温度を１５０℃以上に上げる場合、銅箔１３ｘの酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。
【００８７】
（３）図４（ａ）に示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘを準備する。第１樹脂層前駆体１０ａｘは、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層することにより作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００８８】
（４）図４（ｂ）に示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘの上下面それぞれに無機絶縁層１１を当接させるように積層シート１６を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第１樹脂層前駆体１０ａｘを硬化させて第１樹脂層１０ａにし、第１樹脂層１０ａと無機絶縁層１１とを有する基体７を形成する。
【００８９】
該積層体の加熱加圧は、温度が第１樹脂層１０ａの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、該積層体の加熱加圧は、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００９０】
以上のようにして、積層板１５を作製することができる。
【００９１】
（コア基板５の作製）
（５）図４（ｃ）に示すように、基体７を上下方向に貫通するスルーホール導体８を形成し、基体７上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。
【００９２】
まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて銅箔１３ｘをパターニングすることにより、導電層１３を形成する。
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００９３】
（複合積層板１７の作製）
（６）図５（ａ）に示すように、（１）及び（２）の工程と同様に、銅箔１３ｘと無機絶縁層１１とを有する積層シート１６を形成し、未硬化の第２樹脂層前駆体１０ｂｘを無機絶縁層１１上に形成することにより、複合積層板１７を得る。
【００９４】
第２樹脂層前駆体１０ｂｘは、例えば、液状の樹脂組成物を無機絶縁層１１に塗布することにより、若しくは、未硬化の樹脂組成物をシート状に成形したものを無機絶縁層１１に仮付けすることにより、無機絶縁層１１上に形成される。
【００９５】
液状の樹脂組成物及びシート状の未硬化の樹脂組成物は、公知の種々の方法により製造されてよい。樹脂組成物が好ましい態様である場合、すなわち、樹脂組成物が（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む場合も同様である。
【００９６】
例えば、液状の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）の成分を上述した配合量で混合するとともに有機溶剤により希釈することにより製造される。なお、混合及び希釈に際しては、適宜に加熱処理若しくは冷却処理が行われてよく、また、各成分の投入時期も適宜に設定されてよい。また、例えば、シート状の樹脂組成物は、樹脂組成物（有機溶剤を含んでいてもよい）を押出成形法、キャスティング成形法等により成形することにより製造される。
【００９７】
なお、有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、若しくは、ジメチルアセトアミドが挙げられる。
【００９８】
（配線基板３の作製）
（７）図５（ｂ）に示すように、コア基板５の上下面それぞれに第２樹脂層前駆体１０ｂｘを当接させるように複合積層板１７を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第２樹脂層前駆体１０ｂｘを硬化させて第２樹脂層１０ｂにする。なお、該積層体の加熱加圧は、例えば（４）の工程と同様に行うことができる。
【００９９】
（８）図５（ｃ）に示すように、例えば硫酸及び過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液又は塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、無機絶縁層１１から銅箔１３ｘを剥離する。
【０１００】
（９）図６（ａ）に示すように、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１を上下方向に貫通するビア導体１４を形成し、無機絶縁層１１上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。
【０１０１】
まず、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、第２樹脂層１０ｂ及び無機絶縁層１１にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１３の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔Ｖにビア導体１４を形成するとともに無機絶縁層１１上に導電層１３を形成する。
【０１０２】
（１０）図６（ｂ）に示すように、（６）乃至（９）の工程を繰り返すことにより、コア基板５の上下面に配線層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６をより多層化することができる。
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【０１０３】
（実装構造体１の作製）
（１１）バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体１を作製することができる。
【０１０４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【０１０５】
例えば、上述した本発明の実施形態は、配線層にて第２樹脂層及び無機絶縁層を２層積層した構成を例に説明したが、第２樹脂層及び無機絶縁層は何層積層しても構わない。
【０１０６】
また、上述した本発明の実施形態は、無機絶縁層に第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含む構成を例に説明したが、無機絶縁層には第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子が上述した範囲の体積％で含まれていればよく、第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。
【０１０７】
また、上述した本発明の実施形態は、第１樹脂層が基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は基材を含まなくても構わない。配線基板が、基材を含まない第１樹脂層と無機絶縁層とを備えている場合、無機絶縁層により配線基板の剛性を高めつつ平面方向への熱膨張率を低減し、基材を含まないことにより配線基板の厚みを小さくしつつ平坦性を高めることができる。第１樹脂層は、第２樹脂層と同様の構成であってもよい。
【０１０８】
また、上述した本発明の実施形態は、基体が第１樹脂層を備えた構成を例に説明したが、基体は金属板と該金属板を被覆する第１樹脂層とを備えていても構わない。
【０１０９】
また、上述した本発明の実施形態は、配線基板が第１樹脂層上及び第２樹脂層上の両方に無機絶縁層を備えた構成を例に説明したが、配線基板は少なくとも１層の無機絶縁層を備えていればよく、第１樹脂層上又は第２樹脂層上のどちらか一方のみに無機絶縁層を備えていても構わない。また、配線基板が第２樹脂層上のみに無機絶縁層を有する場合、配線基板は、コア基板としてセラミック基板等の樹脂基板以外の基板を備えていても構わないし、コア基板を備えていなくても構わない。
【０１１０】
また、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程にて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾルを加熱する構成を例に説明したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行なっても構わない。
【０１１１】
また、上述した本発明の実施形態は、銅箔を備えた複合積層板を説明したが、複合積層板は、一主面に導電材料層が形成されていればよく、例えば導電材料層として銅箔以外の金属箔を用いても構わない。
【実施例】
【０１１２】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。
【０１１３】
表１に示すように、複数種の樹脂組成物（実施例１〜３及び比較例１〜３）を製造し、その特性を調査した。具体的には、以下のとおりである。
【０１１４】
＜試料の製造方法＞
樹脂及び溶剤をガラス容器に仕込み、８０℃まで昇温後、２時間攪拌し、その後、４０℃まで冷却した。次に、硬化剤、必要に応じて、無機充填剤及び硬化促進剤を投入し、１時間攪拌し、樹脂組成物を得た。そして、得られた樹脂組成物を離型紙に塗布後、１５０℃で５分間乾燥して、厚さ２５μmの樹脂シートを作成した。なお、特性の測定においては、後述するように、更に加熱等の工程が適宜に加えられた。
【０１１５】
＜各樹脂組成物の組成＞
各樹脂組成物の組成については、表１における、「組成（重量部）」の欄において、成分と、その配合量（重量部）とが示されている。なお、表１における各成分の詳細は、以下のとおりである。
【０１１６】
（樹脂）
２官能エポキシ樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０−Ｓ」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）
３官能エポキシ樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−４７５０」
ＰＰＥ：旭化成株式会社製、商品名「ＡＰＰＥ」
【０１１７】
（硬化材）
イミド骨格樹脂１：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＢＥＳＭＯＬ ＩＺ−９８８３」（フェノール樹脂）
イミド骨格樹脂２：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ユニディック Ｖ−８０００」（フェノール樹脂）
非イミド骨格樹脂：ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＰＨＥＮＯＬＩＴＥ ＬＡ−３０１８」（フェノール樹脂、ノボラック樹脂）
ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート）：日本化成株式会社製、商品名「ＴＡＩＣ」
【０１１８】
（硬化促進剤）
イミダゾール：２−メチル−４メチルイミダゾール
【０１１９】
（無機充填材）
球状シリカ：電気化学工業株式会社製、商品名「ＳＦＰ−１３０ＭＣ」、平均粒径０．５μｍ
結晶シリカ：龍森株式会社製、商品名「クリスタライト ５Ｘ」、平均粒径１．５μｍ
【０１２０】
（その他）
溶剤１：ダイセル化学工業株式会社製、メチルセロソルブアセテート
溶剤２：三京化成株式会社製、トルエン
【０１２１】
＜各樹脂組成物の特性の調査方法＞
表１の「特性」の欄に示されている項目に関して、各樹脂組成物の測定を行った。なお、測定方法は、以下のとおりである。
【０１２２】
（粘度）
樹脂組成物を３℃／ｍｉｎの条件で昇温しつつレオメーターにより粘度を測定した。
【０１２３】
（硬化時間）
樹脂組成物を１７０℃の熱板に当接させ、硬化するまでの時間を測定した。
【０１２４】
（熱膨張率）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍ、縦/横３ｍｍ×３ｍｍのサンプル片を作成した。これを２５℃から２５０℃まで２℃/ｓの条件で昇温し、株式会社島津製作所製のＴＭＡ（熱機械分析装置）により熱膨張率を測定した。
【０１２５】
（弾性率）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．４ｍｍ、縦/横１５０ｍｍ×５ｍｍのサンプルを作成した。このサンプルの弾性率を１０Ｈｚの条件で株式会社島津製作所製のＤＭＡ（動的粘弾性測定装置）により測定した。
【０１２６】
（ガラス転移温度）
樹脂組成物を２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍ、縦/横１ｍｍ×１ｍｍのサンプルを作成した。これを３℃/ｍｉｎの条件で昇温しつつ、島津製作所製のＤＭＡによりガラス転移温度を測定した。
【０１２７】
（ピール強度）
厚さ１８μ銅箔の電解銅箔のマット面上に樹脂組成物を塗布し、２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍの塗膜を形成した。これを両面テープで厚さ１．６ｍｍガラスエポキシ積層板に貼りつけた後、引き剥がし試験機で銅箔を引き剥がし、２５℃および２００℃におけるピール強度を測定した。
評価は、１ｋＮ／ｍ以上を○、０．５ｋＮ／ｍ以上１ｋＭ未満を△、０．５ｋＮ未満を×とした。
【０１２８】
（半田耐熱性）
厚さ１８μ銅箔の電解銅箔のマット面上に樹脂組成物を塗布し、２２０℃で３時間加熱して硬化させ、厚さ０．６ｍｍの塗膜を形成した。これを１０ｍｍ×１０ｍｍに切断し、２８８℃の半田槽に浮かべてフクレが生じるまでの時間を測定した。
評価は、１５分以上を○、３分以上１５分未満を△、３分未満を×とした。
【０１２９】
＜実施例及び比較例の説明＞
（概要）
実施例１〜３の樹脂組成物は、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上の要件を満たすものである。一方、比較例１〜３の樹脂組成物は、上記の少なくとも一つの要件を満たさないものである。
【０１３０】
実施例１〜３の樹脂組成物は、上述した（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む。一方、比較例１〜３は、（Ａ）〜（Ｄ）の少なくとも一つの条件を満たさない。
【０１３１】
実施例１と実施例２とは、主として、（Ｂ）硬化剤の種類が異なる。実施例１と実施例３とは、主として、（Ｄ）無機充填剤の種類が異なる。比較例１は（Ｂ）の要件を満たさない。比較例２は（Ａ）及び（Ｂ）の要件を満たさない。比較例３は、（Ａ）〜（Ｄ）のいずれも満たさない。
【０１３２】
以上のとおり、実施例により、熱膨張率：１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率：０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度：１７０℃以上の要件を満たす樹脂組成物が実現可能であることが確認された。
【０１３３】
また、実施例と比較例との比較から、（Ａ）〜（Ｄ）を含むことにより、熱膨張率：１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率：０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度：１７０℃以上の要件を満たし易くなることが確認された。
【０１３４】
（実施例１）
実施例１の樹脂組成物は、実施例中、最も低熱膨張率及び低弾性率を実現している樹脂組成物である。なお、実施例１の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１７重量％、（Ｂ）約２８重量％、（Ｃ）約０．２重量％、（Ｄ）約５５重量％である。
【０１３５】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比較すると、熱膨張率及び弾性率がやや高い。ただし、実施例２は、ガラス転移温度は実施例１よりも高い。なお、実施例２の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１６重量％、（Ｂ）約３１重量％、（Ｃ）約０．２重量％、（Ｄ）約５２重量％であり、実施例１と概ね同様である。
【０１３６】
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比較すると、熱膨張率及び弾性率がやや高い。なお、実施例３の樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｄ）の配合量は、表１に示された（Ａ）〜（Ｄ）の重量部の合計（溶剤を除いた合計）を１００重量％とすると、（Ａ）約１７重量％、（Ｂ）約２８重量％、（Ｃ）約０．１重量％、（Ｄ）約５５重量％であり、実施例１と概ね同様である。
【０１３７】
【表１】
【符号の説明】
【０１３８】
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ バンプ
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ａ 第１樹脂層
１０ａｘ 第１樹脂層前駆体
１０ｂ 第２樹脂層
１０ｂｘ 第２樹脂層前駆体
１１ 無機絶縁層
１１ａ 第１無機絶縁粒子
１１ｂ 第２無機絶縁粒子
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２ 無機絶縁フィラー
１３ 導電層
１３ｘ 銅箔
１４ ビア導体
１５ 積層板
１６ 積層シート
１７ 複合積層板
Ｔ スルーホール
Ｖ ビア孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と、前記樹脂層上に形成された無機絶縁層と、を備え、
前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記無機絶縁層は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であるとともに前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子を更に含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１から３記載のいずれかの配線基板と、
前記配線基板上に搭載された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
金属箔と、該金属箔上に形成された無機絶縁層と、該無機絶縁層上に形成された接着剤層とを備えた複合積層板であって、
前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、
前記接着剤層は、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる
ことを特徴とする複合積層板。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む
ことを特徴とする請求項５記載の複合積層板。
【請求項７】
前記無機絶縁層は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であるとともに前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子を更に含む
ことを特徴とする請求項５又は６記載の複合積層板。
【請求項８】
金属箔上に、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含む無機絶縁層を形成する工程と、
前記無機絶縁層上に、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である未硬化の熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤層を形成して複合積層板を得る工程と、
主面に導電層を有するコア基板上に前記複合積層板を、前記接着剤層が前記導電層と当接するように重ね交わせ熱圧着により一体化して多層化する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１】
樹脂層と、前記樹脂層上に形成された無機絶縁層と、を備え、
前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層に接着されており、熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記無機絶縁層は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であるとともに前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子を更に含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１から３記載のいずれかの配線基板と、
前記配線基板上に搭載された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
金属箔と、該金属箔上に形成された無機絶縁層と、該無機絶縁層上に形成された接着剤層とを備えた複合積層板であって、
前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含み、
前記接着剤層は、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂組成物からなる
ことを特徴とする複合積層板。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）二官能エポキシ樹脂、（Ｂ）イミド骨格を有する硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を含む
ことを特徴とする請求項５記載の複合積層板。
【請求項７】
前記無機絶縁層は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であるとともに前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子を更に含む
ことを特徴とする請求項５又は６記載の複合積層板。
【請求項８】
金属箔上に、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子を含む無機絶縁層を形成する工程と、
前記無機絶縁層上に、硬化後の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、硬化後の弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、ガラス転移温度が１７０℃以上である未硬化の熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤層を形成して複合積層板を得る工程と、
主面に導電層を有するコア基板上に前記複合積層板を、前記接着剤層が前記導電層と当接するように重ね交わせ熱圧着により一体化して多層化する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−７９９７２（Ｐ２０１２−７９９７２Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２４９２３（Ｐ２０１０−２２４９２３）
【出願日】平成２２年１０月４日（２０１０．１０．４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【出願人】（３９００２２４１５）京セラケミカル株式会社 (424)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月４日（２０１０．１０．４）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【出願人】（３９００２２４１５）京セラケミカル株式会社 (424)
【Ｆターム（参考）】
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