【課題】集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、２５Ｇｂｐｓ以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第１および第２電極パッドのうち、第１電極パッドは第１導体ビア、第１内層導体配線と順次接続され、第２電極パッドは多層基板の表層導体配線、第３電極パッド、第２導体ビア、第２内層導体配線と接続され、第１内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第１内層導体配線が形成された第１形成層と第２内層導体配線が形成された第２形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第１および第２電極パッドは、それぞれ第１および第２光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号の伝送損失を低減でき、かつ、クロストークノイズを抑制できる回路基板を提供する
【解決手段】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、２５℃で１ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００４〜０．０１の基板であり、前記配線層が、配線導体幅が４０μｍ以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さ（Ｒｚ）が、１．５μｍ以下の層である、回路基板。 （もっと読む）

【課題】異なる層の高周波伝送線路を接続する接続線路と高周波伝送線路とのインピーダンス不整合を効率的に改善し信号の反射損失を減らす。
【解決手段】多層配線基板１は積層した第１の誘電体基板２０ａの一方の面で延伸する信号線路１０と他方の面上の接地導体４０とで構成されるマイクロストリップ線路を備える。第１貫通導体３０は、基板面に垂直に基板を貫通し信号線路１０の先端と他の信号線路とを接続し、第２貫通導体ビア５０は、基板面に垂直に複数個、基板を貫通して第１貫通導体３０を円筒状に囲むように形成され、接地導体４０を他の接地導体に接続する。接地導体４０と第１貫通導体３０とは第１の誘電体基板２０ａで構成される誘電体領域６０で隔絶され、その信号線路１０側の領域は、基板面上で第１貫通導体３０の中心から所定の距離離れた領域確定線９０に基づき決定され、信号線路１０のない側の領域よりも面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】チップインダクタ内蔵配線基板において、チップインダクタの漏れ磁束に起因したノイズとしての高周波電流の配線層への影響を低減し、配線基板に実装された他の回路部品や電子部品に対する電位変動や電源供給の変動を抑制して、これら回路部品及び電子部品の動作を良好に保持する。
【解決方法】相対向して配置される一対の第１の配線層及び第２の配線層と、前記第１の配線層及び前記第２の配線層間に配設されてなる絶縁層と、前記絶縁層内に配設されるとともに、前記第１の配線層に実装されてなるチップインダクタとを具え、前記第２の配線層は安定電位を供給する配線層であり、前記第２の配線層の前記チップインダクタと相対向する領域において非連続の複数の開口部が形成され、前記領域が前記非連続の複数の開口部によって画定されるようにして、チップインダクタ内蔵配線基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】チップインダクタ内蔵配線基板において、チップインダクタの漏れ磁束に起因したノイズとしての高周波電流の配線層への影響を低減し、配線基板に実装された他の回路部品や電子部品に対する電位変動や電源供給の変動及びノイズの重畳を抑制して、これら回路部品及び電子部品の動作を良好に保持する。
【解決方法】相対向して順次に配設される第１の配線層、第２の配線層及び第３の配線層と、第１の配線層及び第２の配線層間に配設されてなる第１の絶縁層、並びに第２の配線層及び第３の配線層間に配設されてなる第２の絶縁層と、第１の絶縁層内に配設されるとともに、第２の配線層に実装されてなるチップインダクタと、第１の配線層及び第３の配線層の、チップインダクタと相対向する少なくとも一方の領域において配設された電磁波ノイズ吸収層と、を具えるようにして、チップインダクタ内蔵配線基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分に対して効果的に対策された多層基板の提供を目的とする。
【解決手段】導電パターンが形成された第一の表面層及び第二の表面層と、前記第一及び第二の表面層の間に設けられたグランド層と、前記第一及び第二の表面層の間に設けられた電源層と、を備えて構成される多層基板において、前記第一の表面層に形成された導電パターンと前記第二の表面層に形成された導電パターンとの間を貫通するよう形成されたビアホールと、前記第一の表面層又は前記第二の表面層のいずれかにおいて、前記ビアホールと接続するよう形成された導体パッドと、を有し、前記導体パッドが、３ＰＦから５ＰＦの容量を備える。 （もっと読む）

【課題】層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい、シールドストリップラインを備えた多層基板を提供すること。
【解決手段】伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも高い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである、多層基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シールド性能を維持しつつ、絶縁層とシールド電極との間で生じる剥離を抑制することが可能な多層基板を提供する。
【解決手段】可撓性を有する絶縁層１７と導体層５１とを含む積層体中に、電子部品１２、１３を内蔵してある。内蔵してある電子部品１２、１３をシールドするシールド電極１６が複数の層に分散して配置してあり、シールド電極１６のうち、電子部品１２、１３に近接する位置に配置してある第一のシールド電極１６ａは、積層方向から見て電子部品１２、１３が配置されている位置に配置してあり、第一のシールド電極１６ａより電子部品１２、１３から離れた位置に配置してある第二のシールド電極１６ｂは、第一のシールド電極１６ａで覆われている領域以外の領域を覆うように配置してある。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の安定化を図り、高速の信号伝達が可能なキャパシタ内蔵光電気混載パッケージを提供すること。
【解決手段】キャパシタ内蔵光電気混載パッケージ１において、コア基板１３の収容穴部９０にセラミックキャパシタ１０１が収容されている。コア基板１３のコア主面１４側に、樹脂層間絶縁層３３，３５，３７及び導体層４２を交互に積層してなる第１ビルドアップ層３１が形成されている。第１ビルドアップ層３１上において、ＣＰＵ２１とドライバＩＣ２３とが配線パターン５８を介して接続される。ＣＰＵ２１は、第１電源安定用配線経路７８を介してセラミックキャパシタ１０１に接続される。ドライバＩＣ２３は、第２電源安定用配線経路７９を介してセラミックキャパシタ１０１に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ構造体に対し、その表面上に信号線を這わせることなく電子機器を取り付けることを可能にする手段を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパー２は、炭素繊維プリプレグ５１に、複数の信号線５２２が埋め込まれたレジン層５２１からなる信号線層５２を積層してなるものである。 （もっと読む）

【課題】電圧変換用ＩＣの雑音除去性能を劣化させることなく、電圧変換用ＩＣを多層配線板中に内蔵させた、新規な構成の電圧変換モジュール素子及び電圧変換モジュールを提供する。
【解決方法】多層配線板における複数の配線パターンの、内方に位置する配線パターンの一つに実装された電圧変換を行うための電圧変換用ＩＣと、 前記複数の配線パターンの少なくとも一つにおいて、前記電圧変換用ＩＣの入力側における入力端子及びグランド端子と電気的に接続するようにして実装されたコンデンサとを具える電圧変換モジュール素子及び電圧変換モジュールにおいて、前記コンデンサの、前記電圧変換用ＩＣの前記入力端子及び前記グランド端子までの接続長の合計を１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 熱可塑性樹脂からなる層間絶縁体層を有し、高周波信号の伝送特性に優れ、その多層化が容易になるフレキシブル配線板を提供する。
【解決手段】 フレキシブル配線板１０では、熱硬化性樹脂からなるベースフィルム１１の一主面に信号配線１２とグランド配線１３が配設されている。そして、信号配線１２、グランド配線１３およびベースフィルム１１に接合一体化した熱可塑性樹脂からなるカバーレイフィルム１４が形成されている。ここで、カバーレイフィルム１４の一主面に外部端子１５が所定の導体パターンに配置され、その表面にメッキ層（図示せず）が形成されている。また、ベースフィルム１１の下方には、第１グランド層１６と裏側樹脂フィルム１７がこの順に接合し一体化している。 （もっと読む）

【課題】信号配線層で行われる高速の信号伝送に対応可能なシールド特性を有する多層フレキシブル基板、および、この多層フレキシブル基板を用いた動作信頼性の高い電子機器を得ること。
【解決手段】グランド層４と、絶縁層５と、信号配線８が形成された信号配線層４とが順次積層された多層フレキシブル基板１であって、前記多層フレキシブル基板１は、側方に突出した突出部１ａを備え、前記突出部１ａの少なくとも一方の表面に、前記グランド層４と電気的に導通した接地部４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズの遮蔽を十分に行うことができ、かつＬＳＩを３次元的に配置する際に空間を有効的に利用することができるようにする。
【解決手段】配線基板１００には半導体装置１０３が内蔵されている。配線基板１００には、平面視で半導体装置１０３と重なる領域に互いに離間して設けられた複数の第１導体１０６と、複数の第１導体１０６の少なくとも一つを半導体装置１０３に接続するビア１２０と、半導体装置１０３を介して複数の第１導体１０６とは反対側に設けられ、平面視で複数の第１導体１０６を覆っている第２導体１０２と、複数の第１導体１０６を介して半導体装置１０３とは反対側に設けられ、平面視で第１導体１０６を覆っている第３導体１０１と、第２導体１０２と第３導体１０１によって挟まれた空間に、半導体装置１０３を囲むように設けられ、繰り返し構造を有する構造体とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板の高密度化を阻害せずにクロストークを十分に抑制することができるクロストーク抑制回路基板を提供する。
【解決手段】本発明のクロストーク抑制回路基板２は、樹脂製の絶縁基板４と、絶縁基板４の一方の面に位置付けられたグランド層８と、絶縁基板４のグランド層８とは反対側の面に位置付けられた配線回路１２とを備え、この配線回路１２は、所定のパターンにて形成された信号線１６と、信号線１６の外表面を覆う磁性体からなる被覆材１４と、信号線１６及び被覆材１４を埋設する樹脂製の保護絶縁層１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑え、配線に対するガラス繊維密度の疎密の影響を低減することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、一対の差動配線１５，１６と、前記差動配線１５，１６の両面に前記差動配線１５，１６の進行方向に並設された繊維束１３ａ,１３ｂ、及び２３ａ、２３ｂを含む各２層の絶縁層１１ａ、１１ｂ、及び１２ａ、１２ｂを設け、前絶縁層１１ａ、１１ｂの繊維束１３ａ,１３ｂの間隔は、絶縁層１２ａ、１２ｂの繊維束２３ａ、２３ｂの間隔よりも狭く、前記差動配線は、隣接する絶縁層１１ａ、１１ｂの繊維束１３ａ,１３ｂと平面視で重ならない位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板のインピーダンスを低減させ、しかも、電源パターンと電源供給パターン間の電磁気的結合による高周波電流の発生を防止することにより、不要放射ノイズを抑制したノイズ対策構造を提供する。
【解決手段】ＩＣ１０の電源端子１１，１３に接続される電源パターン３−１，３−２と、グランド端子１２に接続されるグランドパターン４とを、多層回路基板２の上層２１に並設し、グランドパターン５−１と電源供給パターン６とグランドパターン５−２とを、下層２２に並設する。そして、３端子コンデンサ７−１を電源パターン３−１とグランドパターン４とグランドパターン５−１と電源供給パターン６とに接続し、３端子コンデンサ７−２を電源パターン３−２とグランドパターン４とグランドパターン５−２と電源供給パターン６とに接続した。 （もっと読む）

【課題】電子回路やその周辺に位置する信号ラインに対して影響を及ぼすノイズを十分に抑制する又は遮断することができ、これにより、電子回路の誤動作を確実に防止して正確な動作を安定に維持することが可能な電子部品内蔵モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュールとしてのＤＣＤＣコンバータ１は、ＩＣチップ７等が内蔵された電子部品内蔵基板２と、その上に載置されたインダクタ８等とを備えるものである。この電子部品内蔵基板２の内部には、ＤＣＤＣコンバータ１の出力信号を監視するフィードバック用の信号ラインである配線パターン３２Ｆが、電子部品内蔵基板２の面方向において、ＩＣチップ７の実装領域と重なり合うように配置されている。これにより、インダクタ８からの漏れ磁束がシールドされ、ＩＣチップ７の安定な動作が確保されるので、ＤＣＤＣコンバータ１の誤動作を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の裏面と筐体の内表面の間の空間から高周波数帯の電磁ノイズが放射されることを抑制する。
【解決手段】配線基板２００は筐体１００の内表面上に配置され、かつ裏面２１０が筐体１００の内表面１０１に対向している。第１導体１１０は、筐体１００及び配線基板２００の一方（本実施形態では筐体１００）に繰り返し、例えば周期的に設けられている。第２導体２１２は、筐体１００及び配線基板２００の他方（本実施形態では配線基板２００）に設けられ、複数の第１導体１１０と対向している。そして平面視において複数の第１導体１００及び第２導体２１２は、配線基板２００が有するノイズ源を囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】多信号系のレイアウトスペースを十分に確保しつつ、電源供給系の電源ノイズを低減すること。
【解決手段】電源電圧が印加される電源プレーンを電源電極に電気的に接続する電源ビア４４が通過する配線層５２は、電源ビア４４を取り囲む格子状グランドプレーン５１が形成されている。格子状グランドプレーン５１の全部は、グランドビア４５を介して、グランドプレーンに電気的に接続されている。このとき、半導体装置１は、電源ビア４４と格子状グランドプレーン５１とは、強い相互インピーダンスをもち、電源の実効インピーダンスを著しく低減させ、電源ノイズを低減することができる。 （もっと読む）