光モジュールおよび多層基板
【課題】集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第1および第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と接続され、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成された第1形成層と第2内層導体配線が形成された第2形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第1および第2電極パッドは、それぞれ第1および第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第1および第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と接続され、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成された第1形成層と第2内層導体配線が形成された第2形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第1および第2電極パッドは、それぞれ第1および第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光通信で使用する多層基板を用いた光モジュールに関する。特に、25Gbps以上の超高速動作を目的とする光モジュールに有用な技術に関する。
【背景技術】
【0002】
インターネットの急速な普及により、ルータ・サーバを代表とするIT機器の高速・大容量化が急速に進められている。現在、このような装置の中は、電気配線がなされたボードとそのボード上に搭載された電子部品、さらに電子部品をつなぐ電気伝送線路が実装されている。すなわち、装置の外部から入力されたデータのほとんどは、装置内で電気信号として処理される。
【0003】
しかしながら、1つの装置当たりが扱う情報処理と速度は年々増加しており、装置内の電気配線の高密度化と高周波化が進み、電気配線の伝送損失や隣接信号配線間でのクロストークが顕著になってきている。近年、以上述べたような電気配線の欠点を解決するため、各電子部品間を光信号で結ぶ装置の開発が盛んになっている。光は無誘導性であるため、光信号の伝送速度を上げても、伝送損失、クロストークが発生しないという利点がある。電子部品間を光信号によって、信号伝送する従来の半導体装置として、図1に示すように、光素子と集積回路は表面実装され、光素子と集積回路はそれぞれワイヤボンディングにより電気的に接続特された光モジュールが特許文献1(特開2010−177593号公報)等で知られている。
【0004】
図1において、光素子は、電気信号を光信号に変換する半導体レーザおよび、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードであり、集積回路は半導体レーザの前段で電気信号の整形と増幅を行うドライバ回路もしくは、フォトダイオードから出力される電気信号(電流信号)を電圧信号に変換した後、電圧信号を増幅するトランスインピーダンスアンプ回路である。多チャンネル信号伝送のために、光素子は複数個が一定の距離で並んだアレイを形成しており、各光素子間の距離は光信号の伝送媒体として使用される光リボンファイバのチャンネル間ピッチに合わせて250μmとなっている。
【0005】
しかしながら、光素子と集積回路を表面実装し、ボンディングワイヤにより電気接続を行う場合、集積回路に形成される電極パッドのレイアウトは自ずと表面外周部に限定され、集積回路の高機能化にともなう多ピン化(入出力電極パッドの増加)に対応できないといった問題がある。
【0006】
一方、集積回路の多ピン化に適応した光モジュールとして、図2、3、4に示す集積回路と光素子を、多層基板上にフリップチップ実装した光モジュールが知られている。この実装形態では、集積回路の電極パッドと多層基板表層に形成された電極パッドを対向させ、それぞれの電極パッドを半田バンプにより電気接続し、多層基板に形成した基板貫通導体(導体ビアやスルーホール)と内層導体配線により光素子と集積回路とが電気的に接続される。隣接するチャンネルの内層信号配線は、それぞれ異なる層に形成し、各内層信号配線の間には、広面積のグランド導体もしくは電源導体が設けられ、隣接する内層導体配線同士のクロストークを抑制している。
【0007】
しかしながら、信号伝送速度が25Gbps以上の超高速光モジュールでは、多層基板中の信号導体ビア同士のクロストークの信号品質への影響が無視できなくなる。信号導体ビア間のクロストークを抑制する手法としては、隣接チャンネルの信号導体ビアの間にクロストーク遮蔽用のグランド導体ビアを設置する方法が知られている。しかし、アレイ状に並んだ光素子に接続される信号ビア同士のピッチはアレイ光素子のピッチと同様に250μmと狭ピッチであるため、信号導体ビアの間にグランド導体ビアを設けることができないという難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2010−177593号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
図1に示す光モジュールのように、光素子と集積回路を表面実装し、ボンディングワイヤにより電気接続を行う場合、集積回路に形成される電極パッドのレイアウトは自ずと表面外周部に限定され、集積回路の高機能化にともなう多ピン化(入出力電極パッドの増加)に対応できない。
【0010】
一方、図2、3、4に示す光モジュールのように、多層基板に形成された導体ビアと内層導体配線により光素子と集積回路の電気接続を行う場合、アレイ光素子に接続される導体ビアと導体ビアとの距離は250μmと狭ピッチであるためチャンネル間クロストークが大きくなる。特に25Gbps以上の超高速信号伝送では、この導体ビア間のクロストークの信号品質への影響が無視できなくなる。
【0011】
そこで、本発明の目的は、集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記課題を解決するために、本願発明の多層基板およびそれを用いた光モジュールの主な特徴は、以下の通りである。
【0013】
多層基板上の隣り合う第1電極パッド、第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と順次接続される、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成されている第1形成層と第2内層導体配線が形成されている第2形成層との間には、グランド導体配線もしくは電源導体配線が形成されている形成層が設けられる。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドはボンディングワイヤを介して接続しても良い。
【発明の効果】
【0014】
本発明の光モジュールを用いれば、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】従来の光モジュールの斜視図である。
【図2】従来の光モジュールの斜視図である。
【図3】従来の光モジュールを構成する基板のうち、光素子と接続する配線を示す図である。
【図4】従来の光モジュールの断面図である。
【図5】本発明による光モジュールの第1の実施例の斜視図である。
【図6】本発明による光モジュールの第1の実施例の、光素子と接続する基板配線の斜視図である。
【図7】本発明による光モジュールの第1の実施例の断面図である。
【図8】本発明による光モジュールの隣接チャンネル間のクロストークを示す図である。
【図9】本発明による光モジュールの第2の実施例の斜視図である。
【図10】本発明による光モジュールの第3の実施例の上面図である。
【図11】本発明による光モジュールの第3の実施例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下に、本発明の実施例の具体的な構造を順に説明する。
<実施例1>
図5に本発明の第1実施例に係る光モジュールの斜視図を示す。本実施例では、多層基板0101上に光素子0105、集積回路0102がそれぞれ実装されている。光素子0105は、電気信号を光信号に変換する半導体レーザもしくは、光信号を電気信号へ変換するフォトダイオードのいずれかである。集積回路0102は半導体レーザ前段で、電気信号の波形整形と増幅を行うドライバ回路もしくは、フォトダイオードから入力した電気信号(電流信号)を電圧信号へ変換したのち増幅するトランスインピーダンス回路のいずれかである。大容量情報伝送を実現するために、光素子0105はアレイ上に実装されており、各光素子間の距離は多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせて250μmとなっている。
【0017】
上記所定のピッチで配列された複数の光素子0105からは、図示するように、一つ置きに多層基板0101上に設けられた表層導体配線0112が引き出され、電極パッド0108−3に接続されている。以下に、この表層導体配線0112に関して、さらに詳細に説明する。
【0018】
図6は、本実施例に係る光モジュールのうち、光素子0105近傍の配線の斜視図を示し、図7は、本実施例に係る光モジュールの断面図を示している。
【0019】
まず、図7で示すように多層基板0101上に電極パッド0108−1が形成され、同様に多層基板0101上に電極パッド0108−2が電極パッド0108−1に隣接して形成されている。なお、同図では、電極パッド0108−1および0108−2が重なって図示されている。
また、光素子0105上に形成された電極パッド0108−1aは、電極パッド0108−1に対向するように配置され(図6参照)、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111−1により電気的に接続されている。同様に、光素子0105上に形成された電極パッド0108−2aは、電極パッド0108−2に対向するように配置され(図6参照)、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111−1により電気的に接続されている。
【0020】
集積回路0102上の電極パッドも同様に多層基板0101上に形成された電極パッドが半田バンプ0111−2により電気的に接続されている。
【0021】
次に、図6を用いて、表層導体配線および内層導体配線の関係を説明する。図6では、主として、前記の配線関係を図示するために、電極パッド0108−1と電極パッド0108−1aとを接続する半田バンプは図示していない。また、図6は、図7で示す光素子0105の直下近傍における配線層を図示し、その他の多層基板や集積回路などは省略している。
【0022】
多層基板0101上に形成された隣り合う電極パッド0108−1と0108−2のうち、電極パッド0108−1は、多層基板の垂直方向に配設される導体ビア0109−1、内層導体配線0110−1と順次接続されている。もう一方の電極パッド0108−2は、表層導体配線0112、電極パッド0108−3、導体ビア0109−02、内層導体配線0110−2と順次接続されている。
【0023】
通常、内層導体配線0110−1、あるいは0110−2および表層導体配線0112は、長手方向に延在するように配置され、途中経路で迂回するように配置される場合もあるが、互いに電気的に短絡しないような配置が施される。
【0024】
導体ビア0109−1や0109−2などは、多層基板表面に対して、通常は、ほぼ垂直な方向に、多層基板を構成する積層膜を貫通して設けられた貫通孔に導電材料を埋め込んで設けられている。
【0025】
また、内層導体配線0110−1や0110−2は、多層基板表面に対して、ほぼ平行な面で形成され、互いに該基板表面からの深さを異にする位置に配置されている。
【0026】
内層導体配線0110−1と内層導体配線0110−2との間は、電気的に絶縁する絶縁層あるいは絶縁膜が形成されていることは言うまでもない。他の導体配線間における多層基板の縦方向の絶縁も同様である。
【0027】
図6において、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔は、電極パッド0108−1および0108−2との間の間隔より、明らかに広がっていることが判る。
【0028】
図3で示すように、従来の導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔は、電極パッド0108−1および0108−2との間の間隔と同じである。すなわち、従来は光素子と接続された導体ビア0109−1と0109−2との間の距離は、多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせ250μmと狭ピッチになっており、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2の間にはクロストークを遮蔽するための導体ビアを、加工上の問題などにより設置することができなかった。
【0029】
一方、本実施例では、表層導体配線0112を新たに導入することにより、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔を広げることが可能となり、両者の間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109−3を設けることが可能となった。ここで、導体ビア0109−3はグランド導体ビアもしくは電源導体ビアのいずれかである。
【0030】
ここで、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間とは、内層導体配線0110−1の配線パターンを多層基板表面に投影した投影像と、表層導体配線0112の配線パターンとによって挟まれる平面領域内に位置するように配置されていることを指す。
【0031】
また、内層導体配線0110−1と0110−2の間には、広面積の導体配線0110−3が形成されており(図7を参照)、内層導体配線0110−1と0110−2の間のクロストークを低減している。ここで、内層導体配線0110−3はグランド導体配線もしくは電源導体配線のいずれかである。
【0032】
本実施例の構造をとることにより、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109−3を設けることが可能となり、基板垂直方向のチャンネル間クロストーク(導体ビア同士のクロストーク)低減することができるようになった。さらに、内層導体配線0110−1と0110−2の間には、広面積の導体配線0110−3が形成されることにより、基板水平方向のチャンネル間クロストーク(内層導体配線同士のクロストーク)を同時に低減することができる。
【0033】
図8は、導体ビア間のクロストークを計算した結果であり、横軸が周波数(Frequency)、縦軸がクロストークを示す。測定条件は、導体ビアの直径を100μm、導体ビアの長さを1.0mm、基板材料としては、光素子を実装する多層基板材料はアルミナ(誘電率10)とし、導体材料はタングステンとした。図中に示された3つのグラフのうち(1)のプロットは、ビア導体間のピッチを250μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、(2)のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ信号導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、(3)のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがある場合のクロストークをそれぞれ示している。たとえば、25Gbit/s信号の基本周波数である12.5GHzでのクロストークは、従来のモジュールに相当する(1)のプロット−11dBであるのに対して、本実施例に相当する(3)のプロットはと−30dBと特性が改善されることがわかる。
<実施例2>
図9に本発明の実施例2に係る光モジュール斜視図を示す。本実施例は、光素子0105の電極パッドと、多層基板0101の電極パッドがボンディングワイヤ0107により接続されている点を除いては、実施例1と同様である。従って、その詳細説明は省略する。
【0034】
本構造においても、実施例1と同様にクロストークを低減した良好な特性を実施することができる。
【0035】
本実施例は、光素子0105に設けられた電極パッドを実施例1で示したようにフェースダウンできない場合に適用が可能となる。
<実施例3>
図10に本発明の実施例3に係る光モジュール上面図を示す。図11は本実施例の光モジュールの断面図である。本実施例は、光素子0105の光信号の入出力方向に、複数の光信号を1つの多重化信号へ変換する光多重器もしくは、1つの多重化信号を複数の光信号へ変換する光分波器が実装されている。光素子0105から基板垂直方向へ入出力される光信号は光多重器/分波器0113に形成されたミラー0114(図11を参照)により基板水平方向へ光路変換され、光多重器/分波器内0113に形成された光導波路0115を伝播する。本実施例は光素子0105の上部に光多重器/分波器が実装されている点を除いては、実施例1と同様である。
【0036】
したがって、光多重器/分波器からはクロストークの低減された良好な特性が得られる。
【符号の説明】
【0037】
0101…多層基板、0102…集積回路、0103…光コネクタ、0104…光ファイバ、0105…光素子、0106…スペーサ、0107…ボンディングワイヤ、0108…電極パッド、0109…導体ビア、0110…内層導体配線、0111…半田バンプ、0112…表層導体配線、0113…光多重器/分波器、0114…ミラー、0115…光導波路。
【技術分野】
【0001】
本発明は、光通信で使用する多層基板を用いた光モジュールに関する。特に、25Gbps以上の超高速動作を目的とする光モジュールに有用な技術に関する。
【背景技術】
【0002】
インターネットの急速な普及により、ルータ・サーバを代表とするIT機器の高速・大容量化が急速に進められている。現在、このような装置の中は、電気配線がなされたボードとそのボード上に搭載された電子部品、さらに電子部品をつなぐ電気伝送線路が実装されている。すなわち、装置の外部から入力されたデータのほとんどは、装置内で電気信号として処理される。
【0003】
しかしながら、1つの装置当たりが扱う情報処理と速度は年々増加しており、装置内の電気配線の高密度化と高周波化が進み、電気配線の伝送損失や隣接信号配線間でのクロストークが顕著になってきている。近年、以上述べたような電気配線の欠点を解決するため、各電子部品間を光信号で結ぶ装置の開発が盛んになっている。光は無誘導性であるため、光信号の伝送速度を上げても、伝送損失、クロストークが発生しないという利点がある。電子部品間を光信号によって、信号伝送する従来の半導体装置として、図1に示すように、光素子と集積回路は表面実装され、光素子と集積回路はそれぞれワイヤボンディングにより電気的に接続特された光モジュールが特許文献1(特開2010−177593号公報)等で知られている。
【0004】
図1において、光素子は、電気信号を光信号に変換する半導体レーザおよび、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードであり、集積回路は半導体レーザの前段で電気信号の整形と増幅を行うドライバ回路もしくは、フォトダイオードから出力される電気信号(電流信号)を電圧信号に変換した後、電圧信号を増幅するトランスインピーダンスアンプ回路である。多チャンネル信号伝送のために、光素子は複数個が一定の距離で並んだアレイを形成しており、各光素子間の距離は光信号の伝送媒体として使用される光リボンファイバのチャンネル間ピッチに合わせて250μmとなっている。
【0005】
しかしながら、光素子と集積回路を表面実装し、ボンディングワイヤにより電気接続を行う場合、集積回路に形成される電極パッドのレイアウトは自ずと表面外周部に限定され、集積回路の高機能化にともなう多ピン化(入出力電極パッドの増加)に対応できないといった問題がある。
【0006】
一方、集積回路の多ピン化に適応した光モジュールとして、図2、3、4に示す集積回路と光素子を、多層基板上にフリップチップ実装した光モジュールが知られている。この実装形態では、集積回路の電極パッドと多層基板表層に形成された電極パッドを対向させ、それぞれの電極パッドを半田バンプにより電気接続し、多層基板に形成した基板貫通導体(導体ビアやスルーホール)と内層導体配線により光素子と集積回路とが電気的に接続される。隣接するチャンネルの内層信号配線は、それぞれ異なる層に形成し、各内層信号配線の間には、広面積のグランド導体もしくは電源導体が設けられ、隣接する内層導体配線同士のクロストークを抑制している。
【0007】
しかしながら、信号伝送速度が25Gbps以上の超高速光モジュールでは、多層基板中の信号導体ビア同士のクロストークの信号品質への影響が無視できなくなる。信号導体ビア間のクロストークを抑制する手法としては、隣接チャンネルの信号導体ビアの間にクロストーク遮蔽用のグランド導体ビアを設置する方法が知られている。しかし、アレイ状に並んだ光素子に接続される信号ビア同士のピッチはアレイ光素子のピッチと同様に250μmと狭ピッチであるため、信号導体ビアの間にグランド導体ビアを設けることができないという難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2010−177593号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
図1に示す光モジュールのように、光素子と集積回路を表面実装し、ボンディングワイヤにより電気接続を行う場合、集積回路に形成される電極パッドのレイアウトは自ずと表面外周部に限定され、集積回路の高機能化にともなう多ピン化(入出力電極パッドの増加)に対応できない。
【0010】
一方、図2、3、4に示す光モジュールのように、多層基板に形成された導体ビアと内層導体配線により光素子と集積回路の電気接続を行う場合、アレイ光素子に接続される導体ビアと導体ビアとの距離は250μmと狭ピッチであるためチャンネル間クロストークが大きくなる。特に25Gbps以上の超高速信号伝送では、この導体ビア間のクロストークの信号品質への影響が無視できなくなる。
【0011】
そこで、本発明の目的は、集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記課題を解決するために、本願発明の多層基板およびそれを用いた光モジュールの主な特徴は、以下の通りである。
【0013】
多層基板上の隣り合う第1電極パッド、第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と順次接続される、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成されている第1形成層と第2内層導体配線が形成されている第2形成層との間には、グランド導体配線もしくは電源導体配線が形成されている形成層が設けられる。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドはボンディングワイヤを介して接続しても良い。
【発明の効果】
【0014】
本発明の光モジュールを用いれば、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】従来の光モジュールの斜視図である。
【図2】従来の光モジュールの斜視図である。
【図3】従来の光モジュールを構成する基板のうち、光素子と接続する配線を示す図である。
【図4】従来の光モジュールの断面図である。
【図5】本発明による光モジュールの第1の実施例の斜視図である。
【図6】本発明による光モジュールの第1の実施例の、光素子と接続する基板配線の斜視図である。
【図7】本発明による光モジュールの第1の実施例の断面図である。
【図8】本発明による光モジュールの隣接チャンネル間のクロストークを示す図である。
【図9】本発明による光モジュールの第2の実施例の斜視図である。
【図10】本発明による光モジュールの第3の実施例の上面図である。
【図11】本発明による光モジュールの第3の実施例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下に、本発明の実施例の具体的な構造を順に説明する。
<実施例1>
図5に本発明の第1実施例に係る光モジュールの斜視図を示す。本実施例では、多層基板0101上に光素子0105、集積回路0102がそれぞれ実装されている。光素子0105は、電気信号を光信号に変換する半導体レーザもしくは、光信号を電気信号へ変換するフォトダイオードのいずれかである。集積回路0102は半導体レーザ前段で、電気信号の波形整形と増幅を行うドライバ回路もしくは、フォトダイオードから入力した電気信号(電流信号)を電圧信号へ変換したのち増幅するトランスインピーダンス回路のいずれかである。大容量情報伝送を実現するために、光素子0105はアレイ上に実装されており、各光素子間の距離は多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせて250μmとなっている。
【0017】
上記所定のピッチで配列された複数の光素子0105からは、図示するように、一つ置きに多層基板0101上に設けられた表層導体配線0112が引き出され、電極パッド0108−3に接続されている。以下に、この表層導体配線0112に関して、さらに詳細に説明する。
【0018】
図6は、本実施例に係る光モジュールのうち、光素子0105近傍の配線の斜視図を示し、図7は、本実施例に係る光モジュールの断面図を示している。
【0019】
まず、図7で示すように多層基板0101上に電極パッド0108−1が形成され、同様に多層基板0101上に電極パッド0108−2が電極パッド0108−1に隣接して形成されている。なお、同図では、電極パッド0108−1および0108−2が重なって図示されている。
また、光素子0105上に形成された電極パッド0108−1aは、電極パッド0108−1に対向するように配置され(図6参照)、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111−1により電気的に接続されている。同様に、光素子0105上に形成された電極パッド0108−2aは、電極パッド0108−2に対向するように配置され(図6参照)、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111−1により電気的に接続されている。
【0020】
集積回路0102上の電極パッドも同様に多層基板0101上に形成された電極パッドが半田バンプ0111−2により電気的に接続されている。
【0021】
次に、図6を用いて、表層導体配線および内層導体配線の関係を説明する。図6では、主として、前記の配線関係を図示するために、電極パッド0108−1と電極パッド0108−1aとを接続する半田バンプは図示していない。また、図6は、図7で示す光素子0105の直下近傍における配線層を図示し、その他の多層基板や集積回路などは省略している。
【0022】
多層基板0101上に形成された隣り合う電極パッド0108−1と0108−2のうち、電極パッド0108−1は、多層基板の垂直方向に配設される導体ビア0109−1、内層導体配線0110−1と順次接続されている。もう一方の電極パッド0108−2は、表層導体配線0112、電極パッド0108−3、導体ビア0109−02、内層導体配線0110−2と順次接続されている。
【0023】
通常、内層導体配線0110−1、あるいは0110−2および表層導体配線0112は、長手方向に延在するように配置され、途中経路で迂回するように配置される場合もあるが、互いに電気的に短絡しないような配置が施される。
【0024】
導体ビア0109−1や0109−2などは、多層基板表面に対して、通常は、ほぼ垂直な方向に、多層基板を構成する積層膜を貫通して設けられた貫通孔に導電材料を埋め込んで設けられている。
【0025】
また、内層導体配線0110−1や0110−2は、多層基板表面に対して、ほぼ平行な面で形成され、互いに該基板表面からの深さを異にする位置に配置されている。
【0026】
内層導体配線0110−1と内層導体配線0110−2との間は、電気的に絶縁する絶縁層あるいは絶縁膜が形成されていることは言うまでもない。他の導体配線間における多層基板の縦方向の絶縁も同様である。
【0027】
図6において、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔は、電極パッド0108−1および0108−2との間の間隔より、明らかに広がっていることが判る。
【0028】
図3で示すように、従来の導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔は、電極パッド0108−1および0108−2との間の間隔と同じである。すなわち、従来は光素子と接続された導体ビア0109−1と0109−2との間の距離は、多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせ250μmと狭ピッチになっており、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2の間にはクロストークを遮蔽するための導体ビアを、加工上の問題などにより設置することができなかった。
【0029】
一方、本実施例では、表層導体配線0112を新たに導入することにより、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間隔を広げることが可能となり、両者の間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109−3を設けることが可能となった。ここで、導体ビア0109−3はグランド導体ビアもしくは電源導体ビアのいずれかである。
【0030】
ここで、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間とは、内層導体配線0110−1の配線パターンを多層基板表面に投影した投影像と、表層導体配線0112の配線パターンとによって挟まれる平面領域内に位置するように配置されていることを指す。
【0031】
また、内層導体配線0110−1と0110−2の間には、広面積の導体配線0110−3が形成されており(図7を参照)、内層導体配線0110−1と0110−2の間のクロストークを低減している。ここで、内層導体配線0110−3はグランド導体配線もしくは電源導体配線のいずれかである。
【0032】
本実施例の構造をとることにより、導体ビア0109−1と導体ビア0109−2との間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109−3を設けることが可能となり、基板垂直方向のチャンネル間クロストーク(導体ビア同士のクロストーク)低減することができるようになった。さらに、内層導体配線0110−1と0110−2の間には、広面積の導体配線0110−3が形成されることにより、基板水平方向のチャンネル間クロストーク(内層導体配線同士のクロストーク)を同時に低減することができる。
【0033】
図8は、導体ビア間のクロストークを計算した結果であり、横軸が周波数(Frequency)、縦軸がクロストークを示す。測定条件は、導体ビアの直径を100μm、導体ビアの長さを1.0mm、基板材料としては、光素子を実装する多層基板材料はアルミナ(誘電率10)とし、導体材料はタングステンとした。図中に示された3つのグラフのうち(1)のプロットは、ビア導体間のピッチを250μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、(2)のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ信号導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、(3)のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがある場合のクロストークをそれぞれ示している。たとえば、25Gbit/s信号の基本周波数である12.5GHzでのクロストークは、従来のモジュールに相当する(1)のプロット−11dBであるのに対して、本実施例に相当する(3)のプロットはと−30dBと特性が改善されることがわかる。
<実施例2>
図9に本発明の実施例2に係る光モジュール斜視図を示す。本実施例は、光素子0105の電極パッドと、多層基板0101の電極パッドがボンディングワイヤ0107により接続されている点を除いては、実施例1と同様である。従って、その詳細説明は省略する。
【0034】
本構造においても、実施例1と同様にクロストークを低減した良好な特性を実施することができる。
【0035】
本実施例は、光素子0105に設けられた電極パッドを実施例1で示したようにフェースダウンできない場合に適用が可能となる。
<実施例3>
図10に本発明の実施例3に係る光モジュール上面図を示す。図11は本実施例の光モジュールの断面図である。本実施例は、光素子0105の光信号の入出力方向に、複数の光信号を1つの多重化信号へ変換する光多重器もしくは、1つの多重化信号を複数の光信号へ変換する光分波器が実装されている。光素子0105から基板垂直方向へ入出力される光信号は光多重器/分波器0113に形成されたミラー0114(図11を参照)により基板水平方向へ光路変換され、光多重器/分波器内0113に形成された光導波路0115を伝播する。本実施例は光素子0105の上部に光多重器/分波器が実装されている点を除いては、実施例1と同様である。
【0036】
したがって、光多重器/分波器からはクロストークの低減された良好な特性が得られる。
【符号の説明】
【0037】
0101…多層基板、0102…集積回路、0103…光コネクタ、0104…光ファイバ、0105…光素子、0106…スペーサ、0107…ボンディングワイヤ、0108…電極パッド、0109…導体ビア、0110…内層導体配線、0111…半田バンプ、0112…表層導体配線、0113…光多重器/分波器、0114…ミラー、0115…光導波路。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板において、
前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、
前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、
前記他の一つの電極パッドと前記第2の導体ビアとは、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続され、
前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられていることを特徴とする多層基板。
【請求項2】
前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層がさらに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項3】
前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記第1の内層導体配線層を前記多層基板表面に投影してなる投影像と前記表層導体配線層との間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項4】
前記第2の導体ビアと前記表層導体配線層とは、前記電極パッドの一つ、又は他の一つと異なる別の電極パッドを介して接続され、前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記電極パッドの一つと別の電極パッドとの間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項5】
前記表層導体配線層の長手方向は、前記第1および第2の内層導体配線層の長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項6】
基板上に少なくとも光素子と電子回路装置とを搭載した光モジュールにおいて、
導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板と、
前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、
前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続された第2の導体ビアと、
前記第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、
前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられ、
前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層が設けられ、
前記光素子、および前記電子回路装置は、それぞれに設けられた電極パッドを介して前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかと接続されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項7】
前記光素子に設けられた電極パッドと前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかがボンディングワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項6に記載の光モジュール。
【請求項8】
前記光素子の複数が、同一基板上に配列されたアレイ素子であることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項9】
前記光素子は、光信号変調方式が直接変調方式もしくは間接変調方式のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項10】
前記光素子は、光共振方向が、前記多層基板に対して水平方向もしくは垂直方向のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項11】
前記光素子は、光受発光部とレンズとが同一基板に一体集積されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項12】
前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、外部レンズが実装されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項13】
前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、複数の光信号を1つの多重化光信号へ変換する光多重化部もしくは、一つの多重化光信号を複数の光信号へ変換する光分波部を有することを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項1】
導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板において、
前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、
前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、
前記他の一つの電極パッドと前記第2の導体ビアとは、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続され、
前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられていることを特徴とする多層基板。
【請求項2】
前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層がさらに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項3】
前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記第1の内層導体配線層を前記多層基板表面に投影してなる投影像と前記表層導体配線層との間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項4】
前記第2の導体ビアと前記表層導体配線層とは、前記電極パッドの一つ、又は他の一つと異なる別の電極パッドを介して接続され、前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記電極パッドの一つと別の電極パッドとの間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項5】
前記表層導体配線層の長手方向は、前記第1および第2の内層導体配線層の長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
【請求項6】
基板上に少なくとも光素子と電子回路装置とを搭載した光モジュールにおいて、
導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板と、
前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、
前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続された第2の導体ビアと、
前記第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、
前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられ、
前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層が設けられ、
前記光素子、および前記電子回路装置は、それぞれに設けられた電極パッドを介して前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかと接続されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項7】
前記光素子に設けられた電極パッドと前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかがボンディングワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項6に記載の光モジュール。
【請求項8】
前記光素子の複数が、同一基板上に配列されたアレイ素子であることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項9】
前記光素子は、光信号変調方式が直接変調方式もしくは間接変調方式のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項10】
前記光素子は、光共振方向が、前記多層基板に対して水平方向もしくは垂直方向のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項11】
前記光素子は、光受発光部とレンズとが同一基板に一体集積されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項12】
前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、外部レンズが実装されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【請求項13】
前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、複数の光信号を1つの多重化光信号へ変換する光多重化部もしくは、一つの多重化光信号を複数の光信号へ変換する光分波部を有することを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2013−93345(P2013−93345A)
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−232611(P2011−232611)
【出願日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【出願人】(000005108)株式会社日立製作所 (27,607)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【出願人】(000005108)株式会社日立製作所 (27,607)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]