【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後のシリコンウエハの金属汚染を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を提供する。
【解決手段】 シリコンウエハ表面へのＦｅ汚染量が１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２〜１０×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極。プラズマエッチング電極の厚さが３〜１０ｍｍであると好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマの化学的性質、密度、イオン・エネルギー、及びそれらの２つ以上のパラメータを正確に制御する装置を提供することである。
【解決手段】３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。装置は、チャンバ１０、ＲＦて電力供給５１、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成６７、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極１４および底部電極１３ならびに周辺の頂部４２および／または底部電極３４、を含む構成である。前記装置で前記プラズマ処理を実施することで課題を解決する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化と腐食性ガスに対する耐腐食性を兼ね備えたマスフローコントローラシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のマスフローコントローラシステム５００は、腐食性ガスが導入され、前記腐食性ガスに対する耐腐食性処理が施された第１マスフローコントローラ１００と、非腐食性ガスが導入される第２マスフローコントローラ２００と、前記第１マスフローコントローラに複数種類の腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第１ガス配管３１、３２、３３と、前記第２マスフローコントローラに複数種類の非腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第２ガス配管３４、３５、３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位変動を抑制するべく直流電流に対する導電性、及びプラズマの励起に必要な高周波電力を透過させることができる容量性を有し、試料が金属汚染される虞がなく、かつプラズマ耐食性を有する高周波透過材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の繊維状炭素を酸化イットリウム中に分散した複合材料からなる高周波透過材料であり、この繊維状炭素を、この繊維状炭素及び酸化イットリウムの合計量に対して１体積％以上かつ１０体積％以下含有しており、直流電圧印加時の体積固有抵抗値は３０Ω・ｃｍ以下、かつ１０ＭＨｚ以上の高周波帯域におけるインピーダンス角はマイナス（−）である。 （もっと読む）

【課題】非閉じ込めプラズマの点火を防ぐと共に、ＲＦリターンパスを短くできる構成をとる。
【解決手段】可動基板支持アセンブリ３１０の可動接地リング４００を記載する。可動接地リング４００は、ギャップ調節可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００において、可動基板支持アセンブリ３１０の固定接地リング３４０の周囲に嵌合され、固定接地リング３４０に対するＲＦリターンパスを提供する。基板支持アセンブリ内３１０に支持された半導体基板はプラズマ処理される。 （もっと読む）

【課題】弁体の動作速度をさらに高速にでき、かつ大流量を制御できる電動バルブを提供すること。
【解決手段】流路１３を流れる流体の流量を制御する目的で、流路１３に開度を可変可能な弁構造３５を設け、この弁構造３５の弁体３７と弁体３７のアクチュエータであるピエゾ素子４２との間に、ピエゾ素子４２の伸縮を拡大して弁体３７に伝達する変位拡大機構（ストローク拡大機構）５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】未使用の誘電体を取り付けた直後から、又は極めて短い時間のダミー放電をするだけで、望ましいエッチングレートで安定して基板をエッチングすることが可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板１４が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１６を形成し、処理空間１６と外部とを連通する開口２０が設けられた処理容器１８と、誘電体を有し、処理容器１８に着脱自在であって、処理容器１８に取り付けた場合に開口２０を塞ぐ隔壁２２と、隔壁２２が有する誘電体を介して処理空間１６に導入され、プロセスガスをプラズマ化する電磁波を生成するコイル２４とを備えるドライエッチング装置１０であって、誘電体の処理空間側の面が研磨面となっている。 （もっと読む）

【課題】伝熱シートの一部が載置台に付着したまま残るのを防止することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０においてフォーカスリング２５は、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムを基材とする伝熱シート３８を備え、冷媒室２６を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、且つ伝熱シート３８を介してサセプタ１２のフォーカスリング載置面３９と接触し、伝熱シート３８は、フォーカスリング載置面３９と接触するサセプタ接触面４１に形成された付着防止層４２を有し、付着防止層４２は、サセプタ接触面４１に照射された紫外線によって硬化した伝熱シート３８の一部からなる。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極面内のプラズマ強度の均一性を高める。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように配置され、第１電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴１４ａが複数開口された第２電極１４とを備え、第２電極１４の第１電極と対向する面には、ガス供給穴１４ａを取り囲むように溝１４ｃが設けられているプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０では、チャンバ１１にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源１６によって高周波コイル１５に電圧が印加されることにより、チャンバ１１内にプラズマが発生する。チャンバ１１内には、半導体基材Ａを保持する基材ホルダー電極２０と、基材ホルダー電極２０に対応して配置される陰極２１とが設けられる。陰極２１には、高圧パルス電源２２により負電圧が印加される。分光計２３は、半導体基材Ａの発光態様を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】処理室の蓋体を安定して保持し、反転させることが可能な蓋体保持治具を提供する。
【解決手段】処理室８１の上部に設けられた蓋体８３を、当該蓋体８３から取り外された状態で保持する蓋体保持治具１において、保持部２は蓋体８３の周縁部を保持し、基体３１、３４、５３は、前記保持部２に保持された蓋体８３を反転させるために当該保持部２を水平な回転軸５２周りに回転自在に支持する。固定機構４は、前記保持部２に対して蓋体８３を固定する固定位置と、当該蓋体８３の固定が開放される開放位置と、の間で固定部材４４を移動させる。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む、真空プラズマプロセッサ室においてワークピースを加工する方法を提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 （もっと読む）

【課題】確実にガスを供給してプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給口を有するアウターガス供給部材４０と、処理容器内においてアウターガス供給部材４０を支持するガス供給部材支持装置としてのジャケット部２７を備える。ジャケット部２７は、アウターガス供給部材４０および側壁を連結するように、ガス供給部材の延びる方向にそれぞれの間隔を空けて設けられる３つの支持部材４４〜４６と、側壁に固定され、支持部材を取り付け可能な取り付け部４７〜４９とを含む。支持部材は、第一の取り付け部４７に固定して取り付けられる第一の支持部材４４と、第二の取り付け部４８、４９にフリーに支持されるように取り付けられる第二の支持部材４５、４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のエッチング装置は、障害物が、前記陽極側電極側に複数の開口部を有し、前記処理基板の全面を覆っており、前記陽極側電極側に対向する面が面内の一点を頂点とし周辺部位に向けて傾斜していることにより、処理基板面内中心部のプラズマ密度を低減させることが出来る。このため、処理基板において、中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制することが出来ることから、ローディング効果を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラを発生させているエッチング装置を判別することにより、被処理基板におけるエッチングムラの発生を抑制して、歩留まりの低下を抑制することができるエッチング装置の検査方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理が施された被処理基板２０を搬送させながら、被処理面２０ａに照明ランプ３２による照射光２２を照射させた状態で、ラインセンサー３３により、被処理面２０ａの画像データを撮影し、該画像データに基づいて、被処理面２０ａに形成されたエッチングパターンを特定する。そして、前記エッチングパターンのデータと被処理面２０ａに形成される予定のエッチングパターンのデータとを比較して、基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラの発生の有無を判定し、エッチング装置に欠陥があるか否かを検出する。 （もっと読む）