プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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本発明の高密度ＲＦプラズマ源は、１３．５６ＭＨｚなどの周波数の波を送り出すために特殊なアンテナ構成を使用する。アンテナは、共通軸の周りに軸に沿って相互に間隔を置いて配置される数個の伝導性ループを含む。ループは、軸方向伝導性セグメントによって電気的に接続され、各ループは複数の直列接続された容量性素子を含む。このアンテナはチューニング可能なので、半導体製造のプラズマ加工において見られる発生プラズマにＲＦエネルギー（１０）を能動的に結合させるのに適する。このプラズマ源は以下の用途に使用することができる：プラズマ・エッチング、蒸着、スパッタリング・システム、宇宙推進、プラズマに基づく滅菌、プラズマ切削システム。別の実施態様において、プラズマ源は、１つまたはそれ以上の加工チャンバと組み合わされ、プロセス・チャンバは磁石アレイ（１４）及びＲＦコイル（１５、１６）を含む。これらの素子は、フィードバック制御法によってプラズマの閉じ込めまたは能動的プラズマ制御（プラズマ回転）のために使用することができ、一方、水分などの現場ＮＭＲモニタリングまたは分析のために使用することができる。
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【課題】ウェーハ上のレイヤのプラズマエッチングを行う装置を提供する。
【解決手段】容量的に結合されたプロセスチャンバが提供される。ガス源は、前記容量的に結合されたプロセスチャンバに流体的に連通する。前記プロセスチャンバ内に第１電極が提供される。前記第１電極から間隔が置かれ対向する第２電極が提供される。第１高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第１高周波電源は１５０ｋＨｚおよび１０ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第２高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第２高周波電源は１２ＭＨｚおよび２００ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第１変調制御器は、前記第１高周波電源に接続され、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの間の周波数において前記第１高周波電源の制御された変調を提供する。 （もっと読む）

処理チャンバ内にワークピースを支持する装置が設けられ、その装置は、ワークピースを支持する表面を有する第１の「ホット・チャック」を有し、そのホット・チャックは当該ホット・チャックを加熱する電気的な加熱要素を含んでおり、当該装置はまた熱伝導流体を循環させるためにそこに形成された流路を有する第２の「コールド」チャックを有する。ホット・チャックとコールド・チャックとの間の熱伝達の比率を変化させるために、コールド・チャックはホット・チャックに向けてまたはホット・チャックから離れて選択的に移動可能である。
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【課題】 処理部材のためのバリア層およびそれと同じものを形成する方法。
【解決手段】 処理システム内でプロセスにさらされた処理部材の腐食と、その後の処理システム内の基板のなんらかのコンタミネーションとを軽減するために、プロセスにさらされる処理部材は、保護バリアで被覆される。この保護バリアは、プラズマによる腐食に耐性を有する保護層と、保護層の不良によるプロセスコンタミネーションの可能性を軽減するために処理部材への保護層の密着性を改良するボンディング層とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の熱処理後、冷却ガスにより急速に基板の冷却を行う。
【解決手段】本発明は、半導体の熱処理装置や半導体基板を熱的に冷却する方法に関する。本発明の一特徴によれば、ガス冷却クランプと関連する方法が記載され、自由分子レジームで一様な熱伝導によって基板の冷却を行う。ガス冷却クランプはそれらの間に間隙を有する複数の突起を備えたクランピングプレートを含み、間隙の距離即ち深さは、冷却ガスの平均自由行程と関連する。ガス冷却クランプは、更に、冷却ガスの熱移動係数を制御するために、複数の間隙内の冷却ガスの背圧を制御する圧力制御システムを含む。冷却ガスの熱移動係数は、当初、圧力の関数であり、実質的に間隙距離に独立である。 （もっと読む）

【課題】残渣を生じることなく、精度良くエッチング可能な半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】ゲート酸化膜により段差を持つポリシリコン膜７を積層後、フォトレジスト６を全面に塗布し、パターン形成せず段差が見えるまでフォトレジストをアッシングする。そのあとＲＩＥにより段差部のエッチングを行い、段差を緩和する。この後、フォトレジストをパターンしＳｉＯ２に対する選択比の高いＨＢｒでエッチングを行うことにより、残渣を生じないエッチングができる。 （もっと読む）

【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１１１にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップ１１０の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜２３を形成する電極膜形成工程ＳＴ１と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ＳＴ２と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ＳＴ３とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルやダストがウエハの裏面に付着し難いようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本エッチング装置は、ウエハを上面で支持して、下部ステージを貫通して昇降するウエハ支持板３０と、ウエハ支持板を昇降させる昇降機構とを備え、ウエハ支持板の上面にウエハを載せ、次いでウエハを載せたウエハ支持板を昇降機構により一旦押し上げ、次いで下降して、下部ステージのウエハ載置面にウエハを載置し、ウエハにドライエッチング処理を施す。ウエハ支持板３０は、ウエハを先端で支持する高さ２ｍｍの５個の突起部３２を、ウエハ支持板３０の上面に等間隔に離隔して有する。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）