ＳＡＷチップ及びこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法
【課題】 ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１１１にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップ１１０の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜２３を形成する電極膜形成工程ＳＴ１と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ＳＴ２と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ＳＴ３とを含んでいる。
【解決手段】 圧電基板１１１にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップ１１０の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜２３を形成する電極膜形成工程ＳＴ１と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ＳＴ２と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ＳＴ３とを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）を利用したＳＡＷ（Ｓｕｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）チップと、このＳＡＷチップを利用したＳＡＷデバイスの製造方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通信機器、コンピュータ、時計等の様々な電子機器において、共振子、フィルタ等の電子部品としてＳＡＷ（Ｓｕｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）チップを利用したＳＡＷデバイスが使用されている。このＳＡＷチップには、特に、温度特性が良くエッチングや機械加工等の形状加工を容易に行うことができる水晶が圧電材料として使用されている。
【０００３】図９はこのようなＳＡＷチップの製造方法の一例を示す工程図であり、図１０は製造したＳＡＷチップからＳＡＷデバイスを製造する方法の一例を示す工程図である。
【０００４】図９（Ａ）において、水晶ウェハ２の表面が洗浄され、図９（Ｂ）において、この水晶ウェハ２の上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極膜３が形成される。次に、図９（Ｃ）に示すように、たとえば上記電極膜３の上に所定の電極パターンに対応したフォトレジスト４が配置される。そして、後述する理由により、反応性イオンエッチングやマイクロ波プラズマエッチング等のドライエッチング技術により、例えば、塩素ガスを用いて電極膜３がエッチングされる。この電極膜３は、図９（Ｄ）に示されるようにエッチングされ、フォトレジスト４が除去されると、水晶ウェハ２上にたとえばすだれ状電極や反射器及び配線パターン等が形成されることとなる。
【０００５】その後、図９（Ｅ）に示すように、ＳＡＷチップ１のたとえば共振周波数やフィルタリング特性等を調整するため、ＳＡＷチップ１の電極膜３がエッチングされる。ここで、電極膜３がエッチングされることで、ＳＡＷチップ１の共振周波数を上昇させながら調整が行われることとなる。
【０００６】この後で、水晶ウェハ２が各ＳＡＷチップ１ごとになるようにダイシング（切断）されて（図示せず）、各ＳＡＷチップ１ごとにその特性、外観が検査される。
【０００７】次に、図１０（Ａ）に示すようなベース１０が用意され、図１０（Ｂ）に示すように、水晶チップであるＳＡＷチップ１が、パッケージ用のベース１０にたとえば接着剤１１によって固定される。その後、図１０R>０（Ｃ）のように、ベース１０側とワイヤーボンディングが行われて、たとえばアルミニウムワイヤーからなるボンディング線１２によってＳＡＷチップ１とベース１０が電気的に接続される。ここで、ＳＡＷチップ１にボンディング線１２を介して駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【０００８】そして、図１０（Ｄ）のように、後述する周波数調整方法を用いてＳＡＷチップ１が、例えば、ＣＦ４ ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡＷチップ１が周波数を下げる方向に調整される。ここで、ＣＦ４ ガスを用いるのは、アルミニウムはエッチングされずに、水晶のみがエッチングされるからである。このため、結果的に、ＳＡＷチップ１の周波数を下げる方向に調整されることとなる。
【０００９】その後、図１０（Ｅ）に示すように、ベース１０にキャップ１３をたとえばシーム溶接することで、ＳＡＷチップ１がたとえば窒素雰囲気で封止される。そして、ＳＡＷチップ１が封止後に熱処理されて、ＳＡＷチップ１の特性及びリーク検査が行われ、ＳＡＷデバイス１Ａが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したように、ＳＡＷチップ１を形成するための水晶基板に櫛歯状の電極等を形成する電極形成工程（図９（Ｃ）、図９（Ｄ））では、ドライエッチングの手法が用いられている。
【００１１】これは次の理由による。
【００１２】ＳＡＷデバイスは、その振動出力の周波数が高くなるほど、水晶基板２上に形成される電極パターンの幅はより微小になり、電極加工精度も高くしなければならない。たとえば４３３ＭＨｚのＳＡＷ共振子では、その櫛歯状電極の幅が１．８μｍであるが、たとえば８６８ＭＨｚのＳＡＷ共振子ではその櫛歯状電極の幅が０．９μｍとなる。このため、電極形成のため、従来行われていたように、リン酸を用いたウエットエッチング法を用いると、レジスト４と電極３との界面にエッチング液がしみ込んで、微細な幅の電極の加工を精度よく行うことができないからである。
【００１３】このため、図９で説明したようなドライエッチング法を用いると、図１０で説明した後の工程において、異常な周波数変動を生じるというあらたな問題が生じる。そこで本発明は上記課題を解決し、ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の発明によれば、圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程とを含んでいるＳＡＷチップの製造方法により、達成される。
【００１５】請求項１の構成によれば、以下の作用がある。圧電基板上への電極形成後の加工工程において、異常な周波数変動を生じる原因は、本発明者等の研究によれば、ドライエッチングにより電極を形成する工程において、プラズマ等により削られたアルミニウムが圧電基板の表面に残留してしまう。
【００１６】このようなアルミニウムが圧電基板の表面に残ったままのＳＡＷチップをパッケージのベースに組み込んで、例えば、よく使用されるＣＦ４ ガス等のフッ素系ガスを使用してプラズマエッチングにより周波数調整を行うと、化学反応により、先ずフッ化アルミニウムが生成され、このフッ化アルミニウムが、さらに空気中の酸素と反応し、徐々にＡｌ２ Ｏ３ が形成されてしまう。すなわち、このような変化が圧電基板表面で起こると、弾性表面波の伝搬特性が変化してしまい、周波数が異常に変動することが本発明者等により解明された。
【００１７】したがって、ＳＡＷデバイスを形成する場合に、ベースにＳＡＷチップを組み込んで周波数調整する前に、このＳＡＷチップの形成工程において、アルミニウムもしくはアルミニウム合金による電極膜をドライエッチングで形成する場合には、先ず、圧電基板表面が露出するまで、ドライエッチングし、この露出した圧電基板表面に対して、残留アルミニウムを除去する洗浄をおこなうようにしたものである。これにより、ＳＡＷチップの圧電基板表面には、アルミニウムが残留しない状態で、ベースへの組み込みが行われ、周波数調整が行われるので、この周波数調整でフッ素系ガスを用いても、化学反応により、残留アルミニウムが空気中のフッ素、さらに酸素と結びついて、Ａｌ２ Ｏ３ が形成されることがなく、これを原因とする弾性表面波の伝搬特性の変化も防止できる。
【００１８】請求項２の発明は、請求項１の構成において、前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする。
【００１９】請求項３の発明は、請求項１または２の構成において、前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有することを特徴とする。
【００２０】請求項３の構成によれば、電極パターンの表面に陽極酸化膜が形成されていれば、電極パターンの表面が硬い酸化膜に保護される。このため、後の周波数調整工程にて、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを行っても、これにより生じたフッ素ラジカル等の反応性フッ素により電極パターン表面が侵されることがない。
【００２１】また、上記目的は、請求項４の発明によれば、圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイスの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッケージのベースに固定する工程と、ベースに固定されたＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷチップに対して、フッ素系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより周波数調整する工程とを含んでいる、ＳＡＷデバイスの製造方法により、達成される。
【００２２】請求項５の発明は、請求項４の構成において、前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明のＳＡＷチップの好ましい実施の形態を示す斜視図であり、図１を参照して先ずＳＡＷデバイス１００について説明する。図１のＳＡＷデバイス１００はたとえばＳＡＷ共振子であって、ＳＡＷチップ１１０、ベース１２０、キャップ１３０等からなっている。
【００２５】ＳＡＷチップ１１０は、圧電基板１１１、電極であるすだれ状電極（以下、「ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」という）１１２、反射器１１３等を有している。
【００２６】圧電基板１１１は、例えば、水晶，ＬｉＴａＯ３ ，ＬｉＮｂＯ３ 等の圧電材料により形成された基板であり、この実施形態では、水晶基板１１１が使用されている。
【００２７】すだれ状電極１１２及び反射器１１３は、たとえばアルミニウム又はアルミニウムと銅等の合金からなっていて、圧電基板１１１の上に後述するドライエッチング工程により形成されている。
【００２８】すなわち、本実施形態のＳＡＷ共振子１００は、その出力周波数が高く、例えば８６８ＭＨｚ以上の周波数である。このため、ＳＡＷ共振子１００では、このすだれ状電極１１２及び反射器１１３を形成する電極は細く、その幅が０．９μｍ程度とされている。このような細い電極を形成する工程に対応して、ドライエッチングの手法が採用されている。
【００２９】上記ＩＤＴ１１２はたとえば駆動電圧の供給により、弾性表面波を励振し、所定の周波数の振動を出力する機能を有している。反射器１１３、１１３はＩＤＴ１１２を挟むように形成されていて、ＩＤＴ１１２によって励振された弾性表面波を反射して、反射器１１３、１１３内に弾性表面波を閉じこめるものである。ベース１２０はその中央部分に中空部１２１が形成された、例えばセラミック製の箱状のものであり、この中空部１２１にＳＡＷチップ１１０がたとえば接着剤等により固定されている。また、ベース１２０には、その中空部１２１から外周底面１２２まで図示しない配線部が形成されていて、ＳＡＷチップ１１０と外部との電気的接続が図れるようになっている。そして、ベース１２０の電極部分はボンディング線１４０、１４０によりＩＤＴ１１２と電気的に接続されている。キャップ１３０は、板状の蓋であり、ＳＡＷチップ１１０を真空封止もしくは窒素雰囲気で封止するため、ベース１２０の上部にたとえばシーム溶接等により固定されている。尚、ベース１２０とキャップ１３０によりパッケージが構成される。
【００３０】ここで、図１に示すようなＳＡＷデバイス１００を製造する際、最終的なＳＡＷチップ１１０の周波数の調整は、例えば、後述するようにＳＡＷチップ１１０へのボンディング線１４０、１４０の接続後であって、キャップ１３０による封止前に、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングにより行われる。
【００３１】図２は、このようなＳＡＷデバイス１００を製造するための製造工程を簡単に示すフローチャートであり、図３は、ＳＡＷデバイス１００に収容されるＳＡＷチップ１１０の製造方法の一例を示す工程図である。
【００３２】図２によれば、先ず水晶表面にアルミニウムによる電極膜を形成する（ＳＴ１）。このステップは、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されている。
【００３３】すなわち、電極パターンの形成工程は、図３R>３（Ａ）に示すように、水晶ウェハ２２の表面を純水により洗浄し、図３（Ｂ）において、この水晶ウェハ２２の上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極膜２３を蒸着法もしくはスパッタリング法により形成される。
【００３４】次に、ＳＴ２に移り、電極膜２３をエッチングによって削って電極パターン２６を形成する。このステップを実行するため、先ず、図３（Ｃ）に示すように、たとえば上記電極膜２３の上に所定の電極パターンに対応したフォトレジスト２４が配置される。
【００３５】次いで、例えば、塩素（Ｃｌ）ガス、例えば、ＢＣｌ３ とＣｌ２ 及びＮ２の混合ガスを用いて、平行平板型装置による反応性イオンエッチングにより、電極膜２３をドライエッチングする。
【００３６】すなわち、上述したように、この実施形態のＳＡＷデバイス１００は、電極パターンの幅が非常に狭く、線幅０．９μｍ程度、膜厚０．１μｍ程度である。このため、従来行われていたように、リン酸を用いたウエットエッチング法を用いると、レジスト２４と電極膜２３との界面にエッチング液がしみ込んで、微細な幅の電極の加工を精度よく行うことができないことから、このドライエッチング工程が行われる。そして、電極膜２３は、水晶基板２２の表面が露出するまで、エッチングされたら、図２のＳＴ３におけるＡｌ除去洗浄を行う（ＳＴ３）。
【００３７】このＳＴ３は、図３（Ｃ）のように、まだレジスト２４が除去される前に行われる。すなわち、この状態で、水晶基板２２は、処理漕に搬入されて、所定の洗浄液，例えば、リン酸に浸漬されることにより、Ａｌ除去洗浄が行われる。このＡｌ除去洗浄の条件は、摂氏２５度の温度条件下で、５パーセントのリン酸水素アンモニウムの水溶液中で３分間洗浄し、その後、１０分間の純水リンスをした後、スピンさせて乾燥させる。この洗浄液としてリン酸だけでなく、ＫＯＨ，ＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，水酸化テトラメチルアンモニウム，アンモニア等の水溶液や塩素酸系のエッチング能を有する水溶液を使用してもよい。
【００３８】これにより、水晶基板２２の表面に上記ドライエッチング時に付着した残留Ａｌがリン酸で洗い流されることで、除去される。次いで、レジスト２４を除去して、図３（Ｄ）に示されるように、水晶基板２２上にたとえばすだれ状電極１１２や反射器１１３及び配線パターン等を構成する電極パターン２６が形成されることとなる。
【００３９】ここで、上記Ａｌ除去洗浄は、レジスト２４を除去した後で行うようにすることもできる。そして、この場合の洗浄条件は、例えば、摂氏３５度の温度条件下で、８５重量パーセントのリン酸で１分間洗浄し、その後、１０分間の純水リンスをした後、スピンさせて乾燥させるようにする。
【００４０】次に、図２のＳＴ４にて、電極パターン２６上に電気化学的表面反応等により、陽極酸化膜２５を被膜する。この状態は、図３（Ｅ）に示されている。
【００４１】次に、図２のＳＴ５に移り、周波数調整を行う。すなわち、図３（Ｅ）までの状態では、ＳＡＷチップ１１０に駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【００４２】そこで、ＳＴ５でＳＡＷチップ１１０が、フッ素系ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡＷチップ１１０が周波数を下げる方向に調整される。ここで、フッ素系ガスを用いるのは、これを用いるとアルミニウムはエッチングされずに、水晶のみがエッチングされるからである。このため、結果的にＳＡＷチップ１１０の周波数を下げる方向に調整されることとなる。
【００４３】この周波数調整で用いられるフッ素系ガスは、上記したＣＦ４ の他、ＣＨＦ３ ，Ｆ２ ，ＮＦ３ ＣＣｌＦ３ ，Ｃ２ Ｆ６ ，ＣＢｒＦ３ ，ＣＨ２Ｆ２ ，ＣＨＣｌＦ２ ，Ｃ３ Ｆ８ ，ＣＣｌ２ Ｆ２ ，Ｃ４ Ｆ８ ，ＣＨＣｌ２ Ｆ２ ，Ｃ４ Ｆ８ ＣＨＣｌ２ Ｆ，ＣＢｒ２ Ｆ２ ，ＣＣｌ３Ｆのうちの少なくとも１種を含むものが使用される。 そして、この周波数調整は、Ａｌ除去洗浄の後で、図４で説明するベースへのＳＡＷチップ１１０の固定の前に行ってもよく、また、後述するように、ベースへのＳＡＷチップ１１０の固定後に行ってもよい。そして、上述のように、電極膜２３に酸化膜２５を形成しておけば、この周波数調整工程（ＳＴ５）にて、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを行っても、これにより生じたフッ素ラジカル等の反応性フッ素により電極パターン表面が侵されることがない。
【００４４】図３（Ｅ）に示されているように、電極パターン２６上に陽極酸化膜２５を被膜した後は、図３（Ｆ）に示すように、Ｃの位置でダイシング（切断）して、ひとつひとつのＳＡＷチップ１１０になるように切りわける。
【００４５】完成したＳＡＷチップ１１０は、図４に示すように、ベース１２０に組み込まれる。
【００４６】先ず、図４（Ａ）に示すようなベース１２０が用意され、図４（Ｂ）に示すように、ＳＡＷチップ１１０がベース１２０にたとえば接着剤１１によって固定される。その後、図４（Ｃ）のように、ベース１２０側とワイヤーボンディングが行われて、たとえばアルミニウムワイヤーからなるボンディング線１４０によってＳＡＷチップ１１０とベース１２０が電気的に接続される。
【００４７】そして、図３で説明したレジスト２４の除去後において、ＳＡＷチップ１１０のベース１２０への組み込み前に周波数調整を行っていない場合には、この段階でＳＡＷチップ１１０にボンディング線１４０を介して駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【００４８】このため、図４（Ｄ）のように、所定の周波数調整装置を用いてＳＡＷチップ１１０がフッ素系ガスによりプラズマエッチングされて、周波数を下げる方向に調整される。この周波数調整におけるフッ素系ガスの種類等は、上述した条件と同じである。
【００４９】その後、図４（Ｅ）に示すように、ベース１２０にキャップ１３０をたとえばシーム溶接することで、ＳＡＷチップ１１０がたとえば窒素雰囲気で封止される。
【００５０】本実施形態は、以上のように構成されており、以下のような利点がある。
【００５１】先ず、ＳＡＷチップ１１０の電極形成がドライエッチングによりなされているから、微細な加工が可能で、周波数の高い高性能なＳＡＷデバイス１００を作るのに適している。
【００５２】そして、ドライエッチング後の水晶表面上の微量なＡｌ成分は、Ａｌ洗浄工程において、除去されているので、ＳＡＷチップ１１０の水晶表面にて、残留Ａｌ成分が反応して変化することがなく、弾性表面波の伝搬特性に悪影響を及ぼすことが防止されるので、製品の周波数特性を異常に変化させることが有効に防止され、不良品の発生を防止できるので、製品の歩留りを向上させることができる。
【００５３】図５は、横軸に加工工程を、縦軸には周波数調整後の周波数を基準とした周波数変化を表したグラフである。上段に示すように、電極形成にドライエッチングを用いただけの従来のＳＡＷデバイスでは、加工工程Ａ（例えば封止工程）後、あるいは、これより後の工程の加工工程Ｂ（例えばアニール処理）後で、周波数調整後の周波数に対して、ばらつきとシフトが大きい。これに対して、下段の本実施形態によるＡｌ洗浄をおこなったＳＡＷデバイスでは、時間の経過、あるいは加工履歴が加わっても、ばらつきや周波数シフトは極端に少なくなっている。
【００５４】さらに、周波数調整前にＳＡＷチップ１１０の電極表面に陽極酸化膜を形成しておけば、周波数調整時に使用されるフッ素系ガスの反応性のフッ素成分により電極表面が侵されることが防止される。
【００５５】図６は、電極表面での組成分析結果を示し、横軸はＳｉＯ２ スパッタエッチング速度換算に対応した電極膜２３の深さを表し、縦軸に成分含有量（原子パーセント）を表している。この図６は、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した後の電極膜２３表面から深さ（ＳｉＯ２ スパッタエッチング速度換算）に対応した成分状態を示しており、図７は、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合の様子を示している。
【００５６】図６と図７を比較すると判明するように、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した場合には、電極２３の表面付近のフッ素（Ｆ）の含有量が少ない。
【００５７】このため、図８に示されているように、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合Ｅは、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合Ｄと比べると、周波数調整後の放置時間に応じて周波数がシフトする量が少なく、その性能が安定していることが分かる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を示す概略斜視図。
【図２】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示すフローチャート。
【図３】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示す概略工程図。
【図４】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップをベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。
【図５】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイスにおける加工工程に対応した周波数変化の様子を説明する図。
【図６】ＳＡＷチップの電極表面に陽極酸化膜を形成しない場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す図。
【図７】本実施形態のＳＡＷチップの電極表面に陽極酸化膜を形成した場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す図。
【図８】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイスにおける周波数シフトの様子を比較して示す図。
【図９】従来のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示す概略工程図。
【図１０】図９のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップをベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。
【符号の説明】
１００・・・ＳＡＷデバイス
１１０・・・ＳＡＷチップ
１１１・・・圧電基板（水晶基板）
１１２・・・電極
１２０・・・ベース
１３０・・・キャップ
１４０・・・ボンディング線
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）を利用したＳＡＷ（Ｓｕｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）チップと、このＳＡＷチップを利用したＳＡＷデバイスの製造方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通信機器、コンピュータ、時計等の様々な電子機器において、共振子、フィルタ等の電子部品としてＳＡＷ（Ｓｕｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）チップを利用したＳＡＷデバイスが使用されている。このＳＡＷチップには、特に、温度特性が良くエッチングや機械加工等の形状加工を容易に行うことができる水晶が圧電材料として使用されている。
【０００３】図９はこのようなＳＡＷチップの製造方法の一例を示す工程図であり、図１０は製造したＳＡＷチップからＳＡＷデバイスを製造する方法の一例を示す工程図である。
【０００４】図９（Ａ）において、水晶ウェハ２の表面が洗浄され、図９（Ｂ）において、この水晶ウェハ２の上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極膜３が形成される。次に、図９（Ｃ）に示すように、たとえば上記電極膜３の上に所定の電極パターンに対応したフォトレジスト４が配置される。そして、後述する理由により、反応性イオンエッチングやマイクロ波プラズマエッチング等のドライエッチング技術により、例えば、塩素ガスを用いて電極膜３がエッチングされる。この電極膜３は、図９（Ｄ）に示されるようにエッチングされ、フォトレジスト４が除去されると、水晶ウェハ２上にたとえばすだれ状電極や反射器及び配線パターン等が形成されることとなる。
【０００５】その後、図９（Ｅ）に示すように、ＳＡＷチップ１のたとえば共振周波数やフィルタリング特性等を調整するため、ＳＡＷチップ１の電極膜３がエッチングされる。ここで、電極膜３がエッチングされることで、ＳＡＷチップ１の共振周波数を上昇させながら調整が行われることとなる。
【０００６】この後で、水晶ウェハ２が各ＳＡＷチップ１ごとになるようにダイシング（切断）されて（図示せず）、各ＳＡＷチップ１ごとにその特性、外観が検査される。
【０００７】次に、図１０（Ａ）に示すようなベース１０が用意され、図１０（Ｂ）に示すように、水晶チップであるＳＡＷチップ１が、パッケージ用のベース１０にたとえば接着剤１１によって固定される。その後、図１０R>０（Ｃ）のように、ベース１０側とワイヤーボンディングが行われて、たとえばアルミニウムワイヤーからなるボンディング線１２によってＳＡＷチップ１とベース１０が電気的に接続される。ここで、ＳＡＷチップ１にボンディング線１２を介して駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【０００８】そして、図１０（Ｄ）のように、後述する周波数調整方法を用いてＳＡＷチップ１が、例えば、ＣＦ４ ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡＷチップ１が周波数を下げる方向に調整される。ここで、ＣＦ４ ガスを用いるのは、アルミニウムはエッチングされずに、水晶のみがエッチングされるからである。このため、結果的に、ＳＡＷチップ１の周波数を下げる方向に調整されることとなる。
【０００９】その後、図１０（Ｅ）に示すように、ベース１０にキャップ１３をたとえばシーム溶接することで、ＳＡＷチップ１がたとえば窒素雰囲気で封止される。そして、ＳＡＷチップ１が封止後に熱処理されて、ＳＡＷチップ１の特性及びリーク検査が行われ、ＳＡＷデバイス１Ａが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したように、ＳＡＷチップ１を形成するための水晶基板に櫛歯状の電極等を形成する電極形成工程（図９（Ｃ）、図９（Ｄ））では、ドライエッチングの手法が用いられている。
【００１１】これは次の理由による。
【００１２】ＳＡＷデバイスは、その振動出力の周波数が高くなるほど、水晶基板２上に形成される電極パターンの幅はより微小になり、電極加工精度も高くしなければならない。たとえば４３３ＭＨｚのＳＡＷ共振子では、その櫛歯状電極の幅が１．８μｍであるが、たとえば８６８ＭＨｚのＳＡＷ共振子ではその櫛歯状電極の幅が０．９μｍとなる。このため、電極形成のため、従来行われていたように、リン酸を用いたウエットエッチング法を用いると、レジスト４と電極３との界面にエッチング液がしみ込んで、微細な幅の電極の加工を精度よく行うことができないからである。
【００１３】このため、図９で説明したようなドライエッチング法を用いると、図１０で説明した後の工程において、異常な周波数変動を生じるというあらたな問題が生じる。そこで本発明は上記課題を解決し、ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の発明によれば、圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程とを含んでいるＳＡＷチップの製造方法により、達成される。
【００１５】請求項１の構成によれば、以下の作用がある。圧電基板上への電極形成後の加工工程において、異常な周波数変動を生じる原因は、本発明者等の研究によれば、ドライエッチングにより電極を形成する工程において、プラズマ等により削られたアルミニウムが圧電基板の表面に残留してしまう。
【００１６】このようなアルミニウムが圧電基板の表面に残ったままのＳＡＷチップをパッケージのベースに組み込んで、例えば、よく使用されるＣＦ４ ガス等のフッ素系ガスを使用してプラズマエッチングにより周波数調整を行うと、化学反応により、先ずフッ化アルミニウムが生成され、このフッ化アルミニウムが、さらに空気中の酸素と反応し、徐々にＡｌ２ Ｏ３ が形成されてしまう。すなわち、このような変化が圧電基板表面で起こると、弾性表面波の伝搬特性が変化してしまい、周波数が異常に変動することが本発明者等により解明された。
【００１７】したがって、ＳＡＷデバイスを形成する場合に、ベースにＳＡＷチップを組み込んで周波数調整する前に、このＳＡＷチップの形成工程において、アルミニウムもしくはアルミニウム合金による電極膜をドライエッチングで形成する場合には、先ず、圧電基板表面が露出するまで、ドライエッチングし、この露出した圧電基板表面に対して、残留アルミニウムを除去する洗浄をおこなうようにしたものである。これにより、ＳＡＷチップの圧電基板表面には、アルミニウムが残留しない状態で、ベースへの組み込みが行われ、周波数調整が行われるので、この周波数調整でフッ素系ガスを用いても、化学反応により、残留アルミニウムが空気中のフッ素、さらに酸素と結びついて、Ａｌ２ Ｏ３ が形成されることがなく、これを原因とする弾性表面波の伝搬特性の変化も防止できる。
【００１８】請求項２の発明は、請求項１の構成において、前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする。
【００１９】請求項３の発明は、請求項１または２の構成において、前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有することを特徴とする。
【００２０】請求項３の構成によれば、電極パターンの表面に陽極酸化膜が形成されていれば、電極パターンの表面が硬い酸化膜に保護される。このため、後の周波数調整工程にて、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを行っても、これにより生じたフッ素ラジカル等の反応性フッ素により電極パターン表面が侵されることがない。
【００２１】また、上記目的は、請求項４の発明によれば、圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイスの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッケージのベースに固定する工程と、ベースに固定されたＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷチップに対して、フッ素系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより周波数調整する工程とを含んでいる、ＳＡＷデバイスの製造方法により、達成される。
【００２２】請求項５の発明は、請求項４の構成において、前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明のＳＡＷチップの好ましい実施の形態を示す斜視図であり、図１を参照して先ずＳＡＷデバイス１００について説明する。図１のＳＡＷデバイス１００はたとえばＳＡＷ共振子であって、ＳＡＷチップ１１０、ベース１２０、キャップ１３０等からなっている。
【００２５】ＳＡＷチップ１１０は、圧電基板１１１、電極であるすだれ状電極（以下、「ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」という）１１２、反射器１１３等を有している。
【００２６】圧電基板１１１は、例えば、水晶，ＬｉＴａＯ３ ，ＬｉＮｂＯ３ 等の圧電材料により形成された基板であり、この実施形態では、水晶基板１１１が使用されている。
【００２７】すだれ状電極１１２及び反射器１１３は、たとえばアルミニウム又はアルミニウムと銅等の合金からなっていて、圧電基板１１１の上に後述するドライエッチング工程により形成されている。
【００２８】すなわち、本実施形態のＳＡＷ共振子１００は、その出力周波数が高く、例えば８６８ＭＨｚ以上の周波数である。このため、ＳＡＷ共振子１００では、このすだれ状電極１１２及び反射器１１３を形成する電極は細く、その幅が０．９μｍ程度とされている。このような細い電極を形成する工程に対応して、ドライエッチングの手法が採用されている。
【００２９】上記ＩＤＴ１１２はたとえば駆動電圧の供給により、弾性表面波を励振し、所定の周波数の振動を出力する機能を有している。反射器１１３、１１３はＩＤＴ１１２を挟むように形成されていて、ＩＤＴ１１２によって励振された弾性表面波を反射して、反射器１１３、１１３内に弾性表面波を閉じこめるものである。ベース１２０はその中央部分に中空部１２１が形成された、例えばセラミック製の箱状のものであり、この中空部１２１にＳＡＷチップ１１０がたとえば接着剤等により固定されている。また、ベース１２０には、その中空部１２１から外周底面１２２まで図示しない配線部が形成されていて、ＳＡＷチップ１１０と外部との電気的接続が図れるようになっている。そして、ベース１２０の電極部分はボンディング線１４０、１４０によりＩＤＴ１１２と電気的に接続されている。キャップ１３０は、板状の蓋であり、ＳＡＷチップ１１０を真空封止もしくは窒素雰囲気で封止するため、ベース１２０の上部にたとえばシーム溶接等により固定されている。尚、ベース１２０とキャップ１３０によりパッケージが構成される。
【００３０】ここで、図１に示すようなＳＡＷデバイス１００を製造する際、最終的なＳＡＷチップ１１０の周波数の調整は、例えば、後述するようにＳＡＷチップ１１０へのボンディング線１４０、１４０の接続後であって、キャップ１３０による封止前に、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングにより行われる。
【００３１】図２は、このようなＳＡＷデバイス１００を製造するための製造工程を簡単に示すフローチャートであり、図３は、ＳＡＷデバイス１００に収容されるＳＡＷチップ１１０の製造方法の一例を示す工程図である。
【００３２】図２によれば、先ず水晶表面にアルミニウムによる電極膜を形成する（ＳＴ１）。このステップは、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されている。
【００３３】すなわち、電極パターンの形成工程は、図３R>３（Ａ）に示すように、水晶ウェハ２２の表面を純水により洗浄し、図３（Ｂ）において、この水晶ウェハ２２の上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極膜２３を蒸着法もしくはスパッタリング法により形成される。
【００３４】次に、ＳＴ２に移り、電極膜２３をエッチングによって削って電極パターン２６を形成する。このステップを実行するため、先ず、図３（Ｃ）に示すように、たとえば上記電極膜２３の上に所定の電極パターンに対応したフォトレジスト２４が配置される。
【００３５】次いで、例えば、塩素（Ｃｌ）ガス、例えば、ＢＣｌ３ とＣｌ２ 及びＮ２の混合ガスを用いて、平行平板型装置による反応性イオンエッチングにより、電極膜２３をドライエッチングする。
【００３６】すなわち、上述したように、この実施形態のＳＡＷデバイス１００は、電極パターンの幅が非常に狭く、線幅０．９μｍ程度、膜厚０．１μｍ程度である。このため、従来行われていたように、リン酸を用いたウエットエッチング法を用いると、レジスト２４と電極膜２３との界面にエッチング液がしみ込んで、微細な幅の電極の加工を精度よく行うことができないことから、このドライエッチング工程が行われる。そして、電極膜２３は、水晶基板２２の表面が露出するまで、エッチングされたら、図２のＳＴ３におけるＡｌ除去洗浄を行う（ＳＴ３）。
【００３７】このＳＴ３は、図３（Ｃ）のように、まだレジスト２４が除去される前に行われる。すなわち、この状態で、水晶基板２２は、処理漕に搬入されて、所定の洗浄液，例えば、リン酸に浸漬されることにより、Ａｌ除去洗浄が行われる。このＡｌ除去洗浄の条件は、摂氏２５度の温度条件下で、５パーセントのリン酸水素アンモニウムの水溶液中で３分間洗浄し、その後、１０分間の純水リンスをした後、スピンさせて乾燥させる。この洗浄液としてリン酸だけでなく、ＫＯＨ，ＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，水酸化テトラメチルアンモニウム，アンモニア等の水溶液や塩素酸系のエッチング能を有する水溶液を使用してもよい。
【００３８】これにより、水晶基板２２の表面に上記ドライエッチング時に付着した残留Ａｌがリン酸で洗い流されることで、除去される。次いで、レジスト２４を除去して、図３（Ｄ）に示されるように、水晶基板２２上にたとえばすだれ状電極１１２や反射器１１３及び配線パターン等を構成する電極パターン２６が形成されることとなる。
【００３９】ここで、上記Ａｌ除去洗浄は、レジスト２４を除去した後で行うようにすることもできる。そして、この場合の洗浄条件は、例えば、摂氏３５度の温度条件下で、８５重量パーセントのリン酸で１分間洗浄し、その後、１０分間の純水リンスをした後、スピンさせて乾燥させるようにする。
【００４０】次に、図２のＳＴ４にて、電極パターン２６上に電気化学的表面反応等により、陽極酸化膜２５を被膜する。この状態は、図３（Ｅ）に示されている。
【００４１】次に、図２のＳＴ５に移り、周波数調整を行う。すなわち、図３（Ｅ）までの状態では、ＳＡＷチップ１１０に駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【００４２】そこで、ＳＴ５でＳＡＷチップ１１０が、フッ素系ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡＷチップ１１０が周波数を下げる方向に調整される。ここで、フッ素系ガスを用いるのは、これを用いるとアルミニウムはエッチングされずに、水晶のみがエッチングされるからである。このため、結果的にＳＡＷチップ１１０の周波数を下げる方向に調整されることとなる。
【００４３】この周波数調整で用いられるフッ素系ガスは、上記したＣＦ４ の他、ＣＨＦ３ ，Ｆ２ ，ＮＦ３ ＣＣｌＦ３ ，Ｃ２ Ｆ６ ，ＣＢｒＦ３ ，ＣＨ２Ｆ２ ，ＣＨＣｌＦ２ ，Ｃ３ Ｆ８ ，ＣＣｌ２ Ｆ２ ，Ｃ４ Ｆ８ ，ＣＨＣｌ２ Ｆ２ ，Ｃ４ Ｆ８ ＣＨＣｌ２ Ｆ，ＣＢｒ２ Ｆ２ ，ＣＣｌ３Ｆのうちの少なくとも１種を含むものが使用される。 そして、この周波数調整は、Ａｌ除去洗浄の後で、図４で説明するベースへのＳＡＷチップ１１０の固定の前に行ってもよく、また、後述するように、ベースへのＳＡＷチップ１１０の固定後に行ってもよい。そして、上述のように、電極膜２３に酸化膜２５を形成しておけば、この周波数調整工程（ＳＴ５）にて、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを行っても、これにより生じたフッ素ラジカル等の反応性フッ素により電極パターン表面が侵されることがない。
【００４４】図３（Ｅ）に示されているように、電極パターン２６上に陽極酸化膜２５を被膜した後は、図３（Ｆ）に示すように、Ｃの位置でダイシング（切断）して、ひとつひとつのＳＡＷチップ１１０になるように切りわける。
【００４５】完成したＳＡＷチップ１１０は、図４に示すように、ベース１２０に組み込まれる。
【００４６】先ず、図４（Ａ）に示すようなベース１２０が用意され、図４（Ｂ）に示すように、ＳＡＷチップ１１０がベース１２０にたとえば接着剤１１によって固定される。その後、図４（Ｃ）のように、ベース１２０側とワイヤーボンディングが行われて、たとえばアルミニウムワイヤーからなるボンディング線１４０によってＳＡＷチップ１１０とベース１２０が電気的に接続される。
【００４７】そして、図３で説明したレジスト２４の除去後において、ＳＡＷチップ１１０のベース１２０への組み込み前に周波数調整を行っていない場合には、この段階でＳＡＷチップ１１０にボンディング線１４０を介して駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように設定されている。
【００４８】このため、図４（Ｄ）のように、所定の周波数調整装置を用いてＳＡＷチップ１１０がフッ素系ガスによりプラズマエッチングされて、周波数を下げる方向に調整される。この周波数調整におけるフッ素系ガスの種類等は、上述した条件と同じである。
【００４９】その後、図４（Ｅ）に示すように、ベース１２０にキャップ１３０をたとえばシーム溶接することで、ＳＡＷチップ１１０がたとえば窒素雰囲気で封止される。
【００５０】本実施形態は、以上のように構成されており、以下のような利点がある。
【００５１】先ず、ＳＡＷチップ１１０の電極形成がドライエッチングによりなされているから、微細な加工が可能で、周波数の高い高性能なＳＡＷデバイス１００を作るのに適している。
【００５２】そして、ドライエッチング後の水晶表面上の微量なＡｌ成分は、Ａｌ洗浄工程において、除去されているので、ＳＡＷチップ１１０の水晶表面にて、残留Ａｌ成分が反応して変化することがなく、弾性表面波の伝搬特性に悪影響を及ぼすことが防止されるので、製品の周波数特性を異常に変化させることが有効に防止され、不良品の発生を防止できるので、製品の歩留りを向上させることができる。
【００５３】図５は、横軸に加工工程を、縦軸には周波数調整後の周波数を基準とした周波数変化を表したグラフである。上段に示すように、電極形成にドライエッチングを用いただけの従来のＳＡＷデバイスでは、加工工程Ａ（例えば封止工程）後、あるいは、これより後の工程の加工工程Ｂ（例えばアニール処理）後で、周波数調整後の周波数に対して、ばらつきとシフトが大きい。これに対して、下段の本実施形態によるＡｌ洗浄をおこなったＳＡＷデバイスでは、時間の経過、あるいは加工履歴が加わっても、ばらつきや周波数シフトは極端に少なくなっている。
【００５４】さらに、周波数調整前にＳＡＷチップ１１０の電極表面に陽極酸化膜を形成しておけば、周波数調整時に使用されるフッ素系ガスの反応性のフッ素成分により電極表面が侵されることが防止される。
【００５５】図６は、電極表面での組成分析結果を示し、横軸はＳｉＯ２ スパッタエッチング速度換算に対応した電極膜２３の深さを表し、縦軸に成分含有量（原子パーセント）を表している。この図６は、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した後の電極膜２３表面から深さ（ＳｉＯ２ スパッタエッチング速度換算）に対応した成分状態を示しており、図７は、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合の様子を示している。
【００５６】図６と図７を比較すると判明するように、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した場合には、電極２３の表面付近のフッ素（Ｆ）の含有量が少ない。
【００５７】このため、図８に示されているように、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合Ｅは、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合Ｄと比べると、周波数調整後の放置時間に応じて周波数がシフトする量が少なく、その性能が安定していることが分かる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を示す概略斜視図。
【図２】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示すフローチャート。
【図３】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示す概略工程図。
【図４】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップをベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。
【図５】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイスにおける加工工程に対応した周波数変化の様子を説明する図。
【図６】ＳＡＷチップの電極表面に陽極酸化膜を形成しない場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す図。
【図７】本実施形態のＳＡＷチップの電極表面に陽極酸化膜を形成した場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す図。
【図８】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイスにおける周波数シフトの様子を比較して示す図。
【図９】従来のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップの製造工程を簡単に示す概略工程図。
【図１０】図９のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップをベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。
【符号の説明】
１００・・・ＳＡＷデバイス
１１０・・・ＳＡＷチップ
１１１・・・圧電基板（水晶基板）
１１２・・・電極
１２０・・・ベース
１３０・・・キャップ
１４０・・・ボンディング線
【特許請求の範囲】
【請求項１】 圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程とを含んでいることを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
【請求項２】 前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷチップの製造方法。
【請求項３】 前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷチップの製造方法。
【請求項４】 圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイスの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッケージのベースに固定する工程と、ベースに固定されたＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷチップに対して、フッ素系ガスを用いて、プラズマエッチングすることにより周波数調整する工程とを含んでいることを特徴とする、ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】 前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、請求項４に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１】 圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程とを含んでいることを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
【請求項２】 前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷチップの製造方法。
【請求項３】 前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷチップの製造方法。
【請求項４】 圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイスの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッケージのベースに固定する工程と、ベースに固定されたＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷチップに対して、フッ素系ガスを用いて、プラズマエッチングすることにより周波数調整する工程とを含んでいることを特徴とする、ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】 前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用することを特徴とする、請求項４に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【図５】
【図６】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図６】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００２−３３６３３（Ｐ２００２−３３６３３Ａ）
【公開日】平成１４年１月３１日（２００２．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０００−２１７４１７（Ｐ２０００−２１７４１７）
【出願日】平成１２年７月１８日（２０００．７．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年１月３１日（２００２．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１２年７月１８日（２０００．７．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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