【課題】実施形態によれば、ホールの深さのばらつきを防ぐ半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。第１のホールは他の第１のホールとは接することなく下地層１０に達する。ドライエッチングの開始後、複数の第２の開口のそれぞれの下に複数のホールｈが形成され、ドライエッチングの進行に伴って、複数のホールｈは少なくとも開口端を含む上部４２で互いにつながる。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。
【解決手段】エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料を提供する。また、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、パターン化されたホトレジスト上に上記マスク形成用材料を用いてＡＬＤ法により共形膜を形成する工程、エッチバックして前記レジスト膜の側面にマスク形成用材料が残るように加工する工程、前記レジスト膜を除去する工程、とを有することを特徴とするマスクの形成方法を提供する。こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する （もっと読む）

【課題】真空気化冷却に必要な熱媒体を削減し、高効率に被冷却部材を冷却することができる冷却機構及び冷却方法を提供する。
【解決手段】被冷却部材の温度を目標温度に冷却する冷却機構６に、前記被冷却部材に対して熱的に接続された減圧室６０と、減圧室６０の内面に前記目標温度以下の液相の熱媒体を噴霧する噴霧部６４と、噴霧部６４から噴霧された熱媒体を減圧室６０の内面に付着させるための電界を発生させる電界発生用電源６８と、減圧室６０の内圧が前記目標温度における前記熱媒体の飽和蒸気圧以下になるように、減圧室６０を排気する排気部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムの再設計をできるだけ少なくして、プラズマ閉じ込めを強化する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハーのプラズマ処理用装置１００を開示する。この装置は、その内部に下部電極１０３と上部電極１０５とを配置したチャンバ１０１を備える。下部電極１０３は、高周波電流をチャンバに流し、チャンバ内でプラズマを生成するように構成される。上部電極１０５は、下部電極１０３の上に配置され、チャンバから電気的に絶縁されている。上部電極には電圧源１２３が接続されている。電圧源１２３は、チャンバに対する上部電極１０５の電位を制御可能なように構成される。上部電極の電位を電圧源を用いて制御することにより、下部電極と上部電極との間に生成するべきプラズマ電位に影響を与えることが可能である。 （もっと読む）

【課題】処理基板の中心部と周辺部のエッチング速度が異なるローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板１１が載置されるステージ７が配置された陰極側電極３と、該電極に対向する陽極側電極との間に、前記陽極側電極側から前記陰極側電極側に貫通して、開口状態が調整可能な複数の開口部１００を有する障害物９を、処理基板１１の近傍に該基板の全面を覆うように配設することによって、前記基板の面内中心部のプラズマ密度を低減させて前記基板の中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、前記物質表面が物質界面を横切るステップを計算する際に、前記物質表面から前記物質界面への距離と、表面成長速度と、を用いて、前記ステップの時間間隔Δｔを決定することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】スループットを飛躍的に向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハ処理としての基板処理方法は、基板処理装置２，大気搬送装置３及びロードロック室４を備える基板処理システム１において実行され、半導体ウエハＷを搬送する基板搬送ステップ（ステップＳ４３及びＳ４９）と、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す基板処理ステップ（ステップＳ４４乃至Ｓ４８）とを有し、基板搬送ステップ及び基板処理ステップは複数の動作からなり、基板処理方法は、各ステップを構成する複数の動作のうち少なくとも２つの動作を並行して実行する。 （もっと読む）

【課題】レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。
【解決手段】窒化シリコン膜２をエッチングしてシリコン層１を露出させた後、塩素を含む処理ガスのプラズマ（イオン）を用いて当該シリコン層１を僅かにエッチングして、窒化シリコン膜２の側壁に塩素とシリコンとを含む付着物１３を付着させる。この付着物１３はシリコン層１よりもエッチングされにくい物質であり、更に塩素イオンは異方性エッチングを行うプラズマである。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上とＢとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上の濃度が、２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチレイヤに特徴を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは横方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。処理対象保持手段は、ウェハ１００が載置される支持テーブル２１と、支持テーブル２１上に載置されるウェハ１００の周囲に導電性材料からなるリング状のフォーカスリング２３が載置されるべきフォーカスリング載置領域の下部に設けられるリング状の石英製の下部インシュレータリング２２１と、下部インシュレータリング２２１上のフォーカスリング載置領域の外周に配置される上部インシュレータリング２２２と、を備える。上部インシュレータリング２２２は、イットリア製であり、下部インシュレータリング２２１上のフォーカスリング載置領域以外の全面を覆うリング状の構造を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度やエッチングの均一性を向上させる。
【解決手段】空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。下部電極１０４は、基板を支持するために構成され、ＲＦ電源１１０に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構１０８を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ること。
【解決手段】処理室１と、処理室１内で被処理基板３を載置する第１電極４と、処理室１内で第１電極４と平行に向かい合う第２電極２と、第１電極４と第２電極２との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段８と、処理室１内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を第２電極２に供給する電源７と、を備え、第１電極４は、被処理基板３を載置する側の面において、載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。
【解決手段】ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。消耗状態判定部５１が前記厚さデータに基づいてトレイの消耗状態を判断する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】プラズマインピーダンスマッチングにおいて、より正確に、速やかなマッチングが行われるようにする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０００は、工程チャンバー１１００と、この内に供給されたガスからプラズマを発生させる電極と、高周波電力を出力する高周波電源１２００と、高周波電源１２００から前記電極へ高周波電力を伝送する伝送ライン１２１０と、伝送ライン１２１０に連結されてプラズマインピーダンスをマッチングするインピーダンス整合器と、当該インピーダンス整合器へ制御信号を送出する制御器１３２０と、を含み、前記インピーダンス整合器は、複数のキャパシター１４０１の各々にスイッチ１４０２を連結し、スイッチ１４０２を制御器１３２０の制御信号にしたがって断続してキャパシタンスを調節する可変キャパシター１４００を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】 上部電極に印加される直流電圧に対するグランドとなる直流電圧用グランド部材の設置状態による処理の偏りを容易に修正することができ、均一な処理を効率良く実施することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】下部電極に高周波電力を印加するための高周波電源と、上部電極に直流電圧を印加するための直流電源と、導電性材料から全体形状がリング状に形成され少なくとも一部が処理空間に露出するように処理チャンバー内に配設され上部電極に印加される直流電圧に対する接地電位を形成するための直流電圧用グランド部材と、直流電圧用グランド部材を上下動させて当該直流電圧用グランド部材の接地状態を調整可能とされた複数の上下動機構とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）