【課題】ネッキングやボウイングの発生を抑制し、高いエッチングレートで、高いマスク選択比を有するプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】被処理体の戴置台として機能する下部電極と、前記下部電極に対向して配置される上部電極を有するプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、フルオロカーボン系ガスを含む第１の処理ガスを用いてプラズマエッチングする第１のエッチング工程と、プラズマ生成用の高周波電力をオンにする第１条件とオフにする第２条件とを交互に繰り返しながら、前記第１条件の期間よりも前記第２条件の期間の方が印加電圧の絶対値が大きくなるように、前記上部電極に負の直流電圧を印加して、フルオロカーボン系ガスを含む第２の処理ガスを用いてプラズマエッチングするエッチング工程であって、前記第１の処理ガスのラジカルの被処理体に対する付着性は、前記第２の処理ガスのラジカルの前記被処理体に対する付着性より大きい、第２のエッチング工程とを含む、プラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】付着物の発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、導入部、保持部材、及びフォーカスリングを備えている。処理容器により画成される処理空間において、導入部から導入されたエネルギーにより、ガス供給部から供給された処理ガスのプラズマが発生される。この処理空間に、被処理基体を保持するための保持部材と該保持部材の端面を囲むように設けられたフォーカスリングとが配置されている。保持部材の端面とフォーカスリングとの間には、３５０μｍ以下の間隙が画成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電基板面のサブ波長反射防止微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】易揮発性分散媒中の球形単粒子分散液を調製する工程、該単粒子分散液を、該単粒子及び該分散媒と非親和性の液体収容槽中の液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が２次元に最密充填配列している単粒子膜を形成する工程、単粒子膜を基板面に移し取る工程を有する。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理容器Ｃと、処理容器Ｃに設けられた下部電極１２に高周波電力を印加するＲＦジェネレータ１４と、ＲＦジェネレータ１４と下部電極１２との間に設けられ、同軸ケーブル１６を用いてＲＦジェネレータ１４に接続された整合器１５と、を備え、同軸ケーブル１６のグラウンド側の線１６ａを下部電極１２に対向する上部電極１１に接続するバイパス経路３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）式：Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃ（式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２及びＹＦ_ｎ（但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１〜５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置及びパーティクルトラップにおいて、効果的にパーティクルを低減すること。
【解決手段】半導体基板Wを収容するチャンバ２と、チャンバ２内を減圧する減圧ポンプ７と、チャンバ２と減圧ポンプ７の間に設けられ、減圧ポンプ７の吸入流路Qを画定する管２３を備えたパーティクルトラップ２１とを有し、管２３の吸入側の開口端２３ｂを自由端にして、該開口端２３ｂの開放方向Dを調節自在にした半導体製造装置による。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの間に加工物上方の電束の均一性を改善する。
【解決手段】誘電材料１０８を有し、かつ／あるいは異なる厚さ、プロファイル、および／または形状を伴う空洞１０６を有する静電チャックアセンブリ１００は、導電支持体１０２と、静電チャックセラミック層１０４とを含む。誘電体層またはインサート１０８は、導電支持体１０２と静電チャックセラミック層１０４の間に配置される。空洞１０６は、静電チャックセラミック層１０４の座面内に配置される。埋め込まれた極パターンが、静電チャックアセンブリ中に任意に組み込まれてよい。 （もっと読む）

【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成するエッチングに際してより均一なエッチングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される１０４。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される１０８。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される１１２。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される１１６。蒸着ガスから、プラズマが形成される１２０。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される１２４。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる１２８。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
１つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる１つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の部位に応じて異なるエッチング量を実現可能な加工方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー（１１）内に設けられた一対の電極の一方の表面に加工対象物（２０）を配置するステップと、チャンバー（１１）内にエッチングガスを導入するステップと、一対の電極間に電圧を印加して一対の電極間にプラズマを発生させることで加工対象物（２０）をエッチングするステップと、を備え、加工対象物（２０）が、その第１部位より第２部位において高いエッチングレートで加工されるように、少なくとも一方の電極として、電極表面の第１部位に対応する位置に凹部（１３ａ）が設けられ、電極表面の第２部位に対応する位置に凸部（１３ｂ）が設けられた電極を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑制できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１は、処理空間Ｓを画成する処理容器２であって、上面２ａを有する該処理容器２と、処理空間Ｓ内に設けられた載置台３と、載置台３と対面するように該載置台の上方に設けられた上部電極２０と、上部電極２０を加熱するヒータ３５，３６であって、上部電極２０の周囲且つ上面２ａの下方に設けられた該ヒータ３５，３６と、上面２ａに搭載される断熱部材５０と、を備え、断熱部材５０は、板状部５１と、当該板状部５１の一方の主面５１ａ側に設けられる断熱部５２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する複数の放電空間毎の処理のばらつきが小さく、パワーロスが小さく、かつ高周波電力を任意の数に均等に分配することができる高周波電力分配装置を提供すること。
【解決手段】高周波電源からの高周波電力を均等に分配して供給する高周波電力分配装置４ａは、入力された高周波電力を複数に分岐する分電部材３０と、分電部材３０で分岐された高周波電力を複数の平行平板電極に伝送する、中心の給電線およびその周囲の接地線からなる同軸伝送線３５と、入力側のインピーダンスを調整して電流値を低下させるためのインピーダンス調整機構３６とを有し、分電部材３０は、板状の導体からなる本体３１と、本体３１の一方の主面の入力点３１ａに高周波電力を入力する高周波電力入力部３２と、本体３１の他方の主面の入力点３１ａに対応する点を中心とした円周上に等間隔で複数配置された高周波電力出力部３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）