【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板の製造装置は、処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の内部を排気する排気部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に設けられ基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記基板の前記載置部に対峙する側の面に検出光を入射させ、前記基板からの反射光に基づいてエッチング処理の終点を検出する終点検出部と、を備えている。そして、前記終点検出部は、前記基板の前記面に対して垂直な方向から前記検出光を入射させ、前記基板の透光性を有する材料から形成された部分における前記エッチング処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用の基板をプラズマ処理する際に異常放電やパーティクルの問題が生じ難いプラズマ生成用電極を提供すること。
【解決手段】プラズマ生成用電極２０は、チャンバ２内に配置されたフラットパネルディスプレイ用の基板Ｇとの対向面Ｆを有し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材２０ａの表面に陽極酸化処理されて陽極酸化皮膜２０ｂを有する本体と、本体の対向面Ｆに開口した複数のガス吐出孔２２と、対向面Ｆにおいて、少なくともガス吐出孔２２の開口部２２ｃに形成されたセラミックス溶射皮膜２３とを有し、対向面Ｆにおいてセラミックス溶射皮膜２３の間の部分は、本体の面が露出している。 （もっと読む）

【課題】 エッチングの終点を精度良く制御する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。非線形回帰分析は、プラズマの発光強度がピークを超えた第１の時間までに取得したプラズマの発光強度を用いて行われ、回帰式を用いてエッチング終点となる第２の時間が算出される。エッチング終点は、第１の時間から発光強度が所定値だけ減少する時間として算出される。エッチング装置１は、エッチング終点に達したら、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。
【解決手段】プラズマ処理システムは、電力バス及び接地バスと、正相一次電極バス及び負相一次電極バスと、正相二次電極バス及び負相二次電極バスとを含む。電力バス及び接地バスは、負相二次電極バスに、正相二次電極バスに供給されるＲＦ信号と１８０度位相がずれたＲＦ信号が提供されるように、絶縁トランスにより二次電極バスに結合される。二次電極バスは、コンデンサーにより各正相一次電極バス及び負相一次電極バスに結合される。一次電極バスのそれぞれは、真空チャンバー内の電極に結合される。一次電極バスをＲＦ接地に結合する負荷コイルが、コンデンサーと協働して、電力バスでの入力インピーダンスを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】シリコン球状体の上の半球部分のみならず下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。加工方法は、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°になるように構成した磁石１２を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材をより効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工する。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 （もっと読む）

【課題】 全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１は基板２を収容した搬送可能なトレイ３を収納したカセット６２を含むストック部１３を備える。トレイ３の搬送機構１５を収容した搬送部１２内に、回転ステージ３３が設けられている。ドライエッチング前のトレイ３を載置した回転ステージ３３を回転させ、ノッチ検出センサー４４によりノッチ３ｃを検出することでトレイ３の回転角度位置調整を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置内においてウエハ（被処理基板）と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板３に、プラズマ生成用ガスを通過させるための、厚さ方向に貫通する複数の通気孔１１を形成し、通気孔１１の内壁面に、その通気孔１１の長さ方向に沿う螺旋状の溝１１ａを、少なくとも一条設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。処理対象保持手段は、ウェハ１００が載置される支持テーブル２１と、支持テーブル２１の外周に設けられるリング状のインシュレータリング２２と、インシュレータリング２２の側面部２２４および上面部２２３を覆うイットリアを含有する保護膜５０と、を備える。保護膜５０は、インシュレータリング２２の側面部２２４上に比して上面部２２３上の方が厚く形成される。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、両電極構成板３１，３２が積層され、両電極構成板３１，３２の厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電側電極構成板３１に設けられる小径の第１穴部２１と、固定側電極構成板３２に設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第２穴部２２の内壁面には、その第２穴部２２の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高圧下において面内均一性の向上を図るとともに、エッチングレートの低下を抑制することができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを収容する真空槽１１と、基板Ｓが載置される下部電極２５と、下部電極２５に対してプラズマ生成空間ＰＬを介して対向する上部電極１２と、下部電極２５に接続された高周波電源２６と、真空槽１１にエッチングガスを供給するガス導入口１２ａと、真空槽１１内の圧力を調整する排気系制御部Ｃ２とを備えるエッチング装置であって、高周波電源２６は、下部電極２５にＶＨＦ周波数帯の高周波電力を供給し、排気系制御部Ｃ２は、真空槽１１内を５０Ｐａ以上１５０Ｐａ以下に調整し、下部電極２５と上部電極１２との間の電極間距離Ｌが５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部５６と、新たな第２の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第２の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部５４と、補正された設定値を記憶する記憶部５５と、処理レシピに書き込まれている上部電極４０の設定温度を前記記憶部５５内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構４７を制御するプログラムとを備えるようにする。 （もっと読む）