【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部５６と、新たな第２の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第２の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部５４と、補正された設定値を記憶する記憶部５５と、処理レシピに書き込まれている上部電極４０の設定温度を前記記憶部５５内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構４７を制御するプログラムとを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる天井電極板を提供することにある。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、基板載置台１２と処理空間Ｓを挟んで対向するように配置された天井電極板３１は、クーリングプレート３２を介して電極支持体３３に当接、支持されており、クーリングプレート３２との当接面には伝熱シート３８が形成されている。伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜２．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、その膜厚は、例えば３０μｍ〜８０μｍであり、天井電極板３１の各ガス孔３４の近傍の所定領域を回避するように塗布し、形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の一対の電極１１，１２を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間１９を形成する。ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。連結部材３１，３２にてノズル部２０をプラズマ生成部１０に連結して支持する。吹出路２９の吹出方向の長さをノズル部２０の吹出路２９を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素層は、基板１の主表面上にエピタキシャルに形成されている。炭化珪素層には主表面に対して傾斜した側壁６を有する溝が設けられている。側壁６は｛０００１｝面に対して５０°以上６５°以下のオフ角を有する。ゲート絶縁膜８は炭化珪素層の側壁６上に設けられている。炭化珪素層は、ゲート絶縁膜８を介してゲート電極９と対向しかつ第１導電型を有するボディ領域３と、ボディ領域３によって互いに分離されかつ第２導電型を有する１対の領域２、４とを含む。ボディ領域３は５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上の不純物密度を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、内部が減圧されるチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置するサセプタ１２と、プラズマ生成用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＨＦ高周波電源１８と、バイアス電圧発生用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＬＦ高周波電源２０と、矩形波状の直流電圧をサセプタ１２に印加する直流電圧印加ユニット２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜へ高アスペクト比のホール又はトレンチを形成する際にエッチングレートが低下するのを防止することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】開口部３９を有するシリコンからなるハードマスク膜３８を用いてウエハＷに形成された酸化膜３６をエッチングして該酸化膜３６に高アスペクト比のホール４６を形成する際に、Ｃ_４Ｆ_６ガス及びメタンガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで開口部３９に対応する酸化膜３６をエッチングし、次いで、酸素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで上記エッチングにおいて生成され且つ酸化膜３６のホール４６の内面に堆積した反応性生成物４５をアッシングし、上記エッチング及び上記アッシングをこの順で繰り返す。 （もっと読む）

【課題】複数の伸縮可能な部材を用いて温調制御の対象物との接触圧力を可変に制御する。
【解決手段】少なくとも一部が温調制御の対象物に接触する、伸縮可能な縦ベローズ２１５と、縦ベローズ２１５に連結され、伸縮可能な横ベローズ２２０と、縦ベローズ２１５及び横ベローズ２２０の内部空間に流す液体を制御する制御部３１０と、を備えることを特徴とする温調機構２００が提供される。 （もっと読む）

【課題】III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工することで極めて平坦な表面を形成しつつ、かつその表面の加工歪みを取り除くことによって、III族金属窒化物の無歪研磨加工面を得ることである。
【解決手段】本方法は、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とする研磨加工工程、次いで基板を不活性雰囲気下で熱処理する熱処理工程、および基板の非極性面を、ハロゲン含有ガスを用いて反応性ドライエッチングするか、または化学機械研磨加工する加工工程を有する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができる判定方法、制御方法、判定装置、パターン形成システム及びプログラムを提供する。
【解決手段】基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極板のガス通過孔におけるプラズマの逆流による冷却板の損傷を防止するとともに、ガス通過孔内に堆積したデポジット膜の落下によるシリコンウエハの汚染を防止する。
【解決手段】厚さ方向に貫通する複数のガス通過孔を通じて、冷却板に接する冷却面側からプラズマ放射面側へ向けてエッチングガスを流通させながら前記プラズマ放射面からプラズマを発生するプラズマ処理装置用電極板であって、前記ガス通過孔は、前記プラズマ放射面側から前記冷却面側に向けて前記厚さ方向途中まで形成された下流側部と、前記冷却面側から前記プラズマ放射面側に向けて前記厚さ方向途中まで形成された上流側部とが連通してなるとともに、前記下流側部および前記上流側部の少なくともいずれか一方が前記厚さ方向に対して斜めに形成されることにより屈曲しており、前記上流側部が前記下流側部との接続部から突出して形成された終端部を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は電極構成板３ａ，３ｂを積層してなり、隣合う電極構成板３ａ，３ｂの対向面間において、固定側電極構成板３ａに形成された通気孔１１ａの軸芯に対して、放電側電極構成板３ｂに形成された通気孔１１ｂの軸芯がずれて配置されているとともに、これら両電極構成板３ａ，３ｂの対向面間には溝状の空隙部３４が設けられており、空隙部３４は、両電極構成板３ａ，３ｂ間で通気孔１１ａ，１１ｂを相互に連通するとともに、個々の電極構成板３ａ，３ｂの複数の通気孔１１ａ，１１ｂを対向面に沿って連結状態としている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、径が大きい第１穴部２１と、第１穴部２１より径が小さい第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第１穴部２１は被処理基板側の放射面３ａに開口し、電極板３の中央部に配置される通気孔１１の第２穴部２２の長さＢは、電極板３の外周部に配置される通気孔１１の第２穴部２２に比べて短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】効率良く多段の良好な形状の階段状の構造を形成することのできる半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】第１の誘電率の第１の膜と、第１の誘電率とは異なる第２の誘電率の第２の膜とが交互に積層された多層膜と、多層膜の上層に位置しエッチングマスクとして機能するフォトレジスト層とを有する基板をエッチングして、階段状の構造を形成する半導体装置の製造方法であって、フォトレジスト層をマスクとして第１の膜をプラズマエッチングする第１工程と、水素含有プラズマにフォトレジスト層を晒す第２工程と、フォトレジスト層をトリミングする第３工程と、第３工程によってトリミングしたフォトレジスト層及び第１工程でプラズマエッチングした第１の膜をマスクとして第２の膜をエッチングする第４工程とを有し、第１工程乃至第４工程を繰り返して行うことにより、多層膜を階段状の構造とする。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_６ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第１エッチング工程と、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス、又は、Ｃ_３Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第２エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマエッチングにおいて、エッチングについて高い面内均一性が得られる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに形成された多層膜７の各々に対して面内均一性の高いエッチングを行うことができる適切なフォーカスリング３の温度を事前に把握して、設定温度として処理レシピ６４に反映すると共に、連続してエッチングされる各膜毎に、フォーカスリング３の温度をその設定温度を含む適切な温度域に収まるように加熱機構及び冷却機構を制御する。またフォーカスリング３の加熱機構としてレーザによる熱輻射を利用する。フォーカスリング３の冷却では、熱媒体であるヒータを介さずにフォーカスリング３の熱を支持台２に逃がすように構成し、加熱機構と冷却機構とを互いに独立させて切り分ける。 （もっと読む）