【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に欠けが発生するのを抑制することが可能で、且つ、製造歩留まりの向上を図ることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１２１の表面側に薄膜部１２３を形成する薄膜部形成工程と、薄膜部１２３上にレジスト膜１２４を形成するフォトリソグラフィ工程と、レジスト膜１２４をエッチングマスクとして薄膜部１２３をエッチングすることで半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄを露出させる第１エッチング工程と、半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄから半導体ウェハ１２１をエッチングする第２エッチング工程とを備え、フォトリソグラフィ工程では、薄膜部１２３のうち半導体ウェハ１２１の端部１３１に形成されている部位１２３ｄにレジスト膜１２４を形成しないようにし、第１エッチング工程では、薄膜部１２３の上記部位１２３ａをエッチング装置に設けた遮蔽物１２６によって保護する。 （もっと読む）

【課題】処理工程や処理装置を削減するとともに微細なビア形成を可能とするエッチング方法およびインプリント装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るエッチング方法は、半導体基板１０の処理面に所定の厚さの光硬化樹脂層１６を形成し、前記半導体基板１０の処理面に形成するビアの配置と対応するビアパターンが形成されたテンプレート基板１８を、前記半導体基板１０の光硬化樹脂層１６に前記ビアパターンが形成された面を対向させて積層し、前記光硬化樹脂層１６に光源から光を照射して該光硬化樹脂層１６を硬化させ、前記光硬化樹脂層１６から前記テンプレート基板１８を分離し、前記半導体基板１０の処理面をエッチングし、エッチング処理した前記半導体基板１０の処理面をアッシングする。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップとデポステップを交互に繰り返すプラズマ処理において、ステップ切換時のチャンバ内の圧力を安定させる。
【解決手段】基板２１をエッチングするエッチングステップと、基板２１に対して堆積により保護膜を形成するデポステップとを交互に繰り返してドライエッチングが行われるドライエッチング装置１は、基板２１が収容されるチャンバ２、プラズマを発生させるためのアンテナ３と高周波電源部５Ａ、ガス源７Ａ，７Ｂから供給されるガスの流量調整部８Ａ，８Ｂ、チャンバ２内の圧力を制御するための圧力制御バルブ１２を備え、ドライエッチング開始後の２回目以降の前記エッチングステップと前記デポステップでは、それぞれ、予め定められた時間だけ圧力制御バルブ１２の開度を直前のステップにおける開度で維持（開度制御モード）した後に、予め定められた圧力を維持するように前記バルブの開度を制御（圧力制御モード）する。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【目的】半導体ウエハ端縁の洗浄のない半導体ウエハの端縁を被覆保護する半導体加工方法に用いるための粘着テープを提供することにある。
【構成】本発明は、粘着テープを半導体ウエハの外周端縁に貼り付ける工程及び粘着テープを除去する工程を有する半導体加工方法に用いる粘着テープであって、粘着テープの粘着剤がアクリル成分とシリコーン成分を有する粘着テープである。他の発明は、アクリル成分とシリコーン成分を有する粘着剤に、さらに、アクリル成分とシリコーン成分の両者が結合された成分を配合したものである。 （もっと読む）

【課題】パターン不良を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜上に、ラインアンドスペース部と前記ラインアンドスペース部の外側に形成された第一のパターンとを有する第二のパターンを形成し、側壁パターンを前記第二のパターンの側壁に形成し、前記第一のパターンの側壁のうち、前記ラインアンドスペース部と反対側の側壁に形成された側壁パターンを除去し、前記第一のパターンの側壁のうち、前記ラインアンドスペース部と対向する側の側壁に形成された側壁パターンに基づき、回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】レジストスリミング幅のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む被加工層上にレジスト４１を形成するレジスト形成工程と、処理室内にハロゲン元素を含むガスを導入し、レジスト４１をマスクにして被加工層をハロゲン元素を含むガスを用いてエッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後、同じ処理室内に酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを導入し、酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを用いてレジスト４１の平面サイズを縮小するレジストスリミング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスを交互プラズマエッチング／デポジション室に導入する改良された方法を提供する。
【解決手段】デポジション及びエッチングガス供給装置がオン及びオフにスイッチされた時、交互エッチング／デポジション室への圧力パルスの導入を最小にするために、マスフローコントローラーを用いて、相対的に一定のガス流量を供給する。交互エッチング／デポジション室へのガス導入口が閉じられた時、マスフローコントローラーからガスの流れに代替経路を提供するように、ガスのバイパス又はガスの排出口を設けてある。バイパス又は排出口の設置は、マスフローコントローラーから受け入れるガスの圧力を実質的に一定の水準に維持する。ガスの圧力パルスの消滅又は最小化は、交互エッチング／デポジション室でシリコン基板にエッチングした高アスペクト比機構を有する壁の平滑性を高めることに役立つ。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングの方法を最適化するための方法を提供すること。
【解決手段】ダブルパターニングリソグラフィプロセスにおける工程のそれぞれにおける制御線量、焦点等の制御変数が、記録され、ダブルパターニングプロセスにおける、クリティカルディメンション、側壁部角度等の中間フィーチャの特性が、測定される。次いで、最終フィーチャが、モデル化され、測定値とモデルとの間の擾乱が測定され、制御変数の値が、最適化される。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ、半導体膜の導電膜からのはみ出し量が低減できる積層構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】低コストの装置構成で処理時間の短縮化及び処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板における面の任意箇所に対して所定の処理を施す処理ヘッドと、基板を第１方向に駆動する第１駆動手段と、処理ヘッドを第１方向に直交する第２方向に駆動する第２駆動手段とを備え、基板を第１方向に駆動する動作と、処理ヘッドを第２方向に駆動する動作とを組み合わせて、処理ヘッドにより基板の面に対して２次元的な処理を施す基板処理装置であって、処理ヘッドを第１方向に駆動する第３駆動手段を備え、第１駆動手段が基板を第１方向に一定速度で駆動した状態を維持しつつ、第３駆動手段が処理ヘッドを第１方向に上記一定速度で駆動し且つ第２駆動手段が処理ヘッドを第２方向に駆動する。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ（Critical Dimension）精度の変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の誘電体窓１０３に温風ユニット１２５を接続し、誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度を温度センサー１２８により計測した温度信号を元に、温風ユニット１２５を制御して誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易な構造で確実にワークと金属製マスクを固定できるワーク保持治具を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、プラズマ生成部と、ステージと、ワーク保持治具とで少なくとも構成され、プラズマ生成ガスを吸引しプラズマを処理基板上にダウンフローさせて基板を処理するプラズマ処理装置において、ワーク保持治具が、処理基板６０を所定の位置に保持すると共に磁気を生じさせるワーク保持台５０と、ワーク保持台に保持された処理基板上に載置固定される磁性体からなるメタルマスク８０とによって構成され、ワーク保持台が、ワーク保持台から延出する少なくとも一対の位置決めロッドを具備すると共に、処理基板及びメタルマスクには、所定の位置に位置決め用孔が形成され、処理基板及びメタルマスクを、位置決めロッドがそれぞれの位置決め用孔に貫通するようにワーク保持台に載置することにある。 （もっと読む）

【課題】フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。
【解決手段】半導体基板２０１上の積層化された薄膜２０２〜２０５と、積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクパターン２０６，２０８とを有する被処理材を、よりマスク寸法の小さいマスクパターンを形成するトリミング工程において、フリージング材料２０７に被覆されたフォトレジストマスクパターン２０６とフリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクパターン２０８を酸素ガス（Ｏ_２）を含む混合ガスを用いてマスクパターン２０６と２０８フのトリミングレートを同じにし、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 （もっと読む）