【課題】可変抵抗素子をエッチングすることなく、残渣を除去できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ワード線ＷＬ上に、バリアメタル膜２１、ポリシリコン膜２２、下部電極膜２３、金属酸化物からなる可変抵抗膜２４、上部電極膜２５を堆積させる。次に、上部電極膜２５、可変抵抗膜２４、下部電極膜２３をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、金属系の残渣が発生する。次に、ＡＰＭを用いて金属系の残渣を除去する。次に、下部電極膜２３、可変抵抗膜２４及び上部電極膜２５の端面を覆う保護膜２６を形成する。次に、ポリシリコン膜２２及びバリアメタル膜２１をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、シリコン系の残渣が発生する。次に、ＤＨＦを用いてシリコン系の残渣を除去する。このとき、保護膜２６が可変抵抗膜２４をＤＨＦから保護する。 （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。このガスには、随意的に、ＨＢｒ等の他のガスを付加してもよい。このプロセスは、ダマシン構造等の構造を形成するときに０．２５μｍかそれ以下のコンタクト開口部又はビア開口部をエッチングするのに役立つ。 （もっと読む）

【課題】レジストをトリミングする工程において基板に付着した異物を確実に除去できることにより、残留した異物による半導体膜のエッチング不良を確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成するステップＳ１と、半導体膜上にレジストを形成するとともに、レジストを所定形状にパターニングするステップＳ２と、パターニングしたレジストを所定の大きさにトリミングするステップＳ３と、純水を用いて基板の洗浄を行うステップＳ４と、半導体膜をエッチングするステップＳ５と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化したホール又はラインのパターンを、従来よりも容易に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜（２）上に第１のカーボン膜（３）と第１のＡＲＬ（４）を順次堆積し、第１のＡＲＬをパターニングする工程、第２のカーボン膜（６）と第２のＡＲＬ（７）を順次堆積し、第２のＡＲＬをパターニングする工程と、第２のＡＲＬをマスクとして第２のカーボン膜を除去する工程と、露出した第１のＡＲＬとをマスクとして、第１のカーボン膜を除去する工程と、残存している第１及び第２のカーボン膜をマスクとして被加工膜のエッチングを行う工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多層レジストや、メタルゲート／Ｈｉｇｈ−ｋ等の積層膜のドライエッチング加工において、高精度の加工精度が要求される。
【解決手段】複数層の連続エッチング加工において、エッチング後の寸法測定することなく、加工の形状または寸法を、真空処理室１の内壁または半導体基板４と、真空処理室１内に生成されたプラズマとの間の電荷量に応じて変動するバイアス電位を計測し、また、プラズマ中の波長の異なる各イオン種の発光強度を測定し、これらから予め設定したモデル式にて、各膜種のエッチング処理毎に、エッチング後の各膜種の加工寸法を予測し、次の膜のエッチング後寸法が、所定の寸法値になるよう処理条件を変更し、連続して次の膜種のエッチング処理を行うことで、寸法や形状を補正するドライエッチング方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ系微細金属配線を線幅制御性良く形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上の絶縁膜２の上にＡｕを主材料とする金属配線層３を形成し、金属配線層３上にマスク用Ｗ層４を形成し、マスク用Ｗ層４上にレジスト層を形成してこのレジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層５をマスクとしてマスク用Ｗ層４を反応性イオンエッチング法によりパターニングし、パターニングされたマスク用Ｗ層４をマスクとして金属配線層３を、アルゴンと酸素の混合ガスを用いる反応性イオンエッチング法により選択的に除去した後、マスク用Ｗ層４を反応性イオンエッチング法により除去することによってＡｕ系金属配線を形成する金属配線形成工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正する。層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去し、開口部を形成する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】電流の立ち上り特性、リーク電流特性に優れた結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に、アモルファスシリコン層１０１、パタンニングされたソース及びドレイン電極層１０２、基板１００側でアモルファスシリコン層１０１に接触しかつソースおよびドレイン電極層１０２にオーミック接触した結晶性シリコン層１０４、ならびにアモルファスシリコン層１０１に接触した結晶性シリコン層１０４の基板１００とは反対側にゲート絶縁層１０５を挟んで配置されたゲート電極層１０６、を有することを特徴とする薄膜半導体装置。 （もっと読む）

【課題】性能の変動を抑制したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台上に載せられたウエハを該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記ウエハ上に配置された金属の物質を有する膜およびこの下方に配置された酸化膜又は高誘電率を有する材料から構成された膜層をエッチングする処理の前に、予め前記金属の物質と同種の金属を含む膜を表面に備えた別のウエハを処理してこの金属から構成された粒子を堆積させてから前記ウエハ上の前記膜層を処理する。 （もっと読む）

【課題】導電層と絶縁層とが積層された構造に貫通ホールを一括して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン酸化物を含む絶縁層１７とシリコンを含む導電層ＷＬとの積層体を形成する工程と、絶縁層１７及び導電層ＷＬを貫通するホール５０を積層体に形成する工程とを備え、ホール５０の形成工程は、積層体上にシリコン酸化物を含む第１のマスク層４１を形成する工程と、第１のマスク層４１をマスクにして導電層ＷＬをエッチングする工程と、第１のマスク層４１上に絶縁層１７よりもシリコン含有量が多い第２のマスク層４２を形成し第２のマスク層４２をマスクにして、絶縁層１７をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 反射防止膜を使用しなくてもアルミニウム配線パターンを高精度に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上にアルミニウム層もしくはアルミニウム合金層３をバリアメタル層２を介して形成し、アルミニウム合金層３の表面にドライエッチングガスを用いて均一な微細凹凸を有する表面層３ａを形成する。そして、アルミニウム合金層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを配線パターンを有するフォトマスクを用いて露光し、現像して配線パターンを形成し、フォトレジストをマスクにして、アルミニウム合金層をエッチングしアルミニウム配線５を形成する。表面層３ａを窒素および酸素条件下でアッシング処理して表面層３ａの凹凸より細かい凹凸を有する酸化膜を形成することによって反射率を大きく低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置に形成される配線表面の酸化物部を選択的に除去する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置を製造するに際し、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする。本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦなどの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ、半導体膜の導電膜からのはみ出し量が低減できる積層構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、第１方向に相互平行に延びている複数のラインパターンを含む。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第１ラインパターンは、第２方向に沿って交互に選択されて両側で各々隣接している２つのラインパターンの両端部のうち、素子領域の第１端部にさらに近い各端部に比べて、第１端部からさらに遠く位置する第１端部を有する。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第２ラインパターンは、第２方向に沿って交互に選択され、両側で各々隣接している２つのラインパターンの両端部のうち、第１端部にさらに近い各端部より、第１端部からさらに近く位置する第２端部を有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２膜５０２がＳｉからなる半導体基板５０１上に形成され（工程（ｂ））、金属薄膜５０４がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｃ））。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜５０４を処理する（工程（ｄ））。これによって、金属ドット５０３がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程、及びその工程を容易に適用しうる構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子であって、基板上で第１方向に延長される第１ライン部分と該第１ライン部分の一端から前記第１方向とは異なる第２方向に延長される第２ライン部分とを含む複数の導電ラインと、前記複数の導電ラインの各々の前記第２ライン部分の一端と一体に接続されている複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドのうち、選択された一部のコンタクトパッドから前記第２方向に沿って前記第２ライン部分と平行に延長される第１ダミー部分を各々有する複数のダミー導電ラインとを有する。 （もっと読む）

【課題】段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 （もっと読む）