【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする原料ウェハのイオン注入後のアニール工程において、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制する。
【解決手段】アニール工程において、原料ウェハのイオン注入面と、単結晶炭化ケイ素を材料とするダミーウェハとを離間して対向させ、原料ウェハのイオンが注入されていない面側に設置された加熱手段によって、原料ウェハを加熱し、ダミーウェハの原料ウェハと対向しない面側に設置された加熱手段によって、ダミーウェハを加熱する。原料ウェハの汚染や表面の組成比異常を防ぎ、原料ウェハをより均一に加熱できるため、原料ウェハの表面荒れをより効果的に抑制し、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】気相成長中に基板の回転を防止することを目的とする。
【解決手段】ホルダ２に規制治具１０が設置される規制治具設置部１１を設け、規制治具１０および規制治具設置部１１の底面に基板４方向が低くなる傾斜１２を設けることにより、基板４が外側に広がるときには規制治具１０が傾斜１２を上って基板４にかかる力を緩和し、基板４と規制治具１０に隙間が生じるような動きをするときには規制治具１０が傾斜１２を下って基板４を規制することにより、基板４の破損を抑制しながら基板４の回転を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】SiC単結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を作製する炭化珪素単結晶成膜装置において、サセプタの座ぐりの底部表面に堆積するSiC堆積物による座ぐり底面とSiC単結晶基板裏面との間に生じる隙間を防止し、均一な特性のSiCエピタキシャル膜が形成できるサセプタを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を載置するサセプタ７に、炭化珪素単結晶基板を載置する座ぐり底面１０ａと、収容した基板の周縁を取り囲む周囲側壁と、周囲側壁に沿ってサセプタの厚み方向に掘り込まれたリング状の溝１１とを備え、炭化珪素単結晶基板の直径ｘ、座ぐり底面の直径ｙ、及び溝幅ｚとの関係がｙ＋ｚ＜ｘ＜ｙ＋２ｚであって、かつ、０（mm）＜ｚ≦４（mm）を満たす座ぐり１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタと、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置とを提供する。
【解決手段】サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。第２のサセプタ部１０２ｂは、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】チップを簡易な方法により、確実にチップの側面が底面となるように移動させる方法が求められている。
【解決手段】板状のチップ３を内在させるためのポケット９を含むチップトレイ１であって、該ポケット９がチップ３の向きを鉛直方向に変えるための誘導部１３を含むチップトレイ１の前記ポケット９に、前記チップ３を、前記チップ９の広い面を水平にして入れる工程と、前記ポケット９に入ったチップ３が誘導部１３に沿って回転運動する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板を小さい吸着力で確実に吸着して移載できる装置を提供する。
【解決手段】載置面（１４）に平置されたフィルム基板（１１）を吸着して持ち上げる移載装置（１）であって、同一仮想平面上に配列された複数の吸着パッド（２）と、それらを支持する共通の昇降枠（３）と、該昇降枠を昇降させる昇降手段を備えるものにおいて、前記昇降手段が、前記載置面の拡がり方向に離れた２つの連結部（４ａ，４ｂ）にて、前記載置面に平行でありかつ相互に平行な軸線回りの回動を許容した状態で、前記昇降枠にそれぞれ連結された２つの昇降部材（５ａ，５ｂ）と、それらを相対的な速度差および／または時間差をもって上昇させる制御手段および駆動手段（６ａ，６ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】所望の中間搬送位置に被搬送物を搬送可能な、簡易で且つ安価な構成の搬送機構を提供する。
【解決手段】圧縮エアにより第一の搬送位置Ａと第二の搬送位置Ｂ間を選択的に往復動するピストン部材５４とを含むエアアクチュエータ５０と、ピストン部材５４に連結され被搬送物を保持する保持手段と、を具備する。第一の搬送位置Ａと第二の搬送位置Ｂとの間の所望の位置に少なくとも１個の中間搬送位置Ｍを有し、中間搬送位置に対応して停止手段５２が配設されている。当接部材６６が作用位置に位置づけられると、エアアクチュエータ５０によって移動される保持手段が当接部材６６に当接することによって保持手段の移動が停止され、当接部材６６が非作用位置に位置づけられると、保持手段が当接部材６６に当接することなく移動することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサデバイスを連続的に効率よく試験する方法、装置を提供する。
【解決手段】湿度センサ又はガスセンサのような複数のセンサデバイスを処理するために、センサデバイスは、試験ステーションとタレットハンドラとを経る。試験ステーションのスループットを高めるために、幾つかの試験サイクルを、段階をずらして同時に実行させる。例えば、センサデバイスは、試験ステーションのトレイに連続的に供給される。トレイ上のセンサデバイスは、バッチでまとめられている。各バッチは、試験サイクルを受ける。試験サイクルの後で、バッチの中のセンサデバイスは、タレットバンドラに連続的に再び供給される。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】載置ずれや変形を生じさせることなく基板をの受け渡すことができる基板保持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法を提供するしを行うこと。
【解決手段】基板を保持する基板保持装置９は、基板が載置される複数の基板載置部３１と、複数の基板載置部３１を区画する凹部３０と、凹部３０と載置部３１の背部空間とを連通させる複数の連通孔４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】
真空処理チャンバ内の寸法を真空処理に必要な寸法まで縮小でき、しかも基板や基板を載せるトレーを操作しやすく、基板又は基板を載せたトレーを制御可能に保持できる真空処理装置用基板クランプ装置を提供する。
【解決手段】
真空処理チャンバ内で処理されることになる基板又は基板を載せたトレーを基板又は基板を載せたトレーの周縁部の少なくとも二つの相対した部位に対して係合する少なくとも二つのクランプ本体を設け、各クランプ本体に接続されて該クランプ本体を昇降させる少なくとも一つの昇降ピンンにより基板又は基板を装着したトレーを基板ホルダー上に独立して調整可能な押圧力で保持する構成される。 （もっと読む）

【課題】基板保持装置において、位置決め時の基板の破損を防ぐとともに、基板を正確に位置決めする。
【解決手段】基板Ｓを基準位置に位置決めして収納する基板トレイ２と、基板トレイ２が載置されるホルダと３、基板トレイ２をホルダ３の基準位置に位置決めするトレイ位置決め機構４と、を備える構成とする。好ましくは、基板トレイ２は、基板Ｓに電気的に接続されるトレイ側給電端子２ａを有し、ホルダ３は、トレイ側給電端子２ａに接続される装置側給電端子５を有し、トレイ位置決め機構４は、基板トレイ２の位置決め、及び、トレイ側給電端子２ａと装置側給電端子５との接続を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を低減する基板処理装置及び基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、計測ユニット１０と、搬送機構とを備える。計測ユニット１０は、基板Ｗの状態を所定の計測位置Ｐｍで計測する計測器１５と、第１のトレイ１１と、第２のトレイ１２と、所定の計測位置Ｐｍと第１のトレイ１１及び第２のトレイ１２との間で基板Ｗを移動させるステージ１６とを有する。搬送機構には、基板Ｗを把持する第１の把持部２１及び第２の把持部２２を有するロボットハンド２５が設けられている。第１のトレイ１１に基板Ｗを載置したロボットハンド２５が計測ユニット１０から出ずに計測後の基板Ｗを計測ユニット１０の外に取り出すことで、計測ユニット１０に対する１回のアクセスで計測前後の基板Ｗを入れ替えることができてスループットの低下を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】チップトレイを成型する金型の強度を保持しつつ、チップトレイに狭小貫通穴を形成できる金型、または狭小貫通穴を形成できるチップトレイ成型方法を実現する。
【解決手段】本発明に係るコマ下型３は、チップトレイを成型する金型であって、チップトレイのチップ載置部の底面に貫通穴を形成する貫通穴形成突起２を備え、貫通穴形成突起２の底面には、長径と短径とがあり、貫通穴形成突起２は、底面から先端に行くにしたがって短径方向の幅が細くなっているので、形成する貫通穴を狭小にしたまま貫通穴形成突起を丈夫にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置により高温に加熱された基板を搬送中に十分冷却することができる基板搬送機構を提供する。
【解決手段】 吸盤からなる第１基板保持部６２ａの列とベルヌーイチャックからなる第２基板保持部６２ｂの列とを有し基板の着脱が可能な保持体６２を備えており、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持した状態で、トレイ４上の成膜後の基板６ｂの列を第２基板保持部６２ｂにより保持し、ついで、第１基板保持部６２ａに保持されていた成膜前の基板６ａをトレイ４上に搭載した後、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持し、次に、第２基板保持部６２ｂに保持されていた成膜後の基板６ｂを搬出コンベア７２上に搭載する基板搬送機構。 （もっと読む）

【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）