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Fターム[5F031DA05]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 容器の種類 (5,166) | 水平並び置きトレイ (283)

Fターム[5F031DA05]に分類される特許

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【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置1の搬送装置15は、処理前のトレイ3をストック部13のカセット62の主棚部67b,68bから回転ステージ33に搬送し、回転ステージ33でのアラインメント処理後のトレイ3をカセット62の仮置き棚部67c,68cを経てプラズマ処理部11へ搬送する。また、搬送装置15は、処理後のトレイ3をプラズマ処理部11からストック部13のカセット62の主棚部67b,68bに搬送する。 (もっと読む)


【課題】コンパクトな構成でワークを汚すことなく搬送することができるワーク搬送装置及びワーク加工装置を提供する。
【解決手段】移動可能な第1アーム60には、ウェーハ把持機構72と、第1吸着保持機構74とが備えられる。また、移動可能な第2アーム66には、トレイ76と位置決め機構78と、第2吸着保持機構80とが備えられる。カセットCに格納されたウェーハWは、縁部をウェーハ把持機構72に把持されてカセットCから引き出され、トレイ76の上に載置される。トレイ76に載置されたウェーハWは、位置決め機構78によって位置決めされた後、第1吸着保持機構74によって吸着保持されて、ワークテーブル30に搬送される。加工後、ウェーハWは第2吸着保持機構80に吸着保持されて、ワークテーブル30から回収され、ワーク洗浄装置56に搬送される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置1は基板2を収容した搬送可能なトレイ3を収納したカセット62を含むストック部13を備える。トレイ3の搬送機構15を収容した搬送部12内に、回転ステージ33が設けられている。ドライエッチング前のトレイ3を載置した回転ステージ33を回転させ、ノッチ検出センサー44によりノッチ3cを検出することでトレイ3の回転角度位置調整を行う。 (もっと読む)


【課題】開口角度を安定して再現でき、高いクランプ力を長期間にわたって維持することが可能で、更にクランプアームやプッシュピンの変形や劣化が起こりにくい基板クランプ装置を提供する。
【解決手段】基板の保持、解除をクランプアームの開閉によって行う基板クランプ装置であって、土台に設けられたブラケットと、ブラケット略両端に、それぞれ設けられた回転軸と、上記回転軸の一端を介して回転自在に取り付けられたクランプアーム押込み部と、上記回転軸の他の一端を介して回転自在に取り付けられたクランプ枝部と、上記クランプアーム押込み部及び上記クランプ枝部と、上記回転軸とは別の回転軸を介して取り付けられ、基板を保持するクランプアーム部と、を備えたことを特徴とする基板クランプ装置。 (もっと読む)


【課題】サセプタの交換の際にサセプタの位置ずれの問題が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、サセプタ3が着脱可能に設置されて気相成長を行う反応炉5と、サセプタ3を搬送する搬送ロボット7と、搬送ロボット7及び反応炉5が収容されるグローボックス9と、グローボックス9内に設置されてサセプタ3の交換時にサセプタ3を一時的に載置する交換テーブル11と、グローボックス9の側壁に設けられてサセプタ3の交換を行う交換ボックス13とを備えた気相成長装置1であって、交換テーブル11は、サセプタ3が載置されると回転して所定の回転位置で停止することでサセプタ3の回転方向の位置を決める位置決め装置15を備えてなることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第1流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第1流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを低下させず、認識精度が向上するチップソータを提供する。
【解決手段】本発明のチップソータは、第1のカメラがウェハのパターン面を撮像して第1の画像を取得し、第2のカメラがチップの裏面を撮像して第2の画像を取得し、認識処理部が前記第1の画像に基づいてウェハ認識し、また、前記第2の画像に基づいてチップのX、Y、θ軸位置測定認識およびチップ欠け認識を行い、制御部は、前記認識処理部から出力された認識結果に基づいて前記駆動系を制御する、 (もっと読む)


【課題】基板を一部はみ出させた状態で支持し、該基板の側面に接して囲むように、主面に保持部を設けたトレイが備えられた、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】プロセス処理を行うチャンバ101と、チャンバ101内に配され、平坦な一面102Sを有する支持台102と、一方の主面103Sが、支持台の一面102Sに接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイ103と、を有し、トレイの他方の主面103Tに複数のウェハ状の基板104が載置され、基板104の非処理面104Bの一部が少なくともトレイの他方の主面103Tと非接触の領域R2をなすように、トレイ103の形状が規定され、トレイの他方の主面103Tのうち、基板の非処理面104Bが接していない領域に、基板の側面に接して囲むように基板の保持部105が設けられている、ことを特徴とする半導体製造装置100。 (もっと読む)


【課題】本発明は、2種類の半導体素子を1個のワークに装着する半導体素子装着装置において、1種類の半導体素子のみを装着する場合においても、より生産効率の高い半導体素子装着装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、各ワークを所定間隔毎に設けられた複数の送り爪で係止し凹状の搬送路を間欠送りし、前記所定間隔で規定される所定のピッチで前記送り爪を往復動作させて搬送し、最大N個(2≦Nの整数)の前記ワークを同時に前記送り爪にそれぞれ1個ずつ係止できるように前記搬送路に供給し、最大N個の前記ワークにそれぞれ半導体素子を装着することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱応力によって割れの危険がなく、かつ自動搬送に適したサセプタカバー、及び該サセプタカバーを備えた気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係るサセプタカバーは、チャンバー23内に公転可能に設置されると共に、薄膜を堆積させる基板25が自転可能に載置される複数の基板載置部47を有するサセプタ27を備えた気相成長装置17におけるサセプタ27に設置されるサセプタカバー1であって、サセプタカバー1は、外形が円形であって、基板載置部47に対応する部位に開口部5が周方向に連続して設けられてなり、隣接する開口部5の間の部位において内周側1aと外周側1bに2分割されてなり、内周側1aと外周側1bとが、内周部1a側又は外周部1b側のいずれか一方を持ち上げると、他方も持ち上げられるような係合部7によって係合されてなることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】ステータ表面と永久磁石表面の間隔を縮小してリニアモータ効率を向上することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】永久磁石52と駆動磁石50の間に配置され、永久磁石52が配置されている空間を真空雰囲気に、駆動磁石50が配置されている空間を大気圧雰囲気に隔てる真空隔壁55は、永久磁石52側の表面がフラットに形成された上板部59aと、上板部59aの縁に気密に連結される第2側壁部59cと、第2側壁部59cが対向して配置された部分に架け渡されるとともに上板部59aの大気圧雰囲気側に一体に設けられ、上板部59aのたわみを抑えるための複数のリブ61を有している。このため、真空隔壁55の最大たわみ量を小さくすることができ、永久磁石52と駆動磁石50の距離を縮めることができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイスウエーハ上に形成された各半導体デバイスに対応させて複数の半導体デバイスチップを容易に積層可能な治具プレートを提供することである。
【解決手段】 交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に第1半導体デバイスが形成された半導体デバイスウエーハの該各第1半導体デバイス上に、表面に第2半導体デバイスが形成された半導体デバイスチップを積層する際に使用する治具プレートであって、該半導体デバイスウエーハの該分割予定ラインに対応した基準パターンを表面に有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ワークの交換時間を短くして、装置の利用効率を上げること。
【解決手段】ワークトレイ6A〜6Dを複数用意し、ワークトレイ6A〜6Dを基台5に対して着脱可能とし、基台5に、ワークトレイ6A〜6Dの内の一つを装着してワークステージ4を構成する。ワークトレイ6A〜6Dを基台5から分離し、例えばワークトレイ6Aに複数のワークWを載せて基台5上に置き、ワークWに対して一枚毎にアライメントを行い、光照射部1からの光をマスクMを介してワークWに対して照射し、逐次露光処理を行う。ワークトレイ6AのワークWの露光処理をしている間に、他のワークトレイ6B〜6D上に未処理のワークWを載せる作業を行い、上記露光処理が終わると、ワークトレイ6Aを取り外し、未処理のワークが載せられたワークトレイ6B〜6Dを基台5に載せて露光処理を行う。また、同時にワークトレイ6Aから露光済みのワークWを回収する。 (もっと読む)


【課題】薄い大型の平板状基板を表面へのダメージ無く収納し搬送することができる、薄型、軽量の基板収納用トレイを提供するにより、一度に輸送できる基板の枚数を多くでき、輸送コストを低減する。
【解決手段】平板状で同一形状の複数の基板を一枚ずつ収納し、該基板を囲む枠部で水平に多段に積み重ねて搬送するための基板収納用トレイにおいて、枠部と連結して枠部の内側に基板を担持する基板支持部を有し、基板支持部の基板と接する部分に自己粘着性を有する基板固定部材を設けた。 (もっと読む)


【課題】基板ホルダの劣化等による貼り合せシステムのトラブルを防止する。
【解決手段】基板を保持した状態で搬送される基板ホルダであって、基板を保持面に保持する本体部と、本体部に設けられ、外部から測定可能な指標と、指標の情報、および、外部からの測定により得られるべき結果の情報を、外部から読み出し可能に記憶する情報記憶部とを備える基板ホルダが提供される。指標は、測定によって互いに異なる複数の結果のいずれか一つが測定されるべく設けられており、情報記憶部は、複数の結果のうちの一つを、基板ホルダを識別する識別情報に対応付けて記憶している。 (もっと読む)


【課題】 数枚の基板を載置できる基板搬送トレイであって、CVD成膜装置内で用いた場合に異常放電が発生しにくい基板搬送トレイを提供する。
【解決手段】基板搬送トレイ1は、複数の凹部11がその一方面12に形成され、凹部に基板Sが載置されて搬送される基板搬送トレイであって、基板搬送トレイの一方面に絶縁膜21が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板等の板状体を平置き状態で収納する搬送用容器として、振動や落下衝撃等により容器本体の側壁に強い力がかかった場合にも、側壁基部内側での亀裂損傷を防止でき、耐久性に優れたものとする。
【解決手段】上方に開口する平面矩形の容器本体1を有する搬送用容器であり、容器本体1の底部13の上面13aの側壁内面に沿う周縁部に、底部13上に収納される板状体Bの周縁の当接を回避するための凹部15が形成され、凹部15の底面15aの外縁側が側壁14dの外方への弾性変形時の応力集中を回避できるアール曲面で側壁14d内面に連続している。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第1プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程とを実施する。 (もっと読む)


【課題】タクトタイムの短縮を図ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第1のチャンバには、基板Sを第1の方向で移動可能に支持する第1の支持部材が、所定間隔で上下二段に設けられていると共に、第2のチャンバには、基板Sを第1の方向とは直交する第2の方向で移動可能に支持する第2の支持部材が、第1の支持部材とは異なる高さに所定間隔で上下二段に設けられ、搬送室には、基板Sを第1の方向で搬送する第1の搬送手段30と、基板Sを第2の方向で搬送する第2の搬送手段31とのそれぞれが、所定間隔で上下二段に設けられており、第1の搬送手段30と第2の搬送手段31とは、相対的に昇降可能に設けられ、これらを相対的に昇降させることによって上段同士又は下段同士の第1の搬送手段30と第2の搬送手段31との間で基板Sを移動可能に構成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップトレイと半導体チップの搬送方法において、搬送時に半導体チップが不良品になるのを防止すること。
【解決手段】交互に重ねたときに半導体チップ2を収容する空間Sが形成される半導体チップトレイであって、表面20xに半導体チップ2を収容するポケット20aが形成されたと共に、裏面20yに半導体チップ2を覆うキャビティ20bが形成され、ポケット20aの開口端20eとキャビティ20bの開口端20fとを平面視で交差させた半導体チップトレイ20による。 (もっと読む)


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