内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。当該サセプタは、上面、および当該上面と反対の下面を有する本体を備える。当該サセプタは、当該上面から当該本体に仮想の中央軸に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハを受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタは、当該本体を貫通し凹部から下面まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタは、本体から中央軸に沿って凹部から下面まで延びる中央開口部を有する。
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【課題】浮上回転によりパーティクルフリーを実現し、その構造や制御の簡略化を図ることができる処理装置を提供すること。
【解決手段】浮上用電磁石アッセンブリＦの磁気吸引力により、被処理体Ｗを支持する回転浮上体３０を浮上し、回転浮上体３０の水平方向位置を位置用電磁石アッセンブリＨの磁気吸引力により制御しつつ、回転浮上体３０を回転電磁石アッセンブリＲの磁気吸引力により回転している。浮上用電磁石アッセンブリＦは、磁気吸引力を垂直方向下方に向けて作用して、処理容器２の内壁に非接触で吊持するように、回転浮上体３０を浮上する。 （もっと読む）

制御された雰囲気を保持するために少なくとも１つの隔離可能なチャンバを形成するフレームと、少なくとも１つの隔離可能なチャンバのそれぞれに位置する少なくとも２つの基板支持体であって、それぞれ上下に積層され、それぞれの基板を支えるために構成されている、少なくとも２つの基板支持体と、少なくとも２つの基板支持体と連通可能に結合している冷却ユニットであって、少なくとも２つの基板支持体および冷却ユニットが、少なくとも２つの基板支持体上に位置する各基板のそれぞれに同時伝導冷却を与えるように構成されている、冷却ユニットと、を有する基板処理ツール。
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【課題】 大気側と成膜チャンバーとの間の搬送の際に一時的に基板が配置されるチャンバーにおいてもトレイを使用することで、形状や大きさの異なる基板についても同じ装置で容易に成膜処理できるようにする。
【解決手段】 成膜チャンバー４とロードロックチャンバー６との間には、未成膜基板用移載機構２４及び成膜済み基板移載機構２５を備えた補助チャンバー７２が設けられている。補助チャンバー７１〜７３及び成膜チャンバー４は、常時真空に維持される。未成膜の基板９は、ロードロック用トレイ１１に載せられてロードロックチャンバー６から補助チャンバー７２に搬送され、ロードロック用トレイ１１から成膜用トレイ１２に移載される。成膜済みの基板９は、成膜用トレイ１２に載せられて成膜チャンバー４から補助チャンバー７２に搬送され、成膜用トレイ１２からロードロック用トレイ１１に移載される。 （もっと読む）

【課題】剥離促進ヘッドの交換を自動的に行って設備稼働率を向上させることができるチップ実装装置およびチップ実装装置における剥離促進ヘッドの交換方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チップ実装装置においてウェハリング保持部１０に複数種類の剥離促進ヘッド１３を着脱自在に保管する剥離促進ヘッド保管部１２を備え、チップ剥離促進ユニット１１を移動機構１９によって剥離促進ヘッド保管部１２にアクセスさせ、剥離促進ヘッド保管部１２とチップ剥離促進ユニット１１に設けられた剥離促進ヘッド装着部２５との間で剥離促進ヘッド１３を交換するヘッド交換動作を、オペレータの人手を煩わすことなく自動的に実行させる構成を採用する。これにより、剥離促進ヘッド１３の交換を自動的に行って設備稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板と馴染む載置面を形成することができる載置台の表面処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置されたＥＳＣを有し、該ＥＳＣはウエハＷが載置される載置面を有する基板処理装置において、チャンバ内にウエハＷを搬入しＳ３１、該ウエハＷをＥＳＣの載置面に載置し、さらに、静電電極板に高直流電圧を印加してウエハＷを載置面に静電吸着しＳ３２、処理空間Ｓに高周波電力を供給して処理ガスからプラズマを発生Ｓ３３させてウエハＷを熱膨張させ、次いで、プラズマを消滅させ、ウエハＷをチャンバ内から搬出しＳ３４、高周波電力供給の積算時間が所定時間を超えたか否かを判別しＳ３５、高周波電力供給の積算時間が所定時間を超えている場合には、処理を終了し、超えていない場合には、上述した処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板を真空チャックしている状態でも均熱性の良い半導体製造装置用サセプタを提供する。
【解決手段】半導体製造装置用サセプタ１は、基板を加熱するためのヒータ電極２が埋設された窒化アルミニウム製の支持部材３と、支持部材３の上面に形成された凹形状のウェハポケット部４と、ウェハポケット部４に形成された貫通孔５と、ウェハポケット部４の外周部において基板を支持するシールバンド部６とを備え、シールバンド部６の上面にはシールバンド部６の外周からウェハポケット部４方向に向かってチャンバー内のガスが通過可能な複数のガス流路７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に対して高温処理および回転処理を実施することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】約２００℃のＳＰＭが用いられるＳＰＭ処理時には、基板下保持部２にウエハＷが保持される。基板下保持部２は、ウエハＷの下面を支持するので、ウエハＷの重量以上の力を受けない。ＳＣ１処理時およびスピンドライ時には、基板上保持部３にウエハＷが保持される。ＳＣ１処理およびスピンドライは、ＳＰＭ処理時よりも低温な環境下で実行されるので、基板上保持部３によってウエハＷを強固に保持しても、基板上保持部３の変形を生じない。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッジ部の側面のみならず、裏面（下面）側にも成膜等の処理を施すことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４４内に処理ガスを供給して被処理体Ｗに対して処理を施すために前記処理容器４４内で前記被処理体を載置して支持するための載置台構造において、前記被処理体を載置する載置面を有する載置台本体５０と、前記被処理体の移載時に前記被処理体を突き上げるために昇降可能になされた昇降ピン機構１０６と、前記被処理体を前記載置台本体上に載置している時に前記被処理体の周辺のエッジ部３８の下面を前記処理ガスに晒すために前記載置面に形成されたエッジ露出用段部１２２とを有する。これにより、被処理体のエッジ部の側面のみならず、裏面（下面）側にも成膜等の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に供給されるガスにより基板を回転部材上に突設された支持部材に押圧して基板を回転部材に保持しながら回転させる基板処理装置および基板処理方法において、回転中の基板が所望の支持位置から大幅に移動してしまうのを防止する。
【解決手段】基板表面に供給される窒素ガスによって基板Ｗが所定の支持位置で各支持ピンＦＦ１〜ＦＦ６，ＳＳ１〜ＳＳ６に押圧されてスピンベース１３に保持される。そして、スピンベース１３に基板Ｗが保持されながらスピンベース１３とともに基板Ｗが回転する。複数個のガイド部材２５が支持ピンＦＦ１〜ＦＦ６，ＳＳ１〜ＳＳ６に対しスピンベース１３の周縁側で回転中心Ａ０を中心として放射状にスピンベース１３に設けられている。このため、回転駆動される基板Ｗが支持位置から径方向にずれた場合であっても、ガイド部材２５が基板端面に当接して基板Ｗの径方向の移動を規制する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を防止しつつ基板を保持する。
【解決手段】応力測定装置の基板保持機構２０は、基板９の下面９１側において気体を噴出することにより基板９を下方から非接触にて支持する支持部２０１、および、支持部２０１に支持される基板９の側面に当接して基板９の移動を規制する円筒状の移動規制部２０２を備える。支持部２０１は、基板９の下面９１に対向する円板状の多孔質部材２０３を備え、基板保持機構２０では、多孔質部材２０３の上面２０３１全体からおよそ均一に気体を噴出することにより、基板９が支持部２０１に接触することなく面支持される。。これにより、基板９の変形を防止しつつ基板９を保持することができる。その結果、基板９の表面形状を高精度に求めることができ、基板９上の膜内の応力を高精度に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理のスループットを向上することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板反転移動装置７は、反転機構７０および移動機構３０により構成される。回転機構７８には、モータ等が内蔵されており、リンク機構７７を介して、基板Ｗをそれぞれ支持する第１および第２の支持部材７１，７２がそれぞれ固定された第１の可動部材７４および第２の可動部材７５を、水平方向の軸の周りで例えば１８０度回転させることができる。また、ベース３１上に一対の搬送レール３ａがＶ方向に平行に固定されている。一対の摺動ブロック３ｅは、一対の搬送レール３ａに摺動自在に取り付けられている。摺動ブロック３ｅに、反転機構７０の座板部７９が取り付けられている。直動機構３ｂが駆動部３ｃを搬送レール３ａと平行な方向に移動させることにより、反転機構７０が搬送レール３ａに沿ってＶ方向に往復移動する。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン構造で基板を固定、支持する際、基板の下面を支持することなく、固定できる気相エピタキシャル成長用治具を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る気相エピタキシャル成長用治具１は、基板３を治具本体１１の収容穴１２にフェイスダウン構造で支持、固定するものであり、収容穴１２内に、基板３を径方向内方に付勢してバネ力で支持するバネ部材４を複数個設けたものである。 （もっと読む）

【課題】摩耗による不具合を発生させることなく無駄なく使用することが可能な保持ピン
を提供する。
【解決手段】保持ピン７は、使用限界となる摩耗量に相当する厚さＤに設定された表層部
１４と、該表層部１４の内側に設けられ表層部１４と識別可能に構成された使用限界報知
部１５とを備えており、保持ピン７が摩耗し使用限界となると、表層部１４と識別可能に
構成された使用限界報知部１５が露出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の周辺部を下方から支持する際に、ガラス基板の撓みを低減して、精度良い位置決めが可能となる基板の支持方法及び支持構造を提供する。
【解決手段】矩形状のガラス基板３の短辺３ａ側に各々１つの支持ピン４ａを配置すると共に、ガラス基板３の長辺３ｂ側に各々２つの支持ピン４ｂを配置して、合計６つの支持ピン４ａ、４ｂから構成し、支持ピン４ａ及び支持ピン４ｂを、ガラス基板３の４角を避けて、ガラス基板３の周辺部に配置して、ガラス基板３を下方から支持する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの下面の全面をエッチングすることができ、かつ使用するエッチング装置の構造が簡単である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一部を下面から支持した状態で、半導体ウェハ１をドライエッチング領域まで搬送して半導体ウェハ１の下面にドライエッチングを行わせる搬送ベルト２０と、ドライエッチング領域において搬送ベルト２０を下方から支持する支持棒２４とを具備するエッチング装置１０を用いて半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程を有する。半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 （もっと読む）

【課題】被加工物を支持する回転板の回転・停止が容易で、被加工物の両面処理できる装置を提供する。
【解決手段】円環状の回転板１と、該回転板１の下方に配置され、該回転板を磁気浮上させるための環状に配置された超伝導体６を有し、前記回転板１の下面には前記超伝導体６に対応して配置された浮上用永久磁石１ｃと、更に、前記回転板１に設けた浮上用永久磁石１ｃの外周側に回転用の永久磁石あるいは強磁性鋼板１ａ，１ｂと、該永久磁石に対応して回転磁界コイル４Ａを配置し、前記回転板１の永久磁石あるいは強磁性鋼板１ａ，１ｂと、前記回転磁界コイル４Ａとによって前記回転板１を非接触状態で回転駆動するように構成した磁気浮上回転処理装置。 （もっと読む）

【課題】成長治具へのデポから生じるエピタキシャルウェハへの影響をなくす均一化成長治具を提供する。
【解決手段】治具本体２に収容穴３を形成し、その収容穴３に基板４を収容して保持し、記基板４上に結晶をエピタキシャル成長させて堆積させるための成長用治具１において、治具本体２の収容穴３を除く成長側の面２ｄに、結晶の堆積を防止するカバー１０を取り付けたものである。 （もっと読む）