【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形（ｓｔｒｅａｍｌｉｎｅ ｓｈａｐｅ）からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第１前端部と、後端に位置する第１後端部を含む。第１前端部は第１尖端部を備え、第１後端部は丸い形状を有する。 （もっと読む）

【課題】工具による手作業もヒータユニットの移動も必要とすることなくサセプタを簡単に着脱することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０が盤面と平行に支持機構１４０にスライド自在に支持されることで、ヒータユニット１２０に対向される。このため、工具による手作業もヒータユニット１２０の移動も必要とすることなく、ヒータユニット１２０と対向する位置にサセプタ１３０が着脱される。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

処理チャンバ及び処理チャンバ内において基板支持アセンブリ上に位置決めされた基板の温度を制御するための方法を提供する。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、この熱伝導体の表面上に在り且つその上で大面積基板を支持するように適合された基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱要素と、１つ以上の加熱要素と同一平面となるように熱伝導体内に埋設された２つ以上の冷却チャネルを含む。冷却チャネルを、２つ以上の長さの等しい冷却路に分岐してもよく、分岐冷却路は単一の流入口から単一の流出口に延びており、等しい抵抗冷却が得られる。
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本発明の実施形態は分離されたスリットバルブドアシールコンパートメント有するロードロックチャンバを含む。一実施形態において、ロードロックチャンバはメインアセンブリと、第１のスリットバルブドアシールコンパートメントと、シールアセンブリを含む。メインアセンブリはその中に形成された基板搬送キャビティを有する。２つの基板アクセスポートがメインアセンブリの中に形成され、流動可能に前記キャビティに結合されている。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントは、アクセスポートのうちの１つの近傍にあり、アクセスポートのうちの１つに揃えられて配置された孔を有する。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはメインアセンブリから分離さている。シールアセンブリは第１のスリットバルブドアシールコンパートメントをメインアセンブリに結合する。
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【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の主裏面に接触跡が形成されてしまうことを防止可能なサセプタをおよび半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１である。サセプタ１に対し支持状態で半導体基板Ｗを位置決めさせるための座ぐり２を有する。座ぐり２の底面２２ａが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における基板Ｗの撓み形状よりも窪まされている。この底面２２ａと半導体基板Ｗとの最大距離Ｄが、半導体基板Ｗを加熱しないで支持した状態で０．３５ｍｍ以上、０．４５ｍｍ未満となっている。 （もっと読む）

【課題】基板表面のみを薬液で処理する基板処理方法において、基板の脱離の際に基板表面に所望しない異物の付着を防止し得る吸着パット及びこれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、該基板と吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メカニカルクランプ方式を用いたドライプロセスにおいて、被処理体をなす基板上の外周域までプラズマを用いた処理を施すことが可能な基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１は、ドライプロセス装置内に配置され、プラズマを用いた処理が施される基板を支持する基板ホルダーであって、基板２の処理面２ａが露呈するように、該基板を収容する部位（収容部）１０を備えた第一部材１１、及び基板の非処理面２ｂとともに第一部材を固定する粘着部１３を備えた第二部材１２からなることを特徴とする。この基板ホルダー１は、処理装置内のステージ３上に配置され、メカニカルクランプ４によって第一部材１１を押さえ込むことにより、第一部材と一体的に固定された基板を支持するものである。 （もっと読む）

【課題】成膜用の基板とマスクとの位置合わせ精度を向上させる。
【解決手段】基板５の側縁の中央部を、基板ホルダー１に設けられた突起３に当接させて、基板５が凸形状となるように保持することで、基板５の自重による撓みを防止する。位置合わせ用アクチュエーター４によって基板ホルダー１上に保持されたときの基板５の凸形状の稜線上にアライメントマーク５ａを配置する。基板５とマスク６の位置合わせを行うときと、位置合わせ後に基板５とマスク６を密着させたときとで、アライメントマーク５ａの位置変動が生じないようにすることで、位置合わせ精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】焼成処理温度のような高温下にさらされた場合であっても、撓みが生じにくい基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板支持部材を、互いに線膨張率の異なる材質によって形成される天板部材Ｈと壁部材Ｖ１，Ｖ２とを接合して一体化する。より具体的には、天板部材Ｈを形成する材質よりも大きな線膨張率の材質によって壁部材Ｖ１，Ｖ２を形成する。このような基板支持部材は、焼成処理温度のような高温下にさらされた場合に、線膨張率の違いに起因して鉛直上向きの力が生じる。この力に撓みを相殺させることによって、撓みの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】アニール処理を伴うウエハへの成膜処理において、ウエハ内のアニール温度を均一に保つことのできる技術を提供する。
【解決手段】ホルダフレームＵＨＦ、ウエハ押さえ軸ＵＨＰおよびウエハ押さえ爪ＵＨＮから形成された上部ウエハホルダＵＷＨと、下部ウエハホルダＢＷＨとを備えた熱処理装置内において、ウエハ状のｎ^＋＋型高濃度基板１と接触するウエハ押さえ爪ＵＨＮおよび下部ウエハホルダＢＷＨは、熱伝導率が低い石英ガラスから形成されたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】力を加えることなく薄板ウェハを保持することによって、薄板ウェハの破壊を防
止することが可能な薄板ウェハの加工方法及び薄板ウェハの保持具を提供する。
【解決手段】薄板ウェハの一例としての圧電体ウェハ１６の保持具１００は、ベース体１
０に形成された凹部１９と、凹部１９の底部を貫通する窓開け部１５と、凹部１９に掛か
るようにベース体１０の上面１２に設けられた係止部１８とから構成される。圧電体ウェ
ハ１６は、凹部１９に遊挿され、係止部１８によって飛び出しを防ぎながら加工される。 （もっと読む）

【課題】外周部に環状の補強部が設けられ凹部が形成されウエーハであっても破損させることなく吸引保持することができるウエーハの保持パッドを提供する。
【解決手段】ウエーハの保持機構は、ウエーハの外周縁を保持する少なくとも３個の保持部材と、少なくとも３個の保持部材を放射方向に案内する案内部を備え該案内部に沿って移動可能に支持する支持プレートと、少なくとも３個の保持部材を案内部に沿って移動せしめる移動手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来るリフタ及び被処理体の処理装置を提供する。
【解決手段】リフタ９の一対のリフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に連結部９７，９７を介して連結されている。リフタアーム９１は、連結部９７の支持板９７ａの一端部に突設されており、支持板９７ａの他端部及び該他端部の下側に連結された連結板９７ｂには、固定ねじ９７ｅが貫通され、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせた状態で、支持板９７ａ，９７ａを連結する。カバー９７ｄを外して、固定ねじ９７ｅを緩めることで、支持板９７ａが昇降軸９６に対して回転する。 （もっと読む）

【課題】熱処理時の基板の温度分布が均一で、マイクロクラックや基板割れの発生が少な
い搬送用プレートを備えた基板の熱処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の基板の熱処理装置は、例えばガラス基板２０を保持して搬送する搬
送用プレート１０Ａを備え、前記搬送用プレート１０Ａは、前記基板２０の外周端部を前
記基板２０の外周側から部分的に接触して保持する複数個の保持部３５を備えていること
を特徴とする。この搬送用プレート１０Ａにおいては、前記基板２０の外形よりも大きな
中央開口部１２を有するフレーム部１１を備え、前記保持部３５は、前記基板２０の外周
端部の一部と平面的に重なるように、前記フレーム部から突出するように設けるとよい。 （もっと読む）

【課題】水蒸気アニール処理の効果を維持したまま、治具からの転写による基板の汚染や、処理中におけるパーティクルやコンタミネーション等による基板の汚染をより効果的に低減する。
【解決手段】水蒸気アニール用治具１０は、上部開口１２ａと下部貫通穴１２ｂと支持部１２ｃとを有し基板１を内部に収容するサセプタ１２と、サセプタ１２の上部開口を閉じる蓋部材１４と、を備える。下部貫通穴１２ｂは、基板１の下面を支持してサセプタ１２から浮かせた状態で保持するための支持体２４を下方から挿入できるように形成されている。サセプタ１２と蓋部材１４との接触部分に、水蒸気分子を導入できかつ所定の粒径以上のパーティクル及びコンタミネーションの侵入を阻止する微細流路が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面のクリーニング後に、ウエハの表裏を反転させることなく、ウエハの裏面をクリーニングできる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０２を処理するためのチャンバ１００は、チャンバ１００の内部空間を上側部分１０６と下側部分１０８とに分離するためのリング１０４を有している。ウエハ１０２の表面１１０は上側部分１０６に位置し、裏面１１２は下側部分１０８に位置する。このように、リング１０４で裏面１１２が位置する領域を、表面１１０が位置する領域から分離させることによって、裏面１１２だけを対象にして、目的とするプロセスガスをチャンバ１００に導入することが可能となる。具体的には、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングする際は、チャンバ１００の下側部分１０８にのみプロセスガスを導入することが可能となる。その結果、ウエハ１０２の表面１１０に大きな影響を与えることなく、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板などの絶縁基板を真空中で確実に吸着する方法を提供する。
【解決手段】 吸着面に真空吸着用の穴が開口するとともに吸着面の平均粗さ（Ｒａ）を０．７μｍとした静電チャックを用い、大気雰囲気から真空雰囲気まで連続して静電チャックにて基板を吸着するにあたり、大気雰囲気での相対湿度を４５％以上７３％以下とする。大気中ではガラス基板は表面吸着水によって覆われており、大気中で一旦静電吸着することで、発生した電界によって表面吸着水はイオン化され、真空雰囲気になってもそのまま残り導電性物質と同じような働きをし、吸着力が大きくなる。 （もっと読む）

【目的】基板面内の温度分布をより均一に保つような支持台と熱源との構成を有する気相成長装置を提供することを目的とする。
【構成】ガスを供給する流路１２２及び排気する流路１２４が接続されたチャンバ１２０内でシリコンウェハ１０１に成膜する本発明の気相成長装置において、裏面に環状の凸部１１２を有し、シリコンウェハ１０１を支持するホルダ１１０と、表面位置が凸部１１２の先端よりもホルダ１１０側に位置するように凸部１１２の外周端より外側に配置されたアウトヒータ１５０と、さらに離れて配置されたインヒータ１６０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板面内の温度分布を良好にすることができる。 （もっと読む）