基板処理装置はチャンバと、処理モジュールの略リニアなアレイと、基板移送部と、駆動システムとを有している。該チャンバは外部雰囲気から分離されることが可能である。該アレイの各処理モジュールはチャンバに連絡自在に結合されており、よって基板がチャンバと処理モジュールとの間で移送されることを可能にする。該基板移送はチャンバ内に位置しており、移動自在にそれに支持されている。移送部はチャンバによって画定されるリニア経路に沿って移動可能であり、基板を処理モジュール群の間で移送する。駆動システムはチャンバに結合されており、移送部を駆動してリニア経路に沿って移動せしめる。チャンバは順に当接する選択可能な数量のチャンバモジュールからなり、よってチャンバを画定する。各モジュールは駆動システムの一体部分を有している。
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【課題】 ウェハもウェハホルダも損傷しないウェハホルダを提供する。
【解決手段】 オリエンテーションフラット１を有するウェハ２を載置するための水平な底部３の周囲に前記ウェハ２の移動を規制するための壁４が形成され、前記ウェハ２の法線に平行な公転軸の周りに前記ウェハ２を公転させるウェハホルダ１０において、前記壁４のうち前記オリエンテーションフラット１に対向する部分（対向部）５が前記オリエンテーションフラット１に向かって曲線状に膨らんでいる。オリエンテーションフラット１の角が対向部５に接触することがないので、ウェハ２もウェハホルダも損傷しない。 （もっと読む）

【課題】ＩＰ測定作業を自動で行うことができる転写マスク用ＩＰ測定装置を提供する。
【解決手段】転写用マスクとこれを保持するチャックとの２つを一体とした、あるは、前記２つとこれらを載置するためのアダプタとの３つを一体とした、一体部材８０の形態を維持しながら、全ての作業動作を行うもので、静電吸着用として、前記チャックへ所定の電圧を供給する電圧供給用の電源６０を設け、電源からチャックに電圧を供給する回路を、複数６１、６２、６３配し、各回路は、それぞれ、チャックが移動する全経路の一部で、チャックへの静電吸着用の電圧の供給を分担し、あわせて、全経路に渡り、チャックの静電吸着用の電圧を供給し続けるものである。 （もっと読む）

【課題】 組立て時の吹出ノズルの調節を不要にして組立作業を簡単にした基板支持体を備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板支持体２に被処理基板Ｗを載置し、この基板支持体２を回転させながら前記基板表面に処理液を滴下してその表面処理を行う基板処理装置１において、前記基板支持体２は、円形深皿状をなした基台３と、全体が円盤状をなし、その長手方向の断面が逆台形状で前記基台の上部開口に嵌め込まれた天板１０と、前記基台３又は前記天板１０の回転中心に設けられた中空の回転軸１５と、を備え、この嵌め込みにより互いに接触する前記天板１０の接触面１３及び前記基台３の上部開口の接触面５ａから選択される少なくとも一面には中空の回転軸１５から外方に向かって放射状に伸びた複数本のスリット状溝からなるガス吹出ノズル１４が形成されている基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】多様な大きさの液晶表示パネルが配置される多様な種類の基板を不良なくソフトベークし得るソフトベーキング装置を提供する。
【解決手段】チャンバーの内部に形成される加熱プレート３０５と、該加熱プレート３０５にローディングされる基板３００と、該基板３００を加熱する加熱手段と、前記加熱プレート３０５の表面に設置され、前記基板３００の非表示領域を選択して支持する複数の基板支持ピン３０２ａ，３０２ｂと、これら支持ピン毎に設置され、個別的に前記基板支持ピン３０２ａ、３０２ｂを駆動する基板支持ピン駆動手段３１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査中にウエハの裏面に障害なく接近することを許容し、ウエハ上にかかる応力を最小化するウエハ保持装置を提供する。
【解決手段】ウエハ保持装置に確保される少なくとも１つのスペーサー３４を有する第１プレート、少なくとも１つのフィンガー３８を有する第２プレート２４であって、第２プレート２４が第１プレートに関して開き位置にある場合には、フィンガー３８がリップ３６から離れて位置し、および第２プレート２４が第１プレートに関して閉じ位置にある場合には、フィンガー３８およびリップ３６が協同してフィンガー３８およびリップ３６の間にあるウエハＷの規定部分を固定するように、少なくとも１つのフィンガー３８が第２プレート２４上に配置される。 （もっと読む）

【課題】 基板に供給される処理液が基板を保持する基板保持手段の可動部分に侵入することに起因する不具合を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース２１の上面周縁部には、複数のチャックピンＦ１〜Ｆ３，Ｓ１〜Ｓ３が基板Ｗの外周端部に当接して基板Ｗを保持可能に配設されているとともに、複数の支持部材２２が基板Ｗの下面周縁部と当接して基板Ｗを支持可能に上方に突出するように固設されている。チャックピンＦ１〜Ｆ３，Ｓ１〜Ｓ３は、回動自在にスピンベース２１に軸支された可動本体部材２３１と、可動本体部材２３１上に固定して支持された当接部材２３２とを備えている。そして、可動本体部材２３１を回動させることで、当接部材２３２を基板Ｗの外周端部に離当接させることが可能となっている。この可動本体部材２３１は、スピンベース２１が基板Ｗと対向する対向領域ＦＲよりも基板Ｗの径方向外側に配置される。 （もっと読む）

【課題】 熱処理装置において、基板を支持する支持機構とウェハとの接触により生じるウェハの温度変化を抑える。
【解決手段】 処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

プローブステーションに装置を支持するように構成した透過板上に堆積した透過レジスタを有する熱光学チャックにより、試験中の加熱可能な装置の下面にアクセス可能な光路を提供する。
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簡単な構造で基板を確実に着脱する。 保持板１の基板側に、基板Ａの裏面Ａ１と対向して粘着保持する粘着部材３と、該基板側面１ａと交差する方向へ出没変形可能な変形膜４とを設け、この変形膜４の出没変形で粘着部材３の粘着表面３ａと基板Ａを当接させて粘着すると共に、これら両者を強制的に引き離すことにより、粘着部材３の粘着表面３ａから基板Ａが無理なく剥離される。 （もっと読む）