【課題】 本発明は、カセットに収納された半導体ウエハ等の基板を所定の場所に移載する基板搬送装置に関し、カセット内においてウエハが所定位置に位置していない場合にもウエハの外周部を確実に保持することを目的とする。
【解決手段】 基板の下面の外周部を保持する保持部をハンド部に備え前記基板を搬送する搬送手段と、前記ハンド部に設けられ、カセットに水平に収容される基板の奥行き方向の位置を検出する検出手段と、前記奥行き方向の位置に基づいて前記基板の外周部が前記保持部に保持されるように前記搬送手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、カセットに収納された半導体ウエハ等の基板を所定の場所に移載する基板搬送装置に関し、カセット内へのハンド部の挿入時に、変形しているウエハにハンド部が接触するのを防止することを目的とする。
【解決手段】 カセットに上下方向に間隔を置いて水平に収容される基板の先端の上下位置を検出する検出手段と、前記基板の間に水平に挿抜され、下側の前記基板までの距離を測定する距離センサを備え、上面に上側の前記基板を保持する保持部を有するハンド部を備えた搬送手段と、前記検出手段および前記距離センサの検出情報に基づいて前記搬送手段を駆動し前記ハンド部を前記基板の間に挿抜させる制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 均熱板にウエハを支持するウエハ加熱装置において、均熱板の載置面が凹状になると、中心付近で均熱板とウエハの間のギャップが大きくなるので、特に、均熱板の温度設定を変更したり、ウエハを交換したりした際の昇温過渡時に中心部の加熱が遅れ気味になり、その結果ウエハ面内の温度分布が大きくなるという課題があった。
【解決手段】 セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備してなるウエハ加熱装置において、前記均熱板の載置面を凸状にする。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置に備えられた基板支持装置２００において、基板の外側を支持する複数の外側支持台２０１，２０３と、基板の内側を支持する内側支持台２０２と、を備え、外側支持台２０１，２０３と内側支持台２０２は、フレーム部２０１ａ及び該フレーム部２０１ａに積層し形成されて抗静電性を有する物質からなる基板接触部２０１ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射により捺印を形成する工程における半導体ウェハの搬送を容易にする固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固定治具１は、平面視でＣ字形状を呈するクランパ３と、クランパ３に配置された半導体ウェハの周囲に接触するクランプリング２とから主に構成されている。更に、クランパ３の内側端部を厚み方向に窪ませて段差部６が設けられており、半導体ウェハはこの段差部６に収納された状態で、クランプリング２により固定される。この様に固定治具１により半導体ウェハを固定することにより、捺印工程における半導体ウェハのハンドリングが容易になる利点がある。 （もっと読む）

【課題】 装置内部からのパーティクル飛散を防止するとともに、ＣＶＤやＰＶＤなどの腐食性ガスを使用する環境においても内部に腐食性ガスが侵入することがなく、極めて長期的に安定した耐腐食性能を得ることができるプリアライナー装置を提供する。
【解決手段】 機枠２１の内部を機枠２１に設けた排気用継ぎ手３２から真空排気などにより吸引することによって陰圧化するとともに、機枠２１の外側に外被容器１１を設け、外被容器１１には気体導入用の継ぎ手１２を設けておき、気体導入用の継ぎ手１２から清浄なエアを印加して機枠２１と外被容器１１との間の空間１４に充填することで、外被容器１１の内側を外部雰囲気３に対して陽圧とする。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハーＷはハロゲンランプＨＬからの光照射によって所定温度にまで予備加熱された後、フラッシュランプＦＬによってフラッシュ加熱される。半導体ウェハーＷの温度は長波長放射温度計１２０および短波長放射温度計１３０によって測定される。サーモパイルを有する長波長放射温度計１２０は、石英の下側チャンバー窓６４を透過しない波長域にて測定するため、ハロゲンランプＨＬの光が外乱光とならずに温度測定を行うことができる。シリコンのフォトダイオードを有する短波長放射温度計１３０は、ハロゲンランプＨＬからの放射光をシャッターによって遮光しているときには、長波長放射温度計１２０よりも高い測定精度および応答速度にて温度測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する装置の提供。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に基板２が載置される。トレイ１５とトレイ支持面との間の空間をＯリングでシールし、この空間に伝熱ガス供給機構１０９から伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を加工あるいは観察する際に、基板の裏面を汚染したりダメージを与えずに、ステージへの基板の着脱が容易で、かつ基板をステージ上に十分に固定させる基板固定装置を提供する。
【解決手段】表裏に主面を有する基板１０１の表面を微細加工する場合、あるいは微細加工した基板の表面を観察する場合に、基板をステージ上に固定する基板固定装置であって、ステージ１０３上に固定されたステージガード１０４を備え、ステージガードは、基板を加工あるいは観察する開口部が設けられているとともに、所定の高さを有してステージとの間に空間を形成して、基板の裏面を前記ステージに非接触とし、基板の表面の一部を用いて、基板をステージガードに水平に保持する手段を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、直径３インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタが１個の基板ホルダー８に対して４個以上のツメ１０を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】組立調整に時間がかからない構成とし、ウェハ搬送装置とのウェハ受け渡し時間も大幅に短縮したプリアライナ装置によるウェハ搬送システムを提供すること。
【解決手段】ウェハを保持して回転させ、センサによって前記ウェハの外周を検出し、前記センサの検出情報を用いて少なくとも前記ウェハを所望の方向へと回転させるプリアライナ装置において、前記ウェハを保持する把持部材１に、前記ウェハの裏面と接触してこれを吸着保持する吸着面１２が形成され、かつ前記ウェハを前記吸着面１２へ搬送するウェハ搬送装置のエンドエフェクタ１３が進入可能な凹部１４が形成されたプリアライナ装置とした。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】傾動台の中心を傾動中心とすることが可能であり、しかも傾装置を大型化させずに傾動台の傾動角度を大きくすることができる。
【解決手段】傾動装置１は、基台３に対して傾動台２を傾動可能に支持する傾動台支持部４と、基台３の上面３ａに対して略平行となる方向に延在し、その延在方向に伸縮可能な一対の圧電素子５と、各圧電素子５の伸縮による第１の変位を自身の変形により基台３の上面３ａに略直交する方向に拡大させるとともに、この拡大による第２の変位を傾動台２に伝えるＶ溝部６６を有する変位拡大部材６とを備えている。傾動台支持部４は、支柱４１と、支柱４１に対して第１軸線を中心にして回転可能に支持された回動リングとを有し、傾動台２が回動リングに対して第２軸線を中心にして回転可能に支持される構成とした。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】実質的に水平状態に配されるサセプターに載置されたシリコンウェーハ基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル層の成長工程と、前記エピタキシャル層を備えるエピタキシャルウェーハを冷却する冷却工程と、を含み、前記冷却工程は、該エピタキシャルウェーハの外周部の温度を計測する工程と、前記サセプターの温度を計測する工程と、計測された前記外周部の温度と前記サセプターの温度との差が所定の範囲内となるように、少なくとも前記サセプター又は前記エピタキシャルウェーハを加熱できるヒータを制御する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造装置等を提供する。
【解決手段】実質的に水平状態に配されるシリコンウェーハ基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置に用いられ、前記エピタキシャルウェーハが載置され、転位発生可能な高温にある前記エピタキシャルウェーハ及び当該サセプターを放冷したときに、前記エピタキシャルウェーハの外周部の接触部の温度と、前記接触部と接触して前記エピタキシャルウェーハを支持する当該サセプターの保持部の温度との差が、少なくとも所定の期間、３０℃以下となる熱容量を持つサセプターを提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）